专利名称：一种新型的单面去扩散层方法
技术领域：
本发明涉及一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池结构及其 制备方法，特别是关于一种保护正面，去除背面扩散层的方法。
背景技术：
目前国际上通行的是在P型硅片上以丝网印刷方法制造硅太阳 能电池，这种方法目前已趋于稳定，.但进一步提高性价比的空间非常 有限。目前N型硅太阳电池，国际上的成熟工艺主要是采用硼扩散来制 备背面P型发射结，但为了进一步提高光电转换效率，在此基础上增 加了一道工艺，形成N"/N顶表面场(FSF)。但是即使是背靠背扩散， 背面边缘部分依然会有N型扩散层，这将会大大降低光电转换效率， 所以必须将背面的N型扩散层去除，现有的保护正面N型扩散层的办 法主要有黑胶保护等，但是这些方法程序复杂，不利于规模化生产。
发明内容
本发明的目的是弥补现有技术存在的缺陷，提供一种简易的保护 正面N型扩散层，去除背面N型扩散层的方法，该方法能提高N型 太阳能电池的转换效率。本发明的目的还在于，简化去背N型扩散层工艺，提高效率，提高产能。本发明是一种新型的单面去扩散层方法，其步骤是(1) 将电阻率0.5 6Q.cm的单晶硅片进行前道化学预清洗和绒面腐 蚀；(2) 在N型单晶硅片的正面，磷扩散N"层；(3) 等离子刻蚀；(4) 去除磷硅玻璃；(5) 在N型单晶硅片的正面，PECVD沉积氮化硅膜；(6) 去除硅片背面磷扩散层； .(7) 去除正面氮化硅薄膜。本发明的优点是，能明显提高N型单晶硅太阳电池的转换效率， 除低成本，操作方便以并适宜于大规模生产；特别是简化了去背N 型扩散层工艺，大大提高了生产效率。
具体实施方式
本发明的工艺步骤是 (l)前道化学预清洗，绒面腐蚀工艺将电阻率0.5 6Q.cm的单晶硅片在0.5%-5%的Na2Si03溶液中， 进行超声预清洗5 30min，再用纯水漂洗，然后用加热的NaOH或 KOH溶液去除表面损伤层，用0.5% 5%的NaOH或KOH溶液进行 绒面腐蚀，稀盐酸浸泡后，用去离子水漂洗、烘干。(2) 磷扩散工艺W层采用常规的气相携带POCl3热扩散，扩散时硅片背对背在石英舟里放置，温度800 95(TC，薄层电阻控制在20 60O/平方厘米。(3) 等离子刻蚀工艺 在等离子刻蚀机里利用氟离子刻蚀掉扩散片的边缘扩散层，边缘电阻^301dl。(4) 去除磷硅玻璃用1 5%的氢氟酸溶液浸泡5min，去除表面磷硅玻璃，再漂洗， 烘干。(5) PECVD沉积氮化硅膜工艺 等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺，在扩散正面上，沉积氮化硅薄膜，这层膜具有耐碱性。(6) 去除硅片背面磷扩散层在10 20%的NaOH或KOH溶液中浸泡10 60s，去除背面的磷 扩散层，正面有氮化硅薄膜保护了正面N"磷扩散层。(7) 去除正面氮化硅薄膜用0.5 5%的氢氟酸溶液浸泡5min，去除正面氮化硅薄膜，再漂洗， 烘干。
权利要求
1、一种新型的单面去扩散层方法，其特征在于，该方法的步骤如下(1)将电阻率0.5～6Ω.cm的单晶硅片进行前道化学预清洗和绒面腐蚀；(2)在N型单晶硅片的正面，磷扩散N+层；(3)等离子刻蚀；(4)去除磷硅玻璃；(5)在N型单晶硅片的正面，PECVD沉积氮化硅膜；(6)去除硅片背面磷扩散层；(7)去除正面氮化硅薄膜。
全文摘要
本发明提供一种新型的单面去扩散层方法，该方法是首先在N型单晶硅片基体上，正面磷扩散形成N<sup>+</sup>层，再在其正面沉积氮化硅薄膜保护层，背面用强碱腐蚀去除背面扩散层，能明显提高N型单晶硅太阳电池的转换效率，除低成本，工艺简单，操作方便并适宜于大规模生产，特别是简化了去背N型扩散层工艺，大大提高了生产效率。
文档编号H01L31/18GK101217173SQ20081003253
公开日2008年7月9日 申请日期2008年1月10日 优先权日2008年1月10日
发明者唐则祁, 孙励斌, 徐晓群, 李华维, 胡宏勋, 斌 陈, 黄跃文 申请人:宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司