专利名称：无铅二极管的台面制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种无铅二极管芯片的台面制作工艺，具体涉及一种熔点大于270°C， 适用于集成电路、高压硅堆、多芯片及单芯片无铅二极管的台面制作工艺。
背景技术：
目前，单芯片二极管的芯片台面腐蚀传统的工艺为酸洗，该工艺的缺点在于酸与无铅焊片反应导致产品断裂。本公司在之前也研究出一种碱和酸混合腐蚀，克服上述缺点的工艺，该工艺的专利号为2009101346788，专利名称为无铅二极管的台面制作工艺，但是该方法的缺点为两步碱腐蚀加酸腐蚀构成，工艺步骤相对繁多。发明内容
本发明的主要任务在于提供一种无铅二极管的制作工艺。该工艺是在专利号为 2009101346788，专利名称为无铅二极管的台面制作工艺的工艺上提炼而成。
为了解决以上技术问题，本发明的一种无铅二极管的台面制作工艺，所述无铅二极管芯片的台面腐蚀用碱腐蚀；其特征在于所述无铅二极管芯片的台面直接用强碱腐蚀；所述强碱腐蚀分两次，第一次是用质量浓度为8-15%的强碱在温度为70-95°C，时间为 5-15分钟的条件下腐蚀；第二次是用质量浓度为2-5%的强碱在腐蚀温度为70-95°C，时间为8-18分钟的条件下进行腐蚀。
进一步地，所述腐蚀二极管台面的强碱为氢氧化钾或氢氧化钠。
本发明的优点在于以上工艺制作的为无铅二极管，在减少了专利号为 2009101346788，专利名称为无铅二极管的台面制作工艺的后续的酸洗步骤后，不但能解决酸与无铅焊片反应导致产品断裂的问题，保证了产品的高温焊接为265士5°C /10秒，还能达到与上述专利工艺制作的台面各方面的性能等同的效果。直接减少酸洗工序也能达到专利号为2009101346788，专利名称为无铅二极管的台面制作工艺的专利的效果，原理在于 通过质量浓度为8-15%的强碱在温度为70-95°C，时间为5-15分钟的条件下腐蚀后，去除了台面上上的机械损伤，并基本形成了光滑的台面。再用质量浓度为2-5%的强碱在腐蚀温度为70-95°C，时间为8-18分钟的条件下进行腐蚀后，台面就很光滑，同时在浓碱腐蚀过程中残留在台面上的化合物也被稀碱溶解而清洗干净，减少了酸洗过程，达到等同的效果。
附图为本发明的结构示意图。
具体实施方式
如图所示，所述二极管由电极1、焊片2、芯片3、焊片4、电极5焊接为一体，焊接后在两电极之间用硅橡胶或聚酰亚胺胶6密封，再在其组成的整体外表面用环氧树脂进行封装组成。
上述的芯片台面腐蚀工艺由传统的酸腐蚀改为碱腐蚀。具体步骤如下用强碱进行台面腐蚀分两个步骤，本发明中所用的强碱为氢氧化钾或氢氧化钠溶液。第一次进行台面腐蚀，该强碱溶液的质量浓度为8-15%，腐蚀温度为70-95°C，对芯片台面的腐蚀时间为 5-15分钟；第二次腐蚀台面用浓度稍低的强碱溶液进行腐蚀，其浓度稍低的强碱溶液的质量浓度为2_5%，腐蚀温度为70-95°C，时间为8-18分钟。
通过上述两次强碱腐蚀，二极管的台面腐蚀工序即完成。且所生产出来的二极管台面与碱、酸混合腐蚀效果等同。
权利要求
1.一种无铅二极管的台面制作工艺，其特征在于所述无铅二极管芯片的台面直接用强碱进行两次腐蚀完成；所述第一次腐蚀是用质量浓度为8-15%的强碱在温度为70-95°C， 时间为5-15分钟的条件下腐蚀；第二次腐蚀是用质量浓度为2-6%的强碱在腐蚀温度为 70-95°C，时间为5-15分钟的条件下进行腐蚀。
2.根据权利要求1所述的一种无铅二极管的台面制作工艺，其特征在于所述腐蚀二极管台面的强碱为氢氧化钾或氢氧化钠。
全文摘要
本发明公开了一种无铅二极管的台面制作工艺，其特征在于所述无铅二极管芯片的台面直接用强碱进行两次腐蚀完成；所述第一次腐蚀是用质量浓度为8-15%的强碱在温度为70-95℃，时间为5-15分钟的条件下腐蚀；第二次腐蚀是用质量浓度为2-6%的强碱在腐蚀温度为70-95℃，时间为5-15分钟的条件下进行腐蚀。本发明的优点在于以上工艺制作的为无铅二极管，在减少了专利号为2009101346788，专利名称为无铅二极管的台面制作工艺的后续的酸洗步骤后，不但能解决酸与无铅焊片反应导致产品断裂的问题，保证了产品的高温焊接为265±5℃/10秒，还能达到与上述专利工艺制作的台面各方面的性能等同的效果。
文档编号H01L21/306GK102543721SQ20111004288
公开日2012年7月4日 申请日期2011年2月23日 优先权日2011年2月23日
发明者吴亚红, 陆国华, 陈炎 申请人:如皋市日鑫电子有限公司