专利名称：一种微片式激光器的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光领域，尤其涉及一种包括各向光学性质均匀的激光增益介质如光轴沿通光方向放置的单轴激光晶体以及及相关光学元件构成微片式激光器。
背景技术：
在采用均匀介质的激光增益材料构成的激光器中，为获得偏振光输出或较高效率谐振腔内倍频光输出，常采用布儒斯特片、PBS棱镜等起偏元件置于激光器谐振腔中，布儒斯特片和PBS棱镜等起偏元件难以应用于单块式微片激光器中。
发明内容
本发明目的是提供一种单块式的、成本低的，并且可以采用光胶、深化光胶、 胶合方法粘结成一体的微片式激光器。本发明通过以下技术方案实现微片式激光器包括前后腔片、光学性质均匀的激光增益 介质、双折射晶体，构成谐振腔，其中在谐振腔内的光出射端设置基频光的四分之一波片或 四分之三波片，其光轴与双折射晶体的光轴成45度夹角。在上述的光学性质均匀的激光增益介质和双折射晶体之间设置被动调Q晶体。或者微片式激光器包括前后腔片、光学性质均匀的激光增益介质、倍频晶体，构成谐振 腔，其中在谐振腔内光的出射端设置基频光的四分之一波片或四分之三波片，其光轴与倍频 晶体的光轴成45度夹角。上述的光学性质均匀的激光增益介质和倍频晶体的位置可互换。上述的波片同时为倍频光的全波片。上述的前后腔片为前腔镀膜和后腔镀膜。在上述的光学性质均匀的激光增益介质和倍频晶体之间设置被动调Q晶体。 上述的光学性质均匀的激光增益介质为光轴沿通光方向放置的单轴激光晶体。 本发明采用以上技术，采用四分之一波片(或四分之三波片)，使得振荡的基频光纵模分 裂为偏振方向相互垂直的两个纵模，且其偏振方向与波片的光轴平行或垂直的线偏光，可获 得高效率输出，以形成基波偏振方向固定的微片激光器；釆用两个或两个以上基频光的四分 之一波片，可以消除多个纵模间的空间烧孔效应，波片同时为倍频光的全波片时，可以获得 单一偏振的倍频光输出；谐振腔内设置被动调Q晶体，可以获得较高效率被动调Q脉冲输出； 谐振腔内设置标准具，能够有效限制谐振腔内振荡的纵模个数，也可以形成单纵模。
现结合附图对本发明做进一步阐述 图1是本发明微片式激光器之一的结构示意图； 图2是本发明微片式激光器之一设置被动调Q晶体的结构示意图；图3是本发明微片式激光器之一前后腔片为前腔镀膜和后腔镀膜的结构示意图； 图4是本发明微片式激光器之二的结构示意图；图5是本发明微片式激光器之二设置被动调Q晶体的结构示意图； 图6是本发明微片式激光器之二前后腔片为前腔镀膜和后腔镀膜的结构示意图； 图7是本发明微片式激光器设置标准具的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1、 2或3所示，本发明包括前后腔片104、 105、光学性质均匀 的激光增益介质101、双折射晶体102，构成谐振腔，光学性质均匀的激光增益介质101如 Nd: YAG或光轴沿通光方向放置的单轴激光晶体如Nd:YV04，双折射晶体102为厚波片如纯 YV04，光学性质均匀的激光增益介质101和双折射晶体102的位置可以互换。其光轴垂直通 光方向，其中在谐振腔内的光出射端设置基频光的四分之一波片或四分之三波片103，其光 轴与双折射晶体102的光轴成45°夹角。如此光学性质均匀的激光增益介质101中基频光为 偏振方向固定在相互垂直的两个方向上的线偏光，构成基波偏振方向确定的微片激光器，可 获得高效率输出。如图2所示，在上述的光学性质均匀的激光增益介质101和双折射晶体102之间设置被 动调Q晶体107，被动调Q晶体107如各向同性晶体如Cr:YAG，如此光学性质均匀的激光增 益介质101中基频光为偏振方向固定在相互垂直的两个方向上的线偏光，可获得较高效率被 动调Q脉冲输出。又如图3所示，上述的前后腔片104、 105可以为前腔镀膜和后腔镀膜。 再请参阅图4、 5或6所示，本发明包括前后腔片104、 105、光学性质均匀的激光增益 介质IOI、倍频晶体106，构成谐振腔，光学性质均匀的激光增益介质101如Nch YAG或光轴 沿通光方向放置的单轴激光晶体如Nd:YV04，倍频晶体106如KTP，其光轴垂直通光方向，光 学性质均匀的激光增益介质101和倍频晶体106的位置可以互换。其中在谐振腔内光的出射 端设置基频光的四分之一波片或四分之三波片103，其光轴与倍频晶体106的光轴成45°夹 角。如此光学性质均匀的激光增益介质101中基频光为偏振方向固定在相互垂直的两个方向 上的线偏光，可获得较高效率倍频光输出。波片同时为倍频光的全波片时，则可获得单一偏 振的倍频光输出。如图5所示，在上述的光学性质均匀的激光增益介质101和倍频晶体106之间设置被动 调Q晶体107，被动调Q晶体107如各向同性晶体如Cr:YAG，如此光学性质均匀的激光增益 介质101中基频光为偏振方向固定在相互垂直的两个方向上的线偏光，可获得较高效率被动 调Q脉冲输出。又如图6所示，上述的前后腔片104、 105可以为前腔镀膜和后腔镀膜。再请参阅图7所示，在微片式激光器的谐振腔内设置标准具108，标准具108设置在光 学性质均匀的激光增益介质101和倍频品体106或双折射晶体102之间，标准具108为利用 不同元件间由折射率差异形成的标准具，可以有效限制谐振腔内振荡的纵模个数，也可以形 成单纵模。上述各种实施方案中，在谐振腔内插入不影响倍频光和基频光偏振性能的光学材料，可 以增强散热或粘结力，都可以达到同样的效果。本发明中谐振腔内各光学元件之间可采用光 胶、深化光胶、胶合方法粘结成一体。
权利要求
1、一种微片式激光器，包括前后腔片、光学性质均匀的激光增益介质、双折射晶体，构成谐振腔，光学性质均匀的激光增益介质和双折射晶体的位置可互换，其特征在于在谐振腔内的光出射端设置基频光的四分之一波片或四分之三波片，其光轴与双折射晶体的光轴成45度夹角。
2、 根据权利要求1所述的一种微片式激光器，其特征在于在光学性质均匀的激光增益 介质和双折射晶体之间设置被动调Q晶体。
3、 一种微片式激光器，包括前后腔片、光学性质均匀的激光增益介质、倍频晶体，构成 谐振腔，光学性质均匀的激光增益介质和倍频晶体的位置可互换，其特征在于在谐振腔内 光的出射端设置基频光的四分之一波片或四分之三波片，其光轴与倍频晶体的光轴成45度夹 角。
4、 根据权利要求3所述的一种微片式激光器，其特征在于其波片同时为倍频光的全波片。
5、 根据权利要求3所述的一种微片式激光器，其特征在于在上述的光学性质均匀的激光增益介质和倍频晶体之间设置被动调Q晶体。
6、 根据权利要求1或2所述的一种微片式激光器，其特征在于其前后腔片为前腔镀膜和后腔镀膜。
7、 根据权利要求l 、 2、 3或5所述的一种微片式激光器，其特征在于其波片为两片或两片以上。
8、 根据权利要求1 、 2、 3或5所述的一种微片式激光器，其特征在于其光学性质均匀的激光增益介质为光轴沿通光方向放置的单轴激光晶体。
9、 根据权利要求1或3所述的一种微片式激光器，其特征在于在、光学性质均匀的激光增益介质和倍频晶体或双折射晶体之间设置标准具。
10、根据权利要求l、 2、 3或5所述的一种微片式激光器，其特征在于其谐振腔内各光学元件之间采用光胶、深化光胶、胶合方法粘结成一体。
全文摘要
本发明公开了一种微片式激光器，其包括前后腔片、光学性质均匀的激光增益介质、双折射晶体或倍频晶体，构成谐振腔，光学性质均匀的激光增益介质和双折射晶体或倍频晶体的位置可互换，其中在谐振腔内的光出射端设置基频光的四分之一波片或四分之三波片，其光轴与双折射晶体的光轴成45度夹角，使得振荡的基频光纵模分裂为偏振方向相互垂直的两个纵模，且其偏振方向与波片的光轴平行或垂直的线偏光，可获得高效率输出，以形成基波偏振方向固定的微片激光器。
文档编号H01S3/08GK101242073SQ200810070620
公开日2008年8月13日 申请日期2008年2月4日 优先权日2008年2月4日
发明者凌吉武, 砺 吴, 彭永进 申请人:福州高意通讯有限公司