专利名称：：清洁部件、带清洁功能的搬送部件、基板处理装置的清洁方法
技术领域：
：本发明涉及用于去除微细的异物的清洁部件、带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。更详细来说，本发明涉及用于从例如半导体、平板显示器、印刷基板、基板处理装置等忌避微细的异物的基板和装置中去除该异物的清洁部件、具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。
背景技术：
：在半导体、平板显示器、印刷基板等的制造装置和检查装置等忌避异物的各种基板处理装置等中，一边使各搬送系统与基板进行物理性接触一边进行搬送。此时，如果在基板和搬送系统上附着有异物，则后续的基板会一个接着一个被污染，因而需要定期停止装置，进行清洁处理。其结果，会产生如下的问题基板处理装置的运转率会下降、为了进行基板处理装置的清洁处理而需要大量的劳力。为了解决这些问题，己经提案一种通过搬送板状部件而去除附着在基板背面的异物的方法(参照专利文献1)。如果采用该方法，则不需要停止基板处理装置而对其进行清洁处理，因此可以解决基板处理装置的运转率降低的问题。然而，采用该方法，不能充分地除去微细的异物。另一方面，还有下述提案向基板处理装置内搬送粘附有粘合性物质的基板作为清洁部件，由此清洁除去附着于该处理装置内的异物(参照专利文献2)。该方法，具有在专利文献l中记载的方法的优点，并且还具有优异的异物除去性能，因此，基板处理装置的运转率降低的问题、以及为了进行基板处理装置的清洁处理而需要大量的劳力的问题均被解决。如上所述，利用具有粘合性物质的清洁部件清洁除去异物的方法，3作为有效地除去异物的方法非常优异，但是有可能会产生如下问题粘合性物质过于牢固地与清洁部位粘合而无法剥离，在清洁部位的粘合剂残留反而引起污染。另外，在为了防止浆状残留而降低粘合力的情况下，会产生首要的异物的除尘性变差的问题。此外，作为异物的除去方法，有将乙醇渗入废布后进行擦拭的方法(乙醇擦拭)，但是会有异物残留，并且异物的去除不均匀，因此会产生除尘性差的问题。近来，在忌避微细的异物的基板和装置中成为问题的该异物的尺寸已经达到亚微米(lwm以下)级。就上述的方法而言，难于可靠除去这些亚微米级尺寸的异物。还有关于清洁晶片的提案，其为了除去具有数十微米程度的粒径的异物，利用光致抗蚀剂、切削研磨，在表面形成有数十微米前后的光点图形(参照专利文献3)。但是，在该清洁晶片中，是通过光点图形的空间部分保持异物而除去该异物，因此仅能够除去具有数十微米程度的粒径的异物。难于充分地除去亚微米级的微细的异物。专利文献l:特开平11-87458号公报专利文献2:特开平10-154686号公报专利文献3:特开2004-63669号公报
发明内容本发明的课题在于，提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物的清洁部件。并且，本发明的课题还在于，提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。本发明的发明人，为解决上述的问题进行了潜心研究，结果发现，通过在清洁部件具有的清洁层的表面上设置多个具有特定的尺寸的长径比的柱状结构的凸部，能够解决上述课题，由此完成了本发明。本发明的清洁部件，具有在表面上具备多个柱状结构的凸部的清洁层，该柱状结构的凸部的长径比为5以上。在优选的实施方式中，上述柱状结构的凸部的突出部分的长度为4lOOnm以上。在优选的实施方式中，上述清洁层表面的柱状结构的凸部的密度为1.0Xl()8个/cm2以上。在优选的实施方式中，上述清洁层的比表面积为2.0以上。在优选的实施方式中，上述清洁部件用于去除基板上的异物。在优选的实施方式中，上述清洁部件用于去除基板处理装置内的异物。根据本发明的另一发明点，本发明提供一种带清洁功能的搬送部件。该带清洁功能的搬送部件，具有搬送部件和设置于该搬送部件的至少一面的上述清洁部件。根据本发明的又一发明点，本发明提供一种基板处理装置的清洁方法。该基板处理装置的清洁方法，包括将带清洁功能的搬送部件搬送至基板处理装置内的步骤。发明效果根据本发明，能够提供一种在清洁部位不产生污染，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物的清洁部件，并能够提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。上述效果通过发现在清洁部件具备的清洁层的表面设置多个具有特定的尺寸的长径比的柱状结构的凸部而实现。可以认为这种效果是由于清洁部件具备的清洁层使得范德瓦尔斯力作用于清洁部位之间而实现的。图1是本发明优选的实施方式得到的清洁部件的示意截面图。图2是本发明优选的实施方式得到的带清洁功能的搬送部件的示意截面图。符号说明10支承体20清洁层550搬送部件100清洁部件200带清洁功能的搬送部件具体实施例方式A.清洁部件图1是本发明优选的实施方式得到的清洁部件的示意截面图。该清洁部件100，具有支承体10和清洁层20。支承体IO，根据目的不同可以省略。S卩，清洁部件，可以由清洁层单独构成。清洁层20，在其表面，具有多个柱状结构的凸部30。本发明的清洁部件中，在清洁层20设置于支承体10上的情况下，设置清洁层20的面可以为支承体10的至少一面。g卩，可以仅在单面设置，也可以在两面设置。此外，可以在整个面上设置，也可以仅在端面(边缘部)等的一部分上设置。上述凸部30具有柱状结构。作为本发明中提及的柱状结构，不仅包括严格的柱状结构也包括大约为柱状的结构。例如，优选可以列举圆柱状结构、多边形柱状结构、锥形结构、纤维状结构等。此外，上述柱状结构的截面形状，在整个凸部的范围内，可以是均匀的形状，也可以是不均匀的形状。而且，凸部的突出，可以沿着约为直线，也可以沿曲线。在能够达到本发明的目的的范围，作为上述柱状结构的凸部的突出方向与清洁层的表面所成的角度，可以采用任意适当的角度。例如，既可以采用上述柱状结构的凸部从清洁层的表面略垂直地突出的形态，也可以采用上述柱状结构的凸部从清洁层的表面倾斜突出的形态。在本发明中，上述柱状结构的凸部的长径比为5以上。本发明中提及的"长径比"，表示柱状结构的凸部的直径之中最大部分的直径的长度(A)与凸部的突出部分的长度(B)的比(其中，(A)的单位与(B)的单位相同)。在柱状结构的凸部弯曲形成的情况下，设定凸部的突出部分的从清洁层的表面至最偏离垂直方向的部分的长度为凸部的突出部分的长度。上述柱状结构的凸部的长径比，优选为6以上，更优选为8以上，进一步优选为10以上。上述柱状结构的凸部的长径比的上限，优选为1000以下，更优选为100以下，进一步优选为50以下。通过使上述柱状结构的凸部的长径比在上述范围内，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、尤其是亚微米级的异物。可以认为这种效果是如下得到的通过将上述柱状结构的凸部的长径比设定在上述范围内，范德瓦尔斯力能够作用于清洁部件具备的清洁层与清洁部位之间。柱状结构的凸部的突出部分的长度，优选为100nm以上，更优选为200nm以上，进一步优选为300nm以上。柱状结构的凸部的突出部分的长度的上限，优选为100000nm以下，更优选为10000nm以下，进一步优选为5000nm以下。通过使柱状结构的凸部的突出部分的长度在上述的范围，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物。可以认为这种效果是如下得到的通过将上述柱状结构的凸部的突出部分的长度设定在上述范围内，范德瓦尔斯力能够作用于清洁部件具备的清洁层与清洁部位之间。柱状结构的凸部的突出部分的长度，可以通过任意适当的测定方法测定。从测定的容易等观点出发，可举出优选使用扫描式电子显微镜(SEM)的测定。使用扫描式电子显微镜(SEM)的测定，例如可以将表面具有多个柱状结构的凸部的清洁层贴附在SEM观察试样台上，从侧面方向进行观察，从而求出柱状结构的凸部的突出部分的长度。在本发明中，上述清洁层表面的柱状结构的凸部的密度，优选l.OXl()8个/cm2以上，更优选2.0乂108个/0112以上，进一步优选3.0X108个/cm2以上。上述清洁层表面的柱状结构的凸部的密度的上限，优选为L0X10U个/ci^以下，更优选1.0X10"个/cn^以下，进一步优选3.0X10"个/cm2以下。通过使上述清洁层表面的柱状结构的凸部的密度在上述范围内，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物。可以认为这种效果是如下得到的通过将上述清洁层表面的柱状结构的凸部的密度设定在上述范围内，范德瓦尔斯力能够作用于清洁部件具备的清洁层与清洁部位之间。在本发明中，上述清洁层的比表面积，优选为2.0以上，更优选为2.2以上，进一步优选为2.5以上。上述清洁层的比表面积的上限，优选为50以下，更优选为30以下，进一步优选为10以下。通过使上述清洁层的比表面积在上述的范围，能够使清洁层有效地追踪存在于被清洁部位的微细的异物和被清洁部位的凹凸，从而简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物。可以认为这种效果是如下得到的通过将上述清洁层的比表面积设定在上述范围内，范德瓦尔斯力能够作用于清洁部件具备的清洁层与清洁部位之间。在本发明中，所谓"清洁层的比表面积"，是用清洁层的实际表面积除以表观表面积得到的值。所谓实际表面积，是指基于起因于在清洁层表面形成的微细结构的表面积增大的实际表面积。所谓表观表面积，是指当假设清洁层表面平滑时根据通常的面积计算公式求得的表面积。实际表面积不能够通过计算通常的面积的计算公式求得。因此，对于实际表面积的测定，采用根据不活泼气体在表面的吸附量求得的"BET法"。所谓BET法，如下所述进行首先，将试样装入试样管(吸附单元)，一边加热一边进行真空排气，测定脱气后的试样重量。然后，将吸附单元再次安装在装置上，向单元内送入气体。氮气吸附在试样表面，逐渐增加吹入气体的量，试样表面逐渐被气体分子所覆盖。由此，将气体分子逐渐多层吸附的状态作为相对于压力的变化的吸附量的变化，绘制曲线图。从该曲线图，根据以通式(1)表示的BET吸附等温式求得仅在试样表面吸附的气体分子的吸附量。P/V(Po—P)=l/VmC+{(C—l)/VmC}X(P/P0)(1)其中，通式(1)中的各符号，分别如下所述。P:处于吸附平衡的吸附物质的气体的压力Po:吸附温度下的吸附物质的饱和蒸气压V:吸附平衡压力P下的吸附量Vm:单分子层吸附量C:与固体表面和吸附物质之间的相互作用的大小相关的常数，BET常数(C=exp{(E,—E2)/RT}E1:第一层的吸附热(kJ/mol)E2:吸附物质的测定温度下的液化热(kJ/mol)在本发明中，在实际表面积的测定中，利用流动式比表面积自动8测定装置(株式会社岛津制作所制造，FLOWSORBIII2300)，利用使用氪气的BET法，测定具有表面有微细结构的清洁层的试样的实际表面积。在本发明中，作为在清洁层表面制作柱状结构的凸部的方法，在能够达到本发明的目的范围，可以采用任意适当的方法。例如，可以采用等离子体蚀刻处理、溅射处理、激光处理、光刻处理、纳米压印处理(nanoimprint)(冲压处理)等。从制作的容易等方面考虑，优选等离子体蚀刻处理。在通过等离子体蚀刻处理在清洁层的表面形成柱状结构的凸部的情况下，作为使用的气体种类，在能够达到本发明的目的的范围，可以使用任意适当的气体。例如，可以列举氧气、氢气、水蒸气、氮气、氩气、氧气与水蒸气的混合气体等。特别是，优选使用氧气的情况。作为等离子体蚀刻处理中的气体流量，在能够达到本发明的目的的范围，可以使用任意适当的气体流量。例如，优选0.1sccm以上，更优选lsccm以上。作为等离子体蚀刻处理中的真空度气压，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的真空度气压。例如，优选为100Pa以下，更优选为50Pa以下。作为等离子体处理中的表面处理条件，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的条件。例如，以放电功率密度与处理时间的乘积表示的放电电能，优选为100Wsec/cm2以上，更优选为250Wsec/cm2以上。电极间的距离，优选为O.lmm以上lmm以下。电源，优选为RF。放电功率密度，优选为0.01W/cm2，更优选为0.1W/cm2。处理时间，优选为60秒以上，更优选为300秒以上。上述清洁层的拉伸弹性模量，在清洁部件的使用温度的范围，优选为0.5MPa以上，更优选为110000MPa，进一步优选为10lOOOOMPa。如果拉伸弹性模量在该范围内，则能够制得异物除去性能与搬送性能的平衡性优异的清洁部件。其中，拉伸弹性模量可以根据JISK7127测定。通过将清洁层的弹性模量设定在上述范围内，能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物。上述清洁层的例如相对于硅晶片的镜面180度剥离的粘合力，优选为0.2N/10mm宽以下，更优选为0.010.10N/10mm宽。如果在上述范围内，则清洁层具有良好的异物除去性能和搬送性能。180度剥离的粘合力，可以根据JISZ0237测定。上述清洁层的厚度，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的条件。优选为1200nm，更优选为5100jim，进一步优选为550pm，特别优选为520pm。如果在上述范围内，则能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物。上述清洁层优选实际上不具备粘合力。这里，所谓实质上不具备粘合性，是指当将粘合的本质定义为作为对滑动的阻力的摩擦时，没有代表粘合性的功能的感压性粘性。该感压性粘性，如果采用Dahlquist的基准，则在粘合性物质的弹性模量高达lMPa的范围呈现。作为构成上述清洁层的材料，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的材料。作为构成清洁层的材料的具体例，可以列举聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂、氟类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚烯烃类树脂、聚氯乙烯、EVA、PEEK、PMMA、POM等的高分子树脂等。特别是聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂具有耐热性，因而适合使用。作为构成上述清洁层的材料，在能够达到本发明的目的的范围，还可以含有任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例，可以列举表面活性剂、增塑剂、抗氧化剂、导电性赋予剂、紫外线吸收剂、光稳定剂。通过调整使用的添加剂的种类和/或量，可以获得具有对应于目的所期望的特性的清洁层。作为清洁层，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的方法形成。例如，可以列举将清洁层形成为单层膜的方法；在支承体上涂布树脂的方法；另外形成树脂层，贴附在支承体上的方法等。更具体而言，例如，可以列举以单层膜使用的方法；采用旋转涂布法、喷雾法等，在硅晶片等的支承体(例如，搬送部件)上直接涂布清洁层的方法；采用刮刀式涂布法(commacoatingmethod)、喷泉式涂布法(fountainmethod)、凹版涂布法等，在PET膜或聚酰亚胺膜上涂装形成而形成清洁层的方法等。作为上述支承体，只要是能够支承清洁层的材料，可以采用任意10适当的支承体。支承体的厚度，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的厚度，优选为500pm以下，更优选为3300|im，最优选5250jam。为了提高上述支承体的表面与邻接层的紧密贴附性、保持性等，可以实施常用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧中暴露、火焰中暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等的化学或物理处理；利用底涂剂(例如，上述粘合性物质)的涂布处理。其中，支承体可以是单层，也可以是多层。作为上述支承体的材料，在能够达到本发明的目的的范围，可以对应于目的采用任意适当的材料。例如，可以列举工程塑料膜或高级工程塑料膜。作为工程塑料和高级工程塑料的具体例子，可以列举聚酰亚胺、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、乙酰纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺。分子量等的诸物性，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的物性。支持体的成型方法，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的方法。典型来说，在上述清洁层上，预先粘合保护膜，在使用时等适当的阶段能够将其剥离。典型来说，当清洁层的形成时、贴合(压接)清洁层与支承体时，出于保护清洁层的目的能够使用保护膜。作为保护膜，在能够达到本发明的目的的范围，可以釆用任意适当的膜。例如，可以列举由聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等的聚烯烃、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚氨酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等形成的塑料膜和聚酰亚胺、氟树脂膜。保护膜，优选根据目的而使用脱模处理剂等进行脱模处理。作为脱模处理剂，例如，可以列举硅氧烷类化合物、长链垸基类化合物、氟类化合物、脂肪酰胺类化合物、二氧化硅类化合物。其中，特别优选硅氧烷类化合物。聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等的聚烯烃树脂类的薄膜，即使不使用脱模处理剂也具有脱模性，因此，其单体也可以作为保护膜使用。11保护膜的厚度，优选l10(Him，更优选10100pm。保护膜的形成方法，在能够达到本发明的目的的范围，可以采用任意适当的方法。例如，可以采用注射成型法、挤出成型法、吹塑成型法而形成。作为本发明的清洁部件的用途，在本发明的目的的范围，可以应用于任意适当的用途。优选应用于基板上异物的除去、基板处理装置内的异物的除去。更具体而言，例如，优选应用于半导体、平板显示器、印刷电路板等的制造装置和检查装置等的、忌避微细的异物的基板处理装置的清洁用途。作为通过被搬送至基板处理装置内进行清洁的情况下使用的搬送部件，在本发明的目的的范围，可以采用任意适当的搬送部件。具体而言，例如，可以列举半导体晶片、LCD、PDP等的平板显示器用基板、其它的光盘、MR磁头等的基板。在本发明中，作为被实施除尘的基板处理装置，并不特别限定。例如，可以列举曝光装置、光致抗蚀涂布装置、显影装置、灰化装置、干式蚀刻装置、离子注入装置、PVD装置、CVD装置、外观检查装置、晶片探针等。B.带清洁功能的搬送部件图2是本发明的带清洁功能的搬送部件的示意截面图。如图2所示，带清洁功能的搬送部件200，具有搬送部件50和在搬送部件50的至少一面(附图中显示为单面)上的清洁层20。S卩，在该实施方式中，在搬送部件50上直接形成清洁层20。通过将这种带清洁功能的搬送部件搬送至装置内，并与被清洁部位接触/使其移动，可以不发生起因于在上述装置内附着的异物的搬送问题、简便且可靠地进行清洁除去。作为上述搬送部件50，可以对应于成为异物除去的对象的基板处理装置的种类而使用任意适当的基板。作为具体例，可以列举半导体晶片(例如硅晶片)、LCD、PDP等的平板显示器用基板、光盘、MR磁头等的基板。关于上述带清洁功能的搬送部件的清洁层20，可以援引上述A项中清洁层的说明。上述带清洁功能的搬送部件，既可以在搬送部件上贴合清洁用片材而制得，也可以在搬送部件的至少一面直接设置清洁层而制得。艮口，12可以采用涂布作为清洁层的材料的在上述A项中说明的固化型的树脂组成物、或者具有耐热性的高分子树脂、然后利用活化能源使其固化、或者干燥后在高温下将其热处理等的方法，形成清洁层。在该清洁层的形成后或形成过程中，优选在该清洁层上贴合在上述A项中说明的保护膜。c.清洁方法
技术领域：
：本发明的清洁方法，包括向基板处理装置内搬送本发明的带清洁功能搬送部件的步骤。通过向所期望的基板处理装置内搬送本发明的带清洁功能的搬送部件，并使其接触该被清洁部位，能够简便且可靠地清洁除去附着在该被清洁部位的异物。采用上述清洁方法进行清洁的基板处理装置，没有特别限定。作为基板处理装置的具体例，除了在本说明书已经记载的装置之外，还可以列举电路形成用曝光照射装置、光致蚀刻涂布装置、溅射装置、离子注入装置、干式蚀刻装置、晶片探针等的各种制造装置和检査装置，更进一步地，还可以列举臭氧灰化装置、光致蚀刻涂布装置、氧化扩散炉、常压CVD装置、减压CVD装置、等离子体CVD装置等的高温下使用的基板处理装置等。实施例以下，根据实施例，更详细地说明本发明。然而，本发明并不仅限于这些实施例。另外，实施例中"份"为重量基准。[清洁层的比表面积]利用流动式比表面积自动测定装置(株式会社岛津制作所制造，FLOWSORBIII2300)，使用氪气作为吸附气体，测定实际表面积。关于表面具有柱状结构的凸部的清洁层，根据通式(2)，求得比表面积。SX=SA/SB(2)Sx:比表面积SA:试样一面的实际表面积({试样两面的实际表面积一(未处理试样的两面的实际表面积/2)})SB:试样单面的表观表面积另一方面，关于表面不具有柱状结构的凸部的清洁层，根据通式(3)，求得比表面积。SX=SA/SB(3)Sx:比表面积SA:试样单面的实际表面积(试样两面的实际表面积/2)sB:试样单面的表观表面积清洁层表面的柱状结构的凸部的密度，通过计算清洁层表面lcm2上的柱状结构的凸部的数目而测定。[柱状结构的凸部的长径比]清洁层表面的柱状结构的凸部的长径比，通过利用SEM从侧面观测清洁层而测定。清洁层表面的柱状结构的凸部的突出部分的长度，通过利用SEM从侧面观测清洁层而测定。[除尘性]采用以下的方法，评价除尘性。即，使平均粒径0.5pm的硅粉末在8英寸硅晶片上均匀地附着约10000粒。接着，按照10cmxl0cm的尺寸，切下具有在表面具备柱状结构的凸部的清洁层的高分子树脂膜，使该清洁层与附着有硅粉末的8英寸硅晶片接触1分钟。2分钟后，除去已被活化处理的膜，使用粒子计数器(KLAtencor制造，SurfScan-6200)，测定0.5pm的硅粉末颗粒的个数，算出除尘率。进行三次测定，求得其平均值。切取聚酰亚胺膜(Kaneka制造，ApicalNPI25-NPS)，使其表观表面积为100cm2，对膜单面进行氧等离子体蚀刻处理(A)，制得在表面具有多个柱状结构的凸部的清洁层。氧等离子体蚀刻处理(A)，是利用氧气进行的等离子体蚀刻处理，采用下述的条件实施即，等离子体发生装置的电极间距离为10cm，RF电源，氧气流量300sccm，放电功率密度为0.78W/cm2，处理时间为600秒，放电电能为468Wsec/cm2。14关于得到的清洁层，测定清洁层的比表面积、清洁层表面的柱状结构的凸部的密度、柱状结构的凸部的长径比、柱状结构的凸部的突出部分的长度以及除尘性，将结果表示于表l。切取聚酰亚胺膜(Kaneka制造，ApicalNPI25-NPS)，使其表观表面积为100cm2，对膜单面实施氧等离子体蚀刻处理(B)，制得在表面具有多个柱状结构的凸部的清洁层。氧等离子体蚀刻处理(B)，是利用氧气进行的等离子体蚀刻处理，采用下述的条件实施。即，等离子体发生装置的电极间距离为10cm，RF电源，氧气流量300sccm，放电功率密度为0.78W/cm2，处理时间为300秒，放电电能为234Wsec/cm2。关于得到的清洁层，测定清洁层的比表面积、清洁层表面的柱状结构的凸部的密度、柱状结构的凸部的长径比、柱状结构的凸部的突出部分的长度以及除尘性，将结果表示于表l。切取聚酰亚胺膜(Kaneka制造，ApicalNPI25-NPS)，使其表观表面积为100cm2，对膜单面实施氧等离子体蚀刻处理(C)，制得在表面具有多个柱状结构的凸部的清洁层。氧等离子体蚀刻处理(C)，是利用氧气进行的等离子体蚀刻处理，采用下述的条件实施。即，等离子体发生装置的电极间距离为10cm，RF电源，氧气流量20sccm，放电功率密度为0.07W/cm2，处理时间为6600秒，放电电能为462Wsec/cm2。关于得到的清洁层，测定清洁层的比表面积、清洁层表面的柱状结构的凸部的密度、柱状结构的凸部的长径比、柱状结构的凸部的突出部分的长度、以及除尘性，将结果表示于表l。切取聚酰亚胺膜(Kaneka制造，ApicalNPI25-NPS)，使其表观表面积为100cm2，对膜单面实施氧等离子体蚀刻处理(D)，制得在表面具有多个柱状结构的凸部的清洁层。氧等离子体蚀刻处理(D)，是利用氧气进行的等离子体蚀刻处理，采用下述的条件实施。S卩，等离子体发生装置的电极间距离为10cm，RF电源，氧气流量300sccm，放电功率密度为0.78W/cm2，处理时间为60秒，放电电能为47Wsec/cm2。关于得到的清洁层，测定清洁层的比表面积、清洁层表面的柱状结构的凸部的密度、柱状结构的凸部的长径比、柱状结构的凸部的突出部分的长度、以及除尘性，将结果表示于表l。切取聚酰亚胺膜(Kaneka制造，ApicalNPI25-NPS)，使其表观表面积为100cm2，制得清洁层。关于得到的清洁层，测定清洁层的比表面积、清洁层表面的柱状结构的凸部的密度、柱状结构的凸部的长径比、柱状结构的凸部的突出部分的长度以及除尘性，将结果表示于表l。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>根据表l可以判断，在实施例13中，显示出优异的除尘性，与此相反，在比较例12中，未得到充分的除尘性。工业利用可能性本发明的清洁部件和带清洁功能的搬送部件，优选用于各种制造装置和检查装置那样的基板处理装置的清洁。权利要求1.一种清洁部件，其具有清洁层，所述清洁层在表面具有多个柱状结构的凸部，其特征在于，该柱状结构的凸部的长径比为5以上。2.如权利要求1所述的清洁部件，其特征在于，所述柱状结构的凸部的突出部分的长度为100nm以上。3.如权利要求1或2所述的清洁部件，其特征在于，所述清洁层表面的柱状结构的凸部的密度为1.0X10S个/cm2以上。4.如权利要求13中任一项所述的清洁部件，其特征在于，所述清洁层的比表面积为2.0以上。5.如权利要求14中任一项所述的清洁部件，其特征在于，所述清洁部件用于去除基板上的异物。6.如权利要求14中任一项所述的清洁部件，其特征在于，所述清洁部件用于去除基板处理装置内的异物。7.—种带清洁功能的搬送部件，其特征在于，包括搬送部件；和在该搬送部件的至少一面上设置的权利要求6所述的清洁部件。8.—种基板处理装置的清洁方法，其特征在于，包括向基板处理装置内搬送权利要求7所述的带清洁功能的搬送部件的步骤。全文摘要本发明提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物的清洁部件。并且，本发明提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。本发明的清洁部件具有清洁层，所述清洁层在表面具有多个柱状结构的凸部，该柱状结构的凸部的长径比为5以上。文档编号H01L21/304GK101500718SQ200780029948公开日2009年8月5日申请日期2007年6月28日优先权日2006年8月11日发明者前野洋平,吉田良德,宇圆田大介,寺田好夫,并河亮,菅生悠树申请人:日东电工株式会社