专利名称：晶体硅太阳电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池。
背景技术：
目前，制约太阳电池广泛应用的两个关键问题是1、光电转换效率；2、成本。晶体 硅太阳电池因其成本低、便于大规模生产等优点而普遍受到人们的重视并得到迅速发展。 晶体硅太阳电池的现有技术是通过在晶体硅太阳电池表面沉积一层氮化硅减薄膜来降低 太阳电池板上的光反射率以提高晶体硅太阳电池的光电转换效率， 一般做法是采用PECVD 技术在晶体硅太阳电池的受光面上沉积一层减反射薄膜，即氮化硅薄膜，从而达到提高光 电转换效率的目的。这种结构虽然在一定程度上降低了晶体硅太阳电池的光反射率，但是
现有技术生产的晶体硅太阳电池的光反射率仍然比较高，不利于光电转换效率的提高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是，提供一种进一步降低光反射率以提高光电转换效率 的晶体硅太阳电池。
本实用新型的技术方案是，提供一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅薄膜，它还 包括一层不同折射率、不同厚度非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜层的一表面与太阳电池的受 光面贴合，所述非晶硅薄膜层的另一表面与所述氮化硅薄膜层的表面贴合。
采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点-
本实用新型晶体硅太阳电池在现有的氮化硅薄膜层基础上又贴合一层不同折射率、不 同厚度的晶体硅薄膜，可进一步降低太阳电池受光面上的反射率，从而进一步提高晶体硅 太阳电池的光电转换效率。
附图是本实用新型的结构图。
图中所示1、受光面，2、氮化硅薄膜层，3、非晶硅薄膜层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。
如图所示，本实用新型是一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅(SiNx)薄膜2， 它还包括一层不同折射率、不同厚度非晶硅(a - Si)薄膜3，所述非晶硅(a - Si)薄膜层3的一表面与太阳电池的受光面1贴合，所述非晶硅(a - Si)薄膜层3的另一表面 与所述氮化硅(SiNx)薄膜层2的表面贴合。
本实用新型采用PECVD发在晶体硅太阳电池的正面沉积一层非晶硅(a - Si) /氮化 硅(SiNx)双层结构的减反射膜。
根据光的干涉原理可得，单层减反射膜的减反射效果是有限的，因此需要双层减反射 膜或多层减反射膜来进一步减少反射。在实际的半导体表面的反射率与入射光的波长有 关， 一般为30 50%。为防止表面的反射，在半导体表面制备折射率介于半导体和空气折 射率之间的透明薄膜层。这个薄膜层称为减反射膜。
设半导体、减反射膜、空气的折射率分别为ri2、 n、n。，减反射膜厚度为山，A为波 长，则根据需要满足的公式
r产(n。 - n,)/(n。 + ru)
r2= (ru - n2) / (m + n2)
"2nn丄d,/入
显然，减反射膜的厚度d,为1/4波长时，R为最小。
因此，根据上面公式得出，所述非晶硅(a - Si)薄膜的折射率为2.2 3.2，所述非 晶硅(a -Si)薄膜层3的厚度为45 70咖；所述的氮化硅(SiNJ薄膜的折射率为1. 2 2，所述氮化硅(SiNx)薄膜层2的厚度为75 125nm。
另外，根据试验数据表明晶体硅太阳电池在采用单层氮化硅(SiNj薄膜作为减反 射薄膜时，晶体硅太阳电池电流密度为33. 5mA/cm2，而采用非晶硅(a - Si)/氮化硅(SiNx) 双层薄膜作为减反射薄膜时，晶体硅电池电流密度为34. 8raA/cm2，短路电流密度提高3. 8%。 因此，可得出本实用新型使用的非晶硅(a - Si) /氮化硅(SiNx)双层薄膜相对于单层氮 化硅(SiNx)薄膜，其反射率降低，光电转换效率有了一定地提高。
权利要求1、一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅薄膜(2)，其特征在于它还包括一层不同折射率、不同厚度的非晶硅薄膜(3)，所述非晶硅薄膜层(3)的一表面与太阳电池的受光面(1)贴合，所述非晶硅薄膜层(3)的另一表面与所述氮化硅薄膜层(2)的表面贴合。
2、 根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于所述非晶硅薄膜的折射率为2. 2 3. 2，所述非晶硅薄膜层的厚度为45 70nnu
3、 根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于所述氮化硅薄膜的折射率 为1. 2 2，所述氮化硅薄膜层的厚度为75 125咖。
专利摘要一种晶体硅太阳电池，它包括一层氮化硅薄膜(2)，它还包括一层不同折射率、不同厚度的非晶硅薄膜(3)，所述非晶硅薄膜层(3)的一表面与太阳电池的受光面(1)贴合，所述非晶硅薄膜层(3)的另一表面与所述氮化硅薄膜层(2)的表面贴合。本实用新型晶体硅太阳电池可进一步降低光反射率以提高光电转换效率。
文档编号H01L31/042GK201323201SQ200820169330
公开日2009年10月7日 申请日期2008年11月29日 优先权日2008年11月29日
发明者唐则祁, 孙励斌, 季凯春, 徐晓群, 李华维, 李志强, 殷海亭, 旭 甘, 胡宏勋, 斌 陈, 黄岳文 申请人:宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司