带有接合膜的基材、接合方法及接合体的制作方法

专利名称：：带有接合膜的基材、接合方法及接合体的制作方法
技术领域：
：本发明涉及带有接合膜的基材、接合方法及接合体。
背景技术：
：在将两个部件(基材)彼此接合(粘接)时，目前多采用使用环氧类粘接剂、氨基甲酸酯(Urethane)类粘接剂、硅酮类粘接剂等粘接剂进行接合的方法。粘接剂通常是不论接合的部件的材质如何仍显示优良的粘接性的粘接剂。因此，可将由各种材料构成的部件彼此以各种组合粘接。例如，喷墨式打印机所具备的液滴喷头(喷墨式记录头)通过将由树脂材料、金属材料及硅类材料等不同种类的材料构成的部件彼此用粘接剂粘接而组装起来。在这样使用粘接剂将部件彼此粘接时，在粘接面涂敷液状或膏状的粘接剂，经由涂敷了的粘接剂将部件彼此粘合。之后，利用热或光的作用使粘接剂硬化(固化)，由此将部件彼此粘接起来。但是，在采用了这种粘接剂的接合中，存在如下问题。粘接强度低尺寸精度低，硬化时间长，因此粘接需要长时间另外，多数情况下为提高粘接强度而需要使用底漆，因此带来的成本及时间导致粘接工序的高成本化、复杂化。另一方面，作为不采用粘接剂的接合方法，有固体接合的方法。固体接合是不经由粘接剂等中间层而将部件彼此直接接合的方法(例如参照专利文献l)。根据这样的固体接合，由于不使用粘接剂那样的中间层，故可得到尺寸精度高的接合体。但是，固体接合存在如下问题。对接合的部件的材质有限制'接合工艺中伴随有高温(例如70080(TC左右)下的热处理接合工艺中的环境气体限定在减压环境气体受到这样的问题，寻求不根据供接合的部件的材质而将部件彼此以高的尺寸精度、牢固且在低温下高效接合的方法专利文献l:日本特开平5-82404号公报
发明内容本发明的目的在于，提供具备可以以高的尺寸精度牢固且在低温下高效地对粘附体进行接合的带有接合膜的基材、在低温下高效地将这样的带有接合膜的基材和粘附体接合的接合方法、将所述带有接合膜的基材和粘附体以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合体。这样的目的通过下述的本发明实现。本发明提供一种带有接合膜的基材，其特征在于，其具有基材以及接合膜，所述接合膜设于该基材上且包含金属原子和由有机成分构成的脱离基，通过对所述接合膜的至少一部分区域赋予能量，使在所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基从该接合膜脱离，由此在所述接合膜的表面的所述区域显现与其它粘附体的粘接性。由此，得到具备可以以高的尺寸精度牢固且在低温下高效地对粘附体进行接合的接合膜的带有接合膜的基材。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜是以有机金属材料为原材料并使用有机金属化学气相成长法成膜的。根据这样的方法，可以以较简单的工序成膜均匀膜厚的接合膜。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜是在低还原性环境气体下成膜的。由此，可以在不在基板上形成纯粹的金属膜而残留着有机金属材料中包含的有机物的一部分的状态下进行成膜。即，可形成作为接合膜及金属膜的这两者的特性优良的接合膜。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述脱离基是残存了所述有机金属材料中包含的有机物的一部分的脱离基。通过形成为在这样成膜时将膜中残存的残存物作为脱离基使用的构成，可不需要向形成的金属膜中导入脱离基，而以较简单的工序成膜接合膜。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述脱离基由原子团构成，所述原子团以碳原子为必需成分，并包含氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中的至少一种。这些脱离基在能量赋予得到的结合/脱离的选择性方面比较优良。因此，通过赋予能量，得到较简单且均匀地脱离的脱离基，可使带有接合膜的基材的粘接性更高。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述脱离基是烷基。由烷基构成的脱离基化学稳定性高，因此，具备烷基作为脱离基的接合膜在耐候性及耐药品性方面优良。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述有机金属材料是金属络合物。通过使用金属络合物成膜接合膜，可以在金属络合物中包含的有机物的一部分残存的状态下，可靠地形成接合膜。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述金属原子是铜、铝、锌及铁中的至少一种。通过将接合膜设为包含所述金属原子的结构，接合膜发挥优良的导电性。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜中的金属原子和碳原子的存在比为3:77:3。通过将金属原子和碳原子的存在比设定在所述范围内，接合膜的稳定性变高，可将带有接合膜的基材和对置基板更牢固地接合。另外，可使接合膜发挥优良的导电性。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜具有导电性。由此，在将本发明的带有接合膜的基材对其它粘附体接合时，可将接8合膜应用于配线基板所具备的配线或其端子等。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜至少在其存在于表面附近的所述脱离基从该接合膜脱离后产生活性键。由此，能够得到基于化学结合可对其它粘附体牢固地接合的带有接合膜的基材。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述活性键是未结合键或羟基。由此，可对其它粘附体进行特别牢固的接合。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜的平均厚度为11000nm。由此，可防止将带有接合膜的基材和其它粘附体接合的接合体的尺寸精度显著降低，并且可将它们更牢固地接合。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述接合膜呈没有流动性的固体状。由此，使用带有接合膜的基材得到的接合体的尺寸精度与现有技术相比，极其高。另外，与现有技术相比，可在短时间内进行牢固的接合。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述基材呈板状。由此，基材容易挠曲，基材沿其它粘附体的形状可充分地变形，因此，它们的密接性变得更高。另外，通过基材的挠曲，可在某种程度上缓和在接合界面产生的应力。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料为主材料构成。由此，即使不实施表面处理，也能够得到足够的接合强度。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述基材的具备所述接合膜的面被预先实施提高与所述接合膜的密接性的表面处理。由此，可将基材的表面清洁化及活性化，可提高接合膜和对置基板的接合强度。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述表面处理是等离子体处理。由此，为形成接合膜，尤其可将基材的表面最佳化。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，在所述基材和所述接合膜之间夹有中间层。由此，可得到可靠性高的接合体。本发明的带有接合膜的基材中，优选的是，所述中间层以氧化物系材料为主材料构成。由此，可特别地提高基材和接合膜之间的接合强度。本发明提供一种接合方法，其特征在于，包括准备本发明的带有接合膜的基材和所述其它粘附体的工序；对该带有接合膜的基材中的所述接合膜的至少一部分区域赋予能量的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附体密接的方式将所述带有接合膜的基材和所述其它粘附体粘合，得到接合体的工序。由此，可以在低温下高效地将带有接合膜的基材和粘附体接合。本发明提供一种接合方法，其特征在于，包括准备本发明的带有接合膜的基材和所述其它粘附体的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附体密接的方式将所述带有接合膜的基材和所述其它粘附体粘合，得到层叠体的工序；通过对该层叠体中的所述接合膜的至少一部分区域赋予能量，将所述带有接合膜的基材和所述其它粘附体接合，得到接合体的工序。由此，可以在低温下高效地将带有接合膜的基材和粘附体接合。另外，在层叠体的状态下，由于带有接合膜的基材和粘附体之间未接合，故在将带有接合膜的基材和粘附体重合后，可容易地对它们的位置进行微调。其结果可提高接合膜的表面方向上的位置精度。本发明的接合方法中，优选的是，所述能量的赋予通过对所述接合膜照射能量线的方法、加热所述接合膜的方法及对所述接合膜赋予压缩力的方法中的至少一种方法进行。由此，较简单且高效地对接合膜赋予能量。本发明的接合方法中，优选的是，所述能量线是波长126300nm的紫外线。由此，由于将赋予接合膜的能量最佳化，故能够使接合膜中的脱离基可靠地脱离。其结果是可防止接合膜的特性(机械特性、化学特性等)降低，且可使接合膜显现粘接性。本发明的接合方法中，优选的是，所述加热的温度为2520(TC。由此，能够可靠地防止接合体因热而变质、劣化，并且能够可靠地提高接合强度。本发明的接合方法中，优选的是，所述压縮力为0.210MPa。由此，能够防止压力过高而对基板、粘附体造成损伤等，并且能够可靠地提高接合体的接合强度。本发明的接合方法中，优选的是，所述能量的赋予在大气环境气体中进行。由此，控制环境气体不需要耗费时间、成本，可更简单地进行能量的本发明的接合方法中，优选的是，所述其它粘附体具有预先实施了提高与所述接合膜的密接性的表面处理的表面，所述带有接合膜的基材以所述接合膜相对于实施了所述表面处理的表面密接的方式被粘合。由此，可进一步提高带有接合膜的基材和粘附体的接合强度。本发明的接合方法中，优选的是，所述其它粘附体具有包含预先选自官能团、自由基、开环分子、不饱和键、卤素及过氧化物构成的组中的至少一种基或物质的表面，所述带有接合膜的基材以所述接合膜相对于具有所述基或物质的表面密接的方式被粘合。由此，可充分提高带有接合膜的基材和粘附体的接合强度。本发明的接合方法中，优选的是，还具有对所述接合体进行提高其接合强度的处理的工序。由此，可进一步提高接合体的接合强度。本发明的接合方法中，优选的是，进行提高所述接合强度的处理的工序通过对所述接合体照射能量线的方法、加热所述接合体的方法及对所述接合体赋予压缩力的方法中的至少一种方法进行。由此，可容易实现接合体的接合强度的进一步提高。本发明提供一种接合体，其特征在于，具有本发明的带有接合膜的基材和粘附体，将它们经由所述接合膜接合而构成所述接合体。由此，得到以高的尺寸精度将带有接合膜的基材和粘附体牢固地接合而成的可靠性高的接合体。本发明提供一种接合体，其特征在于，具有两个本发明的带有接合膜的基材，使所述接合膜彼此对置地将所述基材接合而构成所述接合体。由此，得到以高的尺寸精度将带有接合膜的基材和粘附体牢固地接合而成的可靠性高的接合体。图1是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第一实施方式的图(纵剖面图)；图2是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第一实施方式的图(纵剖面图)；图3是表示本发明的带有接合膜的基材所具备的接合膜的能量赋予之前的状态的局部放大图4是表示本发明的带有接合膜的基材所具备的接合膜的能量赋予之后的状态的局部放大图5是模式性表示制造本发明的带有接合膜的基材时使用的成膜装置的纵剖面图6是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第二实施方式的图(纵剖面图)；图7是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第三实施方式的图(纵剖面图)；图8是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第三实施方式的图(纵剖面图)；图9是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第四实施方式的图(纵剖面图)；图10是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第五实施方式的图(纵剖面图)；图11用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第六实施方式的图(纵剖面图)；图12用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第七实施方式的图(纵剖面图)；图13是表示应用本发明的接合体得到的喷墨式记录头(液滴喷头)的分解立体图14是表示图13所示的喷墨式记录头的主要部分的结构的剖面图15是表示具备图13所示的喷墨式记录头的喷墨式打印机的实施方式的概略图16是表示应用本发明的接合体得到的配线基板的立体图。符号说明1—带接合膜的基材；2、21、22—基板；25、251、252—上表面；3、30、31、32、3a、3b—接合膜；303—脱离基；304—活性键；3c—间隙；35、351、352—表面；350—规定区域；4一对置基板；5、5a、5a，、5b、5c、5d、5e—接合体；6—掩模；61—窗部；200—成膜装置；211—腔室；212—基板支架；221—盖；230—排气装置；31—排气线；232—泵；233_阀；260—有机金属材料供给装置；261—气体供给线；262—贮存槽；263—阀；264—泵；265—气罐；270—气体供给装置；271—气体供给线；273—阀；274—泵；275—气罐；10—喷墨式记录头；ll一喷嘴板；111—喷嘴孔；114一覆膜；12—油墨室基板；121—油墨室；122—侧壁；123—贮存室；124—供给口；13—振动板；131—连通孔；14一压电元件；141一上部电极；142—下部电极；143—压电体层；16—基体；161—凹部；162—台阶；17—头主体；9一喷墨式打印机；92—装置主体；921—纸盘；922—排纸口；93—头单元；931—墨盒；932—滑架；94一印刷装置；941一滑架电动机；942—往复动作机构；943—滑架导向轴；944一定时带；95—给纸装置；951—给纸电动机；952—给纸辊；952a—从动辊；952b—驱动辊；96—控制部；97—操作面板；P—记录用纸；410—配线基板；412—电极；413—绝缘基板；414一引线；415—电极；具体实施例方式下面，基于附图所示的最佳实施方式详细说明本发明的带有接合膜的基材、接合方法及接合体。本发明的带有接合膜的基材具有基板(基材)和设于该基板上的接合膜，用于对对置基板(其它粘附体)进行接合。该带有接合膜的基材中的接合膜是包含金属原子和由有机成分构成的脱离基的有机金属膜。具有这种接合膜的带有接合膜的基材中，通过对接合膜的至少一部分区域、即俯视时的接合膜的整个面或一部分区域赋予能量，由此使上述接合膜的表面附近存在的脱离基从接合膜脱离。而且，该接合膜具有如下特征通过脱离基的脱离，在其表面的赋予了能量的区域发现与其它粘附体的粘接性。具有这种特征的带有接合膜的基材相对于对置基板可以以高的尺寸精度牢固地且在低温下高效地接合。而且，通过使用这样的带有接合膜的基材，得到将基板和对置基板牢固接合而成的可靠性高的接合体。(第一实施方式)首先，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板(其它粘附体)接合的接合方法(本发明的接合方法)、及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第一实施方式进行说明。图1及图2是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第一实施方式的图(纵剖面图)，图3是表示本发明的带有接合膜的基材所具备的接合膜的能量赋予之前的状态的局部放大图，图4是本发明的带有接合膜的基材所具备的接合膜的能量赋予之后的状态的局部放大图。另外，以下的说明中，将图1图4中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。本实施方式的接合方法包括准备本发明的带有接合膜的基材的工序；对带有接合膜的基材的接合膜赋予能量，使脱离基从接合膜中脱离，由此使接合膜活性化的工序；准备对置基板(其它粘附体)，按照带有接合膜的基材所具备的接合膜和对置基板密接的方式将它们粘合，得到接合体的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序进行说明。[l]首先，准备带有接合膜的基材l(本发明的带有接合膜的基材)。带有接合膜的基材1如图1(a)所示，具有呈板状的基板(基材)2和设于基板2上的接合膜3。其中，基板2只要具有支承接合膜3的程度的钢性，就可以用任何材料构成。具体而言，基板2的构成材料可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)等聚烯烃、环状聚烯烃、改性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚(4-甲基戊烯-l)、离聚物、丙烯酸类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS树脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亚胺、聚縮醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟类树脂、苯乙烯类、聚烯烃类、聚氯乙烯类、聚氨基甲酸乙酯类、聚酯类、聚酰胺类、聚丁二烯类、反式-聚异戊二烯类、氟橡胶类、氯化聚乙烯类等各种热塑性橡胶，环氧树脂、酚树脂、尿素树脂、密胺树脂、芳族聚酰胺类树脂、不饱和聚酯、硅酮树脂、聚氨基甲酸乙酯等或以它们为主的共聚物、混合体、聚合物合金等树脂类材料，Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm之类的金属，或包含这些金属的合金、碳钢、不锈钢、铟锡氧化物(ITO)、砷化镓之类的金属类材料，单晶硅、多晶硅、非晶硅之类的硅酮类材料，硅酸玻璃(石英玻璃)、硅酸碱玻璃、碱石灰玻璃、铅(碱)玻璃、钡玻璃、硼硅酸玻璃之类的玻璃类材料，氧化铝、氧化锆、铁素体、氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化钛、碳化硅、碳化硼、碳化钛、碳化钨之类的陶瓷类材料，石墨之类的碳类材料，或将这些材料的一种或两种以上组合而成的复合材料等。另外，基板2也可以是对其表面实施了镀Ni那样的镀敷处理、铬酸盐处理那样的不动态化处理、或氮化处理等的基板。另外，基板(基材)2的形状只要具有支承接合膜3的面那样的形状即可，不限于板状。即，基材的形状例如可以是块状(block)、棒状等。另外，本实施方式中，由于基板2为板状，故基板2容易挠曲，基板2可沿后述的对置基板4的形状充分地变形，因此，它们的密接性变得更高。另外，在带有接合膜的基材l中，基板2和接合膜3的密接性提高，并且基板2挠曲，由此可某种程度上缓和接合界面上产生的应力。该情况下，基板2的平均厚度没有特别限定，但优选0.0110mm左右，更优选0.13mm左右。另外，对置基板4的平均厚度也优选在与上述的基板2的平均厚度相同的范围内。另一方面，接合膜3是位于基板2和后述的对置基板4之间且承担所述基板2、4的接合的接合膜。这样的接合膜3包含金属原子和由有机成分构成的脱离基303(参照图3)。本发明的带有接合膜的基材主要在该接合膜3的构成方面具有特征。另外，后面对该接合膜3进行详细叙述。另外，优选对在基板3的至少要形成接合膜3的区域，根据基板2的构成材料在形成接合膜3之前，预先实施提高基板2和接合膜3的密接性的表面处理。作为这样的表面处理，例如有溅射处理、喷丸处理那样的物理表面处理、采用氧等离子体、氮等离子体等的等离子体处理、电晕放电处理、蚀刻处理、电子线照射处理、紫外线照射处理、臭氧暴露处理那样的化学表面处理、或者将它们组合的处理等。通过实施这样的处理，可将基板2的要形成接合膜3的区域清洁化，并且可使该区域活性化。由此，可提高接合膜3和对置基板4的接合强度。另外，通过使用这些各表面处理中的等离子体处理，形成接合膜3，因此，可将基板2的表面特别最佳化。另外，在实施表面处理的基板2由树脂材料(高分子材料)构成的情况下，特别优选使用电晕放电处理、氮等离子体处理等。另外，即使因基板2的构成材料而不实施上述那样的表面处理，也可以使接合膜3的接合强度足够高。作为得到这种效果的基板2的构成材料，例如有以上述那样的各种金属类材料、各种硅类材料、各种玻璃类材料等为主材料的材料。由这样的材料构成的基板2其表面由氧化膜覆盖，且在该氧化膜的表面结合有活性较高的羟基。因此，若使用由这样的材料构成的基板2，则即使不实施上述那样的表面处理，也可以将带有接合膜的基材1(接合膜3)和对置基板4牢固地接合。而且在该情况下，基板2的整体也可以不由上述那样的材料构成，只要至少要形成接合膜3的区域的表面附近由上述那样的材料构成即可。另外，代替表面处理，也可以在基板2的至少要形成接合膜3的区域预先形成中间层。该中间层可以具有任何功能，没有特别限定，但例如优选具有提高与接合膜3的密接性的功能、缓冲性(缓冲功能)、缓和应力集中的功能、成膜接合膜3时促进接合膜3的膜成长的功能(籽晶(sead)层)、保护接合膜3的功能(保护层)等。经由这样的中间层将基板2和接合膜3接合，可得到可靠性高的接合体。作为这种中间层的构成材料，例如有铝、钛、钨、铜及其合金等金属类材料，金属氧化物、金属氮化物、硅氧化物那样的氧化物类材料，金属氮化物、硅氮化物那样的氮化物类材料，石墨、金刚石那样的碳类材料，硅垸偶联剂、硫醇类化合物、金属醇盐、金属一卤素化合物那样的自组织化膜材料，树脂类粘接剂，树脂薄膜，树脂涂敷材料，各种橡胶材料，各种人造橡胶那样的树脂类材料等，可将它们中的一种或两种以上组合使用。另外，由这些各种材料构成的中间层中，根据由氧化物类材料构成的中间层，可特别提高基板2和接合膜3之间的接合强度。其次，对带接合膜的基板1的接合膜3的表面35赋予能量。在此，对接合膜3赋予能量时，在接合膜3上，如图3及图4所示，脱离基303的结合键被切断，从接合膜3的表面35附近脱离，在脱离基303脱离后，活性键产生在接合膜3的表面35附近。由此，在接合膜3的表面35显现与对置基板4的粘接性。这种状态的带有接合膜的基材1基于化学结合可与对置基板4牢固地接合。在此，赋予接合膜3的能量可以使用任何方法赋予，例如有对接合膜3照射能量线的方法、加热接合膜3的方法、对接合膜3赋予压缩力(物理能量)的方法、将接合膜3暴露于等离子体中(赋予等离子体能量)的方法、将接合膜3暴露于臭氧气体中(赋予化学能量)的方法等。其中，本实施方式中，作为对接合膜3赋予能量的方法，特别优选对接合膜3照射能量线的方法。这样的方法能够对接合膜较简单且高效地赋予能量，因此，最好用作赋予能量的方法。其中，作为能量线，例如有紫外线、激光那样的光、X线、Y线、电子线、离子束那样的粒子线等、或将这些能量线组合两种以上的线。这些能量线中，特别优选使用波长126300nm左右的紫外线(参照图l(b))。根据这样的范围内的紫外线，赋予的能量被最适化，因此，可使接合膜3中的脱离基303可靠地脱离。由此，可防止接合膜3的特性(机械特性、化学特性等)降低，并且接合膜3上能够可靠地发现粘接性。另外，根据紫外线，可均匀地在短时间内对宽的范围进行处理，因此，可高效地进行脱离基303的脱离。另外，紫外线也具有例如可通过UV灯等简单的设备产生的优点。另外，紫外线的波长更优选为126200nm左右。另外，在使用UV灯时，其输出根据接合膜3的面积而不同，但优选lmW/cm21W/cm2左右，更优选5mW/cm250mW/cm2左右。另外，该情况下，UV灯和接合膜3的离开距离优选110mm左右，更优选15mm左右。另外，照射紫外线的时间优选可将接合膜3的表面35附近的脱离基303脱离的程度的时间、即不会对接合膜3照射所需以上的紫外线的程度的时间。由此，能够有效地防止接合膜3变质、劣化。具体而言，虽然根据紫外线的光量、接合膜3的构成材料等而稍微不同，但优选0.530分钟左右，更优选110分钟左右。另外，紫外线也可以时间性地连续照射，但也可以间歇地(脉冲状)地照射。另一方面，作为激光，例如有受激准分子激光器那样的脉冲振荡激光器(脉冲激光器)、碳酸气激光器、半导体激光器那样的连续振荡激光器等。其中，优选脉冲激光器。在脉冲激光器中，接合膜3的被照射了激光的部分难以经时性地蓄积热，因此，能够可靠地防止蓄积的热造成的接合膜3的变质、劣化。即，根据脉冲激光器，可防止蓄积的热影响到接合膜3内部。另外，脉冲激光器的脉冲宽度在考虑到热的影响时，优选尽可能的短。具体而言，优选脉冲宽度为lps(微微秒)以下，更优选500fs(飞秒)以下。若将脉冲宽度设在上述范围内，则能够可靠地抑制伴随激光照射在接合膜3产生的热的影响。另外，将脉冲宽度减小到上述范围内程度的脉冲激光器被称作"飞秒激光器"。另外，激光的波长没有特别限定，例如优选2001200nm作哟，更优选4001000nm左右。另外，激光的峰值输出在脉冲激光器的情况下因脉冲宽度而不同，但优选0.110W左右，更优选15W左右。另外，脉冲激光器的重复频率优选0.1100kHz左右，更优选l10kHz左右。通过将脉冲激光器的频率设定在上述范围内，照射了激光的部分的温度显著上升，在接合膜30中包含的有机成分的一部分残存着的状态下，能够可靠地将脱离基303从接合膜3的表面35附近切断。另外，这种激光的各种条件优选适宜调节为照射了激光的部分的温度优选常温(室温)60(TC左右、更优选200600'C左右、特别优选30040(TC左右。由此，照射了激光的部分的温度显著上升，在接合膜30中包含的有机成分的一部分残存着的状态下，能够可靠地将脱离基303从接合膜3切断。另外，对接合膜3照射的激光优选以使其焦点吻合于接合膜3的表面35的状态，沿该表面35扫描。由此，通过激光的照射而产生的热局部地蓄积在表面35附近。其结果是，可使在接合膜3的表面35存在的脱离基303选择性地脱离。另外，能量线对接合膜3的照射也可以在任何环境气体中进行，具体而言，例举有大气、氧那样的氧化性环境气体、氢那样的还原性环境气体、氮、氩那样的惰性环境气体、或将这些环境气体减压后的减压(真空)环境气体等，其中，特别优选在大气环境气体中进行。由此，控制环境气体不需要耗费时间及成本，可以更简单地进行能量线的照射。这样，根据照射能量线的方法，由于容易地进行对接合膜3的表面35附近选择性地赋予能量，所以例如可防止能量赋予造成的基板2及接合膜3的变质、劣化。另外，根据照射能量线的方法，可高精度且简单地调节赋予的能量的大小。因此，可调节从接合膜3脱离的脱离基303的脱离量。这样，通过调节脱离基303的脱离量，可容易控制带有接合膜的基材1和对置基板4之间的接合强度。艮口，通过增大脱离基303的脱离量，在接合膜3的表面35附近产生更多的活性键，因此，可进一步提高接合膜3上显现的粘接性。另一方面，通过减小脱离基303的脱离量，可减少接合膜3的表面35附近产生的活性键，可抑制接合膜3上显现的粘接性。另外，为调节赋予的能量的大小，例如只要调节能量线的种类、能量线的输出、能量线的照射时间等条件即可。另外，根据照射能量线的方法，由于可在短时间内赋予大的能量，故可更高效地进行能量的赋予。在此，赋予能量之前的接合膜3如图3所示，在其表面35附近具有脱离基303。对这样的接合膜3赋予能量的脱离基303(图3中为甲基)从接合膜3脱离。由此，如图4所示，在接合膜3的表面35产生活性键304并被活性化。其结果是，在接合膜3的表面显现粘接性。在此，在本说明书中，接合膜3"被活性化"的状态是指，如上所述，接合膜3的表面35及内部的脱离基303脱离，在接合膜3的构成原子中产生了没有被终端化的结合键(下面也称作"未结合键"或"悬空键")的状态之外的，该未结合键通过羟基(OH基)被终端化了的状态、进而包含这些状态混合的状态，接合膜3"被活性化"的状态。因此，活性键304是指，如图4所示，未结合键(悬空键)、或未结合键通过羟基而被终端化了的键。若这样的活性键304存在，则可对对置基板4进行特别牢固的接合。另外，后者的状态(未结合键通过羟基被终端化了的状态)通过如下这样而容易产生，即例如通过对接合膜3在大气环境气体中照射能量线，由此大气中的水分将未结合键终端化。另外，本实施方式中，说明在将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合之前，预先对带有接合膜的基材l的结合键3赋予能量的情况，但这样的能量赋予也可以在将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合(重合)时、或粘合(重合)后进行。另外，在这种情况下，对后述的第二实施方式进行说明。其次，准备对置基板(其它粘附体)4。然后，如图1(c)所示，按照活性化了的接合膜3和对置基板4密接的方式将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合。由此，在上述工序(2)中，由于显现了接合膜3对对置基板4的粘接性，故接合膜3和对置基板4化学结合，得到图2(d)所示的接合体5。这样得到的接合体5中，如现有的接合方法中使用的粘接剂那样，主要不是基于锚固定(anchor)效果那样的物理结合的粘接，而是基于共有结合那样的在短时间产生的牢固的化学结合来将带有接合膜的基材1和对置基板4接合。因此，接合体5可在短时间内形成，且极难剥离，且也难以产生接合不均。另外，根据得到使用这样的带有接合膜的基材1得到的接合体5的方法，如现有的固体接合那样，由于不需要高温(例如700。C以上)下的热处理，故也可以将由耐热性低的材料构成的基板2及对置基板4供接合使用。另外，由于经由接合膜3将基板2和对置基板4接合，故还具有对基板2、对置基板4的构成材料没有限制的优点。如上，根据本发明，可分别加宽基板2及对置基板4的各构成材料的选择范围。另外，在固体接合中，由于不是经由接合膜，故在基板2和对置基板4之间的热膨胀率有大的差的情况下，虽然基于该差的应力容易在接合界面集中，可能会产生剥离，但在接合体(本发明的接合体)5中，可通过接合膜3缓和应力集中，可靠地抑制或防止剥离的产生。另外，本实施方式中，在供接合的基板2及对置基板4中只是其中一个(本实施方式中为基板2)上设有接合膜3。因此，在基板2上形成接合膜3时，通过接合膜3的形成方法，基板2较长时间地暴露于等离子体中，但本实施方式中，对置基板4没有暴露于等离子体中。因此，例如作为对置基板4，即使在选择了对等离子体的耐久性明显低的材料的情况下，根据本实施方式的方法，也可以将带有接合膜的基材1和对置基板4牢固地接合。因此，构成对置基板4的材料也不用怎么考虑对等离子体的耐久性，具有可从宽范围的材料中进行选择的优点。在此，准备的对置基板4与基板2相同，也可以由任何材料构成。具体而言，对置基板4可由与基板2的构成材料相同的材料构成。另外，对置基板4的形状也与基板2相同，只要为具有接合膜3密接的面的形状，就没有特别限定，例如为板状(层状)、块状(块状)、棒状等。但是，对置基板4的构成材料可以与基板2不同、也可以相同，但优选选择基板2和对置基板4的各热膨胀率大致相等的材料。若基板2和对置基板4的热膨胀率大致相等，则在将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合时，在其接合界面难以产生伴随热膨胀的应力。其结果是，在最终得到的接合体5中能够可靠地防止剥离等不良情况产生。另外，后面详细叙述，即使在基板2及对置基板4的各热膨胀率彼此不同的情况下，也优选将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合时的条件如下这样最佳化。由此，可以以高的尺寸精度牢固地接合带有接合膜的基材1和对置基板4。艮P，在基板2和对置基板4的热膨胀率彼此不同的情况下，优选尽可能在低温下进行接合。通过在低温下进行接合，可实现在接合界面产生的热应力的进一步降低。具体而言，根据基板2和对置基板4的热膨胀率之差，优选在基板2及对置基板4的温度为255(TC左右的状态下将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合，更优选在254(TC左右的状态下进行粘合。若是这种温度范围，则即使基板2和对置基板4的热膨胀率之差增大某种程度，也可以充分降低在接合界面产生的热应力。其结果是，能够可靠地抑制或防止接合体5上的挠曲、剥离等的产生。该情况下，具体的基板2和对置基板4之间的热膨胀系数之差为5X10_5/K以上的情况下，如上所述，特别推荐尽可能在低温下进行接合。另外，基板2和对置基板4优选彼此的钢性不同。由此，可更牢固地接合带有接合膜的基材1和对置基板4。另外，基板2和对置基板4中至少一个基板优选其构成材料由树脂材料构成。由于树脂材料的柔软性，在将带有接合膜的基材1和对置基板4接合时，可缓和在其接合界面产生的应力(例如伴随热膨胀的应力等)。因此，接合界面难以被破坏，其结果可得到接合强度高的接合体5。在以上说明的对置基板4的供与带有接合膜的基材1接合的区域，优选与基板2相同，根据对置基板4的构成材料，在进行接合前预先实施提高对置基板4和接合膜3的密接性的表面处理。由此，可进一步提高带有接合膜的基材1和对置基板4的接合强度。另外，作为表面处理，可应用与对基板2实施的上述的表面处理相同的处理。另外，根据对置基板4的构成材料，即使不实施上述那样的表面处理，也可以充分提高带有接合膜的基材1和对置基梹4的接合强度。得到这种效果的对置基板4的构成材料可使用与上述的基板2的构成材料相同的材料、即各种金属类材料、各种硅类材料、各种玻璃类材料等。另外，在对置基板4的供与带有接合膜的基材1接合的区域，在具有以下的基、物质的情况下，即使不实施上述那样的表面处理，也可以充分提高带有接合膜的基材1和对置基板4的接合强度。作为这样的基或物质，例如有从氢原子、羟基、硫醇基、羧基、铝基、硝基、咪唑基那样的官能团，自由基，开坏分子，双键、三键那样的不饱和键，F、Cl、Br、I那样的卤素，过氧化物构成的组中选择的至少一种基或物质。具有这样的基或物质的表面可实现带有接合膜的基材1对接合膜3的接合强度的进一步提高。另外，为了得到具有这样的结构的表面，通过适当选择性地进行上述那样的各种表面处理，可得到能够与带有接合膜的基材1特别牢固地接合的对置基板4。另外，代替表面处理，优选在对置基板4的供与带有接合膜的基材1接合的区域预先形成具有提高与接合膜3的密接性的功能的中间层。由此，经由这样的中间层将带有接合膜的基材1和对置基板4接合，可得到接合强度更高的接合体5。这样的中间层的构成材料可使用与形成于上述基板2上的中间层的构成材料相同的材料。在此，本工序中，对将带有接合膜的基材1和对置基板4进行接合的机制进行说明。例如，以在对置基板4的供与带有接合膜的基材1接合的区域露出羟基的情况为例进行说明，在本工序中，在按照带有接合膜的基材1的接合膜3和对置基板4接触的方式将它们粘合时，存在于带有接合膜的基材1的接合膜3的表面35上的羟基和存在于对置基板4的上述区域上羟基，在氢结合的作用下彼此吸引，在羟基之间产生引力。推测通过该引力将带有接合膜的基材1和对置基板4接合。另外，通过该氢结合而相互吸引的羟基彼此之间根据温度条件等伴随脱水縮合而从表面切断。其结果是，在带有接合膜的基材1和对置基板4的接触界面，结合有羟基的结合键彼此结合。由此，推测为带有接合膜的基材1和对置基板4更牢固地接合。另外，上述工序(2)中被活性化了的接合膜3的表面，其活性状态时效性地缓和。因此，优选在上述工序(2)结束后，尽可能早地进行本工序(3)。具体而言，优选在上述工序(2)结束后60分钟以内进行本工序(3)，更优选在5分钟内进行。若在这样的时间内，则接合膜3的表面维持足够的活性状态，因此，在本工序中将带有接合膜的基材1(接合膜3)和对置基板4粘合时，可在它们之间得到足够的接合强度。换言之，活性化之前的接合膜3是包含金属原子和由有机成分构成的脱离基303的接合膜，因此，化学上较稳定，且耐候性优良。因此，活性化之前的接合膜3适宜长期保存。因此，若预先大量制造或购入具备这种接合膜3的基板2并进行保存，在进行本工序的粘合之前，只要对需要的个数进行上述工序(2)中记载的能量赋予，从接合体5的制造效率的观点来看是有效的。如上可得到图2(d)所示的接合体(本发明的接合体)5。另外，图2(d)中，按照覆盖带有接合膜的基材1的接合膜3的整个面的方式将对置基板4重合，但这些相对的位置也可以彼此错开。S卩，也可以按照对置基板4从接合膜3伸出的方式将带有接合膜的基材1和对置基板4重合。这样得到的接合体5优选基板2和对置基板4之间的接合强度为5MPa(50kgf/cm2)以上，更优选lOMPa(100kgf/cm2)以上。具有这种接合强度的接合体5可充分防止其剥离。而且，如后所述，在使用接合体5构成例如液滴喷头时，得到耐久性优良的液滴喷头。另外，根据本发明的带有接合膜的基材1，可高效地制作将基板2和对置基板4以上述那样以大的接合强度接合的接合体5。另外，在将现有的硅基板彼此直接接合的固体接合中，即使使供接合的基板的表面活性化，该活性状态也只是在大气中维持数秒数十秒这样极短的时间。因此，存在着在进行了表面的活性化之后，不能充分确保使接合的两个基板粘合等作业所需要的时间的问题。相对于此，根据本发明，可将活性状态维持较长时间。因此，可充分确保粘合作业所需要的时间，可提高接合作业中的效率。另外，可将活性状态维持较长时间，这认为是由于由有机成分构成的脱离基303脱离后的活性化状态稳定。另外，在得到接合体5时，或得到接合体5后，也可以根据需要对该接合体5(带有接合膜的基材1和对置基板4的层叠体)进行以下三个工序([4A]、[4B]及[4C])中的至少一个工序(提高接合体5的接合强度的工序)。由此，可实现接合体5的接合强度的进一步提高。如图2(e)所示，将得到的接合体5向基板2和对置基板4彼此接近的方向加压。由此，接合膜3的表面进一步分别接近基板2的表面及对置基板4的表面，可进一步提高接合体5的接合强度。另外，通过对接合体5加压，压破接合体5中的接合界面残存的间隙，可进一步扩大接合面积。由此，可进一步提高接合体5的接合强度。此时，对接合体5加压时的压力为接合体不会受到损伤的程度的压力，优选尽可能高。由此，可与该压力成正比地提高接合体5的接合强度。另外，该压力只要根据基板2及对置基板4的各构成材料、各厚度、接合装置等条件适宜调节即可。具体而言，虽然根据基板2及对置基板4的各构成材料、各厚度等稍有不同，但优选0.210MPa左右，更优选15MPa左右。由此，能够可靠地提高接合体5的接合强度。另外，该压力也可以超过上述上限值，但根据基板2及对置基板4的各构成材料，存在在基板2及对置基板4上产生损伤的顾虑。另外，加压的时间没有特别限定，但优选10秒30分钟左右。另外，加压的时间只要根据加压时的压力进行适当变更即可。具体而言，加压接合体5时的压力越高，即使縮短加压的时间，也可以实现接合强度的提高。[4B]如图2(e)所示，对得到的接合体5进行加热。此时，加热接合体5时的温度比室温高，只要不到接合体5的耐热温度，就没有特别限定，优选25200。C左右，更优选510(TC左右。若以这样的范围的温度进行加热，则能够可靠地防止接合体5因热而变质、劣化，并且可可靠地提高接合强度。另外，加热时间没有特别限定，但优选130分钟左右。另外，在进行上述工序[4A]、[4B]这两者时，优选将它们同时进行。即，如图2(e)所示，优选在对接合体5加压的同时对其进行加热。由此，可同时发挥加压的效果和加热的效果，可特别地提高接合体5的接合强度。[4C]如图2(f)所示，对得到的接合体5照射紫外线。由此，可使接合膜3和基板2及接合膜3和对置基板4之间形成的化学结合增加，且可分别提高基板2及对置基板4和接合膜3之间的接合强度。其结果可特别地提高接合体5的接合强度。此时照射的紫外线的条件只要与上述工序[2]中所示的紫外线的条件相同即可。另外，在进行本工序[4C]时，需要基板2及对置基板4中任一方具有透光性。而且，通过从具有透光性的基板侧照射紫外线，可对接合膜3可靠地照射紫外线。通过进行如上的工序，可容易地实现接合体5的接合强度的进一步提高。在此，如上所述，本发明的带有接合膜的基材在接合膜3上具有特征。下面对接合膜3进行说明。如上所述，接合膜3如图3及图4所示，包含金属原子和由有机成分构成的脱离基303。这样的接合膜3当被赋予能量时，脱离基303从接合膜3的至少表面35附近脱离，如图4所示，在接合膜3的至少表面35附近产生活性键304。由此，在接合膜3的表面显现粘接性。若显现这样的粘接性，则具备接合膜3的带有接合膜的基材1可以以高的尺寸精度相对于对置基板4牢固且高效地接合。另外，由于接合膜3是包含金属原子和由有机成分构成的脱离基303的膜即有机金属膜，故成为难以变形的牢固的膜。因此，接合膜3自身的尺寸精度高，即使对于最终得到的接合体5，也可以得到尺寸精度高的结构。这样的接合膜3呈没有流动性的固体状。因此，与目前使用的具有流动性的液状或粘液状(半固形状)的粘接剂相比，粘接层(接合膜3)的厚度、形状几乎无变化。因此，使用带有接合膜的基材1得到的接合体5的尺寸精度比现有技术的高很多。另外，由于不需要粘接剂的固化所需要的时间，故可在短时间内实现牢固的接合。另外，在本发明中，优选接合膜3具有导电性。由此，在后述的接合体中，可将接合膜3应用于配线基板所具备的配线、其端子等。为了使作为以上那样的接合膜3的功能最好地发挥，选择金属原子及脱离基303。具体而言，作为金属原子，例如可列举Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、各种镧系元素、各种锕系元素那样的过渡金属元素、Li、Be、Na、Mg、Al、K、Ca、Zn、Ga、Rb、Sr、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Tl、Pd、Bi、Po那样的典型金属元素等。在此，过渡金属元素在各过渡金属元素间只是最外层电子的数量不同的差异，因此，物性类似。而且，过渡金属通常其硬度、熔点高，导电性及导热性高。因此，在使用过渡金属元素作为金属原子时，可进一步提高接合膜3上显现的粘接性。另外，同时可进一步提高接合膜3的导电性。另夕卜，作为金属原子，在将Cu、Al、Zn及Fe中的一种或两种以上组合使用时，接合膜3发挥优良的导电性。另外，在使用后述的有机金属化学气相成长法成膜接合膜3时，可使用包含这些金属的金属络合物等作为原料来成膜较容易且均匀的膜厚的接合膜3。另外，脱离基303如上所述，通过从接合膜3脱离，按照在接合膜3上产生活性键的方式动作。因此，通过对脱离基303赋予能量，虽然较简单且均匀地进行脱离，但在未赋予能量时，优选选择按照不能脱离的方式可靠地与接合膜3接合的结构。具体而言，作为脱离基303，优选选择以碳原子为必要成分且含有氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中至少一种的原子团。这样的脱离基303在赋予能量得到的结合/脱离的选择性方面较为优良。因此，这样的脱离基303能够充分满足上述那样的必要性，可进一步提高带有接合膜的基材1的粘接性。更具体地说，作为原子团(基)，例如有甲基、乙基那样的垸基、甲氧基、乙氧基那样的烷氧基、羧基之外的上述烷基的末端以异氰酸酯基、氨基及磺基等为终端的基等。以上那样的原子团中，脱离基303特别优选烷基。由垸基构成的脱离基303的化学稳定性高，因此，作为脱离基303，具备烷基的接合膜3在耐候性及耐药品性方面优良。另外，在这样构成的接合膜3中，金属原子和氧原子的存在比优选3:77:3左右，更优选4:66:4左右。通过将金属原子和碳原子的存在比设定在上述范围内，接合膜3的稳定性提高，可将带有接合膜的基材l和对置基板4更牢固地接合。另外，可将接合膜3作成发挥优良的导电性的膜。另外，接合膜3的平均厚度优选11000nm左右，更优选50800nm左右。通过将接合膜3的平均厚度设在上述范围内，可防止将带有接合膜的基材1和对置基板4接合而成的接合体5的尺寸精度显著降低，并且可将它们更牢固地接合。即，在接合膜3的平均厚度低于上述下限值时，可能得不到足够的接合强度。另一方面，在接合膜3的平均厚度超过上述上限值时，接合体5的尺寸精度可能显著降低。另外，若接合膜3的平均厚度在上述范围内，接合膜3确保某种程度的形状追随性。因此，例如即使在基板2的接合面(与接合膜3邻接的面)上存在凹凸的情况下，根据该凹凸的高度，也可以按照追随凹凸的形状的方式覆盖接合膜3。其结果是，接合膜3可吸收凹凸并将其表面产生的凹凸的高度缓和。而且，在将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合时，可提高接合膜3相对于对置基板4的密接性。另外，上述那样的形状追随性的程度是接合膜3的厚度越厚越显著。因此，为充分确保形状追随性，只要使接合膜3的厚度尽可能厚即可。以上说明的接合膜3可以用任何方法成膜，例如有，I:将包含脱离基(有机成分)303的有机物赋予由金属原子构成的金属膜的大致整体上而形成接合膜3的方法；II:将含有脱离基(有机成分)303的有机物选择性地赋予(化学修饰)由金属原子构成的金属膜的表面附近而形成接合膜3的方法；III:以具有金属原子和包含脱离基(有机成分)303的有机物的有机金属材料为原材料，使用有机金属化学气相成长法形成接合膜3的方法等。其中，优选通过III的方法成膜接合膜3。根据这种方法，可以以较简单的工序形成均匀膜厚的接合膜3。下面，以利用III的方法、即以具有金属原子和含有脱离基(有机成分)303的有机物的有机金属材料为原材料，使用有机金属化学气相成长法形成接合膜3的方法，得到接合膜3的情况为代表进行说明。首先，在说明接合膜3的成膜方法之前，对成膜接合膜3时使用的成膜装置200进行说明。图5是模式性表示制造本发明的带有接合膜的基材时使用的成膜装置的纵剖面图。另外，以下的说明中，将图5中上侧称为"上"、将下侧称为"下"。图5所示的成膜装置200构成为，在腔室211内进行有机金属化学气相成长法(以下也简称为"MOCVD法")的接合膜3的形成。具体而言，成膜装置200具有腔室(真空腔室)211、设于该腔室211内并保持基板2(成膜对象物)的基板支架(成膜对象物保持部)212、向腔室211内供给气化或雾化后的有机金属材料的有机金属材料供给装置260、供给用于使腔室211内成为低还原性环境气体下的气体的气体供给装置270、进行腔室211内的排气并控制压力的排气装置230以及对基板支架212进行加热的加热装置(未图示)。基板支架212在本实施方式中安装于腔室211的底部。该基板支架212通过电动机的动作可转动。由此，可以在基板2上以均质且均匀的厚度成膜接合膜。另外，在基板支架212的附近分别配设有可将它们覆盖的盖221。该盖221用于防止基板2及接合膜3暴露于不需要的环境气体等中。有机金属材料供给装置260与腔室211连接。该有机金属材料供给装置260由贮存固形状的有机金属材料的贮存槽262、贮存将气化或雾化后的有机金属材料向腔室211内送气的载气的气罐265、将载气和气化或雾化后的有机金属材料导向腔室211内的气体供给线261、设于气体供给线261的中途的泵264及阀263构成。这样构成的有机金属材料供给装置260中，贮存槽262具有加热装置，通过该加热装置的动作可将固形状的有机金属材料加热而使其气化。因此，在阀263幵放的状态下使泵264动作，将载气从气罐265向贮存槽262供给时，气化或雾化后的有机金属材料与该载气一起通过供给线261内而被供给到腔室211内。另外，作为载气，没有特别限定，但例如最好使用氮气、氩气及氦气等。另外，在本实施方式中，气体供给装置270与腔室211连接。气体供给装置270由贮存用于使腔室211内处于低还原性环境气体下的气体的气罐275、将用于形成上述低还原性环境气体下的气体导向腔室211内的气体供给线271、设于气体供给线271的中途的泵274及阀273构成。这样构成的气体供给装置270中，当在阀273开放的状态下使泵274动作时，用于形成为上述低还原性环境气体下的气体从气罐275经由供给线271被供给到腔室211内。通过将气体供给装置270作成这样的构成，相对于有机金属材料可将腔室211内可靠地形成为低还原的环境。其结果是，在以有机金属材料为原材料并使用MOCVD法成膜接合膜3时，在使有机金属材料中包含的有机成分中的至少一部分作为脱离基303残存的状态下，成膜接合膜3。作为用于将腔室211内形成为低还原性环境的气体，没有特别限定，但例如有氮气及氦气、氩气、氙气那样的稀有气体等，可将它们中的一种或两种以上组合使用。另外，作为有机金属材料，在如后述的2,4-戊二酮一铜(II)、(Cu(hfac)(VTMS))等，使用分子构造中含有氧原子的材料时，优选在用于形成为低还原性环境气体下的气体中添加氢气。由此，可提高对氧原子的还原性，可使接合膜3中不残存过度的氧原子而成膜接合膜3。其结果是，该接合膜3在膜中的金属氧化物的存在率低，发挥优良的导电性。另外，作为载气，在使用上述的氮气、氩气及氦气中的至少一种的情况下，该载气也可以发挥作为用于形成为低还原性环境下的气体的功能。另外，排气装置230由泵232、将泵232和腔室211连通的排气线231以及设于排气线231的中途的阀233构成，可将腔室211内减压到希望的压力。使用如上那样构成的成膜装置200，利用MOCVD法如下在基板2上形成接合膜3。首先，准备基板2。然后，将该基板2搬入成膜装置200的腔室211内，并安装(安置)于基板支架212上。其次，在使排气装置230动作，即使泵232动作的状态下，通过将阀233打开，由此腔室211内成为减压状态。该减压的程度(真空度)没有特别限制，但优选lXl(r7lX10-4Torr左右，更优选1X10—61X10-5丁orr左右。另外，在使气体供给装置270动作，即，使泵274动作的状态下，将阔273打开，由此向腔室211内供给用于形成为低还原性环境下的气体，使腔室211内处于低还原性环境气体下。气体供给装置270的上述气体的流量没有特别限制，但优选为0.110sccm左右，更优选为0.55sccm左右。此时，使加热装置动作，对基板支架212进行加热。基板支架212的温度根据形成的接合膜3的种类、即形成接合膜3时使用的原材料的种类的不同而有稍微的不同，但优选在8030(TC左右，更优选在100275°C左右。通过设定在这样的范围内，可使用后述的有机金属材料成膜具有优良的粘接性的接合膜3。其次，将盖221设为打开的状态。然后，使贮存有固形状的有机金属材料的贮存槽262所具备的加热装置动作，由此在使有机金属材料气化了的状态下，使泵264动作，同时打开阀263，由此将气化或雾化后的有机金属材料与载气一起导入腔室内。这样，在由上述工序(2)加热了基板支架212的状态下，向腔室211内供给气化或雾化后的有机金属材料时，通过在基板2上加热有机金属材料，可在有机金属材料中包含的有机物的一部分残存的状态下，在基板2上形成接合膜3。艮口，根据MOCVD法，若按照有机金属材料中包含的有机物的一部分残存的方式形成包含金属原子的膜，则可在基板2上形成该有机物的一部分发挥作为脱离基303的功能的接合膜3。这样的MOCVD法中使用的有机金属材料没有特别限定，例如有2,4-戊二酮(pentadionate:^:/夕、^才氺一卜)一铜(II)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、三(4-甲基-8羟基喹啉)铝(III)(Almq3)、(8-羟基喹啉)锌(Znq2)、铜酞菁、铜(六氟乙酰丙酮)(乙烯基三甲基硅烷)[Cu(hfac)(VTMS)]、铜(六氟乙酰丙酮)(2-甲基-l-己烯-3-烯)[Cu(hfac)(MHY)]、铜(全氟乙酰丙酮)(乙烯基三甲基硅烷)[Cu(pfac)(VTMS)]、铜(全氟乙酰丙酮)(2-甲基-l-己烯-3-烯)[Cu(pfac)(MHY)]之类的金属络合物、三甲基镓、三甲基铝、二乙基锌之类的烷基金属、及其衍生物等。其中，作为有机金属材料，优选金属络合物。通过使用金属络合物，能在残存有金属络合物中包含的有机物的一部分的状态下可靠地形成接合膜另外，在本实施方式中，通过使气体供给装置270动作，将腔室211内形成在低还原性环境气体下，通过形成在这样的环境气体下，可以不在基板2上形成纯粹的金属膜而以残存有有机金属材料中包含的有机物的一部分的状态进行成膜。即，可形成作为接合膜及金属膜这两者的特性优良的接合膜3。气化或雾化后的有机金属材料的流量优选为0.1100ccm左右，更优选为0.560ccm左右。由此，可以以均匀的膜厚且残存有有机金属材料中包含的有机物的一部分的状态成膜接合膜3。如上，通过形成将成膜接合膜3时膜中残存的残存物用作脱离基303的构成，可不必将脱离基导入形成的金属膜等，而可以以较简单的工序成膜接合膜3。另外，使用有机金属材料形成的接合膜3上残存的上述有机物的一部分全部可以作为脱离基303起作用，也可以使其一部分作为脱离基303起作用。如上，可在基板2上成膜接合膜3，得到带有接合膜的基材l。(第二实施方式)其次，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法(本发明的接合方法)、及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第二实施方式进行说明。图6是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第二实施方式的图(纵剖面图)。另外，在以下的说明中，将图6中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。下面，对第二实施方式的接合方法进行说明，以与上述第一实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法除了将带有接合膜的基材1和对置基板4重合后对接合膜3赋予能量之外，与上述第一实施方式相同。艮口，本实施方式的接合方法包括准备本发明的带有接合膜的基材1的工序；准备对置基板(其它的粘附体)4并按照带有接合膜的基材1所具备的接合膜3和对置基板4密接的方式将它们重合的工序；对重合而成的层叠体中的接合膜3赋予能量，使接合膜3活性化，由此得到将带有接合膜的基材1和对置基板4接合而成的接合体5的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序迸行说明。首先，与上述第一实施方式相同，准备带有接合膜的基材l(参照图6(a))。其次，如图6(b)所示，准备对置基板4，并按照接合膜3的表面35和对置基板4密接的方式将带有接合膜的基材1和对置基板4重合，得到层叠体。另外，在该层叠体的状态下，由于带有接合膜的基材l和对置基板4之间未接合，因此，可调节带有接合膜的基材1相对于对置基板4的相对位置。由此，在将带有接合膜的基材1和对置基板4重合后，可容易地微调节它们的位置。其结果是可提高接合膜3的表面35方向上的位置精度。其次，如图6(c)所示，对层叠体中的接合膜3赋予能量。当对接合膜3赋予能量时，在接合膜3上显现与对置基板4的粘接性。由此，带有接合膜的基材1和对置搅拌4接合，如图6(d)所示，得到接合体5。在此，赋予接合膜3的能量可通过任何方法赋予，例如通过上述第一实施方式中举出的方法赋予。另外，在本实施方式中，作为对接合膜3赋予能量的方法，特别优选使用对接合膜3照射能量线的方法、将接合膜3加热的方法及对接合膜3赋予压縮力(物理能量)的方法中至少一种方法。这些方法可对接合膜3较简单且高效地赋予能量，因此作为能量赋予方法合适。其中，作为对接合膜3照射能量线的方法，可使用与上述第一实施方式相同的方法。另外，在该情况下，能量线透过基板2或对置基板4照射到接合膜3上。因此，基板2或对置基板4中照射能量线的一侧的基板由具有透光性的材料构成。另一方面，在通过加热接合膜3，对接合膜3赋予能量时，优选将加热温度设定为25200'C左右，更优选设定为50100'C左右。若以这样的范围的温度进行加热，则能够可靠地防止基板2及对置基板4因热而变质、劣化，而且能够可靠地使接合膜3活性化。另外，加热时间只要是可使接合膜3的脱离基303脱离的程度的时间即可，具体而言，若加热温度在上述范围内，则优选130分钟左右。另外，接合膜3可用任何方法加热，例如可用采用加热器的方法、照射红外线的方法、与火接触的方法等各种方法加热。另外，在使用照射红外线的方法时，基板2或对置基板4优选由具有光吸收性的材料构成。由此，照射了红外线的基板2或对置基板4高效地发热。其结果是可高效地加热接合膜3。另外，在使用采用加热器的方法或与火接触的方法时，基板2或对置基板4中接触加热器或火的一恻基板优选由导热性优良的材料构成。由此，可经由基板2或对置基板4对接合膜3高效地传递热，可高效地加热接合膜3。另外，通过对接合膜3赋予压缩力，在对接合膜3赋予能量时，优选将带有接合膜的基材1和对置基板4向彼此接近的方向以0.210MPa左右的压力进行压縮，更优选以15MPa左右的压力进行压縮。由此，只通过简单地进行压縮，就可简单地对接合膜3赋予适度的能量，在接合膜3上显出与对置基板4足够的粘接性。另外，该压力也可以超过上述上限值，但因基板2和对置基板4的各构成材料，在基板2以及对置基板4上可能产生损伤。另外，赋予压縮力的时间没有特别限定，优选10秒30分钟左右。另外，赋予压縮力的时间只要根据压縮力的大小适宜变更即可。具体而言，压縮力的大小越大，越能够縮短赋予压縮力的时间。如上那样可得到接合体5。(第三实施方式)其次，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第三实施方式进行说明。图7及图8是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第三实施方式的图(纵剖面图)。另外，以下的说明中，将图7及图8中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。下面，对第三实施方式的接合方法进行说明，以与上述第一实施方式以及上述第二实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法除了将两个带有接合膜的基材1彼此接合之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法包括准备两个本发明的带有接合膜的基材1的工序；对各个带有接合膜的基材1的各接合膜31、32分别赋予能量，使各接合膜31、32活性化的工序；按照使各接合膜31、32彼此密接的方式将两个带有接合膜的基材彼此粘合，得到接合体5a的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序进行说明。[l]首先，与上述第一实施方式相同，准备两个带有接合膜的基材l(参照图7(a))。另外，在本实施方式中，作为该两个带有接合膜的基材l，如图7(a)所示，使用具有基板21和设于该基板21上的接合膜31的带有接合膜的基材1和具有基板22和设于该基板22上的接合膜32的带有接合膜的基材l。其次，如图7(b)所示，对两个带有接合膜的基材1的各接合膜31、32分别赋予能量。当对各接合膜31、32赋予能量时，在各接合膜31、32上，图3所示的脱离基303从接合膜3脱离。而且，在脱离基303脱离后，如图4所示，在各接合膜31、32的表面35附近产生活性键304，各接合膜31、32被活性化。由此，在各接合膜31、32上分别显现粘接性。这种状态的两个带有接合膜的基材1分别彼此能够粘接。另外，作为能量赋予方法，可使用与上述第一实施方式相同的方法。在此，接合膜3"被活性化"的状态是指，如上述第一实施方式中所说明的那样，除了接合膜3的表面35及内部的脱离基303脱离，产生了接合膜3的构成原子未终端化的结合键(以下也称作"未结合键"或"悬空键")的状态之外，还包括该未结合键通过羟基(OH基)被终端化了的状态，进而包含这些状态混合的状态，接合膜3"被活性化"的状态。因此，本说明书中，活性键304是指，如图4所示，未结合键(悬空键)、或未结合键通过羟基而被终端化了的键。其次，如图7(c)所示，按照显现了粘接性的各接合膜3彼此密接的方式将两个带有接合膜的基材1彼此粘合，得到接合体5a。在此，在本工序中，将两个带有接合膜的基材1彼此接合，推测该接合是基于以下两个机制(i)、(ii)这两者或之一的接合。(i)例如，以在各接合膜3K32的表面351、352露出了羟基的情况为例进行说明，本工序中，在按照各接合膜31、32彼此密接的方式将两个带有接合膜的基材1彼此粘合时，在各带有接合膜的基材1的接合膜31、32的表面351、352上存在的羟基彼此通过氢结合而彼此吸引，在羟基彼此之间产生引力。通过该引力，推测两个带有接合膜的基材1彼此接合。另外，通过该氢结合而彼此吸引的羟基彼此由于温度条件等，伴随脱水縮合而从表面被切断。其结果是，在两个带有接合膜的基材1彼此之间，羟基结合后的结合键彼此结合。由此，推测为两个带有接合膜的基材1彼此更牢固地接合。(ii)当将两个带有接合膜的基材1彼此粘合时，在各接合膜31、32的表面351、352附近产生的未终端化的结合键(未结合键)彼此再结合。该再结合按照彼此重合(络合)的方式复杂地产生，因此，在接合界面产生网状的结合。由此，通过构成各接合膜31、32的金属原子及氧原子任一个彼此直接接合，从而各接合膜31、32彼此形成一体。通过如上那样的(i)或(ii)的机制，得到图7(d)所示的接合体5a。另外，在得到接合体5a后，根据需要也可以对该接合体5a进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一个工序。例如图8(e)所示，通过加压并同时加热接合体5a，接合体5a的各基板21、22彼此进一步接近。由此，促进各接合膜31、32的界面的羟基的脱水縮合、未结合键彼此的再结合。而且，各接合膜31、32彼此进一步一体化。其结果是，如图8(f)所示，得到具有大致完全形成一体的接合膜30的接合体5a'。(第四实施方式)其次，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第四实施方式进行说明。图9是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第四实施方式的图(纵剖面图)。另外，以下的说明中，将图9中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。下面，对第四实施方式的接合方法进行说明，以与上述第一实施方式上述第三实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法中，通过选择性地仅使接合膜3的一部分的规定区域350活性化，将带有接合膜的基材1和对置基板4在上述规定区域350局部地接合，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮口，本实施方式的接合方法包括准备本发明的带有接合膜的基材1的工序；对带有接合膜的基材1的接合膜3，选择性地对一部分规定区域350赋予能量，使上述规定区域350选择性地活性化的工序；准备对置基板(另外的粘附体)4，按照带有接合膜的基材1所具备的接合膜3和对置基板4密接的方式将它们粘合，得到带有接合膜的基材1和对置基板4在上述规定区域350局部地接合而成的接合体5b的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序进行说明。[l]首先，准备带有接合膜的基材1(本发明的带有接合膜的基材)(参照图9(a))。其次，如图9(b)所示，对带有接合膜的基材1的接合膜3的表面35中的一部分规定区域350选择性地赋予能量。当赋予能量时，在接合膜3上，在规定区域350，图3所示的脱离基303从接合膜3脱离。然后，在脱离基303脱离后，在规定区域350，如图4所示，在接合膜3的表面35附近产生活性键304，使接合膜3活性化。由此，在接合膜3的规定区域350显现与对置基板4的粘接性，另一方面，在接合膜3的规定区域350以外的区域，该粘接性完全没有显现、或即使显现也是稍微显现。这种状态的带有接合膜的基材1在规定区域350可与对置基板4局部粘接。在此，赋予接合膜3的能量可以用任何方法赋予，例如用上述第一实施方式中举出的方法赋予。另外，在本实施方式中，作为对接合膜3赋予能量的方法，特别优选使用对接合膜3照射能量线的方法。该方法由于可以对接合膜3较简单且高效地赋予能量，因此，作为能量赋予方法合适。另外，本实施方式中，作为能量线，特别优选使用激光、电子线那样的指向性高的能量线。若为这样的能量线，则通过向目的方向进行照射，可选择性地且简单地对规定区域照射能量线。另外，即使是指向性低的能量线，若按照将接合膜3的表面35中要照射能量线的规定区域350之外的区域覆盖(遮蔽)的方式进行照射，则38也可选择性地对规定区域350照射能量线。具体而言，如图9(b)所示，只要在接合膜3的表面35的上方设置掩模6，该掩模6具有形成与要照射能量线的规定区域350的形状对应的形状的窗口61，并经由该掩模6照射能量线即可。据此，可容易地对规定区域350选择性地照射能量线。其次，如图9(c)所示，准备对置基板(另外的粘附体)4。然后，按照使规定区域350选择性地活性化的接合膜3和对置基板4密接的方式将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合。由此，得到图9(d)所示的接合体5b。这样得到的接合体5b不是将基板2和对置基板4的对置面整个面接合，而只是将一部分区域(规定区域350)局部地接合而成。而且，在进行该接合时，只通过控制对接合膜3赋予能量的区域，就可简单地选择接合的区域。由此，例如通过控制使带有接合膜的基材l的接合膜3活性化的区域(本实施方式中为规定区域350)的面积，就可容易地调节接合体5b的接合强度。其结果是，例如得到可容易地将接合的位置分离的接合体5b。另外，通过适当控制图9(d)所示的带有接合膜的基材1和对置基板4的接合部(规定区域350)的面积、形状，可缓和在接合部产生的应力的局部集中。由此，例如即使在基板2和对置基板4之间热膨胀率之差大的情况下，也能够将带有接合膜的基材1和对置基板4可靠地接合。另外，在接合体5b上，在带有接合膜的基材1和对置基板4的间隙中接合的规定区域350之外的区域，产生(残存)有微小的间隙。因此，通过适当调节该规定区域350的形状，在带有接合膜的基材1和对置基板4之间可容易形成闭空间、流路等。另外，如上所述，通过控制带有接合膜的基材1和对置基板4的接合部(规定区域350)的面积，可调节接合体5b的接合强度，并且同时可调节将接合体5b分离时的强度(割裂强度)。从这样的观点考虑，在制作可容易分离的接合体5b时，接合体5b的接合强度优选为人手可容易地进行分离的程度的大小。由此，在将接合体5b分离时，可不使用装置等而简单地进行。如上那样可得到接合体5b。另外，在得到接合体5b后，根据需要也可以对该接合体5b进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一个工序。此时，在接合体5b的接合膜3和对置基板4的界面中，在规定区域350之外的区域(非接合区域)，产生(残存)有微小的间隙。因此，在加压并同时加热接合体5b时，优选在该规定区域350之外的区域在接合膜3和对置基板4不会接合的条件下进行。另外，考虑上述情况，在进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中至少一个工序时，优选对规定区域350选择性地进行这些工序。由此，可防止接合膜3和对置基板4在规定区域350之外的区域接合。(第五实施方式)其次，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第五实施方式进行说明。图10是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第五实施方式的图(纵剖面图)。另外，在以下的说明中，将图IO中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。下面，对第五实施方式的接合方法进行说明，以与上述第一实施方式上述第四实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。在实施方式的接合方法，通过选择性地只在基板2的上表面25中的一部分规定区域350形成接合膜3a，将带有接合膜的基材1和对置基板4在上述规定区域350局部地接合，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法包括准备具有基板2以及只形成在基板2上的一部分的规定区域350上的接合膜3a的带有接合膜的基材1的工序；对带有接合膜的基材1的接合膜3a赋予能量，使接合膜3a活性化的工序；准备对置基板(另外的粘附体)4，按照带有接合膜的基材1所具备的接合膜3a和对置基板4密接的方式将它们粘合，得到带有接合膜的基材1和对置基板4经由接合膜3a接合而成的接合体5c的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序进行说明。首先，如图10(a)所示，在基板2的上表面25的上方设置掩模6，掩模6具有窗部61，窗部61形成为与规定区域350的形状对应的形状。其次，经由掩模6在基板2的上表面25成膜接合膜3a。例如图10(a)所示，在经由掩模6通过等离子体聚合法成膜接合膜3a时，通过等离子体聚合法生成的聚合物堆积在基板2的上表面25上，但此时由于设置掩模6，从而聚合物只是堆积在规定区域350。其结果是，在基板2的上表面25的一部分的规定区域350形成接合膜3a。其次，如图10(c)所示，准备对置基板(另外的粘附体)4。然后，按照将接合膜3和对置基板4密接的方式将带有接合膜的基材1和对置基板4粘合。由此，得到图IO(d)所示的接合体5c。这样得到的接合体5c不是将基板2和对置基板4的对置面整个面接合，而只是将一部分区域(规定区域350)局部地接合。而且，在形成接合膜3a时，只通过控制形成区域，就可简单地选择接合的区域。由此，例如通过控制形成接合膜3a的区域(规定区域350)的面积，就可容易地调节接合体5c的接合强度。其结果是，例如得到可容易地将接合的位置分离的接合体5c。另外，通过适当控制图10(d)所示的带有接合膜的基材1和对置基板4的接合部(规定区域350)的面积、形状，可缓和在接合部产生的应力的局部集中。由此，例如即使在基板2和对置基板4之间热膨胀率之差大的情况下，也能够将带有接合膜的基材1和对置基板4可靠地接合。另外，在接合体5c的基板2和对置基板4之间，在规定区域350之外的区域形成有分开距离与接合膜3a的厚度相当的间隙3c(参照图10(d))。因此，通过适当调节规定区域350的形状、接合膜3a的厚度，可在基板2和对置基板4之间容易形成所希望的形状的闭空间、流路等。如上那样可得到接合体5c。另外，在得到接合体5c后，根据需要也可以对该接合体5c进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一个工序。(第六实施方式)其次，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第六实施方式进行说明。图11是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第六实施方式的图(纵剖面图)。另外，以下的说明中，将图11中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。下面，对第六实施方式的接合方法进行说明，以与上述第一实施方式上述第五实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法，准备两个带有接合膜的基材1，在其中一个带有接合膜的基材1上，只选择性地使接合膜3的一部分的规定区域350活性化之后，按照两个带有接合膜的基材1的各接合膜31、32彼此接触的方式将它们重合，由此将两个带有接合膜的基材1彼此在上述规定区域350接合，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法包括准备两个本发明的带有接合膜的基材1的工序；对各带有接合膜的基材1的接合膜31、32，对分别不同的区域赋予能量，使该区域活性化的工序；将两个带有接合膜的基材1彼此粘合，得到两个带有接合膜的基材1彼此在上述规定区域350局部地接合而成的接合体5d的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序进行说明。首先，与上述第一实施方式相同，准备两个带有接合膜的基材K参照图11(a))。另外，在本实施方式中，作为该两个带有接合膜的基材1，如图11(a)所示，使用具有基板21和设于该基板21上的接合膜31的带有接合膜的基材1以及具有基板22和设于该基板22上的接合膜32的带有接合膜的基材l。其次，如图ll(b)所示，对两个带有接合膜的基材l中的一个带有接合膜的基材1的接合膜31的表面351的整个面赋予能量。由此，在接合膜31的表面351的整个面上显现粘接性。另一方面，在两个带有接合膜的基材1中另一个带有接合膜的基材1的接合膜32的表面352上，选择性地对一部分的规定区域350赋予能量。作为选择性地对规定区域350赋予能量的方法，例如可使用与上述第四实施方式相同的方法。当对各接合膜31、32分别赋予能量时，图3所示的脱离基303从各接合膜31、32脱离。而且，脱离基303脱离后，如图4所示，在各接合膜31、32的表面35附近产生活性键304，将各接合膜31、32活性化。由此，在接合膜31的表面351的整个面和接合膜32的表面352的规定区域350分别显现粘接性。另一方面，在接合膜32的规定区域350以外的区域几乎未显现该粘接性。这种状态的两个带有接合膜的基材1在规定区域350可局部地粘接。其次，如图11(c)所示，按照显现了粘接性的各接合膜31、32彼此密接的方式将两个带有接合膜的基材1彼此粘合，由此，得到图11(d)所示的接合体5d。这样得到的接合体5d不是将两个带有接合膜的基材1彼此在对置面整个面上进行接合，而是只将--部分区域(规定区域350)局部地接合。而且，在进行该接合时，只通过控制对接合膜32赋予能量的区域，就可简单地选择接合的区域。由此，例如可容易调节接合体5d的接合强度。如上可得到接合体5d。另外，在得到接合体5c之后，根据需要也可以对该接合体5c进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一个工序。例如，通过加热并同时加压接合体5c，接合体5c的各基板21、22彼此进一步接近。由此，促进各接合膜31、32的界面上的羟基的脱水縮合、未结合键彼此的再结合。而且，在形成于规定区域350的接合部，进一步一体化，最终大致完全形成一体。另外，此时，在接合膜31的表面351和接合膜32的表面352的界面中规定区域350以外的区域(非接合区域)，在各表面351、352之间产生(残存)有微小的间隙。因此，在加压并同时加热接合体5c时，优选在该规定区域350以外的区域，在各接合膜31、32不会接合的条件下进行。另外，考虑上述情况，在进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中至少一个工序时，优选选择性地对规定区域350进行这些工序。由此，在规定区域350以外的区域，可防止各接合膜31、32接合。(第七实施方式)其次，对本发明的带有接合膜的基材、将该带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法(本发明的接合方法)及具备本发明的带有接合膜的基材的接合体的各第七实施方式进行说明。图12是用于说明使用本发明的带有接合膜的基材将带有接合膜的基材和对置基板接合的接合方法的第七实施方式的图(纵剖面图)。另外，以下的说明中，将图12中的上侧称作"上"，将下侧称作"下"。下面，对第七实施方式的接合方法进行说明，以与上述第一实施方式上述第六实施方式的不同点为中心进行说明，关于相同的事项，省略其说明。本实施方式的接合方法中，通过在各基板21、22的上表面251、252中，只选择性地在各一部分的规定区域350形成接合膜3a，准备两个带有接合膜的基材l，将它们经由各接合膜3a部分地接合，除此之外，与上述第一实施方式相同。艮P，本实施方式的接合方法包括准备具有各基板21、22和分别设于该基板21、22的各规定区域350的接合膜3a、3b的两个带有接合膜的基材1的工序；对各带有接合膜的基材1的各接合膜3a、3b赋予能量，使各接合膜3a、3b活性化的工序；将两个带有接合膜的基材1彼此粘合，得到两个带有接合膜的基材1彼此在上述规定区域350上局部接合而成的接合体5e的工序。下面，对本实施方式的接合方法的各工序按顺序进行说明。首先，如图12(a)所示，在各基板21、22的上方分别设置掩模6，掩模6具有窗部61，窗部61形成为与规定区域350的形状对应的形状。其次，经由掩模6在各基板21、22的上表面251、252上分别成膜接合膜3a、3b。例如图12(a)所示，在经由掩模6例如使用MOCVD法成膜接合膜3a、3b时，有机金属材料以其中含有的有机物的一部分残存的状态堆积在各基板21、22的上表面251、252上，此时，由于介有掩模6，从而只是在各规定区域350上堆积有机金属材料的一部分。其结果是，在各基板2K22的上表面251、252的一部分的规定区域350上分别形成接合膜3a、3b。其次，如图12(b)所示，对各接合膜3a、3b赋予能量。由此，在各带有接合膜的基材1上，在接合膜3a、3b上显现粘接性。另外，本工序中赋予能量时，也可以选择性地对各接合膜3a、3b赋予能量，也可以对包含各接合膜3a、3b的基板21、22的上表面251、252的整体分别赋予能量。另外，赋予各接合膜3a、3b的能量可以用任何方法赋予，例如通过上述第一实施方式中举出的方法赋予。其次，如图12(c)所示，按照显现了粘接性的各接合膜3a、3b彼此密接的方式将两个带有接合膜的基材1彼此粘合。由此，得到图12(d)所示的接合体5e。这样得到的接合体5e不是将两个带有接合膜的基材1彼此在对置面整个面上接合，而只是将一部分区域(规定区域350)局部接合。而且，在进行该接合时，只通过控制对接合膜32赋予能量的区域，就可简单地选择接合的区域。由此，例如可容易调节接合体5e的接合强度。另外，在接合体5e的各基板21、22之间，在规定区域350以外的区域形成有分开距离与接合膜3a的厚度相当的间隙3c(参照图12(d))。因此，通过适当调节规定区域350的形状或各接合膜3a、3b的厚度，可容易在各基板21、22之间形成希望形状的闭空间、流路等。如上可得到接合体5e。另外，在得到接合体5e之后，根据需要也可以对该接合体5c进行上述第一实施方式的工序[4A]、[4B]及[4C]中的至少一个工序。例如，通过加压并同时加热接合体5e，接合体5e的各基板21、22彼此进一步接近。由此，促进各接合膜3K32的界面上的羟基的脱水縮合、未结合键彼此的再结合。而且，在形成于规定区域350的接合部，进一步一体化，最终大致完全形成一体。如上那样的上述各实施方式的接合方法可用于接合各种多个部件彼此。作为供这样的接合的部件，例如有晶体管、二极管、存储器那样的半导体元件，水晶振荡器那样的压电元件，反射镜、光学透镜、衍射光栅、滤光片那样的光学元件，太阳电池那样的光电变换元件，半导体基板和搭载于其上的半导体元件，绝缘性基板和配线或电极、喷墨式记录头、微反应器、微反射镜那样的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)部件，压力传感器、加速度传感器那样的传感器部件，半导体元件或电子部件的封装部件，磁记录介质、光磁记录介质、光记录介质那样的记录介质，液晶显示元件、有机EL元件、电泳显示元件那样的显示元件用部件，燃料电池用部件等。(液滴喷头)在此，对喷墨式记录头中应用了本发明的接合体时的实施方式进行说明。图13是表示应用本发明的接合体得到的喷墨式记录头(液滴喷头)的分解立体图，图14是表示图13所示的喷墨式记录头的主要部分的构成的剖面图，图15是表示具备图13所示的喷墨式记录头的喷墨式打印机的实施方式的概略图。图13中，通常的使用状态上下颠倒显示。图13所示的喷墨式记录头IO搭载于图15所示的喷墨式打印机9上。图15所示的喷墨式打印机9具备装置主体92，在上部后方设有设置记录用纸P的纸盘921、在下部前方设有排出记录用纸P的排纸口922、在上面部设有操作面板97。操作面板97例如由液晶显示器、有机EL显示器、LED灯等构成，具备显示错误信息等的显示部(未图示)和由各种开关等构成的操作部(未图示)。另外，在装置主体92的内部主要具有具备往复动作的头单元93的印刷装置(印刷机构)94、将记录用纸P—张张送入印刷装置94的给纸装置(给纸机构)95以及控制印刷装置94及给纸装置95的控制部(控制机构)96。通过控制部96的控制，给纸装置95将记录用纸P—张张地间歇送出。该记录用纸P通过头单元93的下部附近。此时，头单元93在与记录用纸P的输送方向大致正交的方向往复移动，对记录用纸P进行印刷。即，头单元93的往复动作和记录用纸P的间歇输送为印刷中的主扫描及副扫描，进行喷墨方式的印刷。印刷装置94具备头单元93、作为头单元93的驱动源的滑架电动机941以及接受滑架电动机941的旋转而使头单元93往复动作的往复动作机构942。头单元93在其下部具有具备多个喷嘴孔111的喷墨式记录头10(以下简称为"头10")、向头10供给油墨的墨盒931和搭载头10及墨盒931的滑架932。另外，墨盒931使用充填了黄色、氰色、品红、黑色(黑)这四色油墨的墨盒，可进行全彩色印刷。往复动作机构942具有将其两端支承于机架(未图示)的滑架导向轴943和与滑架导向轴943平行延伸的定时带(timingbelt)944。滑架932往复动作自如地被支承于滑架导向轴943，同时被固定于定时带944的一部分上。通过滑架电动机941的动作，在经由带轮使定时带944正倒行进时，头单元93被滑架导向轴943引导并进行往复动作。而且，在其进行往复动作时，从头10适当喷出油墨，对记录用纸P迸行印刷。给纸装置95具有成为其驱动源的给纸电动机951和通过给纸电动机951的动作而旋转的给纸辊952。给纸辊952由隔着记录用纸P的输送路径(记录用纸P)而上下对置的从动辊952a和驱动辊952b构成，驱动辊952b与给纸电动机951连结。由此，给纸辊952将设于纸盘921的多张记录用纸P—张张地送入印刷装置94。另外，代替纸盘921，也可以为可拆装自如地安装收容记录用纸P的给纸盒。控制部96基于例如从个人计算机或数码相机等主机输入的印刷数据，通过控制印刷装置94或给纸装置95等进行印刷。控制部96均未图示，主要具备存储控制各部分的控制程序等的存储器、驱动压电元件(振动源)14并控制油墨喷出时机的压电元件驱动电路、驱动印刷装置94(滑架电动机941)的驱动电路、驱动给纸装置95(给纸电动机951)的驱动电路、接收来自主机的印刷数据的通信电路以及与它们电连接并进行各部分的各种控制的CPU。另外，CPU上例如分别电连接有可检测墨盒931的油墨残余量及头单元93的位置等的各种传感器等。控制部96经由通信电路得到印刷数据并将其存储于存储器中。CPU处理该印刷数据，并基于该处理数据及来自各种传感器的输入数据向各驱动电路输出驱动信号。通过该驱动信号使压电元件14、印刷装置94及给纸装置95分别动作。由此，对记录用纸P进行印刷。下面，参照图13及图14对头IO进行说明。头10具有具备喷嘴板11、油墨室基板12、振动板13及与振动板13接合的压电元件(振动源)14的头主体17;和收纳该头主体17的基板16。另外，该头10构成请求形的压电喷射式头。喷嘴板11例如由Si02、SiN、石英玻璃那样的硅类材料，Al、Fe、Ni、Cu或包含它们的合金那样的金属类材料，氧化铝、氧化铁那样的氧化物类材料，碳黑、石墨那样的碳类材料等构成。在该喷嘴板11上形成有用于喷出墨滴的多个喷嘴孔111。这些喷嘴孔111之间的间距根据印刷精度而适当设定。在喷嘴板ll上粘固(固定)有油墨室基板12。该油墨室基板12通过喷嘴板11、侧壁(隔壁)122及后述的振动板13而区划形成有多个油墨室(腔室、压力室)121、贮存从墨盒931供给的油墨的贮存室123以及从贮存室123分别向各油墨室121供给油墨的供给口124。各油墨室121分别形成为短片状(长方体状)，与各喷嘴孔lll对应配设。各油墨室121构成为通过后述的振动板13的振动而其容积可变，通过其容积变化，喷出油墨。作为用于得到油墨室基板12的母材，例如可使用单晶硅基板、各种玻璃基板、各种树脂基板等。这些基板均为通用的基板，因此，通过使用这些基板，可降低头10的制造成本。另一方面，在油墨室基板12的与喷嘴板11相反的一侧接合有振动板13，进而在振动板13的与油墨室基板12相反的一侧设有多个压电元件14。另外，在振动板13的规定位置，贯穿振动板13的厚度方向形成有连通孔131。可以经由该连通孔131从上述的墨盒931向jC存室123供给油甲歪o各压电元件14通过分别在下部电极142和上部电极141之间间插压电体层143而成，与各油墨室121的大致中央部对应配置。各压电元件14与压电元件驱动电路电连接，基于压电元件驱动电路的信号进行动作(振动、变形)。各压电元件14分别作为振动源起作用，振动板13通过压电元件14的振动而振动，以瞬间提高油墨室121的内部压力的方式起作用。基体16例如由各种树脂材料、各种金属材料等构成，在该基体16上固定、支承有喷嘴板ll。即，在基体16所具备的凹部161上以收纳了头主体17的状态，通过形成于凹部161的外周部的台阶162支承喷嘴板11的缘部。在如上那样的喷嘴板11和油墨室基板12的接合、油墨室基板12和振动板13的接合及喷嘴板11和基体16的接合时，至少一个部位应用本发明的接合方法。换言之，喷嘴板11和油墨室基板12的接合体、油墨室基板12和振动板13的接合体及喷嘴板11和基体16的接合体中至少一个部位应用本发明的接合体。这样的头IO其接合部的接合界面的接合强度及耐药品性变高，由此，对贮存于各油墨室121内的油墨的耐久性及液密性提高。其结果是头10的可靠性提高。另外，由于可进行极低温且可靠性高的接合，故即使是线膨胀系数不同的材料，在能够得到大面积的头这一点上也是有利的。这样的头IO在未经由压电元件驱动电路输入规定的喷出信号的状态、即在压电元件14的下部电极142和上部电极141之间未施加电压的状态下，在压电体层143上不产生变形。因此，在振动板13上也不会产生变形，油墨室121也不发生容积变形。因此，不会从喷嘴孔111喷出墨滴。另一方面，在经由压电元件驱动电路输入了规定的喷出信号的状态、即在压电元件14的下部电极142和上部电极141之间施加了一定电压的状态下，在压电体层143上产生变形。由此，振动板13大幅度弯曲，从而油墨室121的容积发生变化。此时，油墨室121内的压力瞬间变高，从喷嘴孔111喷出墨滴。当一次的油墨喷出结束后，压电元件驱动电路就停止对下部电极142和上部电极141之间施加电压。由此，压电元件14大致恢复到原来形状，油墨室121的容积增大。此时，在油墨上作用了从墨盒931向喷嘴孔111的压力(向正方向的压力)。因此，防止空气从喷嘴孔lll进入油墨室121，将与油墨的喷出量对应的量的油墨从墨盒931(贮存室123)供给向油墨室121。这样，在头10上，通过经由压电元件驱动电路向想要印刷的位置的压电元件14顺次输入喷出信号，由此可印刷任意(所希望)的文字或图形等。另外，头10也可以代替压电元件14而具有电热变换元件。g卩，头IO也可以是利用电热变换元件实现的材料的热膨胀来喷出油墨的结构(所谓的"喷泡方式"("喷泡"为注册商标))。在这样构成的头10中，在喷嘴板11上设有以赋予防液性为目的而形成的覆膜114。由此，在从喷嘴孔111喷出墨滴时，能够可靠地防止墨滴残存在该喷嘴孔111的周边。其结果可使从喷嘴孔111喷出的墨滴可靠地命中成为目的的区域。(配线基板)进一步对配线基板上应用了本发明的接合体时的实施方式进行说明。图16是表示应用本发明的接合体得到的配线基板的立体图。图16所示的配线基板410具有绝缘基板413、配设于绝缘基板413上的电极412、引线414、按照与电极412对置的方式设于引线414一端的电极415。而且，在电极412的上表面和电极415的下表面分别形成有接合膜3。这些接合膜3彼此通过上述的本发明的接合方法进行粘合而接合在一起。由此，电极412、415之间通过一层接合膜3牢固地接合在一起，可靠地防止各电极412、415之间的层间剥离等、同时得到可靠性高的配线基板410。另外，接合膜3通过选择具有导电性的物质作为接合膜3中包含的金属氧化物，也承担使各电极412、415之间导通的功能。接合膜3即使非常薄，也能够发挥足够的接合力。因此，可使各电极412、415之间的间隙非常小，可实现各电极412、415之间的电阻成分(接触电阻)的降低。其结果可进一步提高各电极412、415之间的导电性。另外，接合膜3如上所述，可以以高的精度容易控制其厚度。由此，配线基板410的尺寸精度更高，且各电极412、415之间的导电性也更容易控制。以上基于图示的实施方式对本发明的带有接合膜的基材、接合方法及接合体进行了说明，但本发明不限于此。例如，本发明的接合方法可以是将上述各实施方式中任一个或两个以上进行组合的方法。另外，本发明的接合方法中，根据需要也可以追加一个以上的任意目的的工序。另外，上述各实施方式中，对将基板和对置基板这两个基板接合的方法进行了说明，但在接合三个以上基材时，也可以使用本发明的带有接合膜的基材及本发明的接合方法。(实施例)下面，对本发明的具体实施例进行说明。1、接合体的制造(实施例1)首先，作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板，作为对置基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次，将单晶硅基板收纳于图5所示的成膜装置200的腔室211内，利用氧等离子体进行表面处理。其次，原材料采用2,4-戊二酮_铜(II)，使用MOCVD法在进行了表面处理的面上成膜平均厚度100nm的接合膜。另外，成膜条件如下所示。(成膜条件)腔室内的环境气体有机金属材料(原材料)雾化后的有机金属材料的流量载气载气的流量氢气的流量腔室的达到真空度成膜时的腔室内的压力基板支架的温度处理时间:氮气+氢气2,4-戊二酮一铜(II)lsccm氮气500sccm0.2sccm2Xl(r6Torr1X1(T3Toit275。C10分钟如上这样成膜的接合膜，作为金属原子含有铜原子，作为脱离基残留有2,4-戊二酮—铜(II)中包含的有机物的一部分。由此，得到在单晶硅基板上形成有接合膜的本发明的带有接合膜的基材。其次，以如下所示的条件对得到的接合膜照射紫外线。(紫外线照射条件)氮气20。C大气压(100kPa)172nm5分钟另一方面，对玻璃基板(对置基板)的单面进行基于氧等离子体的表面处理。其次，在照射了紫外线l分钟后，按照接合膜的照射了紫外线的面和玻璃基板的实施了表面处理的面接触的方式，将单晶硅基板和玻璃基板重合。由此得到接合体。其次，以10MPa对得到的接合体进行加压，同时以12(TC加热，维持15分钟。由此，实现了接合体的接合强度的提高。(实施例2)除将对接合体加压并同时加热时的加热温度从120。C变更为25。C之环境气体的组成环境气体的温度环境气体的压力紫外线波长紫外线的照射时间:外，与上述实施例l相同，得到接合体。(实施例313)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别变更为表1所示的材料之外，与上述实施例l相同，得到接合体。(实施例14)首先，与上述实施例1相同，准备单晶硅基板和玻璃基板(基板及对置基板)，并分别对其进行基于氧等离子体的表面处理。其次，在硅基板的进行了表面处理的面上，与上述实施例l相同，成膜接合膜。由此，得到带有接合膜的基材。其次，按照带有接合膜的基材的接合膜和玻璃基板的进行了表面处理的面相接触的方式，将带有接合膜的基材和玻璃基板重合。然后，以如下所示的条件对重合了的各基板照射紫外线。(紫外线照射条件)氮气20。C大气压(腦kPa)172nm环境气体的组成环境气体的温度环境气体的压力紫外线波长紫外线的照射时间5分钟由此，将各基板接合，得到接合体。接着，以lOMPa将得到的接合体加压，同时以8(TC加热，维持15分钟。由此，实现了接合体的接合强度的提高。(实施例15)首先，作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板，作为对置基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次,将这些基板两者分别收纳于图5所示的成膜装置200的腔室211内，进行基于氧等离子体的表面处理。其次，原材料采用2，4-戊二酮一铜(II)，使用MOCVD法在各基板的进行了表面处理的面上，成膜平均厚度100nm的接合膜。另外，成膜条件如下所示。(成膜条件)腔室内的环境气体有机金属材料(原材料)雾化后的有机金属材料的流:载气载气的流量氢气的流量腔室的达到真空度成膜时的腔室内的压力基板支架的温度处理时间氮气+氢气2,4-戊二酮一铜(II)lsccm500sccm0.2sccm2X10-6TorrlXl(T3Torr275。C10分钟环境气体的组成环境气体的温度环境气体的压力紫外线波长紫外线的照射时间:其次，以如下所示的条件对各基板上得到的接合膜照射紫外线。(紫外线照射条件)氮气20。C大气压(100kPa)172nm分钟接着，在照射了紫外线l分钟后，按照照射了紫外线的面彼此接触的方式将各基板重合。由此得到接合体。其次，以lOMPa对得到的接合体加压，同时以12CTC加热，维持15分钟。由此，实现了接合体的接合强度的提高。(实施例16)除将对接合体加压并同时加热时的加热温度从12(TC变更为8(TC之外，与上述实施例15相同，得到接合体。(实施例1727)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别变更为表1所示的材料之外，与上述实施例15相同，得到接合体。(实施例28)首先，与上述实施例15相同，准备单晶硅基板和玻璃基板(基板及对置基板)，并分别对它们进行基于氧等离子体的表面处理。其次，在硅基板和玻璃基板的进行了表面处理的面上，与上述实施例15相同，分别成膜接合膜。由此，得到两个带有接合膜的基材。其次，按照接合膜彼此接触的方式将两个带有接合膜的基材重合，得到层叠体。而且，以如下所示的条件从层叠体的玻璃基板侧照射紫外线。(紫外线照射条件)环境气体的组成氮气环境气体的温度20°C环境气体的压力大气压(100kPa)紫外线波长172nm紫外线的照射时间5分钟由此，将各基板接合，得到接合体。接着，以10MPa将得到的接合体加压，同时以8(TC加热，维持15分钟。由此，实现了接合体的接合强度的提高。(实施例29)首先，作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板，作为对置基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的玻璃基板。其次，将单晶硅基板和玻璃基板这两者分别收纳于图5所示的成膜装置200的腔室211内，进行基于氧等离子体的表面处理。其次，原材料采用2，4-戊二酮_铜(II)，使用MOCVD法在单晶硅基板和玻璃基板的进行了表面处理的面上成膜平均厚度100nm的接合膜。另外，成膜条件如下所示。(成膜条件)腔室内的环境气体有机金属材料(原材料)雾化后的有机金属材料的流:载气载气的流量氮气+氢气2，4-戊二酮一铜(II)lsccm500sccm氢气的流量腔室的达到真空度成膜时的腔室内的压力基板支架的温度处理时间0.2sccm2X10-6TorrlXl(T3Torr275°C10分钟其次，分别以如下所示的条件对各基板上得到的接合膜照射紫外线。另外，照射了紫外线的区域为单晶硅基板上形成的接合膜的整个表面和玻璃基板上形成的接合膜的表面中的周缘部宽度为3mm的框状的区域。(紫外线照射条件)环境气体的组成氮气环境气体的温度20°C环境气体的压力大气压(100kPa)紫外线波长172nrn紫外线的照射时间5分钟接着，按照接合膜的照射了紫外线的面彼此接触的方式，将单晶硅基板和玻璃基板重合。由此得到接合体。其次，以10MPa对得到的接合体加压，同时以12(TC加热，维持15分钟。由此，实现了接合体的接合强度的提高。(实施例30)除将加热温度从120。C变更为8(TC之外，与上述实施例29相同，得到接合体。(实施例31、3537、39、40)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别变更为表2所示的材料之外，与上述实施例29相同，得到接合体。(实施例32)首先，作为基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的单晶硅基板，作为对置基板，准备长20mmX宽20mmX平均厚度lmm的不锈钢基板。其次，将硅基板收纳于图5所示的成膜装置200的腔室211内，进行基于氧等离子体的表面处理。其次，与上述实施例29相同，在进行了表面处理的面上成膜接合膜(平均厚度100nm)。其次，与上述实施例29相同，对接合膜照射紫外线。另外，照射了紫外线的区域为形成于硅基板上的接合膜的表面中周缘部的宽度为3mm的框状的区域。其次，与硅基板相同，在不锈钢基板上也进行基于氧等离子体的表面处理。其次，按照接合膜的照射了紫外线的面和不锈钢基板的进行了表面处理的面相接触的方式，将硅基板和不锈钢基板重合。由此得到接合体。其次，以10MPa对得到的接合体加压，同时以12(TC加热，维持15分钟。由此，实现了接合体的接合强度的提高。(实施例33)除将加热温度从120。C变更为8(TC之外，与上述实施例32相同，得到接合体。(实施例34、38、41)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别变更为表2所示的材料之外，与上述实施例32相同，得到接合体。(比较例13)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别设为表1所示的材料，并用环氧类粘接剂将各基板间粘接之外，与上述实施例l相同，得到接合体。(比较例46)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别设为表1所示的材料，用Ag膏将各基板间粘接之外，与上述实施例l相同，得到接合体。(比较例79)除将基板的构成材料及对置基板的构成材料分别设为表2所示的材料，用环氧类粘接剂将各基板间在周缘部的宽度3mm的框状的区域局部粘接之外，与上述实施例l相同，得到接合体。2、接合体的评价2.1接合强度(割裂强度)的评价对各实施例128及各比较例16中得到的接合体分别测定接合强度。接合强度的测定通过在将各基材剥离时测定即将剥离前的强度来进行。而且，按照以下的基准评价接合强度。(接合强度的评价基准)◎:10MPa(100kgf/cm2)以上〇5MPa(50kgf/cm2)以上、不足10MPa(100kgPcm2)△:lMPa(10kgf/cm2)以上、不足5MPa(50kgf/cm2)X:不足1MPa(10kgf/cm2)2.2尺寸精度的评价对各实施例及各比较例得到的接合体分别测定厚度方向上的尺寸精度。尺寸精度的测定通过测定正方形的接合体的各角部的厚度、并算出四处的厚度的最大值和最小值之差来进行。而且，按照以下的基准评价该差。(尺寸精度的评价基准)〇不足10umX:10um以上2.3耐药品性的评价将各实施例及各比较例得到的接合体以如下条件在维持在8(TC的喷墨式打印机用油墨(爱普生公司制"HQ4")中浸渍3周。之后，将各基材剥离，确认油墨有无侵入接合界面。之后，按照以下基准评价其结果。(耐药品性的评价基准)完全未侵入〇稍侵入到角部沿缘部侵入X:侵入到内侧2.4电阻率的评价对各实施例12、13、26、27及各比较例5、6得到的层叠体分别测定接合部分的电阻率。而且，按照以下基准评价测得的电阻率。(电阻率的评价基准)〇不足lXl(T^^cmX:1Xl(T3Q'cm以上2.5形状变化的评价对各实施例2941及各比较例79得到的接合体，测定各接合体接合前后的形状变化。具体而言，在接合前后测定接合体的挠曲量，按照以下基准进行评价。(挠曲量的评价基准)在接合前后挠曲量几乎没有变化〇在接合前后挠曲量稍微变化在接合前后挠曲量稍大地变化X:在接合前后挠曲量大幅度变化表1及表2表示以上2.12.5的各评价结果。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage60</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>耐药品性及电阻率中任何项目都显示优良的特性。另外，各实施例得到的接合体与各比较例得到的接合体相比，挠曲量的变化小。另一方面，各比较例得到的接合体其耐药品性不充分。另外，尺寸精度确认为特别低。另外，电阻率高。权利要求1、一种带有接合膜的基材，其特征在于，其具有基材以及接合膜，所述接合膜设于该基材上且包含金属原子和由有机成分构成的脱离基，通过对所述接合膜的至少一部分区域赋予能量，使在所述接合膜的表面附近存在的所述脱离基从该接合膜脱离，由此在所述接合膜的表面的所述区域显现与其它粘附体的粘接性。2、如权利要求l所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜是以有机金属材料为原材料并使用有机金属化学气相成长法成膜的。3、如权利要求2所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜是在低还原性环境气体下成膜的。4、如权利要求2所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述脱离基是残存了所述有机金属材料中包含的有机物的一部分的脱离基。5、如权利要求2所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述脱离基由原子团构成，所述原子团以碳原子为必需成分，并包含氢原子、氮原子、磷原子、硫原子及卤原子中的至少一种。6、如权利要求5所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述脱离基是烷基。7、如权利要求2所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述有机金属材料是金属络合物。8、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述金属原子是铜、铝、锌及铁中的至少一种。9、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜中的金属原子和碳原子的存在比为3:77:3。10、如权利要求l所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜具有导电性。11、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜至少在其存在于表面附近的所述脱离基从该接合膜脱离后产生活性键。12、如权利要求ll所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述活性键是未结合键或羟基。13、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜的平均厚度为11000nm。14、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述接合膜呈没有流动性的固体状。15、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述基材呈板状。16、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金属材料或玻璃材料为主材料构成。17、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述基材的具备所述接合膜的面被预先实施提高与所述接合膜的密接性的表面处理。18、如权利要求17所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述表面处理是等离子体处理。19、如权利要求1所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述基材和所述接合膜之间夹有中间层。20、如权利要求19所述的带有接合膜的基材，其特征在于，所述中间层以氧化物系材料为主材料构成。21、一种接合方法，其特征在于，包括-准备权利要求120中任一项所述的带有接合膜的基材和所述其它粘附体的工序；.对该带有接合膜的基材中的所述接合膜的至少一部分区域赋予能量的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附体密接的方式将所述带有接合膜的基材和所述其它粘附体粘合，得到接合体的工序。22、一种接合方法，其特征在于，包括准备权利要求120中任一项所述的带有接合膜的基材和所述其它粘附体的工序；以使所述接合膜和所述其它粘附体密接的方式将所述带有接合膜的基材和所述其它粘附体粘合，得到层叠体的工序；通过对该层叠体中的所述接合膜的至少一部分区域赋予能量，将所述带有接合膜的基材和所述其它粘附体接合，得到接合体的工序。23、如权利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述能量的赋予通过对所述接合膜照射能量线的方法、加热所述接合膜的方法及对所述接合膜赋予压縮力的方法中的至少一种方法进行。24、如权利要求23所述的接合方法，其特征在于，所述能量线是波长126300nm的紫外线。25、如权利要求23所述的接合方法，其特征在于，所述加热的温度为25200°C。26、如权利要求23所述的接合方法，其特征在于，所述压縮力为0.210MPa。27、如权利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述能量的赋予在大气环境气体中进行。28、如权利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述其它粘附体具有预先实施了提高与所述接合膜的密接性的表面处理的表面，所述带有接合膜的基材以所述接合膜相对于实施了所述表面处理的表面密接的方式被粘合。29、如权利要求21所述的接合方法，其特征在于，所述其它粘附体具有包含预先选自官能团、自由基、开环分子、不饱和键、卤素及过氧化物构成的组中的至少一种基或物质的表面，所述带有接合膜的基材以所述接合膜相对于具有所述基或物质的表面密接的方式被粘合。30、如权利要求21所述的接合方法，其特征在于，还具有对所述接合体进行提高其接合强度的处理的工序。31、如权利要求30所述的接合方法，其特征在于，进行提高所述接合强度的处理的工序通过对所述接合体照射能量线的方法、加热所述接合体的方法及对所述接合体赋予压縮力的方法中的至少一种方法进行。32、一种接合体，其特征在于，具有权利要求120中任一项所述的带有接合膜的基材和粘附体，将它们经由所述接合膜接合而构成所述接合体。33、一种接合体，其特征在于，具有两个权利要求120中任一项所述的带有接合膜的基材，使所述接合膜彼此对置地将所述基材接合而构成所述接合体。全文摘要本发明提供具备可以以高的尺寸精度牢固且在低温下高效地对粘附体进行接合的接合膜的带有接合膜的基材、将这样的带有接合膜的基材和粘附体在低温下高效地接合的方法及将上述带有接合膜的基材和粘附体以高的尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合体。本发明的带有接合膜的基材具有基板(2)(基材)和设于该基板(2)上的接合膜(3)，相对于对置基板(4)(其它粘附体)可接合。这样的接合膜(3)是导入了金属原子和由有机分子构成的脱离基的膜。另外，该接合膜(3)通过照射紫外线使表面(35)附近存在的脱离基脱离，由此在接合膜(3)的表面(35)可显现与对置基板(4)的粘接性。文档编号H01L21/02GK101386219SQ20081021385公开日2009年3月18日申请日期2008年9月11日优先权日2007年9月12日发明者佐藤充申请人:精工爱普生株式会社