专利名称：用于形成铜基配线的光刻胶剥离剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于形成铜(Cu)基配线的光刻胶剥离剂组合物，其被用于制造半导体装置或平板显示器的过程中，特别涉及一种在去除光刻胶时可防止作为配线的Cu 层腐蚀的光刻胶剥离剂组合物。
背景技术：
形成半导体装置的集成电路或平板显示器的微电路是通过将光刻胶均勻地涂布在形成于基板上的铝(Al)、A1合金、Cu、或Cu合金的导电性金属层、或氧化硅或氮化硅的绝缘层上，以及实行选择性曝光与显影，如此形成光刻胶图案。继而使用光刻胶图案作为掩模而湿式或干式蚀刻导电性金属层或绝缘层，使得微电路图案被转移至光刻胶下方的层，然后使用剥离剂组合物去除不必要的光刻胶。用于去除用于制造半导体装置或平板显示器过程中的光刻胶的剥离剂组合物应可在低温下并于短时间内剥离光刻胶，应防止光刻胶残渣在洗涤后残留在基板上，以及应不损坏光刻胶下方的金属层或绝缘层。同时，包括Cu层与Cu-钼(Mo)层的Cu基金属层，作为在半导体装置或平板显示器领域用于形成金属配线的金属层，近来受到注意。就薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCDs) 而言，因为电阻是引起RC信号延迟的主要因素，所以解决RC信号延迟问题是增加面板大小和获得高分辨率的关键。然而发展至今的使用胺化合物或二醇醚化合物作为剥离剂的光刻胶剥离剂组合物是有缺陷的，因为其严重地腐蚀Cu基金属层，以及具有高毒性而可造成环境问题，或者在后续沉积栅极绝缘层的过程中产生较高的缺陷率。因此必须解决此种问题。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种用于形成Cu基配线的光刻胶剥离剂组合物，其可有效地防止光刻胶下方的Cu或Cu合金配线的导电性金属层、与氧化硅或氮化硅的绝缘层的腐蚀，即使不使用异丙醇进行中间清洁。本发明的另一目的是提供一种用于形成Cu基配线的光刻胶剥离剂组合物，其可应用于所有的浸渍型、单片型及喷洒型剥离工艺，而且可在低温于短时间内干净地去除因重度光刻处理与湿式蚀刻处理而退化及/或硬化的光刻胶。本发明一方面提供了一种用于形成Cu基配线的光刻胶剥离剂组合物，其按组合物的总重量计，包含A) 1 45wt %的一种或多种选自由下式1至3表示的化合物中的化合物，B)0. 01 5wt%的一种包括唑化合物的添加剂，及C)其余为一种包括由下式4表示的化合物的溶剂。[式1]
权利要求
1.一种用于形成Cu基配线的光刻胶剥离剂组合物，基于组合物的总重量，包含A)1 45wt%的一种或多种选自由下式1至3表示的化合物中的化合物，B)0. 01 5wt%的一种包括唑化合物的添加剂，及C)其余为一种包括由下式4表示的化合物的溶剂
2.如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述由式1至3表示的化合物选自由二甲基亚砜、二乙基亚砜、二甲基砜、二乙基砜、环丁砜、二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、Y-丁内酯、乙酸正丁酯、丁酸乙酯、和乳酸乙酯所组成的组。
3.如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述唑化合物包含一种或多种选自由甲基苯并三唑、1，2，3-苯并三唑、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、3-胺基-1，2，4-三唑、4-胺基-4Η-1,2,4-三唑、1-羟基苯并三唑、1-甲基苯并三唑、2-甲基苯并三唑、苯并三唑-5-羧酸、硝基苯并三唑、2-(2Η-苯并三唑-2-基)-4，6_ 二叔丁基苯酚、和腺嘌呤所组成的组。
4.如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述由式4表示的化合物包含一种或多种选自由N-甲基吡咯啶酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、乙酰胺、 N-甲基乙酰胺、N-(2-羟乙基)乙酰胺、和2-吡咯啶酮所组成的组。
5.如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物，进一步包含水。
6.如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物，其不含胺化合物。
7.一种使用光刻形成铜基配线而制造半导体装置的方法，包含使用如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物去除使用后的光刻胶。
8.一种使用光刻形成铜基配线而制造平板显示器的方法，包含使用如权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物去除使用后的光刻胶。
全文摘要
本发明公开了一种用于形成铜基配线的光刻胶剥离剂组合物，其使用一种含砜和/或锍化物和/或酯的化合物作为剥离剂，并可有效地防止置于光刻胶下方的铜或铜合金配线的导电性金属层和氧化硅或氮化硅绝缘层的腐蚀，即使未使用异丙醇作为中间清洁剂，而且即使是在低温亦可在短时间内干净地去除退化和/或硬化的光刻胶。
文档编号H01L21/306GK102483590SQ201080036745
公开日2012年5月30日 申请日期2010年9月9日 优先权日2009年9月9日
发明者李承傭, 洪亨杓, 洪宪杓, 金泰熙, 金炳默 申请人:东友Fine-Chem股份有限公司