共模扼流圈的制作方法

专利名称：共模扼流圈的制作方法
技术领域：
本发明涉及共模扼流圈，并且具体地涉及具有特征阻抗调节线圈的 共模扼流圈。
背景技术：
差分传送系统公知为在电子装置之间传送数字信号的传送系统的一 种。差分传送系统是这样一种系统，其中将各自具有相反相位的数字信 号输入一对信号线，并且通过差分传送消除由于信号线而产生的外界噪 声或辐射噪声。因为通过消除外界噪声而减小了噪声，所以信号能够以 低振幅传送。此系统还具有以下优点减小了信号的振幅，减小了信号 的上升和下降时间，因此可以增加信号传送速度。
使用此类差分传送系统的接口规范包括USB (通用串行总线)，IEEE 1394， LVDS (低电压差分信号传送)，DVI (数字视频接口)， HDMI (高 分辨率多媒体接口)，以及其他规范。在这些规范中，HDMI是高速数字 接口，能够传送多个数字信号，能够在源装置(例如DVD播放器，机顶 盒等)和接收装置(sink device)(例如数字电视，投影仪等)之间传送 未压縮的数字信号。根据HDMI，可通过单个HDMI电缆高速传送视频 信号和音频信号。
共模扼流圈用作高速差分传送线中的噪声抑制器。尽管差分传送系 统具有较强抑制外界噪声并且不产生噪声的特性，但是实际上由两个信 号的轻微不平衡而产生共模噪声，并且从接口电缆等发射该噪声。共模 扼流圈对于去除该噪声是最有效的。优选使用小型高性能的薄膜型共模 扼流圈，特别是在最近的时期中使用(参见日本特开H08-203737号公报)。
在HDMI和其他高速接口中，由于提高了速度，IC自身的结构容 易遭到ESD (静电释放)的影响。因此，高速传送IC中对ESD防护的需要在增加，并且使用可变电阻器、齐纳二极管以及其他电容性元件作 为ESD防护部件。
然而，当在传送通道中插入作为ESD防护部件的电容性元件时，带 来的缺点是经由传送通道传送的信号(特别是高频信号(200 MHz或更 高)或高速脉冲信号)被反射和衰减。这是因为当在传送通道中插入电 容性元件时，该电容性元件的电容性分量使得电容性元件所插入的位置 处的特征阻抗减小，并且在插入位置处出现阻抗失配。当传送通道中存 在阻抗失配的部分时，信号的高频分量在阻抗失配部分造成反射，并且 因此发生返回损耗。结果，信号大量衰减。反射有时也造成传送通道中 的非期望辐射，这将产生噪声。在HDMI中，传送线的特征阻抗的规定 值(TDR规范)是100Q士15。/。(高分辨率多媒体接口规范1.1)。
由于对即使当使用电容性元件来进行ESD防护时也能够抑制特征阻 抗减小的信号传送电路的集中研究，发明人已经发现，通过提供共模扼 流圈以及与包括在该共模扼流圈中的电感器基本不发生磁耦合的电感 器，在该共模扼流圈和该电感器彼此串联连接在电容性元件之前的级的 情况下，能够有效地抑制特征阻抗的减小。此外，在该共模扼流圈中包 括特征阻抗调节线圈使得能够减少部件的数量、降低成本、并且增强可 靠度(参见日本特开2006-140229号公报)。
然而，仅仅为共模扼流圈添加特征阻抗调节线圈是不够的，并且需 要特征阻抗调节线圈具有满意的特征，其中两个特征阻抗调节线圈的电 感值波动最小，并且其中充分地抑制电感器之间的磁耦合。

发明内容
本发明克服上述缺陷，本发明的目的是提供一种共模扼流圈，该共 模扼流圈设置有具有令人满意的特征阻抗的特征阻抗调节线圈。
本发明的上述目的以及其他目的可通过如下的共模扼流圈实现，该 共模扼流圈包括彼此磁耦合的第一线圈导体和第二线圈导体；第三线 圈导体，该第三线圈导体串联地电连接到该第一线圈导体，并基本不与 该第一线圈导体磁耦合；以及第四线圈导体，该第四线圈导体串联地电
连接到该第二线圈导体，并基本不与该第二线圈导体磁耦合；其中，该
第三线圈导体和第四线圈导体基本不磁耦合，并且以规定的中心线为基 准具有线对称关系。
根据本发明，由于第三线圈导体和第四线圈导体具有相同形状和线 对称关系，所以可减小第三线圈导体和第四线圈导体的电感的波动，并 可以可靠抑制特征阻抗的减小。在本发明中，基本磁耦合的状态是耦合
系数为0.9或更高的状态。基本不磁耦合的状态是耦合系数为0.1或更低
的状态。
本发明的共模扼流圈优选地还包括用于将该第三线圈导体与该第
一线圈导体的内端连接的第一接触导体；以及用于将该第四线圈导体与 该第二线圈导体的内端连接的第二接触导体；其中，该第一接触导体和 该第二接触导体以规定的中心线为基准具有线对称关系。该第一接触导 体优选地还连接到该第三线圈导体的内端，并且该第二接触导体优选地 还连接到该第四线圈导体的内端。
由于在第一线圈导体和第二线圈导体的内端附近形成有穿过绝缘层 的接触孔的事实，所以存在其中线圈导体彼此不交叠的部分。第一线圈 导体和第二线圈导体的内端必须通过形成在另一层中的接触导体而连接 到端子电极，因此到端子电极的布线长度自然增加。换句话说，此部分 是两个线圈导体的磁耦合显著减小的部分。在本发明中，由于在磁耦合 显著减小的该部分中设置有第三线圈导体和第四线圈导体，所以能够可 靠地抑制第一和第二线圈导体与第三和第四线圈导体之间的磁耦合。第 一接触导体和第二接触导体也是线对称关系，因此可减小第一线圈导体 和第二线圈导体的电感波动，并能够进一步抑制特征阻抗的减小。
在本发明中，第一接触导体和第二接触导体优选地位于同一层。由 于由此可利用同一掩模同时形成第一接触导体和第二接触导体，所以第 一接触导体和第二接触导体的形状和定位可以恰当地匹配，并能够可靠 地防止电感波动。
在本发明中，第三线圈导体和第四线圈导体优选地位于同一层。由 于由此可利用同一掩模同时形成第三线圈导体和第四线圈导体，所以第
三线圈导体和第四线圈导体的形状和定位可以恰当地匹配，并能够可靠 地防止电感波动。
在本发明中，第一线圈导体和第二线圈导体中的任一个优选地位于 与第三线圈导体和第四线圈导体相同的层。由此可以使第三线圈导体和 第四线圈导体的厚度与第一线圈导体和第二线圈导体的厚度相同。
在本发明中，第三线圈导体和第四线圈导体之间的最短距离优选地
被设置为第三线圈导体和第四线圈导体的节距(pitch)的3倍或更多倍。 由此能够可靠地抑制第三线圈导体和第四线圈导体之间的磁耦合。
在本发明中，第二线圈导体优选地形成在第一线圈导体的上层，并 且第二线圈导体的宽度优选地小于第一线圈导体的宽度。由此，线圈导 体17形成在总是隔着绝缘层而与线圈导体16的边缘部分相分离的位置， 因此能够增加绝缘耐受电压。
在本发明中，优选地还设置有形成在共模扼流圈本体的侧面上的方
向性标记。在此情况下，进一步优选的是，该方向性标记是位于与第一 至第四线圈导体以及第一和第二接触导体中的任一个相同的层中的导体
图案。当本发明的共模扼流圈以错误朝向封装时，第三线圈导体和第四 线圈导体的效果可能略微减小，但是提供此类方向性标记使得能够清楚 地限定共模扼流圈本体的朝向，并防止以错误朝向封装共模扼流圈。当 方向性标记与第一到第四线圈导体一起形成时，或与第一和第二接触导 体一起形成时，无需使用诸如印刷或激光处理的特殊工艺即可形成方向 性标记。


参考结合附图的对本发明的以下详细描述，本发明的上述和其他目
的、特征和优点将变得更明显，在附图中
图1是示出根据本发明第一实施方式的共模扼流圈的结构的示意性
立体图2是示出层组件的示意性分解立体图3是示出层组件中的全部导体图案的层叠的示意性平面图4是示出根据本发明第二实施方式的共模扼流圈的结构的示意性 分解立体图5是示出根据本发明第三实施方式的共模扼流圈的结构的示意性
分解立体图6是示出根据本发明第四实施方式的共模扼流圈的结构的示意性
分解立体图7是示出其中应用了共模扼流圈的信号传送系统的示例的示意
图8是示出其中应用了根据第一实施方式的共模扼流圈的信号传送 电路的等效电路图9是示出可变电阻器连接到的一对信号线的特征阻抗的曲线以及
图10是示出在可变电阻器连接到的一对信号线中插入了根据本发 明的共模扼流圈时的特征阻抗的曲线图。
具体实施例方式
下面将结合附图详细描述本发明的优选实施方式。 图1是示出根据本发明第一实施方式的共模扼流圈100的结构的示 意性立体图。
如图1所示，共模扼流圈100是薄膜型的线圈，并具有第一和第二 磁性基板(磁性层)IIA、 11B以及插在第一磁性基板IIA和第二磁性基 板IIB之间的层组件12。端子电极14a到14d形成在由第一磁性基板IIA、 第二磁性基板11B和层组件12构成的分层体的外周面。随后详细描述的 方向性标记27也形成在共模扼流圈100的侧面。
第一磁性基板11A和第二磁性基板11B物理地保护层组件12，并用 作共模扼流圈的闭合磁路。烧结铁氧体、合成铁氧体(含有磨碎的铁氧 体的树脂)等可用作第一和第二磁性基板11A、 IIB的材料。
图2是示出层组件12的示意性分解立体图。
如图2所示，层组件12是通过薄膜模制技术将多个层形成在分层结
构中而获得的。层组件12具有第一到第五绝缘层15A到15E;用作实 际共模扼流圈的第一和第二线圈导体16、 17;作为特征阻抗调节线圈的 第三和第四线圈导体18、 19;第一和第二接触导体20、 21;以及第一和
第二引出导体22、 23。本实施方式的层组件12具有位于第一绝缘层15A 到第五绝缘层15E之间的4个导电层。
第一到第五绝缘层15A到15E提供导体图案之间的绝缘，或导体图 案和磁性基板之间的绝缘，并保持其中形成有导体图案的平面的平坦性。 特别的是，第一和第五绝缘层15A和15E缓和第一和第二磁性基板11A 和11B的表面不规则度，并增加导体图案的粘附性。第一到第五绝缘层 15A到15E优选地利用聚酰亚氨树脂、环氧树脂、或其他具有优异电磁 绝缘属性的非常易加工的树脂材料制成。尽管没有具体限制，但是第一 到第五绝缘层的厚度优选地设置为0.1 pm到10 pm。
在第一线圈导体16和第二线圈导体17内的中心区域具有穿过第一 到第五绝缘层15A到15E的开口 25。开口 25中具有用于在第一磁性基 板11A和第二磁性基板11B之间形成闭合磁路的磁性体26。可使用合成 铁氧体或其他磁性材料作为磁性体26。
第一线圈导体16设置于第二绝缘层15B上。第一线圈导体16由Cu 或其他金属材料组成，并具有螺旋形状。第一线圈导体16的螺旋的内端 经由穿过第二绝缘层15B的接触孔24a而连接到第一接触导体20的一端。 第一线圈导体16的螺旋的外端经由第一引出导体22连接到上述端子电 极14a。
第二线圈导体17设置于第三绝缘层15C上。第二线圈导体17也由 Cu或其他金属材料组成，并具有与第一线圈导体16相同的螺旋形状。 由于第二线圈导体17位于与第一线圈导体16相同的位置，并完全重叠 在第一线圈导体16上，所以在第一线圈导体16和第二线圈导体17之间 形成强烈的磁耦合。第二线圈导体17的螺旋的内端经由穿过第四绝缘层 15D的接触孔24b而连接到第二接触导体21的一端。第二线圈导体17 的螺旋的外端经由第二引出导体23连接到上述端子电极14b。
第三线圈导体18以与第一线圈导体16相同的方式设置于第二绝缘
层15B上。第三线圈导体18的内端经由穿过第二绝缘层15B的接触孔 24c连接到第一接触导体20的另一端。具体地说，第三线圈导体18经由 第一接触导体20串联连接到第一线圈导体16。第三线圈导体18的螺旋 外端也连接到端子电极14c。
第四线圈导体19以与第二线圈导体17相同的方式设置于第三绝缘 层15C上。第四线圈导体19的内端经由穿过第三绝缘层15C的接触孔 24d连接到第二接触导体21的另一端。具体地说，第四线圈导体19经由 第二接触导体21串联连接到第二线圈导体17。第四线圈导体19的螺旋 的外端连接到端子电极14d。
图3是示出层组件12中的全部导体图案的层叠的示意性平面图。
如图3所示，第三线圈导体18和第四线圈导体19的平面位置以沿 共模扼流圈IOO的纵向的中心线(图3中的Y-Y线)为基准，具有线对 称关系，并且螺旋形状也是线对称的。由于第三线圈导体18和第四线圈 导体19由此具有线对称关系，所以两个线圈导体的长度能够正确匹配， 能够充分减小电感的波动。
第三线圈导体18和第四线圈导体19之间的最短距离L优选地设置 为线圈18、 19的节距p的3倍或更多倍。由此可以可靠地防止第三圈导 体18和第四线圈导体19之间的磁耦合。
第一到第四线圈导体16到19的宽度优选地设置为1 pm到25 pm。 这是因为当导体宽度过大时芯片尺寸增加并且电容性分量增加，而当导 体宽度过小时直流电阻增加。第一到第四线圈导体16到19可全都具有 相同的宽度，或者第一线圈导体16和第二线圈导体17可具有与第三线 圈导体18和第四线圈导体19不同的宽度。第三线圈导体18和第四线圈 导体19的宽度W、 W,优选地小于第一线圈导体16和第二线圈导体17
的宽度W,、 W2。由此，可形成用于调节特征阻抗的小电感器而无需占据 较大的面积。此外，第二线圈导体17的宽度W,可小于第一线圈导体16 的宽度W,。下面描述釆用此结构的原因。
当线圈导体16、 17具有相同宽度时，当向线圈导体16的特定不规 则部分涂覆绝缘树脂以在线圈导体之间形成绝缘层时，位于边缘部分的
绝缘层的厚度容易发生局部减小。如果在线圈导体16、 17之间出现失对
准，则在线圈导体16、 17之间，在其中在线圈导体16、 17之间发生电
势差和电解集中的边缘部分，容易发生短路。然而，当第二线圈导体17 的宽度W,小于第一线圈导体16的宽度W,时，线圈导体17总是形成在与
线圈导体16的边缘部分相分离的位置，因此能够增强绝缘耐受电压。
尽管没有具体限制，但是第一到第四线圈导体16到19的螺旋节距 优选地设置为1 到25 pm。这是因为尽管节距是相对于线圈导体的宽 度而设置的，但是，当节距过窄时容易发生短路，当节距过宽时感应特 性受到不利影响。第一到第四线圈导体16到19可全部具有相同的节距， 或者，第一和第二线圈导体16、 17的节距可不同于第三和第四线圈导体 18、 19的节距。
第一到第四线圈导体16到19的厚度优选地设置为1 )im到25 )am。 这是因为，当导体过厚时不能减小层组件12的整体厚度，并且当导体过 薄时直流电阻减小。第一到第四线圈导体16到19可全部具有相同的厚 度，或者，第一和第二线圈导体16、 17可具有与第三和第四线圈导体18、 19不同的厚度。
第一和第二接触导体20、 21的宽度或厚度可与第一到第四线圈导体 16到19的宽度或厚度相同或不同。特别的是，第一和第二接触导体20、 21形成在与第一到第四线圈导体16到19不同的层中，并因此可具有比 线圈导体16到19小的厚度。相反，第一和第二引出导体22、 23与第一 和第二线圈导体16、 17同时形成在相同的层中，受到制造工艺的限制， 并且因此具有与线圈导体16、 17相同的厚度。
优选的是，第一接触导体20和第二接触导体21以图3的中心线Y-Y 为基准具有对称关系。因此，可进一步减小第一线圈导体16和第二线圈 导体17的电感波动，并且可进一步抑制特征阻抗的减小。
在根据如此配置的本实施方式的共模扼流圈100中，第一线圈导体 16和第三线圈导体18在内端彼此连接，第二线圈导体17和第四线圈导 体19也在内端彼此连接。这是因为与外周侧不同，第一线圈导体16和 第二线圈导体17的内周侧必须经由穿过绝缘层的接触孔24a、 24b引出到其他层，到端子电极的布线长度因此必然增加，并且减小了磁耦合的 影响。
换句话说，由于使用形成在同一层的引出导体22、 23来在第一线圈 导体16和第二线圈导体17的外周侧与端子电极14a、14b之间进行连接， 所以到端子电极的布线长度减小，因此在连接区域中磁耦合的影响相对 较强。相反，第一线圈导体16和第二线圈导体17的内周侧与端子导体 14c、 14d必须经由形成在另一层的接触导体20、 21来连接，因此到端子 电极的布线长度增加，并且连接区域中的磁耦合的影响相对较弱。因此， 通过向此区域提供第三线圈导体18和第四线圈导体19，减小了磁耦合的 影响。
由此能够可靠地防止第一和第二线圈导体16、 17与第三和第四线圈 导体18、 19之间的磁耦合。由于第三线圈导体18和第四线圈导体19也 具有相同的形状并具有线对称关系，所以可减小第三线圈导体18和第四 线圈导体19的电感波动，并能够可靠地抑制特征阻抗的减小。
方向性标记半导体图案(此后称为"方向性标记")27形成在绝缘 层的外周部的规定位置。设置方向性标记27以指定共模扼流圈100的朝 向。下面将进行详细描述，但由于特征阻抗调节电感器的效果根据共模 扼流圈连接的朝向而有所不同，预先提供方向性标记以便按正确朝向安 装共模扼流圈是很重要的。在本实施方式中，方向性标记27设置在第一 到第四绝缘层15A到15D上。方向性标记与形成在相同层中的另一导体 图案同时形成，由与另一导体图案相同的材料组成，并具有与另一导体 图案相同的厚度。以此方式形成的方向性标记的端部暴露在共模扼流圈 本体的侧面，由此可确认共模扼流圈的朝向。
可通过在绝缘层的大致整个表面上形成导体薄膜，然后对该导体薄 膜进行构图而形成绝缘层上的导体图案。导体图案可通过以下处理来形 成在形成基导体膜之后形成光刻胶膜，接着通过光刻在光刻胶膜上形 成与导体图案对应的图案，并且通过电镀将导电金属材料淀积在光刻胶 中。然后去除用作图案的光刻胶膜以及曝光的基导体膜。
如上所述，根据本实施方式，组成特征阻抗调节线圈的两个线圈导
体是彼此对称的。因此，可以形成具有令人满意的特性、在两个电感值 中没有波动并充分抑制电感器之间的磁耦合的共模扼流圈。
图4是示出根据本发明第二实施方式的共模扼流圈200的结构的示
意性分解立体图，并示出层组件12的详细结构。因此，省略了图3中的 磁性基板IIA、 11B和磁性体26。
如图4所示，共模扼流圈200的特征在于，共模扼流圈200具有三 层的层组件12，并且第一接触导体20和第二接触导体21均形成在第三 绝缘层15C上。第一线圈导体16和第三线圈导体18形成在第一绝缘层 15A上，并且第一接触导体20和第二接触导体21形成在第二绝缘层15B 上。由于其他结构特征与第一实施方式相同，所以使用相同的附图标记 来表示在两个实施方式中相同的组成元件，并且不提供其详细的描述。 根据本实施方式，由于第一接触导体20和第二接触导体21位于相同层， 所以可以省略绝缘层之一，并可形成具有更小厚度的共模扼流圈。
图5是示出根据本发明第三实施方式的共模扼流圈300的结构的示 意性分解立体图，并示出层组件12的详细结构。因此，省略了图5中的 磁性基板IIA、 11B和磁性体26。
如图5所示，共模扼流圈300的特征在于，共模扼流圈300具有三 层的层组件12，并且第一接触导体20和第二接触导体21均形成在第二 绝缘层15B上。换句话说，第一接触导体20和第二接触导体21形成于 线圈层之间。由于其他结构特征与第一实施方式相同，所以使用相同的 附图标记来表示在两个实施方式中相同的组成元件，并且不提供其详细 的描述。根据本实施方式，与第二实施方式相同，可省略绝缘层之一， 并且可形成具有更小厚度的共模扼流圈。此外，接触孔24a、 24b与接触 孔24c、 24d具有相同的长度，因此能够进一步减小电感波动。
图6是示出根据本发明第四实施方式的共模扼流圈400的结构的示 意性分解立体图，并示出层组件12的详细结构。因此，省略了图6中的 磁性基板IIA、 11B和磁性体26。
如图6所示，共模扼流圈400的特征在于，共模扼流圈400具有三 层的层组件12，并且第三线圈导体18和第四线圈导体19均形成在第二绝缘层15B上。第一线圈导体16形成在第一绝缘层15A上，第二线圈 导体17形成在第二绝缘层15B上，并且第一接触导体20和第二接触导 体21形成在第三绝缘层15C上。由于其他结构特征与第一实施方式相同， 所以使用相同的附图标记来表示在两个实施方式中相同的组成元件，并 且不提供其详细的描述。根据本实施方式，可利用相同掩模同时形成第 三线圈导体18和第四线圈导体19，因此能够将第三线圈导体18和第四 线圈导体19形成为具有相同形状、相同厚度并且左右对称。
下面将描述应用了共模扼流圈100到400的信号传送系统。
图7是示出其中应用了共模扼流圈的信号传送系统的示例的示意图。
如图7所示，数字电视51和DVD播放器52经由HDMI电缆53相 连接。HDMI电缆53是使用差分传送系统的电缆，并具有插头53A、53B。 HDMI电缆53的一个插头53A经由DVD播放器52的HDMI端子连接 到输入-输出部，另一插头53B经由数字电视51的HDMI端子连接到输 入-输出部。从DVD播放器52输出的数字信号经由HDMI电缆53以高 速传送到数字电视51。数字电视51和DVD播放器52的输入-输出部设 置有信号传送电路60，信号传送电路60执行信号线噪声去除以及其他处 理。
图8是示出其中应用了根据第一实施方式的共模扼流圈100的信号 传送电路的等效电路图。也可应用实施方式2到4中描述的共模扼流圈 200到400来代替共模扼流圈100。
如图8所示，作为ESD保护部件的可变电阻器61、 62分别连接到 在HDMI电缆53中包括的一对信号线71、 72;并且在可变电阻器61， 62之前的级提供共模扼流圈100。共模扼流圈100优选地按以下方式安 装第一和第二线圈导体16、 17 —侧的端部朝向HDMI电缆53，第三 和第四线圈导体18、 19 一侧的端部朝向内部电路(朝向可变电阻器)。 当共模扼流圈100以此方式安装时，由第一线圈导体16和第二线圈导体 17组成的共模扼流可以尽可能快地去除包括在输入信号中的共模噪声。 特征阻抗调节线圈也可置于可变电阻器61、 62附近。
图9是示出连接了可变电阻器的一对信号线的特征阻抗的曲线图，
其中横轴代表信号线上的位置(ps/div)，纵轴代表特征阻抗(n)。
如图9所示，未连接可变电阻器的一对信号线的特征阻抗(曲线L0)
是约100Q，并在整个测量范围内大致均匀，然而，连接了可变电阻器的 一对信号线的特征阻抗(曲线L1)在可变电阻器连接位置处急剧减小。
因此，很明显，可变电阻器或其他电容性元件造成特征阻抗的显著减小。
图10是示出在连接了可变电阻器的一对信号线中插入了根据本发 明的共模扼流圈时的特征阻抗的曲线图。在本图中，曲线L1代表未插入 共模扼流圈时的特征阻抗(即图9的L1)，曲线L2代表按图8所示朝向 连接(正向连接)了共模扼流圈时的特征阻抗，曲线L3代表按与图8所 示朝向相反的朝向连接(反向连接)了共模扼流圈时的特征阻抗。
如图IO所示，当将共模扼流圈连接到连接了可变电阻器的一对信号 线时，无论正向或反向连接共模扼流圈，都明显抑制了特征阻抗的急剧 减小。很明显，共模扼流圈100正向连接时比反向连接时对阻抗减小的 抑制更大。这意味着特征阻抗调节线圈优选地置于可变电阻器附近。
如上所述，当将共模扼流圈100插入第一和第二可变电阻器61、 62 之前的级时，可抑制由可变电阻器61、 62引起的特征阻抗的减小。从 DVD播放器52输出的信号也经由HDMI电缆53输入数字电视51和信 号传送电路60，而几乎没有任何外界噪声。因此，可以进行高速、高质 量的数字传送。
至此参考具体实施方式
示出并描述了本发明。然而，应注意的是本 发明绝不受限于所描述结构的细节，可在不背离所附权利要求的范围的 情况下进行变化和修改。
例如，在实施方式中描述了利用薄膜模制技术制造的所谓薄膜型共 模扼流圈作为示例，但本发明不限于薄膜型，而可以是利用印刷技术制 造的所谓层叠型共模扼流圈。
权利要求
1、一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括彼此磁耦合的第一线圈导体和第二线圈导体；第三线圈导体，该第三线圈导体串联地电连接到该第一线圈导体，并基本不与该第一线圈导体磁耦合；以及第四线圈导体，该第四线圈导体串联地电连接到该第二线圈导体，并基本不与该第二线圈导体磁耦合，其中，该第三线圈导体和该第四线圈导体基本不磁耦合，并且以规定的中心线为基准是对称的。
2、 如权利要求l所述的共模扼流圈，该共模扼流圈还包括 用于将该第三线圈导体与该第一线圈导体的内端相连接的第一接触导体；以及用于将该第四线圈导体与该第二线圈导体的内端相连接的第二接触 导体。
3、 如权利要求2所述的共模扼流圈，其中，该第一接触导体连接到 该第三线圈导体的内端，并且该第二接触导体连接到该第四线圈导体的 内端。
4、 如权利要求2或3所述的共模扼流圈，其中，该第一接触导体和该第二接触导体以规定的中心线为基准是对称的。
5、 如权利要求2或3所述的共模扼流圈，其中，该第一接触导体和 该第二接触导体设置在同一层中。
6、 如权利要求1至3中的任一项所述的共模扼流圈，其中，该第三线圈导体和该第四线圈导体设置在同一层中。
7、 如权利要求6所述的共模扼流圈，其中，该第一线圈导体和该第二线圈导体中的一个设置在与该第三线圈导体和该第四线圈导体相同的层中o
8、 如权利要求1至3中的任一项所述的共模扼流圈，其中，该第三 线圈导体和该第四线圈导体之间的最短距离被设置为该第三线圈导体和该第四线圈导体的节距的3倍或更多倍。
9、 如权利要求1至3中的任一项所述的共模扼流圈，其中，该第二线圈导体的宽度小于该第一线圈导体的宽度。
10、 如权利要求1至3中的任一项所述的共模扼流圈，该共模扼流 圈还包括形成在该共模扼流圈的侧面上的方向性标记。
11、 如权利要求10所述的共模扼流圈，其中，该方向性标记是设置 在与第一线圈导体至第四线圈导体以及第一接触导体和第二接触导体中的任一个相同的层中的导体图案。
12、 如权利要求1至3中的任一项所述的共模扼流圈，其中，该第 三线圈导体和该第四线圈导体的宽度小于该第一线圈导体和该第二线圈 导体的宽度。
13、 一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括彼此磁耦合的第一线圈导体和第二线圈导体；连接到该第一线圈导体的内端的第三线圈导体；以及连接到该第二线圈导体的内端的第四线圈导体。
14、 如权利要求13所述的共模扼流圈，该共模扼流圈还包括第一接触导体，用于将该第三线圈导体与所述第一线圈导体的内端相连接；以及第二连接导体，用于将该第四线圈导体与该第二线圈导体的内端相 连接，其中，该第一接触导体形成在与形成有该第一线圈导体的层不同的 层上，并且，该第二接触导体形成在与形成有该第二线圈导体的层不同 的层上。
15、 如权利要求13或14所述的共模扼流圈，该共模扼流圈还包括-第一端子电极和第二端子电极；第一引出导体，用于将该第一端子电极与该第一线圈导体的外端相 连接；以及第二引出导体，用于将该第二端子电极与该第二线圈导体的外端连接。
16、 如权利要求15所述的共模扼流圈，其中，该第一引出导体形成 在与形成有该第一线圈导体的层相同的层上，并且，所述第二引出导体 形成在与形成有该第二线圈导体的层相同的层上。
17、 一种共模扼流圈，该共模扼流圈包括 形成在第一层上的第一线圈导体；按与该第一线圈导体交叠的方式形成在第二层上的第二线圈导体； 经由第一接触导体连接到该第一线圈导体的第三线圈导体；以及 经由第二接触导体连接到该第二线圈导体的第四线圈导体； 其中，该第一接触导体形成在与该第一层不同的层上，并且，该第 二接触导体形成在与该第二层不同的层上。
18、 如权利要求17所述的共模扼流圈，其中，该第三线圈导体形成 在该第一层和该第二层中的一个上，并且，该第四线圈导体形成在该第 一层和该第二层中的一个上。
全文摘要
本发明提供共模扼流圈。该共模扼流圈具有彼此磁耦合的第一线圈导体和第二线圈导体；第三线圈导体，该第三线圈导体串联地电连接到该第一线圈导体，并基本不与该第一线圈导体磁耦合；第四线圈导体，该第四线圈导体串联地电连接到该第二线圈导体，并基本不与该第二线圈导体磁耦合；第一接触导体，用于将该第三线圈导体与该第一线圈导体的内端相连接；以及第二接触导体，将该第四线圈导体与该第二线圈导体的内端相连接。该第三线圈导体和该第四线圈导体基本不磁耦合，并且以规定的中心线为基准具有线对称关系。
文档编号H01F37/00GK101345119SQ200810100739
公开日2009年1月14日 申请日期2008年5月20日 优先权日2007年5月21日
发明者伊藤知一, 友成寿绪, 奥村武史 申请人:Tdk株式会社