保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法

专利名称：保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法
保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的
粘结层的方法本申请是申请日2006年7月13日、申请号200680026277. 5、发明名称为“保护在 适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法”的发明专利申请的分案 申请°
背景技术：
从60年代中期以来，集成半导体电路已经成为大多数电子系统的主要部件。这些 微型电子设备可包括数千的晶体管和其他电路，它们组成微型计算机中央处理器的存储器 和逻辑子系统以及其他集成电路。这些芯片的低成本，高可靠性和高速已经使它们成为现 代数字电子设备普遍存在的特征。集成电路芯片的制造通常始于薄的，抛光的高纯度薄片(slice)；称为“晶片”的 单晶半导体材料基片(如硅或锗)。每个晶片经受一系列物理和化学处理步骤，这些步骤在 该晶片上形成各种电路结构。在该制造过程期间，使用各种技术可在该晶片上沉积各种类 型的薄膜，如使用热氧化以产生二氧化硅膜，使用化学气相沉积以产生硅、二氧化硅和氮化 硅膜，以及使用溅射或其他技术以产生其他金属膜。在该半导体晶片上沉积膜之后，通过使用称为掺杂的处理将选取的杂质代入该半 导体晶格而产生半导体独特的电学特性。然后，利用称为“抗蚀剂”的光敏、或辐射敏感材 料的薄层均一地涂覆该掺杂硅晶片。然后，使用称为光刻的处理将在电路中限定电子路径 的小的几何图案传到该抗蚀剂上。在光刻处理期间，集成电路图案可绘制在称为“掩模”的 玻璃板上，然后光学缩小，投影，并且传到该光敏涂层上。然后，该光刻抗蚀剂图案通过称为蚀刻的处理而传到下层的半导体材料的晶体表 面上。通过向真空处理室提供蚀刻或沉积气体以及对该气体应用射频(RF)场以将该气体 激励为等离子体状态，该真空处理室通常可用于对基片上的材料进行蚀刻和化学气相沉积 (CVD)。反应性离子蚀刻系统通常由具有设在其中的上部电极(或者说阳极)和下部电极 (或者说阴极)的蚀刻室组成。相对于该阳极和容器壁负向地偏置该阴极。待蚀刻晶片被 合适的掩模覆盖并且直接放置在该阴极上。将化学反应性气体，如CF4, CHF3, CClF3, HBr, Cl2和SF6或其与02、N2、He或Ar的混合物引入该蚀刻室并且保持在通常在毫托范围内的压 力下。该上部电极带有一个或多个气孔，该气孔允许气体均一地通过该电极扩散进入该室。 在阳极和阴极之间建立的电场将分解形成等离子体的反应性气体。通过与反应性离子的化 学反应以及通过撞击该晶片表面的离子的动量传递而蚀刻该晶片的表面。由这些电极产生 的电场将把这些离子吸引到该阴极，导致这些离子主要在垂直方向撞击该表面，这样该处 理产生轮廓分明的垂直蚀刻的侧壁。考虑到功能的多样性，这些蚀刻反应器电极往往可通过利用机械柔性和/或热传 导粘结剂粘结两个或多个不一样的构件来制造。在许多具有位于两个构件之间的粘结线或 层的蚀刻反应器中，包括静电卡盘系统(ESC)，其中该活性ESC部件粘结在支撑基座，或者多个粘结层整合电极和/或加热元件或组件，该粘结线或层可暴露于反应室条件，并经受 蚀刻。因此，存在防止该粘结线或层腐蚀或者至少充分减缓其腐蚀率的需求，从而为该电极 及其相关的粘结层在用于半导体蚀刻处理期间获得延长的和可接受的运行寿命，而该等 离子体处理系统的性能或运行可靠性没有显著地衰退。

发明内容
一种保护粘结层的方法，该方法包括如下步骤将上部构件与下部构件粘结；将 保护环的内径膨胀至大于该上部构件外径的直径；以及围绕该粘结线收缩安装该保护环。


图1示出适用于等离子体蚀刻半导体基片的处理室的横截面图。图2示出电极组件的上部构件和下部构件的立体图。图3示出粘结到下部构件的上部构件的立体图。图4示出根据图3的粘结到下部构件的上部构件一部分的横截面图。图5示出在围绕该上部构件和下部构件安装前的保护环的立体图。图6示出图5的围绕位于该上部和下部构件之间的粘结线设置的保护环的立体 图。图7示出图6的电极组件沿线7-7的一部分的横截面图，该组件包括围绕粘结层 设置的保护环。图8示出图7的电极组件的一部分的立体图，其中该保护环具有在该环上部表面 机械加工出的凹槽。图9示出图8所示的电极组件的一部分的横截面图，该组件包括在该环内的凹槽。图10示出在机械加工至最终尺寸后，该电极组件的一部分的立体图。
具体实施例方式图1示出用于蚀刻基片的等离子体反应器10的横截面图。如图1所示，该反应器 10包括等离子体处理室12，设在该室12上方的天线用于产生等离子体，其由平面线圈16 实现。该RF线圈16通常由RF发生器18通过匹配网络(图未示)激励。在室12内，提供 有气体分配板或喷头14，其优选地包括多个孔，以用于释放气态的源材料(如蚀刻剂源气 体)到该RF感应等离子体区域中，该区域位于喷头14和半导体基片或晶片30之间。可以 理解的是，该室12的顶部可设计为利用各种类型的等离子体生成源(如电容耦合，电感耦 合，微波，磁控管，螺旋波，或其他适合的等离子体产生设备)替换喷头14，其中该喷头是喷 头电极。该气态的源材料还可从设置在室12壁内的端口释放。蚀刻剂源化学制剂包 括，例如，当蚀刻穿铝或其合金之一时，卤素(如Cl2和BCl3)。还可使用其他蚀刻剂化 学制剂(例如，CH4, HBr, HCl, CHCl3)以及形成如碳氢化合物，碳氟化合物，和氢氟烃 (hydro-fluorocarbon)的用于侧壁钝化的聚合物形式的物质。这些气体可与可选的惰性 和/或非反应性气体一同使用。如果需要，该室12可包括额外的等离子体生成源(例如， 一个或多个电感耦合线圈，电子回旋加速器谐振(ECR)，螺旋波或磁控管类型)。
使用中，晶片30被引入由室壁5限定的室12，并且设在基片支撑件或电极组件 100上，其作为下部第二电极，或阴极。可以理解的是这个下部电极或电极组件可以是电容 耦合等离子体反应器的底部电极或电感耦合或以微波提供能源的等离子体反应器的底部 电极。该晶片30优选地由射频发生器M偏置(并通常通过匹配网络)。该晶片30可包括 多个制造于其上的集成电路(IC)。这些IC，例如，可包括如PLA，FPGA和ASIC的逻辑器件 或者如随机存取存储器(RAM)，动态RAM(DRAM)，同步DRAM (SDRAM)或只读存储器(ROM)的 存储器件。当施加RF功率时，反应性物质(由该源气体形成)蚀刻该晶片30的暴露表面。 然后，可能是挥发性的副产物通过出口 26排出。在处理完成后，该晶片30可被切成小块以 将这些IC分成单独的芯片。任何等离子体限制装置(图未示)，室壁5，室衬板(chamber liner)(图未示)和 /或喷头14的等离子体暴露表面可提供有等离子体喷涂涂层20，该涂层具有提升聚合物粘 结的表面粗糙度特性。另外，基片支撑件1的等离子体暴露表面也可提供有等离子体喷涂 涂层(图未示)。以这种方式，基本上所有限制等离子体的表面将具有提升聚合物粘结的表 面粗糙度特性。由此，在该反应器内的颗粒污染将大大降低。可以理解的是该反应器10也可用于氧化物蚀刻工艺。在氧化物蚀刻处理中，该气 体分配板是直接位于该窗口下的环形板，该环形板也是在该反应器10顶部的真空密封表 面，该表面在该半导体基片或晶片30上方并与之平行的平面中。该气体分配环从源将气体 输入到由气体分配板限定的容积内。该气体分配板包含具有特定直径的贯穿该板的孔的阵 列。这些穿过该气体分配板的孔的空间分布可以变化，以优化这些待蚀刻层(例如，该晶片 上的光刻胶层，二氧化硅层和下层材料)的蚀刻均一性。该气体分配板的横截面形状可以 变换，以操控进入该反应器10内等离子体的RF功率的分布。该气体分配板材料由介电材料 制成，以使该RF功率通过该气体分配板耦合进该反应器。此外，需要该气体分配板材料在 如氧气或氢氟烃气体等离子体的环境中高度抵抗化学溅射蚀刻，以避免损害(breakdown) 和导致的与之相关的颗粒生成。可以使用的一种示范性的平行板等离子体反应器10是双频等离子体蚀刻反应器 (见，如共有美国专利No. 6，090, 304，其通过引用整体并入此处)。在这种反应器中，蚀刻气 体从气体源供应到喷头电极14，并且可通过从两个RF源以不同频率施加RF能量至喷头电 极和/或底部电极而在该反应器中生成等离子体。备选地，该喷头电极14可电接地，并且 在两个不同频率的RF能量可施加于该底部电极。图2示出根据一个实施方式的基片支撑件的立体图，该基片支撑件包括电极组件 100。该电极组件100包括上部构件110，其与下部构件120相连接。该电极组件100适于 位于半导体晶片处理系统的处理室内，例如，如图1所示的等离子体处理室。如图2所示，在一个实施方式中，该上部构件110包括上部板112，其具有在该板 112基底的下部法兰114。该上部构件110优选地为环形板；然而，该上部构件110可配置为 其他适合的形状或设计，如用于平面显示器的矩形。该上部构件110包括下部表面116，其 适于与下部构件120相粘结，以及上部表面118，其配置为与基片支撑构件190相粘结(图 10)。该上部构件110优选地由包括金属性材料(如铝或铝合金)的电极组成。然而， 该上部构件110可由任何适合的金属，陶瓷，导电和/或介电材料组成。另外，该上部构件110优选地具有从其中间到外部边缘或直径的均一的厚度。该下部构件120优选地为环形板，该环形板具有上部表面1 和下部表面11。然 而，可以理解的是该下部构件120可配置为除环形之外的其他形状。该上部表面1 适于 与上部构件110的下部表面116粘结。在一个实施方式中，该下部构件120可配置为提供 对该电极组件110的温度控制(例如，该下部构件120可包括流动通道，温度控制流体可在 该流动通道中循环)。在电极组件100中，该下部构件120通常是金属性材料的基片基板， 并且作为基片、机械支撑件、将该室的内部与该室周围的环境隔离的真空密封件、散热片、 RF导体或它们的组合。在另一个实施方式中，该下部构件120的上部表面1 进一步包括为基座IM形 式的升高的板。该基座1 具有均一的厚度并配置为支撑该上部构件110的下部表面116。 该基座IM优选地是机械加工或者以其他方式形成在该下部构件120的上部表面125内。 然而，可实施其他适合的制造方法。该下部构件120优选地包括阳极氧化铝或铝合金。然而，可以理解的是可使用任 何适合的材料，包括金属，陶瓷，导电和介电材料。在一个实施方式中，该下部构件120由阳 极氧化的机械加工的铝块制成。或者，该下部构件120可以由陶瓷材料制成，同时一个或多 个电极位于其中和/或其上部表面。该上部构件100的下部法兰114的外径优选地小于该下部构件120的外径。然而， 可以理解的是该下部法兰114的外径可等于或大于该下部构件120的外径。另外，如果该 下部构件120进一步包括基座124，该上部构件110的下部法兰114的外径优选地小于该下 部构件120的基座124的外径。该下部法兰114适于容纳保护环150。该上部构件110的 外径优选地小于该下部法兰114，以便容易地将该保护环150围绕该下部法兰114的外部周 界设置。该上部构件110和该下部法兰114的外径的差考虑了在设置该保护环150期间 该保护环的间隙。可以理解的是下部法兰114是可选的，并且该上部构件110可设计为不 使用下部法兰114。图3示出与该下部构件120粘结的上部构件110的立体图。如图3所示，粘结层 130将该上部构件110与该下部构件120粘结。该粘结层130优选地由低模数材料如合成 硅橡胶(elastomer silicone)或硅橡胶(silicone rubber)材料制成。然而，可使用任 何适合的粘结材料。可以理解的是该粘结层130的厚度可依赖需要的热传递系数而变化。 因此，其厚度适于基于该粘结层的制造公差而提供需要的热传递系数。通常，该粘结层130 将通过加或减特定的变量而在其应用面积上变化。通常，如果该粘结层的厚度至多增或减 1. 5%，则在该上部和下部构件110，120之间的热传递系数将是均一的。例如，对于用于半导体工业的电极组件100，该粘结层130优选地具有能够经受住 宽的温度范围的化学结构。因此，可以理解的是该低模数材料可包括与真空环境相适应并 且在高温(例如，高达500°C)下抵抗热降解的任何合适的材料如聚合物材料。然而，这些 粘结层材料通常并不抵抗半导体等离子体处理反应器的反应性蚀刻化学制剂，并因此必须 受到保护以达到有用的部件生命周期。图4示出该电极组件100 —部分的横截面图，该组件具有可选的与该上部构件110 的下部表面116粘结的加热元件15。该加热元件15可包括到该上部构件110的下部表面 116的层压板边界(border)。例如，加热元件15可以是铝箔层压板形式，其包括第一绝缘层134(例如，介电层)，加热层136(例如，一个或多个电阻材料带)和第二绝缘层138(例 如，介电层)。该第一和第二绝缘层134，138优选地由具有在宽的温度范围内保持其物理，电学 和机械属性的能力(包括在等离子体环境中抵抗腐蚀性气体)的材料，如Kapton 或其 他适合的聚酰亚胺膜。该加热层136优选地由高强度合金如hconel 或其他适合的合金 或抗腐蚀和电阻加热材料组成。在一个实施方式中，该上部构件110包括为薄层压板形式的加热元件15，该加热 元件15包括Kapton 构成的共同形成图案的第一绝缘层134和hconel 构成的加热 元件136，以及Kapon构成的第二绝缘层138，该第二绝缘层138与该上部构件110的下部 表面116相粘结。通常，为Kapton，Inconel和Kapton构成的层压板形式的加热元件15的 厚度在大约0. 005到大约0. 009英寸之间，并且更优选地是大约0. 007英寸的厚度。如图4所示，该上部构件110的下部表面116和/或该加热元件15与该下部构件 120的上部表面1 粘结。在一个实施方式中，该上部构件110的下部表面116(其包括该 上部构件110的下部法兰114)，具有外径，该外径稍小于该下部构件120的上部表面1 是 该低模数材料可包括与真空环境相适应并且在高温(例如，高达500°C)下抵抗热降解的任 何合适的材料如聚合物材料。然而，这些粘结层材料通常并不抵抗半导体等离子体处理反 应器的反应性蚀刻化学制剂，并因此必须受到保护以达到有用的部件生命周期。图4示出该电极组件100 —部分的横截面图，该组件具有可选的与该上部构件110 的下部表面116粘结的加热配置15。该加热配置15可包括到该上部构件110的下部表面 116的层压板边界(border)。例如，加热配置15可以是铝箔层压板形式，其包括第一绝缘 层134(例如，介电层)，加热层136(例如，一个或多个电阻材料带)和第二绝缘层138(例 如，介电层)。该第一和第二绝缘层134，138优选地由具有在宽的温度范围内保持其物理，电学 和机械属性的能力(包括在等离子体环境中抵抗腐蚀性气体)的材料，如Kapton 或其 他适合的聚酰亚胺膜。该加热层136优选地由高强度合金如hconel 或其他适合的合金 或抗腐蚀和电阻加热材料组成。在一个实施方式中，该上部构件110包括为薄层压板形式的加热元件15，该加热 元件15包括Kapton⑧构成的共同形成图案的第一绝缘层134和hconel 构成的加热 元件136，以及Kapon构成的第二绝缘层138，该第二绝缘层138与该上部构件110的下部 表面116相粘结。通常，为Kapton，Inconel和Kapton构成的层压板形式的加热元件15的 厚度在大约0. 005到大约0. 009英寸之间，并且更优选地是大约0. 007英寸的厚度。如图4所示，该上部构件110的下部表面116和/或该加热元件15与该下部构件 120的上部表面1 粘结。在一个实施方式中，该上部构件110的下部表面116(其包括该 上部构件110的下部法兰114)，具有外径，该外径稍小于该下部构件120的上部表面1 或 该下部构件120的基座124的外径。在一个实施方式中，该电极组件100可包括位于该上 部构件110和该下部构件120之间的硅树脂构成的粘结层130，其厚度在大约0. 001到大约 0. 050英寸之间，并且更优选地在大约0. 003到大约0. 030英寸之间。另外，如图4所示，粘结剂应用在位置140以将保护环150(图5)与上部构件110 的下部法兰114的外部周界142(下部垂直表面)和该下部构件120的上部周界126(水平上部表面)粘结。如图4所示，该粘结剂应用于该上部构件110的外部周界142和下部构 件120的上部周界144。该粘结剂优选地由环氧树脂或其他合适的可用在直接暴露于等离 子体的环境中的粘结材料组成。该粘结剂形成在该上部和下部构件110，120之间延伸的密 封，并将该保护环150固定于该上部和下部构件110，120。可以理解的是该保护环150可 通过另外的结构如凹槽或狭槽锁定其位置或固定于该上部和下部构件110，120。该保护环150优选地由聚合物构成，如碳氟聚合物材料，如Teflon (由DuPont 制造的PTFE-聚四氟乙烯)。然而，可使用任何适合的材料，包括塑料或聚合物材料，过氟 烷氧基(PFA)，氟化聚合物，和聚酰亚胺。该保护环150优选地由具有高化学抗性、低温和高 温性能、抵抗等离子体反应器中等离子体腐蚀、低摩擦、和电绝缘和绝热属性的材料组成。图5示出在将该环150围绕上部构件110的外部周界142和该下部构件120的上 部周界144安装或设置之前，该保护环150的立体图。该保护环150优选地由碳氟聚合物 材料环组成，其在安装之前被热膨胀。温度控制的烤箱，加热板Oiot plate)或其他适合的 方法可执行该保护环150的加热。该保护环150的加热使该保护环150膨胀以容易安装， 从而提高该保护环150的粘结属性，并且围绕该上部构件110的外部周界142对该保护环 150进行收缩安装。另外，可以理解的是该保护环150优选地基于该保护环150在支撑在该上部构件 110上的半导体基片的处理期间所经受的热膨胀和运行温度而加热至需要的温度。例如， 在一个实施方式中，基于碳氟基聚合物如Teflon 的热膨胀属性和运行温度，该由Teflon 组成的保护环150优选地暴露于60°C或更低的温度。然而，每个保护环150的材料将具有 对于热碰撞优选的温度范围。因此，该环150的加热可基于选取的材料和在该室内的运行 温度周期而选择。另外，可以理解的是该保护环150可经预热、化学处理、和/或包括等离子体处理， 以产生不规则的或者粗糙表面，从而提高该保护环150的粘结质量。该预处理可提高该环 与该上部和下部构件的粘结和/或等离子体暴露表面的状态，以提高在该环在等离子体 反应器中使用期间与在该环上堆积的聚合物副产物的粘结。图6示出图5的保护环150围绕该上部构件110的外部周界142设置的立体图。 如图5所示，该保护环150围绕该上部构件110的底部垂直周界142设置，并设置至该下部 构件120的上部周界144。该保护环150的固化(curing)或收缩安装，通过与该上部和下 部构件110，120的压缩(收缩)安装而向其本来的形状收缩该环150，并且固定该环150。在一个实施方式中，该碳氟基聚合物保护环150，如Teflon优选地加热至低于 600C的温度。该保护性Teflon环150优选地加热至至近似50到60°C，并且更优选地近似 至60°C。该保护环150在安装前的加热考虑了该保护环150围绕该上部和下部构件110， 120的安装容易性。另外，在一个实施方式中，在位置140的粘结剂是环氧树脂的形式，其在近似90到 110°c的温度，并且更优选地在近似100°c固化为碳氟基聚合物保护环150。图7示出图6的电极组件100沿线7-7的一部分的立体图，包括保护该粘结层130 和加热元件15的环150。如图7所示，该电极组件100包括加热元件110，下部构件120，粘 结层130，在位置140的粘结剂层和保护环150。该粘结剂层140优选为环氧树脂，丙烯酸， 人造橡胶或其他适合的材料，这些材料具有适于经受该组件100可能经历的运行温度范围的物理性质。在一个实施方式中，为环氧树脂形式的粘结剂层140设置在该上部构件110的外 部周界142上并设置至下部构件120的上部周界144。如图7所示，保护环150优选地包括 内部和外部倒角的(chamfered)下部表面151，152。该内部和外部倒角的下部表面151， 152允许该保护环的下部边缘齐平地安装在下部构件120上。另外，内部倒角表面151为环 氧树脂提供容积或区域以帮助将保护环150固定于上部构件110的外部周界142和下部构 件120的上部周界144。外部倒角的下部构件152使保护环150能够机械加工而不破坏下 部构件120的完整性。图8示出在加热元件110，下部构件120和保护环150机械加工之后，图7的电极 组件100 —部分的立体图。如图8所示，上部构件110，下部构件120和该保护环150优选 地机械加工为相同的直径。可选地，在如图8所示的进一步的实施方式中，保护环150可包括机械加工或以其 他方式在该保护环150的上部或顶部表面170中形成的凹槽160。凹槽160优选地在保护 环150围绕上部构件110的外部周界142设置后机械加工入保护环150。备选地，该凹槽 160可在该环150围绕该上部构件110的外部周界142安装或设置之前机械加工入该保护 环150。凹槽160可利用粘结剂填充，以由此提高上部构件110和保护环150之间与晶片上 面的支撑构件190的粘结。图9示出在机械加工该保护环150之后的电极组件100的横截面图。如图9所示， 凹槽160优选地具有正方形的截面区域，该截面区域具有相等的宽度174和高度176。例 如，对于具有7. 726英寸外部直径172的200mm直径的电极组件100，保护环150优选地具 有凹槽160，其具有0. 010英寸的宽度174和0. 010英寸的高度176。然而，可以理解的是， 该凹槽160的宽度174和高度176可具有任何需要的横截面形状。对于正方形的凹槽，包括 该宽度174和高度176的该凹槽的尺寸可依赖于电极组件100的直径或大小(即，200mm， 300mm等)而变化，以专用于待处理晶片的直径。图10示出在机械加工到最终宽度尺寸后，该电极组件100的一部分的立体图。如 图10所示，晶片或者基片支撑构件190与该上部构件110的上部表面118粘结。该晶片支 撑构件190优选地由陶瓷或导电材料组成，该导电材料如平面硅(例如，单晶硅)，石墨或碳 化硅电极盘，其具有从其中间到外部边缘均一的厚度。如图10所示，支撑构件190还可包括倒角的外部边缘192。该支撑构件190(塑 料)优选地利用另一个粘结层180与加热元件110的上部表面118粘结。该粘结层180优 选地是低模数材料，如硅树脂或硅橡胶。该粘结层180优选地具有能够经受住温度极限值 的宽的范围的化学结构，以及可包括与真空环境相适应的并且抵抗高温下热降解的聚合物 材料。可以理解的是，此处描述的这些方法和装置可应用于各种电极组件100，包括 200mm(7. 87402英寸)和300mm(ll. 811英寸)直径的电极组件100。例如，用于200mm电 极组件100的保护环150包括初始的保护环150，其具有在室温下近似193. 802mm(7. 63 英寸)的内径、近似194.818mm(7.67英寸)的经膨胀的内径(60°C )以及在室温下近似 194. 564mm (7. 66英寸)的收缩环安装直径。对于300mm直径电极组件100，在室温下初始 的保护环150内径近似22. 608mm(11. 52英寸)、膨胀环内径(在60°C )近似23. 878(11. 57
9英寸)以及在室温下收缩环安装直径近似23. 624mm (11. 56英寸)。例如，用于200mm电极组件100的碳氟基聚合物保护环150当加热至60°C时将膨 胀近似0. 889mm (0. 035英寸)，而用于300mm电极组件100的碳氟基聚合物保护环150当加 热至60°C时膨胀近似1. 3462mm(0. 053英寸)。在优选实施方式中，该电极组件100是静电卡盘(ESC)，用于在用于半导体制造的 真空处理室内基片处理期间中夹紧如半导体晶片的基片，例如等离子体反应器，如等离子 体蚀刻反应器。该ESC可以是单极或双极设计。然而，该电极组件100可用于其他目的，如 在化学气象沉积，溅射，离子注入，抗蚀剂清理等期间夹紧基片。可以理解的是该电极组件100可安装在任何适于等离子体处理半导体基片的新 型的处理室内，或用于改进现有的处理室。应当理解的是在具体的系统中，该上部构件110， 该下部构件120和该支撑板190的具体形状可依赖于卡盘，基片和/或其他部件的布置而 变化。因此，如图2-10所示的上部构件100，该下部构件120和该支撑板190的确切的形状 仅为了说明性目的示出而无论如何不是限制。尽管关于其优选实施方式描述了本发明，本领域的技术人员可以理解的是，可在 不背离由所附权利要求定义的本发明的精神和范围内，进行以上没有详细描述的增加、删 除、修改和替换。
权利要求
1.一种保护粘结层的方法，所述方法包括 将上部构件与下部构件连接；将碳氟聚合物材料环膨胀至大于所述上部构件的外径的直径；以及 围绕所述粘结层收缩安装保护环。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在围绕所述粘结层收缩安装所述碳氟聚 合物材料环之前，将粘结剂应用于所述上部构件的外部周界和所述下部构件的外部上部表
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述膨胀步骤包括加热所述保护环。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该上部构件和下部构件包括基片支撑件，其适于 在等离子处理系统中使用。
5.根据权利要求4所述的方法，其中该上部构件的外部边缘具有下部法兰。
6.根据权利要求5所述的方法，其中该保护环围绕该下部法兰的外部边缘收缩安装。
7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括将该保护环和该上部构件机加工到最终尺等。
8.根据权利要求4所述的方法，其中该上部构件和该下部构件是圆柱形，以及该下部 构件外径大于该上部构件的外径。
9.根据权利要求2所述的方法，其中该粘结剂是环氧树脂。
10.根据权利要求5所述的方法，其中该上部构件包括具有下部法兰的铝板，该外部边 缘位于该法兰上。
11.根据权利要求4所述的方法，进一步包括将加热元件粘合在该上部构件和该下部 构件之间。
12.根据权利要求11所述的方法，其中该加热元件包括第一绝缘层、加热层和第二绝 缘层组成的层压结构。
13.根据权利要求4所述的方法，其中该上部构件包括电极，该下部构件包括温度受控 基板，在其上部具有基座并且支撑该上部构件的下部。
14.根据权利要求4所述的方法，其中该环的外径大于该下部构件的外部边缘的直径， 该方法进一步包括机加工该环从而其外径对应该下部构件的外部边缘的外径。
15.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在将该环收缩安装于该上部和下部构件 之前倒角该环。
16.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在该环的上表面中机加工凹槽。
17.根据权利要求4所述的方法，进一步包括将基片支撑件构件粘合于该上部构件的 上表面。
全文摘要
一种保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法，所述方法包括将上部构件与下部构件连接；将碳氟聚合物材料环膨胀至大于所述上部构件的外径的直径；以及围绕所述粘结层收缩安装所述保护环。
文档编号H01L21/00GK102097353SQ201010534029
公开日2011年6月15日 申请日期2006年7月13日 优先权日2005年7月19日
发明者吉姆·塔潘, 基思·科门丹特, 安东尼·里奇 申请人:朗姆研究公司