专利名称：包括嵌入组件和间隔层的微电子衬底及其形成方法
包括嵌入组件和间隔层的微电子衬底及其形成方法
领域
本发明的实施例一般涉及微电子制造领域。更具体地，本发明的实施例涉 及包括其中嵌入有源或无源组件的微电子衬底。
背景
将预成型的有源或无源组件嵌入微电子衬底用于例如去耦合、RF调谐或 电压调节应用，这需要这种组件在衬底上的精确定位，以实现这些组件上诸如 通孔之类的电触点至衬底的现有导电互连层的可靠连接。
目前，嵌入的有源和/或无源组件位于衬底的面板尺寸的电介质构造层上， 且构造层随后被固化。然而，遗憾的是，预固化电介质构造层的粘性性质会在 嵌入过程导致显著的移动，因此导致相对于嵌入组件的明显的位置误差。因此， 将组件嵌入微电子衬底的现有技术方法就可靠电连接和/或这种组件在其被嵌 入的衬底上的物理定位而言是不可预测的，由此不利地影响性能和成品率。
附图简述
图1是包括核、导电层和电介质构造层的常规中间衬底的示意性横截面
图2是根据实施例的包括图1的中间衬底且其上还具有间隔层的第一中间 结构的示意图3是包括图2的结构且其上还具有预固化电介质构造层的第二中间结构 的示意图4是在设置嵌入预固化电介质构造层中的组件的过程中包括图3的结构
的第三中间结构的示意图5是在固化预固化电介质构造层之后包括图4的结构的第四中间结构的
示意图6是包括由图5的结构形成的微电子衬底的封装的示意图；图7是包括类似于图6的衬底的微电子衬底的系统的示意图。 为了简单且清楚地说明，附图中的元件不一定是按比例绘制的。例如，为
了清楚起见，某些元件的尺寸可相对于其它元件被放大。在认为适当的情况下，
在附图中重复附图标记以指示相对应或类似的元件。
详细描述
在以下的详细描述中，披露了微电子衬底、微电子封装、形成衬底的方法、 形成封装的方法以及包括衬底的系统。对其中仅作为说明示出可实施本发明的 特定实施例的附图进行参考。应理解可存在其他实施例且可在不背离本发明的 精神和范围的情况下进行其它结构改变。
本文中所使用的术语"在…上"、"到…上"、"在…上方"、"在…下方"以及 "与...相邻"指的是一个元件相对于另一个元件的位置。如此，设置在第二元件 上、到其上、上方或下方的第一元件可与第二元件直接接触或者它可包括一个 或多个介入元件。此外，设置成与第二元件紧接或相邻的第一元件可与第二元 件直接接触或者它可包括一个或多个介入元件。
下面在本文中将参考图l-7讨论这个和其它实施例的方面。然而，不应该 将附图视为限制性的，因为它们意在用于解释和理解的目的。
首先参考图6，其示出根据实施例的包括其中具有嵌入组件104的微电子 衬底102的封装100，微电子管芯106以公知方式利用焊点101和底层填料101' 倒装芯片安装到衬底102上。管芯106的其它安装结构在实施例的范围内。如 以下进一步将详细解释的，诸如图6所示的封装IOO之类的根据实施例的封装 由于存在至少一个间隔层而与类似的现有技术封装不同，该间隔层诸如设置在 衬底的嵌入组件和下层导电层之间的间隔层138和140，诸如在嵌入组件104 和相应的下层导电层114和116之间。与不使用间隔层的现有技术结构相比， 根据实施例的间隔层减少有关嵌入组件的定位的位置误差。
更详细地参照图6，封装100例如可用于根据应用需要将组件104和/或管 芯106耦合到电路板，或者将处理器或处理系统耦合到主板。衬底102包括可 以是市场上可买到的核的核108，其利用例如FR4、 FR5或诸如双马来酰亚胺 三嗪(BT)之类的有机材料作为电介质材料。核还可包括带有铜覆层的玻璃增 强环氧PCB材料。其它类型的玻璃在实施例的范围内。如图所示的衬底102还包括导电层110、 112、 114、 116、 118和120以及另外的电介质构造层122、 124、 126、 128、 130和132，这些层可适应关于如多层衬底结构中通常使用的 这种层的常规构造。在附图中示意性示出导电层和构造层，且应该理解这些层 不一定是像示意性描绘中所建议的连续层，但具有适合于允许多层衬底内各层 上电/信号的路由选择的构造，正如本领域的技术人员容易认识到的。因此，作 为示例，导电层110-120的每一个可能已经被镀覆到相应的构造层，然后图案 化以根据应用需要从其形成迹线，各个迹线层在本文中称为导电层。类似地， 各个电介质构造层122-132可能已经设置有穿过其延伸的通孔，诸如通孔134， 以便使相应的导电层相互连接。还可根据应用需要设置如图所示的穿过核108 的通孔136。如图6所看到的，构造层126和128各自包括嵌入其中的微电子 组件104，组件104的每一个是衬底的具体预定设计所指定的有源或无源组件。 在本领域中微电子组件嵌入诸如层126或128之类的电介质构造层是公知的。 就如图6的实施例所示的电介质构造层126和128包括嵌入其中的微电子组件 来说，在下文中可将它们称为嵌入微电子构造层126和128。微电子组件104 可包括预成型有源或无源组件。有源组件可包括例如晶体管、MOSFET、结型 二极管等。无源组件可包括例如电容器、电感器、电阻器等。微电子组件104 可包括用于去耦合、射频调谐或电压调节的组件，正如本领域的技术人员所认 识到的。就导电层114和116在与嵌入电介质构造层相邻意义上位于嵌入电介 质构造层126和128中相应的一个之下来说，导电层114和116有时在此可被 称为下层导电层114和116。电介质构造层122、 124、 126、 128、 130和132 例如可由聚合物电介质材料制成，包括例如ABF，如ABFGX13。
仍参照图6，根据所示实施例，衬底102还包括分别使嵌入构造层126和 128的每一个与相应的下层导电层114和116隔离的间隔层138和140。各个 间隔层可由在固化期间其收縮量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形 式和固化期间其粘性高于嵌入电介质构造层材料的材料制成。嵌入电介质构造 层的材料在其处于该材料完全固化前的阶段时处于如本文所使用的"预固化" 形式，在此时将产生嵌入电介质构造层的材料。因此，在诸如层126和128之 类的嵌入电介质构造层的固化期间，尽管嵌入电介质构造层可在固化期间或之 后收縮和流动，但根据实施例间隔层的材料可在该固化期间收縮得较少且流动得较少，这样确保在实现层126和128的固化之后嵌入在嵌入电介质构造层中
的微电子组件的更可靠的定位。根据实施例的间隔层可进一步(l)由适合于诸
如通过层叠于其上或通过本领域的技术人员认识到的其它接合工艺与衬底的
下层导电层接合的材料制成；(2)具有粘性，适合于使间隔材料能够在衬底的下 层导电层中存在的间断内流动；(3)具有在与其对应的嵌入电介质构造层的介电 常数的约20%内的介电常数，且优选在与其对应的嵌入电介质构造层的介电常 数的约5%和约20%之间的百分比内；(4)由其固化温度低于或等于预固化电 介质材料的固化温度的材料制成；和/或(5)由适合于激光钻孔以形成通孔的材 料制成。根据一个实施例，间隔层的材料可具有基本等于与其对应的嵌入电介 质构造层的介电常数的介电常数。根据优选实施例，间隔层138和140由预浸 材料制成，诸如举例而言具有硅或玻璃填料的聚酰胺预浸料或环氧树脂预浸 料。在间隔层包括根据实施例的预浸料的情况下，特定类型的预浸料的选择可 取决于应用要求，诸如以上列出的关于间隔层的材料的要求(l)-(5)。实施例可 构想到使用预浸料(GX13-PP)连同ABF(GX13)作为电介质构造层覆盖在其上。 根据实施例预浸料中颗粒物质的存在——诸如氧化硅颗粒的存在——使得预 浸料在嵌入电介质构造层的固化之前和期间比相应的嵌入电介质构造层材料 更有粘性。实施例不限于使用由单种材料制成的间隔层，而是在其范围内包括 由贯穿其体积的不同材料制成的间隔层，诸如包括多个不同材料的子层的间隔 层。
间隔层有利地允许保持其间夹入给定的嵌入电介质构造层的两个连续导 电层之间的预定隔离。预定的隔离指的是上述两个连续导电层之间存在的所有 层的总厚度。在下文中，为了便于参考，两个连续导电层之间的所有层的全体 将被称为"组件支承层"，其经由图6中的示例示为包括间隔层138和嵌入电介 质构造层126的组件支承层142或包括间隔层140和嵌入电介质构造层128的 组件支承层144。根据实施例的预定隔离具体地指适合于在衬底内实现期望信 号完整性的组件支承层的最小厚度。预定隔离的示例性值是约30微米。这种 最小厚度可尤其根据组件支承层的介电常数来确定。对于"有效介电常数"，在 此时描述的上下文中其含义是适用于组件 承层的介电常数的值，好像组件支 承层由贯穿其体积的一种材料形成一样。在确定预定隔离时，嵌入组件的电容和电阻两者都可被考虑在内。本领域的技术人员将认识到要求电阻相对较高以 便防止高漏电，且要求电容/介电常数相对较低以防止高信号阻抗。然后可根据 阻抗匹配得出预定隔离的确定，这可通过确定沿穿过衬底的信号路径没有显著 的阻抗变化来产生。阻抗匹配在领域中是公知的。选择具有与电容器电介质构 造层的介电常数相似的介电常数的材料的间隔层将使间隔层能有效地替换用 于电用途的电容器电介质构造层。确在定预定隔离时的另一个因素是通过确保 间隔层厚至足以进入层114中存在的间断来考虑下层导电层114的密度和厚
度。使用根据实施例的诸如间隔层138和140之类的间隔层允许保持如上限定 的预定隔离同时有利地分别减小诸如层126和128之类的嵌入电介质构造层的 厚度。较少的嵌入电介质构造层连同使用间隔层有利地导致组件支承层在嵌入 电介质构造层的固化期间粘性流动减少，由此带来嵌入组件在最终产品中的更 可靠的定位。根据实施例，间隔层可具有约为组件支承层的30%至约70%的厚 度。
接下来参考图1-5，其示出诸如上述图6的衬底102之类的衬底的不同形 成阶段。尽管图1-5示出在诸如图1的中间衬底103之类的中间衬底的一侧上 设置包括间隔层和嵌入电介质构造层的组件支承层，但应该理解关于图1-5描 述的过程可用于在中间衬底的两侧上设置组件支承层。此外，关于图l-5描述 的过程同样可用于在中间衬底的任意给定侧上提供任意数量的组件支承层，正 如本领域的技术人员所认识到的。就图l-5所示的结构表示诸如图6的衬底105 之类的衬底的制造阶段来说，对应于图6中的类似组件的图1-5中的组件利用 类似的附图标记来指示。还应注意，为了图示清楚起见从图l-5的结构中省略 了图6所示的导电通孔的描绘。
首先参照图1，方法实施例包括设置诸如中间衬底103之类的中间衬底。 对于"中间衬底"，在此时描述的上下文中其含义是其上设置嵌入电介质构造层 之前的多层衬底结构。图1中的中间衬底包括核层108、导电层110、 112、 114 和116、以及上面已经参考图6的实施例描述的电介质构造层122和124。设 置诸如衬底103之类的中间衬底在本领域中是公知常识，因此在此处将不描述 其制造。设置如通过图1的示例所示的中间衬底需要设置导电层114，该导电 层114对应于如上关于图6所描述的下层导电层114。
10接下来参照图2，方法实施例包括将诸如间隔层138的间隔层设置在诸如 下层导电层114之类的下层导电层上。优选地，如上关于图6所指出的，间隔 层包括预浸层。间隔层138可以公知的方式层叠在下层导电层114上。根据优 选实施例，设置间隔层包括将预浸层138层叠在下层导电层114上。根据实施 例，预浸层的层叠可发生在约100摄氏度至约150摄氏度的温度范围内。间隔 层可取决于间隔层的材料以任何其它公知的方式设置在下层导电层上，诸如通 过使用旋涂/喷涂和固化技术。在导电层上层叠预浸层的工艺参数的确定将尤其 取决于所使用的预浸材料的类型，正如本领域的技术人员所认识到的。然而， 实施例不限于经由层叠设置间隔层，且在其范围内包括根据本领域的技术人员 将认识到的将一层设置在另一层上的公知方法中的任一种来设置间隔层。在设 置间隔层138期间，优选地，间隔层具有允许其材料在下层导电层114表面上 的不规则之间流动的粘性。在设置间隔层138之后，间隔层可按公知方式设置 导电通孔(图6所示)，诸如经由激光钻孔和电镀。
接下来参照图3，方法实施例包括在诸如间隔层138之类的间隔层上设置 诸如预固化电介质构造层146之类的预固化电介质构造层。图3所示的预固化 电介质构造层146处于其"预固化"形式，即如上所述处于在将组件104嵌入其 中之后其完全固化之前的阶段(将关于图4和5进一步详细描述)。预固化电 介质构造层146可对应于以上关于图6所描述的嵌入电介质构造层126列出的 任一种可能材料的预固化形式。优选地，预固化电介质构造层146以公知方式 层叠在间隔层138上。优选地，预固化电介质构造层146可以公知方式部分固 化，以便在将104组件嵌入其中之前和期间增加其粘性。
接下来参照图4，方法实施例包括在诸如层146的预固化电介质构造层内 嵌入诸如组件104之类的有源或无源组件。嵌入可根据用于将有源或无源组件 嵌入电介质层的任一种常规方法进行，诸如通过使用安装器148。
接下来参照图5，方法实施例包括在嵌入之后固化预固化电介质构造层， 诸如固化层146。固化可根据用于固化电介质材料的任一种常规方法来进行。 例如，可将图4所示结构置于约200摄氏度的温度范围内的固化炉中，以便以 公知方式导致电介质层146的固化。预固化电介质构造层146的固化得到如上 关于图6所述的嵌入电介质构造层126。预固化电介质构造层146的固化还可 导致间隔层的固化。在固化之前和期间，预固化电介质构造层和间隔层两者可
11表现出某种流动性，且组件104可沉入预固化电介质构造层，且在某些实施例
中沉入如图5所示的间隔层。在固化之后，嵌入电介质构造层可按公知方式设 置导电通孔(图6所示)，诸如经由激光钻孔和电镀。固化之后，可将诸如附 加导电层和电介质构造层之类的附加层以常规方式设置在嵌入电介质构造层 126上，并按常规方式设置导电通孔，以得到类似于图6的衬底102的衬底。
有利地，实施例在多层衬底的下层导电层和嵌入电介质构造层之间设置间 隔层以便减少嵌入在构造层中的组件的位置误差同时保持其间夹入嵌入电介 质构造层的两个连续的导电层之间的预定隔离。此外，有利地，实施例提供位 置误差的减小同时允许将现有且已建立的工艺用于形成多层衬底。此外，有利 地，实施例允许将足够的电介质构造材料用作嵌入构造层以提供嵌入组件对衬 底的其余部分的附加粘性。
参照图7，示出其中可使用本发明的实施例的很多可能的系统900中的一 个。在一个实施例中，电子组件1000可包括诸如图6的封装100之类的微电 子封装。组件1000还可包括微处理器。在替换实施例中，电子组件1000可包 括专用IC (ASIC)。芯片组(例如图形、声和控制芯片组)中存在的集成电 路还可根据本发明的实施例封装。
对于图7描述的实施例，系统900还可包括如图所示的经由总线1010相 互耦合的主存储器1002、图形处理器1004、大容量存储设备1006和/或输入/ 输出模块1008。存储器1002的示例包括但不限于静态随机存取存储器(SRAM) 和动态随机存取存储器(DRAM)。大容量存储设备1006的示例包括但不限 于硬盘驱动、紧致盘驱动(CD)、数字通用盘驱动(DVD)等。输入/输出模 块1008的示例包括但不限于键盘、光标控制装置、显示器、网络接口等。总 线1010的示例包括但不限于外围控制接口(PCI)总线和工业标准体系结构(ISA) 总线等。在各实施例中，系统90可以是无线移动电话、个人数字助理、口袋 PC、平板PC、笔记本PC、台式计算机、机顶盒、媒体中心PC、 DVD播放器 和服务器。
已经作为示例而不是作为限制介绍了上述各实施例。因此已经详细描述了 本发明的实施例，应理解由所附权利要求限定的本发明不应受到以上描述中阐 述的特定细节所限制，因为在不背离其精神或范围的情况下其很多变形是可能 的。
1权利要求
1.一种微电子衬底包括导电层；设置在导电电介质层上的间隔层；设置在所述间隔层上的电介质构造层，所述间隔层由在固化期间其收缩量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式和固化期间其粘性高于所述嵌入电介质构造层材料的材料制成；以及嵌入在所述电介质构造层中的有源或无源微电子组件。
2. 如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述间隔层包括预浸层。
3. 如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述间隔层的厚度在所述间隔 层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30%至约70%之间。
4. 如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述预浸层包括聚酰胺和环 氧树脂之一以及填料材料。
5. 如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述导电层是第二导电层， 且所述电介质构造层是第二电介质构造层，所述衬底还包括核层、设置在所述 核层上的第一导电层以及设置在所述第一导电层上的第一电介质构造层，所述 第二导电层设置在所述第一电介质构造层上。
6. 如权利要求5所述的衬底，其特征在于，所述核包括有机材料。
7. 如权利要求5所述的衬底，其特征在于，所述电介质构造层包括ABF。
8. —种微电子封装，包括微电子衬底，包括 导电层；设置在导电电介质层上的间隔层；设置在所述间隔层上的电介质构造层，所述间隔层由在固化 期间其收縮量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形 式和固化期间其粘性高于所述嵌入电介质构造层材料的材 料制成；以及嵌入在所述电介质构造层中的有源或无源微电子组件；以及安装到所述微电子衬底上的微电子管芯。
9. 如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述间隔层包括预浸层。
10. 如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述间隔层的厚度在所述间隔层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30%至约70%之间。
11. 如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述预浸层包括聚酰胺和环 氧树脂之一以及填料材料。
12. 如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述导电层是第二导电层， 且所述电介质构造层是第二电介质构造层，所述衬底还包括核层、设置在所述 核层上的第一导电层以及设置在所述第一导电层上的第一电介质构造层，所述 第二导电层设置在所述第一电介质构造层上。
13. 如权利要求12所述的封装，其特征在于，所述核包括有机材料。
14. 如权利要求12所述的封装，其特征在于，所述电介质构造层包括ABF。
15. —种形成微电子衬底的方法，包括设置导电层；在所述导电层上设置间隔层；在所述间隔层上设置预固化电介质构造层，所述间隔层由在固化期间其收縮量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式和固化期间其粘性高于所述嵌入电介质构造层材料的材料制成；将有源或无源组件嵌入在所述预固化电介质构造层中；以及在嵌入之后固化所述预固化电介质构造层以产生嵌入电介质构造层。
16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置间隔层包括设置预浸层。
17. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置间隔层包括将所述间 隔层层叠到所述导电层。
18. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置间隔层包括设置厚度 在所述间隔层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30%至约70%之间的间隔层。
19. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述导电层是第二导电层， 且所述嵌入电介质构造层是第二电介质构造层，所述方法还包括设置核层；在所述核层上设置第一导电层；在所述第一导电层上设置第一电介质构造层，其中所述第二导电层 被设置在所述第一 电介质构造层上。
20. 如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述核包括有机材料。
21. 如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述电介质构造层包括ABF。
22. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置预固化电介质构造层 包括将所述预固化电介质构造层层叠到所述间隔层上。
23. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在嵌入之前部分地 固化所述预固化电介质构造层。
24. —种设置微电子衬底的方法，包括设置微电子衬底，包括 设置导电层；在所述导电层上设置间隔层；在所述间隔层上设置预固化电介质构造层，所述间隔层由在固 化期间其收縮量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式 和固化期间其粘性高于所述嵌入电介质构造层材料的材料制 成；将有源或无源组件嵌入在所述电介质构造层中；以及 在嵌入之后固化所述电介质构造层； 将微电子管芯安装到所述微电子衬底上。
25. 如权利要求24所述的方法，其特征在于，所述间隔层包括预浸层。
26. 如权利要求24所述的方法，其特征在于，所述间隔层的厚度在所述 间隔层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30%至约70%之间。
27. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预浸层包括聚酰胺和环 氧树脂之一以及填料材料。
28. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导电层是第二导电层，且所述电介质构造层是第二电介质构造层，所述衬底还包括核层、设置在所述 核层上的第一导电层以及设置在所述第一导电层上的第一电介质构造层，所述 第二导电层设置在所述第一电介质构造层上。
29. —种系统，包括电子组件，包括 微电子衬底，包括 导电层；设置在导电电介质层上的间隔层；设置在所述间隔层上的电介质构造层，所述间隔层由在固化 期间其收縮量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形 式和固化期间其粘性高于所述嵌入电介质构造层材料的材 料制成；以及嵌入在所述电介质构造层中的有源或无源微电子组件；以及 耦合到所述电子组件的主存储器。
30. 如权利要求29所述的系统，其特征在于，所述间隔层包括预浸层。 全文摘要
微电子衬底、它的形成方法和包括它的系统。微电子衬底包括导电层；设置在导电电介质层上的间隔层；设置在间隔层上的电介质构造层，该间隔层由在固化期间其收缩量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式和固化期间其粘性高于嵌入电介质构造层材料的材料制成；以及嵌入在电介质构造层中的有源或无源微电子组件。
文档编号H01L21/31GK101553904SQ200780045471
公开日2009年10月7日 申请日期2007年11月19日 优先权日2006年12月11日
发明者H·西赫, I·萨拉玛 申请人:英特尔公司