专利名称：双面镀膜钝化电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电池，特别涉及一种双面镀膜钝化电池。
背景技术：
太阳能电池主要供家庭和工业上作为电源带动负载或给蓄电池充电。由于硅片 表面比较光滑，具有较高的放射率，为了提高光的利用率，现有市场中的太阳能电池一 般在硅片的表面做出一种陷光结构——制绒，利用单晶硅的各向异性腐蚀在硅片的表面 生成金字塔的结构，这种结构虽然可以减小硅片在光下的反射率，现有理想的陷光结构 可以使电池的反射率在13%左右，但反射率仍然较高，从而导致光能的利用率较低。
发明内容针对现有的太阳能电池的缺点，本实用新型提供一种新型的太阳能电池。为了实现上述目的，本实用新型所采取的措施是双面镀膜钝化电池，包括电池本体，所述的电池本体正面电极和背电极的两面 上均镀有一层氮化硅膜；所述的氮化硅膜厚度为75mm。本实用新型的有益效果可进一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅减反射 膜可以使反射率仅仅有4%左右，使光能的转化效率进一步提高；可钝化硅片中的悬挂 键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺 陷，减少少子的复合；提高载流子迁移率20%左右，延长少子的寿命，提高了电池的短 路电流和开路电压，从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
图1、本实用新型的横截面示意图。图2、本实用新型的主视图。
具体实施方式
请参见附图说明其实施过程图1所示，从本专利的截面看的视图，图2是主视图，一种双面镀膜钝化电池， 包括电池本体1，硅片3，正面电极4和背电极5，所述的电池本体1的正面电极4和背电 极5的两面上均镀有一层氮化硅膜2，从图中可以看出，整体的是电池本体1。氮化硅膜 2附在硅片3的两面。氮化硅膜2的作用是减少反射率，使光能的转化效率进一步提高； 所述的氮化硅膜2厚度约为75mm，这样设计的作用是可使折射率控制在大约2.0 2.1 以内。双面膜的工艺实现，将短线清洗去处磷硅玻璃后的电池片放在石墨装载框上， 放入设备开始工艺(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。将镀膜后的电池片翻转后重新放在石墨装载框开始工艺。(此时的工艺参 数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。且在整个工艺的过程 中镀一面膜时避免另一面受到干扰。对双面镀理想的SiNx H膜后的电池片进行印刷电 极，高温烧结后测试，发现双面镀膜的电池短路电流有较大的提高。本实用新型的有益效果可进一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅减反射 膜可以使反射率仅仅有4%左右，使光能的转化效率进一步提高；可钝化硅片中的悬挂 键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺 陷，减少少子的复合；提高载流子迁移率20%左右，延长少子(少数载流子)的寿命， 提高了电池的短路电流和开路电压，从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。本领域内普通的技术人员的简单替换和更换都是本专利的保护范围之内。
权利要求1.双面镀膜钝化电池，包括电池本体(1)，其特征在于，所述的电池本体(1)正面电 极(4)和背电极(5)的两面上均镀有一层氮化硅膜(2)。
2.根据权利要求1所述的双面镀膜钝化电池，其特征在于，所述的氮化硅膜(2)厚度 为 75mm。
专利摘要本实用新型公开了双面镀膜钝化电池，包括电池本体，所述的电池本体正面电极和背电极的两面上均镀有一层氮化硅膜；本实用新型的有益效果可进一步降低硅片的反射率，使光能的转化效率进一步提高。
文档编号H01L31/052GK201796924SQ20102017874
公开日2011年4月13日 申请日期2010年4月30日 优先权日2010年4月30日
发明者陈佰江 申请人:宁波百事德太阳能科技有限公司