专利名称：利用受控传播的膜层转移的制作方法
利用受控传播的膜层转移
背景技术：
有史以来，人类都是依赖于“太阳”来得到几乎所有有用形式的能量。这样的能量 来自石油、辐射体、木材以及各种形式的热能。仅举一个例子，人类严重依赖于诸如煤和天 然气这样的石油资源来满足各种需要。遗憾地是，石油资源已逐渐变得耗尽并且产生了一 些其它问题。作为代替品，部分地，太阳能已经被提出用于减少对石油资源的依赖。仅举一 个例子，太阳能可从通常由硅制成的“太阳能电池”得到。当硅太阳能电池暴露于来自太阳的太阳辐射时产生电力。辐射与硅原子相互作用 并形成电子和空穴，它们迁移至硅本体中的P掺杂区和η掺杂区，并在掺杂区之间产生电压 差和电流。太阳能电池已经集成有汇集元件来提高效率。举例来说，太阳辐射利用可引导 此辐射到有源光伏材料的一个或更多个部分的汇集元件来积累和聚集。尽管有效，但是这 些太阳能电池仍然有许多限制。仅举个例子，太阳能电池常常依赖于诸如硅的初始材料。这样的硅一般由多晶 硅和/或单晶硅材料制成。根据单个晶粒的尺寸和结晶度，多晶硅材料也可称为多晶 (multicrystalline)、微晶(microcrystalline)或者纳米晶(nanocrystalline)。这些材 料此后将都被称为“多晶硅”，与不具有许多个随机晶向和许多个晶界的单晶(单晶体)材 料相反。无定形硅不是通常用于晶片化的太阳能电池的硅形式，这是因为它的在小于几微 米的厚度上的低的载流子寿命。太阳能电池材料通常难以制造。多晶硅电池常常通过制造多晶硅板形成。尽管这 些板可以用成本有效的方式使用结晶炉形成，但是它们不具有优化用于高效太阳能电池的 特性。尤其是，多晶硅板在捕获太阳能和将捕获的太阳能转换成可用的电能方面未表现出 最高的可能效率。比较而言，单晶硅(C-Si)具有对于高等级太阳能电池合适的特性。然而，这样的 单晶硅制造昂贵，并且也很难以高效率和成本有效的方式用于太阳能应用。此外，多晶硅和单晶硅材料在传统的制造单晶硅衬底过程中都会遇到材料损失， 在该过程中使用锯切工艺来从原始生长的单晶硅锭物理分离薄单晶硅层。例如，内径(ID) 锯切工艺或线锯切工艺从浇铸(cast)或生长的晶锭(boule)上消除了 40%之多甚至达到 60%的初始材料，并将材料单颗化(singulate)为晶片形式工件(factor)。这是高度无效 率的制备供太阳能电池应用的薄的多晶硅或单晶硅板的方法。为了克服使用硅材料的这些缺点，已经提出了薄膜太阳能电池。薄膜太阳能电池 通常由于使用较少的硅材料或者替代材料而不那么昂贵，但是它们的无定形或多晶结构没 有更昂贵的由单晶硅衬底制造的体硅电池有效。从上述可以看出，非常需要以低成本高产率制造合适的高质量单晶硅片的技术。
发明内容
可以通过提供具有表面区和位于表面区之下预定深度处的解理区(cleave region)的半导体衬底来形成材料膜。在从该衬底解理该膜的工艺过程中，解理区的剪切被严密地控制。根据某些实施例，面内剪切分量(in-plane shearcomponent) (KII)在一定的 膜厚度处被保持在零附近，以使传播的解理面保持在期望的深度内。在一个实施例中，接近 零的KII分量是通过经由暴露于电子束辐射来隔热加热硅而实现的，这能够给予热学地产 生的力和力矩来实现期望的KII条件。根据其他实施例，利用能量控制方法通过注入和可 选的外部能量来引导断裂(fracture)传播而有目的地将KII分量保持在高水平。在一个 这样的实施例中，通过暴露于诸如激光或电子束的辐射来加热硅而实现高KII分量，其通 过依赖于深度的解理能量控制给予热梯度以在硅中在精确定义的深度处实现受控传播。本发明实施例一般涉及用于形成厚膜的层转移技术。更具体地，本发明提供了用 于太阳能电池的低注入或甚至无注入的厚膜的层转移的方法及器件。仅举例来说，其被应 用来沿着单晶硅衬底的晶面解理厚膜。但是将认识到，本发明具有更广阔的应用范围。通过实现本发明可获得许多益处。在优选实施例中，可选择具有在{111}或{110} 晶面中表面平面的单晶硅锭衬底。如此，用于生成解理区的离子注入工艺大多数被消除或 被限制，以利用部分周边区域形成解理发起区。这基本上简化了层转移工艺，减少了系统能 量成本并增加了产率。
在某些实施例中，该工艺被划分为(i)使用较高注入剂量(发起剂量)在硅锭衬 底的相对小的区域(发起区)中发起断裂的发起过程，和(ii)使所发起的裂缝尖端(crack tip)延伸贯穿剩余的硅锭衬底以释放厚膜(传播区)的传播过程。由于传播过程必须使 发起区延伸贯穿要被释放的厚膜的大部分表面区，因此，该过程应该用小的注入剂量可靠 地操作，并且或许不用任何剂量。这被称为传播剂量，并且因此该过程需要的总剂量将是发 起和传播剂量的加权面积平均值。例如，如果发起区是总面积的并且使用6X1016cm_2 的氢，而传播区使用1 X IO16CnT2的氢，那么总有效剂量是0. 01 * 6 X 1016cnT2+0. 99 * lX1016cm_2或1.05X1016Cm_2。减少或消除传播剂量对于该解理过程的总剂量需求将具有 第一位的影响。降低剂量反过来又依赖于(i)优化注入的氢的效果以使其解理引导作用 (action)最大化，和(ii)通过在裂缝尖端处产生恰当的应力强度条件来优化解理过程，以 使解理前端(cleave front)保持在期望深度内而不使膜破裂或裂缝。根据本发明的实施 例针对优化解理传播过程中的力学结构。在一个实施例中，可通过辐射利用线性加速器产生的具有受控剂量的高能离子粒 子以图案化的注入生成解理发起区。在某些实施例中，本发明利用力加载(force loading) (经适当的热处理工艺和/或机械力产生的)提供机械力矩加载(moment loading)，以产 生应力梯度，使得能够形成基本零剪切区而不论力学结构的自然趋势，从而产生混合模式 加载。其他实施例使用纯热加载(仅加热或结合差别冷却)，以产生期望的将控制传播 的条件。利用本发明的实施例，可制造具有范围从几十微米到几百微米厚度的高质量厚膜 晶体材料，切口损失(kerf loss)基本上比可能使用的传统技术的低。所得到的单晶硅厚 膜尤其适合用于高效率(20%或更高)的光伏电池。一些实施例可使用现有的制造工艺系 统和技术，并且可以利用某些用于制造供各种半导体器件应用的薄的晶片/衬底的新开发 的技术。在下面说明中可以发现关于本发明多种实施例的更多细节。
图1是示出根据本发明实施例的通过图案化注入高能粒子形成解理发起区的简 图。图2示出一般的传播情况的简化示意图。图3和图3A示出氢层应力分布模型。 图4示出可用的热加载结构的简化矩阵，其中P、M仅出现在特定加载条件下。图5示出可用作热加载应用的时间尺度(time scale)的函数的解理范畴 (cleaving regimes)的图。图6A示出用于使解理面区域内绝对温度升高的热浸(heat soak)的概念。图6B示出用于产生膜-衬底温度差的热脉冲的概念。图7示出最大电子深度对能量(CSDA范围，S卩，硅的电子范围)的曲线。图8示出硅中电子束体积式能量沉积分布的蒙特卡洛(Monte Carlo)仿真，例如 硅中的电子束体积式加热分布的蒙特卡洛仿真。图9示出仿真的实现KII受控传播解理的电子束分布。图10示出使用隔热电子束KII受控停播的应力强度和能量结果。 图11示出了利用电子束的能量-应力沉积分布。
具体实施例方式本发明的具体实施例提供了用于太阳能电池的厚膜的层转移的方法和器件。仅作 为示例，它被应用来沿单晶硅衬底的晶面解理厚膜。但将认识到，本发明有更广泛的应用 性。例如，可以使其它的材料，诸如锗、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、或碳化硅(SiC)，经受 解理工艺，以释放用于太阳能、光电或半导体应用的材料膜。如背景技术部分中所论述的，基于硅生长的太阳能电池依赖于降低晶片化 (wafering)切损成本的瓶颈。传统锯切或采用近来报道的呈现适用于太阳能电池的厚膜的 晶片化技术(如多线锯切、火花切割、激光切割或等离子切割)可能由于一个或更多个下述 问题而呈现出有限的有用性高切损、慢的切割速度以及缺乏可制造性。一种解决方案是使用高能离子束在衬底表面之下期望深度处生成解理区，然后进 行从剩余衬底释放膜厚的层转移工艺。然而，仅使用注入的离子烨生成容易解理的解理区 可能需要高的离子剂量和扩展的注入面积。而且，这样依靠注入的离子会导致较高的表面 粗糙度、由于高的离子剂量和低产率的增加的成本、以及潜在的较低成品率和膜质量。根据 实施例，可以利用本发明的方法和结构来克服这些及其他的限制。根据本发明特定实施例，可以利用在解理过程中严密控制剪切条件的解理工艺完 成材料膜的解理而基本上减少了离子注入或者可能根本不需注入。在一个实施例中，可通 过提供具有表面区、周边区和在该表面区之下预定深度处的解理区的半导体衬底来形成材 料膜。出于本专利申请的目的，术语“解理区”并不必然表示已接受辐射或注入的离子的区 域，而是表示可以在应用辐射和/或注入的离子之后与衬底分离的区域。解理发起区可定义在周边区的一部分内以及解理区附近。解理发起区可通过使该 区域经受热、化学、电和/或机械加工以使在发起区内该膜的一部分剥落(spall)或释放而 形成。
在一个实施例中，发起解理是通过使解理发起区经受局部化的热处理而完成的， 使得解理前端可以在该区内发起并传播到剂量较低的发起区周边，且不会促进进一步传 播。替代地，传播区域由局部化的能量本身控制。然后一般的膜释放工艺可以继续使发起 膜从现有的解理前端传播穿过剩余的衬底。图1是示出根据本发明实施例的半导体衬底侧视图的简图，该半导体衬底具有在 表面区之下预定深度处的解理区。本图仅是举例，其在此不应不当地限制权利要求的范围。 本领域普通技术人员将认识到许多变化、替代以及修改。 如图1所示，提供具有表面区1702和周边区1704的半导体衬底1700。此外，提 供解理区1706。该解理区本质上是位于表面区1702之下预定深度d处的虚拟的平面或者 层，并用于限定要从半导体衬底1700分离的厚膜1720的厚度。在一个实施例中，半导体 衬底具有基本上大于深度h的厚度。在一个具体实施例中，半导体衬底是用在光伏太阳能 电池中的单晶硅材料。在一特定实施例中，硅衬底具有表面平面，该表面平面通常被选择 为接近于{111}或{110}晶面(可能存在一定的低于大约1°的小误切角度)。在一特定 实施例中，所限定的解理区与表面区基本上平行。由于解理行为在能量上沿着{111}面然 后是{110}面比在传统的{100}面中更容易，因此可能期望将要解理的材料定向以使要解 理的表面与较低表面能量结晶学解理面一致。对用于选择硅晶锭的特定方向以用于切片 或解理的技术的更具体的描述可在共同受让的、于2008年5月7日由Francois J. Henley 提交的、名称为 “METHOD AND DEVICE FORSLICING A SHAPED SILICON INGOT USING LAYER TRANSFER”(代理人卷号No :018419-025600US)的、美国临时专利申请No. 61/051344中找 至IJ，在此将其引入作为参考。图1还示出了根据本发明实施例通过图案注入高能粒子的解理发起区的形成。该 图仅作为举例，在此其不应不当地限制权利要求的范围。本领域普通技术人员将认识到许 多变化、替代以及修改。如图1所示，部分周边区1704与表面区1702内的预定图案区(在图1的截面图 中未直接示出)相关联。在一个实施例中，周边区的所选择的部分位于解理区1706的边缘 附近区域内。然后，利用高能粒子加速器，将表面区1702的图案化区域暴露于高能离子束 1740，例如能量水平为IMeV或更高的H+离子。加速器的选择范围可以从线性加速器(静 电或RF驱动型)或其它非线性型如回旋加速器。由于图案化的注入是期望的，因此优选具 有有限的束尺寸的粒子束的扫描。取决于热、机械、成本以及其他考虑，该扫描可以是电磁 的、静电的或机械的。在一个实施例中，图案化的发起区的面积被限制在总衬底表面面积的 1-3% (例如，对于125mmX 125mm大小的衬底为2-5cm2或更小)，从而很好地控制了离子粒 子剂量，最小化了系统能量成本并增强了厚膜解理工艺的产率。将高能离子注入到表面区之下，以到达解理区1706的附近区域内的区域。离子的 穿透深度取决于能量水平，并且可以被控制于决定解理区深度h的期望值。通过以离子化 的形式转移动能到晶格(电子制动(electronicbraking))，以及由于移动原子导致少量的 原子损伤(核阻止)，晶格内注入的离子慢下来。在最后阶段(大约全程的2-5%内)，离子基本上更多地与晶格在核阻止下相互 作用，并形成具有相对高的应力和损坏的晶格键的薄的区域来限定解理发起区1708。如所示，形成的解理发起区1708是从周边区1704的一部分向解理区1706内延伸的小的平面区 域。由于该图案化的注入是通过在比表面区总面积的1-3%小的面积内辐射离子粒子来进 行的，因此发起剂量可以比传播剂量高。这允许平均面积剂量被保持为低以用于增加产 率。当然，可以有许多的替代、变化和修改。受控传播方法 本发明的某些实施例寻求修改解理结构以减少、消除或控制在传播的解理破裂的 尖端处的剪切模式II应力强度因子(KII)。当解理行为沿着表面1702下期望的深度可靠 地进行时，该工艺一般将被称为受控传播。可以利用两种受控传播形式来在材料1700内可靠地传播解理，以从衬底释放厚 度为h的膜，并避免解理失败。第一种受控传播形式被称作“KII受控传播”，而第二种受控 传播形式被称作“能量受控传播”。两种形式都可以将解理面的传播控制在期望深度处以释 放厚度为h的膜。然而，这些受控传播形式使用不同的方法和途径完成这一目标。设计解理途径的关键考虑是避免其中膜裂缝或破裂这样不希望的解理失败。解理 失败实质上被限定为解理面的不希望的分支(branching)，通常导致断裂的膜。因此，避免 解理面的不希望的分支是解理技术设计中的考虑。已发现的影响不希望的分支的其他因素 例如包括晶向以及注入剂量和深度及温度分布。已经发现其他的影响是重要的。例如，对于单晶硅，在解理面附近区域内注入的并 且用于产生解理应力的热能将受这样的事实的影响，所述事实即，注入的解理面具有基本 比未注入的单晶硅低的热导率。该较低热导率是氢注入损伤的结果，并且将趋于改变温度 分布，继而将改变解理应力。KII受控传播第一种受控传播形式是KII受控传播，并且其被限定为与处于零或接近零处的 KII同时地实现阈值解理传播能G’(在下面定义)。基于线性弹性断裂力学(LEFM)的基本 原理，其中传播解理前端改变方向以便实现和保持KII = 0，该条件将允许传播解理面处在 期望的深度处。当深度上的小的变化产生层级和符号(level and sign)的恢复性KII剪 切以便帮助使解理面转向期望的深度时，出现稳定的KII控制。尽管条件KII = 0经常被考虑作为实现稳定的解理传播的理想条件，但存在特定 的KII范围，在该范围内解理将沿着结晶解理面。因此，在条件允许将KII维持在零附近有 限的范围内的情况下，解理行为可以期望地继续沿着解理面。能量受控传播第二种受控传播形式是能量受控传播，其特征为深度控制，其中传播解理面所需 的阈值能量改变使得在期望深度之下，传播受高的KII因子支持，但在能量上不能被支撑。 通过注入的氢层的解理是能量受控解理的一个例子。在通过氢解理面的纯解理情况中，如果解理远离注入深度进行，则传播将停止，这 是由于解理面向表面偏离将降低可用于传播的能量。结果，通过强的能量深度依赖来抵消 强的向表面传播的趋势。受控传播方程的推导下面的讨论针对可以支配根据发明实施例的解理的一般性的线性弹性断裂力学 (LEFM)方程。本分析假设大面积的片材(tile)，其中膜比硅片材(silicon tile)的剩余部分薄得多。图2中示出了发起工艺之后的力学结构。具体地，厚度为h的厚膜被部分地从具 有厚度H的硅锭衬底的其余部分上释放。由于该衬底相对于被解理的材料大得多的尺寸， 因此，h << H，且将理解片材力矩和力M2、P2和M3、P3将是非常小的。因此，裂缝尖端处所 见到的应力强度源由作为耦合至部分释放的厚膜的力矩和力的M1和P1主导。本发明实施例的基本设想是氢解理面。氢解理面(H面)通过应力和 层弱化效应 影响解理行为。具体地，H面可用作处于高剂量的发起层以及在剂量较低时用作引导或传 播层。H层行为在这两个剂量范畴下是不同的。基于射程末端(end-of-range，E0R)氢注入层的解理行为的一个效果是减小了解 理面周围的断裂强度。该断裂强度的减小可以由键损伤和由氢的存在本身引起的应力所导 致。这些考虑都可以降低在解理期间生成新表面所需的能量。在解理期间生成新表面所需的能量此后被称作表面能(Y)。在未注入的单晶硅 中，对于{111}晶向，表面能约为1.2J/H12，不过硅中的断裂刚度(toughness)有时被报告 为4-6J/m2并且包括诸如晶格俘获等效应以给出用以产生新表面的有效能量。对于下面的 对处于{111}晶向的硅的分析，将假设每表面的表面能为1. 2J/m2(总共2. 4J/m2)。相反，沿着注入的解理面的修改的表面能(Y’)的值可以基本上较低的，或许 低5或更大的倍数。根据下面的关系式，有效解理面的表面能值Y’与未注入的表面能 (Y)相关(1) Y ‘ = αΗ2*γ其中αΗ是在0和1之间的因子，其用于量化由于氢脆变 (embrittlement)所导致的解理能减小。该α H项考虑了要得出所有应力和键损伤效果的 准确表达所必要的所有效应。α Η是被试验确定为解理能、剂量、注入热学条件以及注入后 热学条件的函数。由于解理能是线性弹性断裂力学中的基础参数，因此注入剂量和能量之间的关系 允许对解理行为的精确预测和建模。解理处理期间生成了两个表面。因此，解理能释放速率(G’)如下所示与表面能相 关(2)G' = 2*y ‘ = 2* α Η2* γ取决于脆变因子(αΗ)，在解理面内G’可以从约2.4J/m2到基本更少变化。例如， 在涉及50um厚的单晶硅膜的试验中，由剂量为2-8X IO16CnT2的H注入形成的解理面中的裂 缝示出，对于H剂量比约4-6 X IO16CnT2高的情况，存在如通过双悬臂梁力学结构所测量的解 理能1)的可测量的降低。对于具有较低氢剂量(小于约4X IO16CnT2)的解理面，已经试验地确定α Η2 1。 利用本质上具有本征(intrinsic)解理能值的解理能，处在较低剂量的解理引导因此主要 由注入的氢压应力分布主导，其有助于通过能量控制原理使解理前端沿着解理面传播。已经开发了一系列闭式方程来研究解理行为。这些方程的发展假设由解理发起导 致的起始裂缝出现在衬底中的深度(h)处，由此限定解理的膜的厚度。在许多例子中，h = 50um，但在方程中可以为任何膜厚。该模型假设分离的膜长度(被命名为c或者有时命名 为L)为几毫米到几厘米。几何图形是二维的，意味着宽度w不随解理沿着直线的发生而变 化。裂缝开启力(crack opening force)模式(KI)和面内剪切力模式(KII)是对于 对解理工艺过程建模是重要的参数。将期望如果使用解理结构的已知断裂能，则所得到的引起裂缝扩展和传播的条件与硅或者任何其它材料相配。例如，已知当G’超过2* γ'时 在单晶硅中出现断裂条件，对于未注入的层约为2. 4J/m2。断裂传播的阈值限定如下(权利要求
一种从衬底解理材料膜的方法，该方法包括提供具有面的衬底以及位于该正面之下一深度处的应力层；在该应力层的邻近区域内发起解理；施加外部能量来以受控的方式来利用该应力层传播解理，其中在该应力层之上的传播受KII因子的支持，但是在能量方面不能被支持，使得该应力层用作对在该深度之下传播的阻挡物。
2.根据权利要求1的方法，其中解理是在该深度的约5%位置处发起的。
3.根据权利要求1的方法，其中解理是在该深度的约10%位置处发起的。
4.根据权利要求1的方法，进一步包括通过注入粒子形成该应力层。
5.根据权利要求4的方法，其中该粒子包括氢或氦。
6.根据权利要求1的方法，进一步包括通过沉积形成该应力层。
7.根据权利要求1的方法，其中该外部能量是以两个步骤施加的热能。
8.根据权利要求7的方法，其中第一步骤包括用于升高该应力层内的绝对温度的热 浸，而第二步骤包括用于升高该应力层之上的材料与该衬底之间的温度差的热脉冲。
9.根据权利要求8的方法，其中热浸和热脉冲步骤的施加时序根据该膜的热时间常数 确定。
10.根据权利要求1的方法，其中该外部能量是以单个步骤施加的热能。
11.根据权利要求10的方法，其中该外部热能的施加时序根据该膜的声学时间常数确定。
12.根据权利要求1的方法，其中该外部能量是在比衬底厚度的一半更深的点处施加 的热能，以产生使该膜从该衬底分离的负的力P和正的力矩M。
13.根据权利要求1的方法，其中该外部能量是作为电子束、光子或电磁能施加的热能。
14.根据权利要求1的方法，其中该外部能量是作为作用于该膜上的力矩M和力P施加 的机械能。
15.根据权利要求14的方法，其中该机械能是利用该膜的超声激发施加的施加能量。
16.根据权利要求14的方法，其中该机械能是通过利用在该膜和该衬底之间插入的楔 形物或线的推动而施加的。
17.根据权利要求14的方法，其中该机械能是通过利用从上面对该正面的真空吸取或 静电吸引的牵拉而施加的。
18.根据权利要求1的方法，其中该外部能量是给予到裂缝尖端附近的该膜和衬底区 域上的热能和机械能的组合。
19.一种从衬底解理材料膜的方法，该方法包括 提供具有正面的衬底；在衬底中的一深度处发起解理来释放上面的膜；以及施加外部能量来以受控的方式传播该解理，使得KII因子沿该深度保持为零或大约为零。
20.根据权利要求19的方法，其中该外部能量被施加到该正面，以隔热地加热该膜并 产生导致该膜分离的正的力(P)和正的力矩(M)。
21.根据权利要求19的方法，其中该热能是作为电子束、光子或电磁能施加的。
22.根据权利要求19的方法，其中该热能是作为对除该膜之外的部分衬底的热沉施加 的热能，以产生导致该膜分离的正的力(P)和正的力矩(M)。
23.根据权利要求19的方法，进一步包括通过向该正面注入粒子在该深度处形成应力层。
24.根据权利要求23的方法，其中所述粒子包括氢或氦。
25.根据权利要求19的方法，其中附加的外部能量是作为机械能施加的，所述机械能 被作为施加到该膜上的力矩M和力P。
26.根据权利要求25的方法，其中该施加的机械能是利用该膜的超声激发施加的。
27.根据权利要求25的方法，其中该机械能是通过在该膜和该衬底之间插入楔形物或 线施加的。
28.根据权利要求25的方法，其中该机械能是通过利用真空吸取或静电吸引从上面对 该膜的牵拉施加的。
29.一种从衬底解理材料膜的方法，该方法包括提供具有正面的衬底以及位于该正面之下一深度处的应力层； 在该应力层的邻近区域内发起解理；以两个步骤施加外部能量来以受控的方式利用应力层传播该解理， 其中第一步骤包括用于升高该应力层内的绝对温度的热浸，第二步骤包括用于升高该 应力层之上的材料与该衬底之间的温度差的热脉冲，以及其中该应力层之上的传播受KII因子的支持，但是在能量方面不能被支持，使得该应 力层用作对在该深度之下的传播的阻挡物。
30.根据权利要求29的方法，其中解理是在该深度的约5%位置处发起的。
31.根据权利要求29的方法，其中解理是在该深度的约10%位置处发起的。
32.根据权利要求29的方法，进一步包括通过注入粒子形成该应力层。
33.根据权利要求32的方法，其中所述粒子包括氢或氦。
34.根据权利要求29的方法，其中热浸和热脉冲步骤的施加时序根据该膜的热时间常 数而确定。
全文摘要
可以通过提供具有表面区和位于表面区之下预定深度处的解理区来形成材料膜。在将该膜从衬底解理的过程中，解理区中的剪切被严密控制，以通过KII或能量传播控制实现受控的传播。根据特定实施例，通过经由暴露于电子束辐射的硅的隔热加来将面内剪切分量(KII)热保持在零附近。根据其他的实施例，表面加热源结合注入层用于通过按解理顺序引导断裂传播。
文档编号H01L31/18GK101969046SQ20091025302
公开日2011年2月9日 申请日期2009年8月27日 优先权日2008年8月28日
发明者F·J·亨利 申请人:硅源公司