专利名称：半导体的清洗方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体的清洗方法，特别涉及以扫描方式对BICMOS半导体 晶圆进行的显影后的清洗方法。
背景技术：
BICMOS半导体器件为具有双极晶体管及互补场效应晶体管(CMOS)的半导 体器件，BICMOS器件具有CMOS晶体管的低功耗特性和高集成度特性以及双极晶 体管的高速开关特性和高电流驱动性能。
一般BICMOS半导体器件的制造过程包括，衬底清洗、涂布光阻、烘干、曝 光、显影、清洗、离子注入等的制程。目前，公知的清洗单元如图1所示清洗 臂(未示出)、清洗喷嘴1等组成，与清洗臂固定的清洗喷嘴1以柱状且固定不 动的形式对准BICMOS晶圆3中心区域喷洒去离子水2清除BICMOS晶圓3上的 显影液，旋转吸盘6经由旋转轴4和作为旋转驱动装置5的驱动装置连接，旋 转驱动装置5驱动旋转吸盘6带动BICMOS晶圆3绕旋转轴4旋转，在旋转吸盘 6利用驱动装置5可以保持晶圓3的状态旋转和升降。
但是，在上述清洗过程中，上述清洗喷嘴1固定不动的形式喷洒去离子水2, 而旋转吸盘6带动晶圆3绕转轴4旋转，这样去离子水2与晶圓3摩擦不均匀， 引起喷嘴1与晶圓3的中心处过度积累静电，如图4所示，容易在晶圓3的中 心处积累过多的静电产生大量的击穿电量(Quantity of breakdown, Qbd ),以 至破坏栅氧化层的抗电击穿能力，产生的击穿电量容易影响BICMOS半导体器件 的性能和可靠性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体的清洗方法，通过该方法使清洗液清洗 半导体晶圓时不产生击穿电量。
为了达到所述的目的，本发明提供了一种半导体的清洗方法，该清洗方法
包括以下步骤提供一半导体晶圓衬底，于该半导体晶圓衬底上形成阱区，于 该阱区上形成一二氧化硅绝缘层，于该二氧化硅绝缘层形成一光阻层，利用显 影液对光阻层进行显影，清洗液以扫描方式对半导体晶圓上的显影液进^f亍清洗。 在上述半导体的清洗方法中，所述的半导体晶圓衬底由P型硅组成。 在上述半导体的清洗方法中，所述的阱区为P型阱区。 在上述半导体的清洗方法中，所述的阱区为N型阱区。 在上述半导体的清洗方法中，所述的清洗液通过喷嘴喷洒。 在上述半导体的清洗方法中，所述的喷嘴从半导体晶圆的边缘向中心重复 扫描移动。
在上述半导体的清洗方法中，所述的喷嘴从半导体晶圆的中心向边缘重复 扫描移动。
在上述半导体的清洗方法中，所述的喷嘴在半导体晶圓的边缘与中心连续 往返重复扫描移动。
在上述半导体的清洗方法中，所述的清洗液为去离子水。
在上述半导体的清洗方法中，所述的半导体为具有双极晶体管及互补场效 应晶体管的半导体。
本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有清洗半导 体晶圆时不产生击穿电量，达到保证半导体晶圆质量的目的。
本发明的BICM0S半导体器件的清洗方法由以下的实施例及附图给出。
图1为现有技术中的清洗装置示意图2为本发明的BICM0S半导体器件剖面图3为本发明的清洗方法示意图4为清洗后的BICM0S晶圓的击穿电量检测图。
具体实施例方式
以下将对本发明的BICM0S半导体器件的清洗方法作进一步的详细描述。 如图2所示，BICM0S半导体器件包括一衬底7,该衬底7材料为硅或者锗
或者是硅锗化合物，在本发明中，衬底为P型硅衬底，通过L0C0S (硅的局部氧 化)及STI (窄沟道隔离)方法，在P型硅村底7内形成元件隔离氧化膜10, 通过以350kev的能量及5 x 1013cm—2浓度植入硼离子形成P型阱区8,并通过以 700kev的能量及5 x 1013cm—2浓度植入磷离子形成N型阱区9。然后生长一二氧 化硅绝纟i层ll,且二氧化硅绝缘层11上涂布一层光阻12后，经过严格的烘干 程序，再以紫外线或准分子激光进行曝光后得到曝光图案，按照图案进行显影， 利用显影液去除曝光图案外的光阻，再利用清洗单元喷洒的清洗液将显影液清 洗掉，最后对二氧化硅绝缘层ll进行蚀刻产生栅电极，其中清洗液为去离子水 等能去除显影液的清洗液。
图3为本发明的清洗方法示意图。BICM0S晶圆22以晶圓22的中心位于旋 转吸盘23的旋转轴25上的方式设置在旋转吸盘23上，不过，在本发明中，晶 圆22的中心不一定非要位于旋转轴线上，位于以旋转轴25为中心的半径l~15mm 的区域即可。清洗喷嘴26以柱状且扫描运动的形式对准BICM0S晶圓22中心区 域喷洒去离子水21清除BICM0S晶圆22上的显影液，旋转吸盘23经由旋转轴 25和作为旋转驱动装置24的驱动装置连接，旋转驱动装置24驱动旋转吸盘23 带动BICM0S晶圆22绕旋转轴25旋转，在旋转吸盘23利用驱动装置24可以保 持晶圆22的状态旋转和升降。在旋转吸盘23匀速旋转BICM0S晶圆22的同时， 清洗喷嘴26—边由晶圓22的边缘向晶圆22的中心移动， 一边喷洒清洗液21, 当喷嘴26移动到晶圆22的中心处时，喷嘴26停止扫描运动且回到晶圆22的 边缘处继续重复向晶圆22的中心处扫描的动作直至对BICMOS晶圆22清洗完毕； 或者，另外一种清洗方法，在旋转吸盘23匀速旋转BICM0S晶圓22的同时，清 洗喷嘴26—边由晶圓22的中心向晶圓22的边缘移动， 一边喷洒清洗液21，当 喷嘴26移动到晶圆22的边缘处时，喷嘴26停止扫描运动且回到晶圓22的中 心处继续重复向晶圆22的边缘处扫描的动作直至对BICMOS晶圓22清洗完毕； 当然，还有一种清洗方法，在旋转吸盘23匀速旋转BICM0S晶圆22的同时，清 洗喷嘴26—边由晶圆22的边缘向晶圆22的中心移动， 一边喷洒清洗液21，当 喷嘴26移动到晶圆22的中心处时，喷嘴26开始从晶圓22的中心处向晶圆22 的边缘扫描且回到晶圓22的边缘处继续重复向晶圆22的中心处扫描的动作， 也就是说喷嘴26在半导体晶圆22的边缘与中心连续往返重复扫描移动直至对
BICM0S晶圓22清洗完毕。
最后，如4图所示为清洗后的BICM0S晶圆的击穿电量4企测图。对BICM0S 晶圓的中心进行;险测，可以发现利用本发明的清洗方法对BICMOS晶圆清洗后， 喷嘴的清洗液与BICM0S晶圓均匀摩擦，BICM0S晶圆存在很少或几乎不存在击穿 电量，而采用现有^t术的清洗方法后，BICM0S晶圆存在大量击穿电量。
以上介绍的仅仅是基于本发明的较佳实施例，并不能以此来限定本发明的 范围。任何对本发明的清洗方法作本技术领域内熟知的步骤的替换、组合、分 立，以及对本发明实施步骤作本技术领域内熟知的等同改变或替换均不超出本 发明的揭露以及保护范围。
权利要求
1、一种半导体的清洗方法，该清洗方法包括以下步骤提供一半导体晶圆衬底；于该半导体晶圆衬底上形成阱区；于该阱区上形成一二氧化硅绝缘层；于该二氧化硅绝缘层形成一光阻层；利用显影液对光阻层进行显影；清洗液以扫描方式对半导体晶圆上的显影液进行清洗。
2、 如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于 圓衬底由P型硅组成。
3、 如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于 型阱区。
4、 如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于 型阱区。
5、 如权利要求l所述的半导体的清洗方法，其特征在于 过喷嘴喷洒。
6、 如权利要求5所述的半导体的清洗方法，其特征在于 导体晶圆的边缘向中心重复扫描移动。
7、 如权利要求5所述的半导体的清洗方法，其特征在于 导体晶圆的中心向边缘重复扫描移动。
8、 如权利要求5所述的半导体的清洗方法，其特征在于 导体晶圓的边缘与中心连续往返重复扫描移动。
9、 如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于 去离子水。
10、如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于 具有双极晶体管及互补场效应晶体管的半导体。所述的半导体晶 所述的阱区为P 所述的阱区为N 所述的清洗液通 所述的喷嘴从半 所述的喷嘴从半 所述的喷嘴在半 所述的清洗液为 所述的半导体为
全文摘要
本发明涉及一种半导体的清洗方法，该清洗方法包括先提供一半导体晶圆衬底，于该半导体晶圆衬底上形成阱区，于该阱区上形成一二氧化硅绝缘层，于该二氧化硅绝缘层形成一光阻层，利用显影液对光阻层进行显影，最后清洗液以扫描方式对半导体晶圆上的显影液进行清洗。采用本发明的半导体清洗方法，在清洗过程中不会使晶圆中心积累过量静电，以至破坏二氧化硅绝缘层的抗电击穿能力。
文档编号H01L21/02GK101350287SQ200710043870
公开日2009年1月21日 申请日期2007年7月17日 优先权日2007年7月17日
发明者闯 刘, 程高龙, 罗登贵 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司