专利名称：高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法
技术领域：
本发明涉及真空镀膜技术，特别是一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀 膜工艺方法，具体说为采用磁控溅射法生产高稳定高精度高阻值金属膜电阻器的制造方 法。
背景技术：
金属膜电阻器具有高稳定性、低噪音、频率特性好等优点，同时工作环境温度范围宽， 单位面积承受的功耗较高，有利于电子设备的小型化，另外，其温度系数、电压系数都比 较小，适合在精密的电子仪器中应用。因此，金属膜电阻器的应用范围极为广泛，如需要 高稳定性、高可靠性的太空、航空用、国防用以及在电子计算机中应用。它逐渐成为替代 碳膜电阻器的新一代通用电阻器。
目前，国内外先进的制膜工艺是采用磁控溅射滚式沉积电阻合金，这种方法易获得与 靶材成分相同的合金膜，并能大幅度地提高产量，还能精确地控制膜层性能，提高电阻器 的稳定性和精度。
生产高阻值的金属膜电阻器，溅射工艺是非常关键的，它制约着金属膜电阻器的稳定 性、精度、电阻温度系数等性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方 法。该工艺生产的高阻值电阻器稳定性好、精度高，电阻温度系数小。
本发明提供的一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器为该金属膜电阻器的阻值 100MQ,精度0.5%，过载0.5%，电阻温度系数TCR50PPm/'C，它是在高阻溅射靶材上通过 磁控溅射方法制备而成，具体操作是由恒流电源供给的小电流进行长时间的慢溅射。
本发明提供的一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器的溅射镀膜工艺方法是靶材在 磁控溅射镀膜机上进行溅射的工艺参数
在真空3X10力a下进行，溅射真空为5X10—'Pa，溅射电压为300 400V，溅射电流 为0.1 0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射时间1 3h。
本发明提供一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法，获得均匀 一致的膜层，高阻值的金属膜电阻器膜层很薄，使每个基体获得均匀的膜层，使阻值和技 术性能达到较好的一致性。生产的高阻值电阻器稳定性好、精度高，电阻温度系数小。
具体实施方式
本发明提供一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法，是采用通 用的磁控溅射镀膜机(型号TRC2020，美国)进行磁控溅射，靶材是采用Cr-Si系(Si 45-55%，Cr 40-50%， Ni 3-6%, Ti 0. 1-0. 3%)高阻耙材。
实施例1
靶材是Cr-Si高阻靶材，美国TRC2020磁控溅射镀膜机，抽真空到3X10-3Pa,冲入 氩气和氧气，真空度到5X10-1Pa开始溅射。溅射电压为350V，溅射电流为0.2A，氩气 输入量为30L/min，氧气输入量为1. 5L/min，溅射时间为1 h，得到高阻值金属膜电阻器， 测定结果(由天津市电子仪表实验所测定，所用仪器设备是数字多用表8508A型，可程控 多功能标准源YS87B型，电子秒表JG900型，超低温调温箱PG-2G)为阻值100MQ，精 度O. 5%，过载O. 5%，电阻温度系数TCR50PPm/。C。
实施例2
靶材是Cr-Si高阻靶材，美国TRC2020磁控溅射镀膜机，抽真空到3X10-3Pa,冲入 氩气和氧气，真空度到5X10-lPa开始溅射。溅射电压为350V，溅射电流为0. 1A，氩气 输入量为30L/min，氧气输入量为1. 5L/min，溅射时间为3 h，得到高阻值金属膜电阻器， 测定结果(测定方法同上)为阻值IOOMQ，精度0.5%，过载0.5%，电阻温度系数 TCR50PPm〃C。
权利要求
1、一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器，其特征在于该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成，具体操作是由恒流电源供给的小电流进行长时间的慢溅射。
2、 权利要求1所述的高稳定高精度高阻值金属膜电阻器的溅射镀膜工艺方法，其特征在于靶材在磁控溅射镀膜机上进行溅射的工艺参数在真空3X10'Spa下进行，溅射真空度为5X10"Pa，溅射电压为300 400V，溅射电流为0.1 0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射吋间1 3h。
全文摘要
本发明涉及一种高稳定高精度高阻值金属膜电阻器及其溅射镀膜工艺方法。该金属膜电阻器的阻值100MΩ，精度0.5％，过载0.5％，电阻温度系数TCR50PPm/℃，它是在高阻溅射靶材上通过磁控溅射方法制备而成。具体工艺参数在真空3×10<sup>-3</sup>Pa下进行，溅射真空为5×10<sup>-1</sup>Pa，溅射电压为300～400V，溅射电流为0.1～0.2A，氩气输入量30L/min，氧气输入量1.5L/min，溅射时间1～3h。本发明获得均匀一致的膜层，高阻值的金属膜电阻器膜层很薄，使每个基体获得均匀的膜层，使阻值和技术性能达到较好的一致性。生产的高阻值电阻器稳定性好、精度高，电阻温度系数小。
文档编号H01C7/00GK101477858SQ20081015452
公开日2009年7月8日 申请日期2008年12月25日 优先权日2008年12月25日
发明者常力峰, 张之圣, 潘有桐, 潘有胜, 王秀宇, 天 白, 强 邹 申请人:天津大学