专利名称：无主栅线的硅电池片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光伏硅电池片技术领域。
背景技术：
如
图1所示，目前常规的硅电池片上都有用来收集电流的横向较细的副栅线2和 纵向较粗的主栅线3，但是这样结构的电池片的受光面积较小，电池的转换效率较低。也有 的硅电池片表面既无主栅线也无副栅线，但这种结构不利于电流的收集。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种无主栅线的硅 电池片，硅电池片的受光面积较大，电池转换效率较高。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种无主栅线的硅电池片，硅 电池片表面仅印刷用来收集电流的副栅线。进一步地，所述的副栅线为银副栅线，所述的副栅线的宽度为0. 05 0. 2mm，数量 为20 80根，横向均勻印刷在硅电池片表面。进一步地，所述的副栅线宽度为0. 1mm，数量为50根，横向均勻印刷在硅电池片表本实用新型的有益效果是本实用新型的硅电池片表面只印刷横向较细的副栅 线，而不印刷纵向较粗的主栅线，不仅能够有效地收集电流，而且增加了硅电池片的受光面 积，从而提高了硅电池片的转换效率。
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。图1是现有技术的结构示意图；图2是本实用新型的结构示意图；其中1.硅电池片，2.副栅线，3.主栅线。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图， 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图2所示，一种无主栅线的硅电池片，硅电池片1表面仅印刷用来收集电流的副 栅线2，副栅线2为银副栅线，副栅线2宽度为0. 1mm，数量为50根，横向均勻印刷在硅电池 片1表面。本实用新型的硅电池片1表面只印刷横向较细的副栅线2，而不印刷纵向较粗的 主栅线3，不仅能够有效地收集电流，而且增加了硅电池片1的受光面积，从而提高了硅电 池片1的转换效率。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实 用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术 性范围。
权利要求1.一种无主栅线的硅电池片，其特征在于硅电池片(1)表面仅印刷用来收集电流的 副栅线O)。
2.根据权利要求1所述的无主栅线的硅电池片，其特征在于所述的副栅线O)为银 副栅线，所述的副栅线⑵的宽度为0.05 0.2mm，数量为20 80根，横向均勻印刷在硅 电池片(1)表面。
3.根据权利要求2所述的无主栅线的硅电池片，其特征在于所述的副栅线O)宽度 为0. 1mm，数量为50根，横向均勻印刷在硅电池片(1)表面。
专利摘要本实用新型一种无主栅线的硅电池片，硅电池片表面仅印刷用来收集电流的副栅线，副栅线为银副栅线，副栅线宽度为0.1mm，数量为50根，横向均匀印刷在硅电池片表面。本实用新型的硅电池片表面只印刷横向较细的副栅线，而不印刷纵向较粗的主栅线，不仅能够有效地收集电流，而且增加了硅电池片的受光面积，从而提高了硅电池片的转换效率。
文档编号H01L31/042GK201820762SQ201020550878
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月30日 优先权日2010年9月30日
发明者罗布特 申请人:常州天合光能有限公司