专利名称：差动可变电容元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种差动可变电容元件。
背景技术：
在现代化信息产业中，各种数据、信息、影像等都是以电子信号的形式来传递，而用来处理电子信号的处理电路，也就成为现代信息产业中最重要的基础。而电路中的震荡器(oscillator)则是现代数字系统中不可或缺的重要电路构筑方块之一。例如，在一般的信息系统(例如个人电脑)中，需要总体时脉(global clock)以协调数字系统中的各个数字电路一起运作，而时脉则是由震荡器所产生的。此外，要协调不同的时脉同步(譬如说在传输信号的通信系统中)，还需要使用锁相(phase loop Iock7PLL)电路；而锁相电路中 则需要精密的压控震荡器(voltage-controlled oscillators, VCOs),以电压来控制压控震荡器震荡出频率不同的震荡信号，以协调各时脉同步。此外，例如在某些精密的滤波器中，尚须使用能调整滤波频率的电阻-电容(RC)滤波器。不论是电阻-电容(RC)滤波器的滤波特性(例如滤波器的通带频宽)，或是电感-电容(LC)压控震荡器的震荡特性(例如震荡信号的频率)，都可以用改变电容值的方法来加以调整。因此，具有可调整电容值的电容，亦即可变电容，已被运用于具有这些特性的元件中。而在可变电容的操作范围内，其电容值随加于其上的电压而减少。目前已发展出多种可应用于集成电路元件中的可变电容，其中以PN结面可变电容(PN junctionvaractor)以及金属氧化物半导体(metal-oxide semiconductor,M0S)可变电容两种结构最常为常见。然而，以MOS可变电容而言，其调谐比值，定义为可变电容的最大电容与最小电容的比值，在操作频率为IOGHz的情况下仅能达到3。换句话说，MOS可变电容可调整的电容值的变化范围受限于其调谐比值。有鉴于此，提升可变电容的调谐比值实为业界努力的目标。
发明内容
本发明的主要目的之一在于提供一种差动可变电容元件，以提升调谐比值。为达上述的目的，本发明提供一种差动可变电容元件，其包括基底、井区、五个第一掺杂区、四个第一绝缘层以及第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极。基底具有第一导电类型。井区设于基底中，且井区具有第二导电类型。五个第一掺杂区设于井区中，并沿着第一方向排列，且第一掺杂区具有第二导电类型。四第一绝缘层设于井区上，且各第一绝缘层分别设于任两相邻的第一掺杂区之间。第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极分别设于各第一绝缘层上，且依序沿着第一方向排列。为达上述的目的，本发明另提供一种差动可变电容元件，其包括基底、第一井区与第二井区、三个第三掺杂区、三个第四掺杂区、二个第四绝缘层、第一栅极与第二栅极以及第三栅极与第四栅极。基底具有第一导电类型。第一井区与第二井区设于基底中，并沿着第一方向排列，且第一井区与第二井区具有第二导电类型。第三掺杂区设于第一井区中，并沿着第一方向排列，且第三掺杂区具有第二导电类型。第四掺杂区设于第二井区中，并沿着第一方向排列，且第四掺杂区具有第二导电类型。第三绝缘层设于第一井区上，且各第三绝缘层分别位于任两相邻的第三掺杂区之间。第四绝缘层设于第二井区上，且各第四绝缘层分别位于任两相邻的第四掺杂区之间。第一栅极与第二栅极分别设于各第三绝缘层上，且依序沿着第一方向排列。第三栅极与第四栅极分别设于各第四绝缘层上，且依序沿着第一方向排列。为达上述的目的，本发明另提供一种差动可变电容元件，其包括多个差动可变电容单元。各差动可变电容单元分别具有二个栅极，分别电性连接至第一输出端与第二输出端，其中差动可变电容单元具有调谐比值，且调谐比值大于4。本发明的差动可变电容元件通过将电性连接至不同栅极电压的栅极沿着第一方向交错设置，以及将不同的差动可变电容单元设于同一井区中，使调谐比值大于4，进而有效提升其可调整的电容范围。
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图I为本发明第一优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。图2为沿着图I的剖面线AA’的剖面示意图。图3为沿着图I的剖面线BB’的剖面示意图。图4为本发明第一优选实施例的另一变化形的差动可变电容元件的俯视示意图。图5为本发明第二优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。图6为本发明第三优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。图7为本发明第四优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。图8为沿着图7的剖面线CC’的剖面示意图。图9为沿着图7的剖面线DD’的剖面示意图。图10为本发明第五优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。图11为本发明第六优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。附图标记说明100 差动可变电容元件 102 基底104 井区106 第一掺杂区108 第一栅极结构110 第一方向112 第一绝缘层114a 第一栅极114b 第二栅极114c 第三栅极114d 第四栅极116 第一间隙壁117 第一可变电容118 掺杂区119 第一差动可变电容单元120 接触插塞122 第一输出端124 第二输出端126 第三输出端128a 第一导电层128b 第二导电层128c 第三导电层128d 第四导电层128e 第五导电层
128f第六导电层128g第七导电层128h第八导电层130第二栅极结构132第二掺杂区134第二方向136第二绝缘层138第二间隙壁139第二可变电容140a第五栅极140b第六栅极140c第七栅极140d第八栅极141第二差动可变电容单元200差动可变电容元件250差动可变电容元件300差动可变电容元件302第一井区304第二井区306第三掺杂区308第四掺杂区310第三栅极结构312第四栅极结构314第三绝缘层316第三间隙壁318a第一栅极318b第二栅极319第三差动可变电容单元320第四绝缘层322第四间隙壁324a第二栅极324b第四栅极325第四差动可变电容单元326第三井区328第四井区330第五掺杂区332第六掺杂区334第五栅极结构336第六栅极结构338第五绝缘层340a第五栅极340b第六栅极342第六绝缘层344a第七栅极344b第八栅极345第五差动可变电容单元346第六差动可变电容单元
具体实施例方式请参考图I至图3，图I为本发明第一优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图，图2为沿着图I的剖面线AA’的剖面示意图，且图3为沿着图I的剖面线BB’的剖面示意图。如图I与图2所示，差动可变电容元件100制作于基底102上，例如硅基底，且基底102具有第一导电类型。并且，差动可变电容元件100包括有井区104、五个第一掺杂区106以及四个第一栅极结构108。井区104设于基底102中，且具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第一掺杂区106设于井区104中，并沿着第一方向110排列，且第一掺杂区106具有第二导电类型。于本实施例中，第一导电类型为P型，且第二导电类型为N型，但不限于此，本发明的第一导电类型与第二导电类型亦可互换。于本实施例中，第一栅极结构108分别设于任两相邻的N型第一掺杂区106之间的N型井区104上。并且，各第一栅极结构108包括有第一绝缘层112、栅极以及二个第一间隙壁116，其中各栅极分别设于各第一绝缘层112上，且第一间隙壁116分别设于各栅极与各第一绝缘层112的两侧。由此可知，N型井区104、任两相邻的N型第一掺杂区106以及位于任两相邻的N型第一掺杂区106之间的各第一栅极结构108可构成第一可变电容117，图2显示了 4组作为示例，且两相邻的第一可变电容117共用同一 N型第一掺杂区106。此外，本实施例的各栅极由多晶硅层所构成，但不限于此，本发明的栅极亦可为金属栅极(metal gate)。于本实施例中，第一栅极结构108的栅极可区分为第一栅极114a、第二栅极114b、第三栅极114c与第四栅极114d，沿着第一方向110依序排列。并且，差动可变电容元件100另包括多个P型掺杂区118、多个接触插塞120、多个导电层、第一输出端122、第二输出端124以及第三输出端126。P型掺杂区118设于P型基底102中，且用于将P型基底102电性连接至外界。接触插塞120、导电层、第一输出端122、第二输出端124以及第三输出端126设于P型基底102上，且接触插塞120分别设于P型掺杂区118、第一栅极114a、第二栅极114b、第三栅极114c、第四栅极114d以及部分N型第一掺杂区106上。导电层包括第一导电层128a、第二导电层128b、第三导电层128c以及第四导电层128d,分别设于第一栅极114a、第二栅极114b、第三栅极114c与第四栅极114d上，且第一导电层128a、第二 导电层128b、第三导电层128c与第四导电层128d通过接触插塞120分别电性连接第一栅极114a、第二栅极114b、第三栅极114c与第四栅极114d。并且，第一导电层128a与第三导电层128c电性连接至第一输出端122,使第一栅极114a与第三栅极114c可通过第一导电层128a、第三导电层128c与相对应的接触插塞120电性连接至第一输出端122 ;且第二导电层128b与第四导电层128d电性连接至第二输出端124，使第二栅极114b与第四栅极114d可通过第二导电层128b、第四导电层128d与相对应的接触插塞120电性连接至第二输出端124。而N型第一掺杂区106则可通过接触插塞120电性连接至第三输出端126，例如本实施例中，位于第一栅极114a与第二栅极114b之间以及位于第三栅极114c与第四栅极114d之间的N型第一掺杂区106与相对应的接触插塞120相接触，而电性连接至第三输出端126。第一输出端122与第二输出端124可分别作为差动可变电容元件100的不同栅极输出端，以用于电性连接至二个不同栅极电压，且第三输出端126则作为差动可变电容元件100的控制端，以用于电性连接至控制电压。由此可知，电性连接至不同栅极电压的任二个第一可变电容117可构成第一差动可变电容(differential varactor)单元119,且本实施例的差动可变电容元件100具有两个互相并联且沿着第一方向100排列的第一差动可变电容单元119。于本发明的其他实施例中，差动可变电容元件100另可包括第四输出端，通过接触插塞120电性连接至P型掺杂区118，以用于作为P型基底102的输出端。并且，本发明第一栅极114a与第三栅极114b电性连接至第一输出端122的方式、第二栅极114b与第四栅极114d电性连接至第二输出端124的方式、N型第一掺杂区106电性连接至第三输出端126的方式与P型掺杂区118电性连接至第四输出端的方式并不限于上述方式,亦可利用其他金属内连线或埋设导线(buried line)结构来达成。如图3所示，差动可变电容元件100另可包括四个第二栅极结构130以及五个N型第二掺杂区132，其中第二栅极结构130设于相邻于第一栅极结构108的N型井区104上，并分别位于任两相邻的N型第二掺杂区132之间，且第二栅极结构130与第一栅极结构108沿着第二方向134排列。各第二栅极结构130包括有第二绝缘层136、栅极以及二个第二间隙壁138，其中各栅极分别设于各第二绝缘层136上，且第二间隙壁138分别设于各栅极与各第二绝缘层136的两侧。因此，N型井区104、任两相邻的N型第二掺杂区132以及位于任两相邻的N型第二掺杂区132之间的各第二栅极结构130可构成第二可变电容139，且两相邻的第二可变电容共用同一 N型第二掺杂区132。于本实施例中，第二栅极结构130的栅极可区分为第五栅极140a、第六栅极140b、第七栅极140c与第八栅极140d。第五栅极140a、第六栅极140b、第七栅极140c与第八栅极140d沿着第一方向110依序排列。并且，导电层另包括第五导电层128e、第六导电层128f、第七导电层128g以及第八导电层128h，分别设于第五栅极140a、第六栅极140b、第七栅极140c与第八栅极140d上，且第五导电层128e、第六导电层128f、第七导电层128g与第八导电层128h通过相对应的接触插塞120分别电性连接第五栅极140a、第六栅极140b、第七栅极140c与第八栅极140d。此外，第五导电层128e与第七导电层128g电性连接至第一输出端122，使第五栅极140a与第七栅极140c可通过第五导电层128e、第七导电层128g与相对应的接触插塞120电性连接至第一输出端122，且第六导电层128f与第八导电层128h电性连接至第二输出端124，使第六栅极140b与第八栅极140d可通过第六导电层128f、第八导电层128h与相对应的接触插塞120电性连接至第二输出端124。位于第五栅极140a与第六栅极140b之间以及位于第七栅极140c与第八栅极140d之间的N型第二掺杂区132与相对应的接触插塞120相接触，而电性连接至第三输出端126。由此可知，电性连接至不同栅极电压的任二第二可变电容139可构成第二差动可 变电容单元141，且本实施例的差动可变电容元件100具有两个互相并联且沿着第一方向110排列的第二差动可变电容单元141。并且，第一差动可变电容单元119的第一栅极114a与第三栅极114c与第二差动可变电容单元141的第五栅极140a与第七栅极140c并联至第一输出端122，且第一差动可变电容单元119的第二栅极114b与第四栅极114d以及第二差动可变电容单元141的第六栅极140b与第八栅极140d并联至第二输出端124，而第一差动可变电容单元119与第二差动可变电容单元141沿着第二方向134排列设置于同一 N型井区104上，使第一差动可变电容单元119与第二差动可变电容单元141彼此相互并联。值得注意的是，本实施例的差动可变电容元件100将电性连接至不同栅极电压的栅极沿着第一方向110交错设置，且将不同的第一差动可变电容单元119与第二差动可变电容单元141设于同一 N型井区104中，使差动可变电容元件100的调谐比值大于4，以有效提升其可调整的电容范围。于本发明的其他实施例中，差动可变电容元件100亦可具有多个第一差动可变电容单元119沿着第一方向110排列。并且，差动可变电容元件100亦可具有多个第二差动可变电容单元141沿着第一方向110排列。此外，本发明的差动可变电容元件100不限于仅具有第一差动可变电容单元119与第二差动可变电容单元141排列于第二方向134上，亦可具有多个差动可变电容单元排列于第二方向134上。本发明的差动可变电容元件并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例或变化形，然而为了简化说明并突显各实施例或变化形之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。请参考图4，图4为本发明第一优选实施例的另一变化形的差动可变电容元件的俯视示意图。如图4所示，相较于上述实施例，本变化形的N型第二掺杂区132可为延伸N型第一掺杂区106的一部分，因此第二栅极结构130分别设于任两相邻的N型第一掺杂区106之间。请参考图5，图5为本发明第二优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。如图5所示，相较于第一实施例，在本实施例的差动可变电容元件200中，第五导电层128e与第七导电层128g电性连接至第二输出端124，使第五栅极140a与第七栅极140c电性连接至第二输出端124,且第六导电层128f与第八导电层128h电性连接至第一输出端122,使第六栅极140b与第八栅极140d电性连接至第一输出端122。请参考图6，图6为本发明第三优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。如图6所示，相较于第一实施例，在本实施例的差动可变电容元件250中，第一导电层128a、第二导电层128b、第五导电层128e与第六导电层128f电性连接至第一输出端122,使第一栅极114a、第二栅极114b、第五栅极140a与第六栅极140b电性连接至第一输出端122，且第三导电层128c、第四导电层128d、第七导电层128g与第八导电层128h电性连接至第二输出端124，使第三栅极114c、第四栅极114d、第七栅极140c与第八栅极140d电性连接至第二输出端124。于本实施例中，相邻的第一栅极114a与第二栅极114b以及相邻的第五栅极140a与第六栅极140b电性连接至相同的第一输出端122，而相邻的第三栅极114c与第四栅极114d以及相邻的第七栅极140c与第八栅极140d电性连接至相同的第二输出端124，使电性连接至第一输出端122的第一栅极114a与第二栅极114b以及电性连接至第二输出端124的第三栅极114c与第四栅极114d以两两交错的方式排列于第一方向110上。同理， 电性连接至第一输出端122的第五栅极140a与第六栅极140b以及电性连接至第二输出端124的第七栅极140c与第八栅极140d亦以两两交错的方式排列于第一方向110上。请参考图7至图9，图7为本发明第四优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图，图8为沿着图7的剖面线CC’的剖面示意图，且图9为沿着图7的剖面线DD’的剖面示意图。如图7与图8所不,相较于第一实施例,本实施例的差动可变电容兀件300的各差动可变电容单元分别设于不同井区中。本实施例的差动可变电容元件300包括有N型第一井区302、N型第二井区304、三个N型第三掺杂区306、三个N型第四掺杂区308、二个第三栅极结构310以及二个第四栅极结构312。N型第一井区302与N型第二井区304设于P型基底102中，且沿着第一方向110排列。N型第三掺杂区306设于N型第一井区302中，且沿着第一方向110排列。N型第四掺杂区308设于N型第二井区304中，且沿着第一方向110排列。并且，各第三栅极结构310设于N型第一井区302上，且分别位于任两相邻的N型第三掺杂区306之间。各第三栅极结构310包括有第三绝缘层314、栅极以及二个第三间隙壁316，其中各栅极分别设于各第三绝缘层314上，且第三间隙壁316分别设于各栅极与各第三绝缘层314的两侧。此外，第三栅极结构310的栅极可区分为第一栅极318a与第二栅极318b，分别电性连接至第一输出端122与第二输出端124。并且，N型第一井区302通过位于第一栅极318a与第二栅极318b之间的N型第三掺杂区306电性连接至第三输出端126。由此，N型第一井区302、N型第三掺杂区306以及第三栅极结构310可构成第三差动可变电容单元319。各第四栅极结构312设于N型第二井区304上，且分别位于任两相邻的N型第四掺杂区308之间。各第四栅极结构312包括有第四绝缘层320、栅极以及二个第四间隙壁322，其中各栅极分别设于各第四绝缘层320上，且第四间隙壁322分别设于各栅极与各第四绝缘层320的两侧。此外，第四栅极结构312的栅极可区分为第三栅极324a与第四栅极324b，且第一栅极318a、第二栅极318b、第三栅极324a与第四栅极324b依序沿着第一方向110排列。第三栅极324a电性连接至第一输出端122，且第四栅极324b电性连接至第二输出端124。并且，N型第二井区304通过位于第三栅极324a与第四栅极324b之间的N型第四掺杂区308电性连接至第三输出端126。由此，N型第二井区304、N型第四掺杂区308以及第四栅极结构312可构成第四差动可变电容单元325。另外，如图9所示，本实施例的差动可变电容元件300另包括N型第三井区326、N型第四井区328、三个N型第五掺杂区330、三个N型第六掺杂区332、二个第五栅极结构334以及二个第六栅极结构336。N型第三井区326与N型第四井区328设于P型基底102中，并沿着第一方向110排列。N型第五掺杂区330设于N型第三井区326中，且沿着第一方向110排列。N型第六掺杂区332设于N型第四井区328中，且沿着第一方向110排列。第五栅极结构334设于N型第三井区326上，且分别位于任两相邻的N型第五掺杂区330之间，并与第三栅极结构310沿着第二方向134排列。各第五栅极结构334包括有第五绝缘层338以及设于第五绝缘层338上的栅极。并且，第五栅极结构334的栅极可区分为第五栅极340a与第六栅极340b。第六栅极结构336设于N型第四井区328上，且分别位于任两相邻的N型第六掺杂区332之间，并与第四栅极结构312沿着第二方向134排列。各第六栅极结构336包括有第六绝缘层342以及设于第六绝缘层342上的栅极。并且，第六栅极结构336的栅极可区分为第七栅极344a与第八栅极344b。第五栅极340a、第六栅极340b、第七栅极344a与第八栅极344b依序沿着第一方向110排列。于本实施例中，第五栅·极340a与第七栅极344a电性连接至第一输出端122，且第六栅极340b与第八栅极344b电性连接至第二输出端124。并且，N型第三井区326与N型第四井区328分别通过位于第五栅极340a与第六栅极340b之间的N型第五掺杂区330以及位于第七栅极344a与第八栅极344b之间的N型第六掺杂区332电性连接至第三输出端126。由此，N型第三井区326、N型第五掺杂区330以及第五栅极结构334可构成第五差动可变电容单元345，且N型第四井区328、N型第六掺杂区332以及第六栅极结构336可构成第六差动可变电容单元346。请参考图10与图11，图10为本发明第五优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图，且图11为本发明第六优选实施例的差动可变电容元件的俯视示意图。如图10所不，相较于第四实施例，第五导电层128e与第七导电层128g电性连接至第二输出端124,使第五栅极340a与第七栅极344a可电性连接至第二输出端124，且第六导电层128f与第八导电层128h电性连接至第一输出端122，使第六栅极340b与第八栅极344b可电性连接至第一输出端122。如图11所不,相较于第四实施例,第一导电层128a、第二导电层128b、第五导电层128e与第六导电层128f电性连接至第一输出端122,使第一栅极318a、第二栅极318b、第五栅极340a与第六栅极340b电性连接至第一输出端122，且第三导电层128c、第四导电层128d、第七导电层128g与第八导电层128h电性连接至第二输出端124，使第三栅极324a、第四栅极324b、第七栅极344a与第八栅极344b电性连接至第二输出端124。以下将进一步说明本发明各优选实施例的差动可变电容元件的功效。请参阅表
I。表I列举了当差动可变电容元件运作在IOGHz的操作频率下各实施例的差动可变电元件的最大电容值与最小电容值以及其调谐比值，亦即最大电容值与最小电容值的比值。如表I所示，当电性连接至栅极电压的两栅极与电性连接至另一栅极电压的两栅极沿着第一方向两两交错排列时，差动可变电容元件的调谐比值可大于3. 68。将电性连接至不同栅极电压的栅极沿着第一方向交错设置，且同时将不同的差动可变电容单元设于不同N型井区中，差动可变电容元件的调谐比值大于4. 13。并且，电性连接至不同栅极电压的栅极沿着第一方向交错设置，且同时将不同的差动可变电容单元设于同一 N型井区中，差动可变电容元件的调谐比值大于4. 83。因此，本发明的差动可变电容元件可有效地提升调谐比值，且增加差动可变电容元件的可调整电容范围。表I
权利要求
1.一种差动可变电容元件，包括 基底，具有第一导电类型； 井区，设于该基底中，且该井区具有第二导电类型； 五个第一掺杂区，设于该井区中，并沿着第一方向排列，且该五个第一掺杂区具有该第二导电类型；以及 第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极，分别设于任两相邻的该五个第一掺杂区之间的该井区上，且沿着该第一方向依序排列。
2.如权利要求I所述的差动可变电容元件，其中该第一栅极与该第三栅极电性连接至第一输出端，且该第二栅极与该第四栅极电性连接至第二输出端。
3.如权利要求2所述的差动可变电容元件，另包括 第五栅极、第六栅极、第七栅极与第八栅极，设于该井区上，并沿着该第一方向依序排列，且该第五栅极、该第六栅极、该第七栅极与该第八栅极分别与该第一栅极、该第二栅极、该第三栅极与该第四栅极沿着第二方向排列。
4.如权利要求3所述的差动可变电容元件，其中该第五栅极与该第七栅极电性连接至该第一输出端，且该第六栅极与该第八栅极电性连接至该第二输出端。
5.如权利要求3所述的差动可变电容元件，其中该第五栅极与该第七栅极电性连接至该第二输出端，且该第六栅极与该第八栅极电性连接至该第一输出端。
6.如权利要求3所述的差动可变电容元件，其中该第五栅极、该第六栅极、该第七栅极与该第八栅极分别设于任两相邻的该五个第一掺杂区之间。
7.如权利要求3所述的差动可变电容元件，另包括五个第二掺杂区，设于该井区中，且该五个第二掺杂区具有该第二导电类型，其中该第五栅极、该第六栅极、该第七栅极与该第八栅极分别设于任两相邻的该五个第二掺杂区之间。
8.如权利要求7所述的差动可变电容元件，其中位于该第五栅极与该第六栅极之间以及位于该第七栅极与该第八栅极之间的该五个第二掺杂区电性连接至第三输出端。
9.如权利要求I所述的差动可变电容元件，其中该第一栅极与该第二栅极电性连接至第一输出端，且该第三栅极与该第四栅极电性连接至第二输出端。
10.如权利要求I所述的差动可变电容元件，其中位于该第一栅极与该第二栅极之间以及位于该第三栅极与该第四栅极之间的该五个第一掺杂区电性连接至第三输出端。
11.如权利要求I所述的差动可变电容元件，其中该第一栅极、该第二栅极、该第三栅极与该第四栅极分别由多晶硅层所构成。
12.—种差动可变电容元件，包括 基底，具有第一导电类型； 第一井区与第二井区，设于该基底中，并沿着第一方向依序排列，且该第一井区与该第二井区具有第二导电类型； 三个第三掺杂区，设于该第一井区中，并沿着该第一方向排列，且该三个第三掺杂区具有该第二导电类型； 三个第四掺杂区，设于该第二井区中，并沿着该第一方向排列，且该三个第四掺杂区具有该第二导电类型； 第一栅极与第二栅极，设于该第一井区上，并分别位于两相邻的该三个第三掺杂区之间，且沿着该第一方向依序排列；以及 第三栅极与第四栅极，设于该第二井区上，并分别位于任两相邻的该三个第四掺杂区之间，且沿着该第一方向依序排列。
13.如权利要求12所述的差动可变电容元件，其中该第一栅极与该第三栅极电性连接至第一输出端，且该第二栅极与该第四栅极电性连接至第二输出端。
14.如权利要求13所述的差动可变电容元件，另包括 第三井区与第四井区，设于该基底中，并沿着该第一方向依序排列，且该第三井区与该第四井区具有该第二导电类型； 三个第五掺杂区，设于该第三井区中，并沿着该第一方向排列，且该三个第五掺杂区具有该第二导电类型； 三个第六掺杂区，设于该第四井区中，并沿着该第一方向排列，且该三个第六掺杂区具有该第二导电类型； 第五栅极与第六栅极，设于该第三井区上，并分别位于任两相邻的该三个第五掺杂区之间，且沿着该第一方向排列；以及 第七栅极与第八栅极，设于该第四井区上，并分别位于任两相邻的该三个第六掺杂区之间，且沿着该第一方向排列。
15.如权利要求14所述的差动可变电容元件，其中该第五栅极与该第七栅极电性连接至该第一输出端，且该第六栅极与该第八栅极电性连接至该第二输出端。
16.如权利要求14所述的差动可变电容元件，其中该第五栅极与该第七栅极电性连接至该第二输出端，且该第六栅极与该第八栅极电性连接至该第一输出端。
17.如权利要求14所述的差动可变电容元件，其中该第一井区、该第二井区、该第三井区以及该第四井区电性连接至第三输出端。
18.如权利要求12所述的差动可变电容元件，其中该第一栅极与该第二栅极电性连接至第一输出端，且该第三栅极与该第四栅极电性连接至第二输出端。
19.一种差动可变电容元件，包括 多个差动可变电容单元，分别具有二个栅极，且各差动可变电容单元的该二个栅极分别电性连接至第一输出端与第二输出端，其中该多个差动可变电容元件具有调谐比值，且该调谐比值大于4。
20.如权利要求19所述的差动可变电容元件，另包括井区，且该多个差动可变电容单元设于该井区上。
21.如权利要求19所述的差动可变电容元件，另包括多个井区，且各差动可变电容单元分别设于各井区上。
22.如权利要求19所述的差动可变电容元件，其中电性连接至该第一输出端的各栅极与电性连接至该第二输出端的各栅极沿着方向交错排列。
全文摘要
本发明公开了一种差动可变电容元件，其包括具有第一导电类型的基底、具有第二导电类型的井区、具有第二导电类型的五个掺杂区以及第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极。井区设于基底中，且掺杂区设于井区中，并沿着同一方向排列。第一栅极、第二栅极、第三栅极与第四栅极分别设于任两相邻的掺杂区之间的井区上，且沿着第一方向依序排列。
文档编号H01L27/08GK102891144SQ20111020134
公开日2013年1月23日 申请日期2011年7月19日 优先权日2011年7月19日
发明者李岳勋, 陈正雄, 王梦凡 申请人:联华电子股份有限公司