专利名称：一种微片腔内倍频激光器的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光领域，尤其涉及一种微片腔内倍频激光器。
技术背景 如图1所示现有微片腔内倍频激光器，包括半导体激光器1、光学耦合透镜2 和微片式倍频激光器3，微片式倍频激光器3包括激光增益介质31和倍频晶体32，通常只采 用l: l的成像，当泵浦光波长变化时，其激光增益介质的吸收深度通常随之发生较大变化， 使得泵浦光波长在某一温度时，调节获得的TEOO模输出，而在另一温度时，另一个半导体 泵浦光波长下会产生TE01模，或其它高阶模，即光斑发生分瓣，从而使半导体泵浦微片式 倍频温度范围较窄或成品率较低。如图2所示微片式倍频激光器，泵浦光的吸收深度为AX, 吸收区域为A，基模区域为B，其吸收区域A基本在基模区域B的重叠范围内，这时产生TE01 横；又如图3所示微片式倍频激光器，泵浦光的吸收区域为C，其吸收区域C大于或远大于 与基模区域B的重叠区域，这时易产生高阶横模
发明内容
本发明目的是提供一种当泵浦光波长变化时，普通微片吸收深度变化不会引起 高阶横膜的产生的一种微片腔内倍频激光器。
本发明采用以下技术方案微片腔内倍频激光器包括半导体激光器、光学耦合透镜和微 片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质和倍频晶体，其中激光增益介质采用 高掺杂超薄激光增益介质，其厚度薄到激光增益介质的整个泵浦吸收区域始终与基模区域基 本重叠。
上述的激光增益介质的掺杂浓度为1%以上。 上述的激光增益介质的厚度小于0.3mm。
本发明采用以上技术，激光增益介质采用高掺杂超薄激光增益介质，这样无论泵浦光波 长如何变化，由于泵浦光的吸收深度AX很小，其吸收区域D始终处在与基模体积覆盖区域 B重叠允许的范围内，可以保证整个温度范围半导体激光泵浦时单横模输出，同时采用高掺 杂浓度激光增益介质，可以确保泵浦光有效吸收，从而使微片腔内倍频激光器在宽温度范围 内能够实现高光束质量输出。
现结合附图对本发明做进一步详述 图1是现有微片腔内倍频激光器的结构示意图； 图2是微片式倍频激光器泵浦光的吸收深度之一的示意图； 图3是微片式倍频激光器泵浦光的吸收深度之二的示意图4是本发明微片腔内倍频激光器的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图4所示，本发明包括半导体激光器1、光学耦合透镜2和微片式 倍频激光器3，微片式倍频激光器3包括激光增益介质31和倍频晶体32，其中激光增益介质 31采用高掺杂超薄激光增益介质，激光增益介质31的掺杂浓度为1%以上，确保泵浦光有效 吸收，其厚度薄到激光增益介质的整个泵浦吸收区域D始终与基模区域B基本重叠，基本小 于0.3mm，当温度变化引起泵浦光波长变化时，激光增益介质的吸收深度随之发生变化，泵 浦光的吸收深度AX从AX1——AXm，其吸收区域D始终处在与基模体积覆盖区域B重叠 允许的范围内，使微片式倍频激光器3不产生高阶横模，从而确保整个温度带宽内微片式倍 频激光器3出光处在基模状态。
权利要求
1、一种微片腔内倍频激光器，包括半导体激光器、光学耦合透镜和微片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质和倍频晶体，其特征在于激光增益介质采用高掺杂超薄激光增益介质，其厚度薄到激光增益介质的整个泵浦吸收区域始终与基模区域基本重叠。
2、 根据权利要求l所述的一种微片腔内倍频激光器，其特征在于其激光增益介质的掺 杂浓度为1%以上。
3、 根据权利要求1或2所述的一种微片腔内倍频激光器，其特征在于其激光增益介质的厚度小于0.3mm。
全文摘要
本发明公开了一种微片腔内倍频激光器，包括半导体激光器、光学耦合透镜和微片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质和倍频晶体，其中激光增益介质采用高掺杂超薄激光增益介质，其厚度薄到激光增益介质的整个泵浦吸收区域始终与基模区域基本重叠，采用以上技术方案，使微片腔内倍频激光器在宽温度范围内能够实现高光束质量输出。
文档编号H01S3/05GK101355229SQ20081007172
公开日2009年1月28日 申请日期2008年9月9日 优先权日2008年9月9日
发明者凌吉武, 卢秀爱, 砺 吴, 陈卫民 申请人:福州高意通讯有限公司