专利名称：一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法
技术领域：
本发明涉及绝缘介质制造工艺，尤其涉及一种可提高器件良率的绝缘介质 制造方法。
背景技术：
氮化硅广泛应用在半导体制造领域中，其不仅用于充当绝缘介质层，还用 量会对半导体器件的质量有着重要的影响。现在多采用产量高和反应温度低的
等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺来制造氮化硅，为确保氮化硅的质量， 现在PECVD设备中完成预设数量(例如在具有四个反应腔的PECVD设备中，该 预设数量为12片)晶圆的氮化硅沉积后，会采用等离子体清洗工艺来清洗反应 腔，等离子体清洗工艺通常采用氟化氮和氩气作为反应气体，其流量分别为2000 和1000标况毫升每分(sccm)。但是，通过上述等离子体清洗工艺清洗后的反 应腔中还残留有直径小于0. 16微米的颗粒，该些颗粒会在氮化硅上形成直径约 为O. 5微米的缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性。
因此，如何提供一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法以避免等离子体 清洗工艺清洗后反应腔中的小直径颗粒在绝缘介质上形成缺陷，并有效提高器 件的良率和可靠性，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，通过所 述制造方法可避免完成等离子体清洗工艺后反应腔中的小直径颗粒在绝缘介质 上形成缺陷，并可大大提高绝缘介质的质量和器件的良率及成品率。
本发明的目的是这样实现的 一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行，该方法包括以下步骤a、将晶 圆设置在反应腔中沉积该绝缘介质；b、判断化学气相沉积设备是否满足清洗条 件，若是则继续步骤c，若否则返回步骤a; c、进行等离子体清洗工艺清洗该 反应腔；d、对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，接着返回步骤a。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤d中，该惰性气 体吹扫工艺的惰性气体流量为5000至8000标况毫升每分，吹扫时间为15至30 秒。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该惰性气体为氮气或氩
气
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该化学气相沉积设备为
具有四个反应腔的等离子增强化学气相沉积设备。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤b中，该清洗条
件为化学气相沉积设备在清洗后沉积晶圆的数量超过预设数量。
在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该预设数量为12片。 在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，该绝缘介质为氮化硅。 在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤a中，沉积氮化
硅的沉积温度为400摄氏度，压力范围为500帕斯卡，微波功率为1000瓦。 在上述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法中，在步骤c中，该等离子
体清洗工艺的清洗气体包括氟化氮和氩气，其流量分别为2000和1000标况毫
升每分。
与现有技术中在化学气相沉积设备中沉积预设数量的晶圆后仅通过等离子 体清洗工艺清洗反应腔，无法去除反应腔中较小直径的颗粒而使该颗粒在绝缘 介质中形成缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性相比，本发明的可提高器 件良率的绝缘介质制造方法在通过等离子体清洗反应腔后还进行惰性气体吹扫 工艺，可将反应腔中较小直径的颗粒吹出反应腔且排至外界，从而避免了该较 小直径的颗粒在绝缘介质中形成缺陷，同时可大大提高器件的良率和可靠性。
本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法的流程图。
具体实施例方式
以下将对本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法作进一步的详细描述。
本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学 气相沉积设备中进行。在本实施例中，所述化学气相沉积设备为具有四个反应 腔的等离子增强化学气相沉积设备。
参见图1,本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法先进行步骤SIO,
将晶圆设置在反应腔中沉积所述绝缘介质。在本实施例中，所述绝缘介质为氮
化硅，沉积氮化硅的沉积温度为400摄氏度，压力范围为500帕斯卡，微波功 率为1000瓦。
接着继续步骤Sll，判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，若是则继续 步骤S12，若否则返回步骤SIO。在本实施例中，所述清洗条件为化学气相沉积 设备在清洗后沉积晶圓的数量超过预设数量，所述预设数量为12片。
在步骤S12中，进行等离子体清洗工艺清洗所述反应腔。在本实施例中， 所述等离子体清洗工艺的清洗气体包括氟化氮和氩气，其流量分别为2000和 IOOO标况毫升每分。
接着继续步骤S13，对所述反应腔进行惰性气体吹扫工艺，然后返回步骤 SIO，其中，所述惰性气体吹扫工艺的惰性气体流量为5000至8000标况毫升每 分，吹扫时间为15至30秒，所述惰性气体为氮气或氩气。在本实施例中，吹 扫气体为氮气，吹扫氮气流量为6000标况毫升每分，吹扫时间为20秒。
对经过步骤S13处理的等离子增强化学气相沉积设备反应腔进行检测，发 现反应腔里小直径的颗粒数量已大大减小，相应地所述小直径的颗粒在氮化硅 上所形成的缺陷数量也大大减小。
综上所述，本发明的可提高器件良率的绝缘介质制造方法在通过等离子体 清洗反应腔后还进行惰性气体吹扫工艺，可将反应腔中较小直径的颗粒吹出反 应腔且排至外界，从而避免了所述较小直径的颗粒在绝缘介质上形成缺陷，同
5时可大大提高器件的良率和可靠性,
权利要求
1、一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行，该方法包括以下步骤a、将晶圆设置在反应腔中沉积该绝缘介质；b、判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，若是则继续步骤c，若否则返回步骤a；c、进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；其特征在于，该方法还包括以下步骤d、对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，接着返回步骤a。
2、 如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 在步骤d中，该惰性气体吹扫工艺的惰性气体流量为5000至8000标况毫升每 分，吹扫时间为15至30秒。
3、 如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 该惰性气体为氮气或氩气。
4、 如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 该化学气相沉积设备为具有四个反应腔的等离子增强化学气相沉积设备。
5、 如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 在步骤b中，该清洗条件为化学气相沉积设备在清洗后沉积晶圆的数量超过预 设数量。
6、 如权利要求5所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 该预设数量为12片。
7、 如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 该绝缘介质为氮化硅。
8、 如权利要求7所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 在步骤a中，沉积氮化硅的沉积温度为400摄氏度，压力范围为500帕斯卡， 微波功率为1000瓦。
9、 如权利要求1所述的可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其特征在于， 在步骤c中，该等离子体清洗工艺的清洗气体包括氟化氮和氩气，其流量分别 为2000和1000标况毫升每分。
全文摘要
本发明提供了一种可提高器件良率的绝缘介质制造方法，其在一具有反应腔的化学气相沉积设备中进行。现有技术中在化学气相沉积设备中沉积预设数量的晶圆后仅通过等离子体清洗工艺清洗反应腔，无法去除反应腔中较小直径的颗粒而使该颗粒在绝缘介质中形成缺陷，该缺陷会影响器件的良率和可靠性。本发明首先将晶圆设置在反应腔中沉积绝缘介质；接着判断化学气相沉积设备是否满足清洗条件，并在否时继续在反应腔中沉积氮化硅，而在是时进行等离子体清洗工艺清洗该反应腔；最后对该反应腔进行惰性气体吹扫工艺，之后又可在反应腔中沉积绝缘介质。本发明可避免绝缘介质中出现因反应腔中小直径颗粒所引起的缺陷，并可大大提高器件的良率和可靠性。
文档编号H01L21/02GK101483139SQ20081003234
公开日2009年7月15日 申请日期2008年1月7日 优先权日2008年1月7日
发明者张文锋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司