专利名称：三极管引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体电子分立元件，尤其是涉及一种三极管引线框架。
技术背景引线框架是制造半导体元件的基本部件，实际运用中，还需在其封装区域表面电镀 金属层，再利用塑封料对基岛和小焊点封装，进而固定成一整体的半导体元件。现有的TO-126(行业通用型号)三极管引线框架，如图l所示，其电镀层的区域L包 括了芯片部和小焊点正面和背面的全部面积。由于引线框架、电镀层、塑封料分别由不 同的材料制作，各材料的热膨胀系数都不相同，尤其是电镀层与塑封料的结合力不理想， 所以，现有技术的TO-126三极管引线框架的电镀采用正面和背面双面电镀层结构，严 重影响了引线框架和塑封料之间的结合力与密封强度，从而影响了引线框架的质量，提 高了电镀成本，同时增加了电镀废液的排放量，从而增加了对环境的污染。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种既能满足原有封装要求，又增强引线 框架与塑封料间的结合力和密封强度，并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境的污染 的三极管引线框架，本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为 一种三极管引线框架，包括芯 片部、小焊点、中间管脚、侧管脚及覆盖在其表面的电镀层，所述的电镀层为正面的单 面电镀层。所述的单面电镀层覆盖了芯片部和小焊点正面的全部面积，以及中间管脚和侧管脚 正面的少部分面积。或所述的单面电镀层覆盖了芯片部正面的局部面积，小焊点正面的全部面积，中间管 脚和侧管脚正面的少部分面积。所述芯片部正面的局部面积，优选芯片部下边界向上3 5mm内的区域。与现有技术相比，本实用新型的优点在于由现有技术电镀层的区域包括了芯片部 和小焊点正面和背面的双面的全部面积，改为只对正面单面或正面局部进行电镀，减少 了电镀区域面积，在引线框架与塑封料的结合处有一部分表面没有电镀层，这样，就相对增强了引线框架与塑封料的结合力度即紧密度和密封强度，提高了三极管引线框架的 质量，同时又大面积减少了金属电镀层，减少了金属电镀层的材料消耗，降低了生产成 本，减少了电镀时带来的有害物质排放对环境的污染。
图1是现有技术的TO-126三极管引线框架的电镀结构示意图； 图2是本实用新型TO-126三极管引线框架的第一种具体实施例的电镀结构示意图； 图3是本实用新型TO-126三极管引线框架的第二种具体实施例的电镀结构示意图。 图中所示1、芯片部，2、小焊点，3、侧管脚，4、中间管脚，L、现有技术电镀层的区域，5、本实用新型的电镀层(指所有的阴影部分)。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细描述。 如图1所示，现有技术的TO-126三极管引线框架包括芯片部1、小焊点2、侧管脚3、中间管脚4，以上各组成部分之间采用现有技术的常规结构连接；电镀层的区域L包括了芯片部1和小焊点2正面和背面的全部面积，并包括了中间管脚4和侧管脚3正面和背面的少部分面积。本实用新型三极管引线框架，也同样包括芯片部l、小焊点2、中间管脚4、侧管脚3及覆盖在其表面的电镀层5。所述电镀层5为正面的单面电镀层。 实施例一如图2所示，本实用新型的TO-126三极管引线框架，包括芯片部l、小焊点2、侧 管脚3、中间管脚4，以上各组成部分之间也采用现有技术的常规结构连接。电镀层5 覆盖了芯片部1和小焊点2正面的全部面积，并包括了中间管脚4和侧管脚3正面的少 部分面积。实施例二如图3所示，本实用新型的TO-126三极管引线框架，包括芯片部l、小焊点2、侧 管脚3、中间管脚4，以上各组成部分之间也采用现有技术的常规结构连接。电镀层5 覆盖了芯片部1正面的局部面积和小焊点2正面的全部面积，并包括了中间管脚4和侧 管脚3正面的少部分面积。其中，所述芯片部1正面的局部面积，优选芯片部l下边界 向上3 5mm内的区域。
权利要求1、一种三极管引线框架，包括芯片部(1)、小焊点(2)、中间管脚(3)、侧管脚(4)及覆盖在其表面的电镀层(5)，其特征在于所述的电镀层(5)为正面的单面电镀层。
2、 如权利要求1所述的三极管引线框架，其特征在于所述的单面电镀层(5)覆 盖了芯片部(O正面和小焊点(2)正面的全部面积以及中间管脚(3)和侧管脚(4) 正面的少部分面积。
3、 如权利要求1所述的所述的三极管引线框架，其特征在于所述的单面电镀层(5) 覆盖了芯片部(1)正面的局部面积，小焊点(2)正面的全部面积和中间管脚(3) 和侧管脚(4)正面的少部分面积。
4、 如权利要求3所述的所述的三极管引线框架，其特征在于所述芯片部(1)正 面的局部面积，指芯片部(1)下边界向上3 5mm内的区域。
专利摘要本实用新型公开了一种三极管引线框架，包括芯片部(1)、小焊点(2)、中间管脚(3)、侧管脚(4)及覆盖在其表面的电镀层(5)，所述的电镀层(5)为正面的单面电镀层。由现有技术电镀层的区域正面和背面的双面的全部面积，改为只对正面单面或正面局部进行电镀，这样，就相对增强了引线框架与塑封料的结合力度既紧密度和密封强度，提高了三极管引线框架的质量，同时又大面积减少了金属电镀材料消耗，降低了生产成本，减少了电镀时所排放的有害物质对环境的污染。
文档编号H01L23/495GK201112383SQ20072011448
公开日2008年9月10日 申请日期2007年9月27日 优先权日2007年9月27日
发明者曹光伟, 段华平 申请人:宁波康强电子股份有限公司