专利名称：多膜式高温自动断电电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电阻，尤其涉及一种多膜式高温自动断电电阻， 该多膜式高温自动断电电阻可与电子元件连接，在电子元件温度过高烧 毁前便令电子元件断电，达到保护电子元件的功效。
背景技术：
电子产品内部电路板上具有电容、电子等元件。当电子产品长时间 通电运作时，电路板因电流通过所产生的高温可能会令电容或是电阻等 电子元件爆炸烧毁，更严重者则波及电路板上的其它电子元件。 然而，目前并没有理想的防止电子元件过度升温的机制。 故本创作人根据传统电容或电阻等电子元件烧毁时波及其它电子元 件的缺点，改良其不足与缺点，进而研制出一种多膜式高温自动断电电 阻。
实用新型内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上 述缺陷，而提供一种多膜式高温自动断电电阻，当与该多膜式高温自动 断电电阻连接的邻近电容或电阻等电子元件的温度升高时，断电电阻可 转变为几乎绝缘的状态以令邻近的电子元件断电，避免电子元件温度持 续升高而烧毁。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种多膜式高温自动断电电阻，其特征在于，包括二端盖，是以 金属制造而分别设置在断电电阻两端上；数个包覆膜，是以金属制造， 设置在陶瓷棒上而介于两端盖之间，该等包覆膜具有不同的熔点与电阻值。
前述的多膜式高温自动断电电阻，其中该等包覆膜是以同心圆方式 呈内外相套设的配置状态，较外侧的包覆膜的熔点与电阻值均低于较内侧的包覆膜熔点与电阻值。前述的多膜式高温自动断电电阻，其中该等包覆膜为 一 内部包覆膜 与一环绕在内部包覆膜外侧的外部包覆膜，内部包覆膜是以镍制造，外 部包覆膜以锡制造。前述的多膜式高温自动断电电阻，其中该等包覆膜是交替相间排列 围绕于陶瓷棒周围。借由上述技术手段，多膜式高温自动断电电阻在平时可起导电作用， 并与相邻的电阻或是电容等电子元件相连接， 一旦电子元件与断电电阻 温度异常升高，外部具低熔点低电阻值的包覆膜熔融断开，使得多膜式 高温自动断电电阻电阻值大幅升高令电子元件断电，以避免电子元件温 度持续升高而爆炸的问题，因此多膜式高温自动断电电阻提供一极佳的 安全性。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。 图1是本实用新型侧面局部剖视实施状态图。图2是本实用新型放大侧面局部剖视图。图3是本实用新型的操作示意图。图4是本实用新型的另一实施例的端视图。图中标号说明10防爆外壳 30电子元件31接脚 40断电电阻 41、 42包覆膜 42a金属流体 43端盖 45陶瓷棒50防爆填充材具体实施方式
请参照图2，本实用新型多膜式高温自动断电电阻40第一实施例具 有一陶瓷棒45、 二端盖43及数个包覆膜41、 42。该等端盖43是由金属制造，分别设置在陶瓷棒45两端。 该等包覆膜41、 42设置在陶瓷棒45上而介于两端盖43之间，可以不同金属、金属化合物或金属混和物等材质制造。在第一实施例中，该等包覆膜41、 42是以同心圆方式呈内外相套设的配置状态，较外侧的包 覆膜42的熔点与电阻值均低于较内侧的包覆膜41熔点与电阻值，较佳 者，多膜式高温自动断电电阻40包含一内部包覆膜41与一环绕在内部 包覆膜41外侧的外部包覆膜42，内部包覆膜41是以镍制造，其熔点约 摄氏1450度，电阻约在500欧姆以上，外部包覆膜42以锡制造，其熔 点约在摄氏232度，电阻约在5欧姆，当多膜式高温自动断电电阻40维 持在可正常运作的温度下时，外侧包覆膜42以低电阻的特性让电流可顺 利通过多膜式高温自动断电电阻40，此时多膜式高温自动断电电阻40仅 仅是作为导电用途而几乎不改变电子元件30的电阻值。请进一步参照图1，多膜式高温自动断电电阻40可与一电子元件30 衔接，亦可与一防爆外壳10及一防爆填充材50相互组装成为一模组。 该防爆外壳10是呈方形而中空，可为绝缘而坚固的陶瓷材料，防爆外壳 IO内形成有一容室，在防爆外壳10—侧贯穿形成有二接脚孔，防爆外壳 10可阻绝容室内因电阻爆炸产生的碎片向外飞散损毁周边的电子元件。 该电子元件30，可为电阻或电容，且设置在防爆外壳10的容室内，电子 元件30两端分别延伸有一接脚31，该等接脚31分别穿出防爆外壳10的 接脚孔之外并可焊设于电路板上。多膜式高温自动断电电阻40是设置在 其中一接脚31上，取代该接脚31的一特定区段，令该接脚31呈现两断 开的分离区段，而该多膜式高温自动断电电阻40则衔接于两分离区段之 间。该防爆填充材50为绝缘材料，可为水泥，在电子元件30与多膜式 高温自动断电电阻40设置于防爆外壳10容室后，灌入水泥待其硬化成 为防爆填充材50而填充于防爆外壳10的容室内，以便固定电子元件30 与多膜式高温自动断电电阻40，并且防止电子元件30爆炸时碎片向外扩 散。请进一步参照图3，当电子元件30与多膜式高温自动断电电阻40温 度升高而令电子元件30有爆炸损毁的危险时，多膜式高温自动断电电阻 40上熔点低的外部包覆膜42则率先熔化呈流体状，此时由于流体状态的 锡因内聚力原理而断开成为两分离的金属流体42a，金属流体42a分别聚往端盖43处，此时多膜式高温自动断电电阻40上的内部包覆膜41担负 起导电作用，而内部包覆膜41具有高电阻，使得多膜式高温自动断电电 阻40呈几乎绝缘的状态，令电子元件30呈现断电状态，借此避免电子 元件30爆炸而伤害邻近电子元件的风险。根据本实用新型上述的使用方式，多膜式高温自动断电电阻40的应 用方法具有下列步骤1 .将一具有数个不伺金属包覆膜41、 42的多膜式高温自动断电电 阻40与一电子元件30连接，使电子元件30可与断电电阻具有相同温度， 其中一包覆膜42具有低熔点与低电阻值而有利导电，另一包覆膜41相 对前述包覆膜42具有高熔点与高电阻值而不利导电。2 .电子元件30与多膜式高温自动断电电阻40升温到超过一温度 时，令具有低电阻值与低熔点的包覆膜42熔融断开，仅留具有高电阻值 与高熔点的包覆膜41而不利导电，造成电子元件断电30。请参照图4，本实用新型第二实施例是大致与第一实施例相同，不同 之处在于第二实施例的包覆膜41、 42是交替相间排列围绕于陶瓷棒45 周围。借由上述技术手段，多膜式高温自动断电电阻40在平时可进行导电 作用， 一旦电子元件30与多膜式高温自动断电电阻40温度异常升高， 外部具低熔点低电阻
权利要求1.一种多膜式高温自动断电电阻，其特征在于，包括二端盖，是以金属制造而分别设置在断电电阻两端上；数个包覆膜，是以金属制造，设置在陶瓷棒上而介于两端盖之间，该等包覆膜具有不同的熔点与电阻值。
2. 根据权利要求l所述的多膜式高温自动断电电阻，其特征在于: 所述该等包覆膜是以同心圆方式呈内外相套设的配置状态，较外侧的包 覆膜的熔点与电阻值均低于较内侧的包覆膜熔点与电阻值。
3. 根据权利要求2所述的多膜式高温自动断电电阻，其特征在于: 所述该等包覆膜为一内部包覆膜与一环绕在内部包覆膜外侧的外部包覆 膜，内部包覆膜是以镍制造，外部包覆膜以锡制造。
4. 根据权利要求l所述的多膜式高温自动断电电阻，其特征在于 所述该等包覆膜是交替相间排列围绕于陶瓷棒周围。
专利摘要一种多膜式高温自动断电电阻，其包含有二端盖，是以金属制造而分别设置在断电电阻两端上；数个包覆膜，是以金属制造，设置在陶瓷棒上而介于两端盖之间，该等包覆膜具有不同的熔点与电阻值。多膜式高温自动断电电阻在平时可作导电作用，并与相邻的电子元件相连接，一旦电子元件与断电电阻温度异常升高，具低熔点低电阻值的包覆膜熔融断开，使得多膜式高温自动断电电阻电阻值大幅升高令电子元件断电以避免电子元件温度持续升高而爆炸的问题，因此多膜式高温自动断电电阻提供一极佳的安全性。
文档编号H01C13/00GK201167007SQ20082000596
公开日2008年12月17日 申请日期2008年3月6日 优先权日2008年3月6日
发明者郭幸世 申请人:幸亚电子工业股份有限公司