专利名称：可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程的制作方法
技术领域：
本发明关于一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，其目的系将提升非晶硅薄膜太阳能电池的发电效率。
背景技术：
由于能源价格高涨，全球各地皆再寻求替代的绿色能源，非晶硅太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。目前，业界大多采用传统非晶硅PIN堆栈结构制程制作太阳能电池，但此方式仍有低发电效率的缺点存在，其是造成太阳能电池价格过高，无法有效普及化应用于生活中的一大因素。
发明内容
本发明主要目的系一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，此技术方法其结构利用P层微晶硅取代传统的P层非晶硅，并增加一层宽能隙的非晶硅半导体层于P型微晶硅半导体层及本质型半导体层之间，其目的在于能够获得更高的发电效率。一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，其特征在于，包含了 一透明玻璃基板；—第一透明导电层，位于该透明导电层上；一 P型微晶硅半导体层，位于该第一透明导电层上；一宽能隙非晶硅半导体层，位于该P型维晶半导体层上；一本质型半导体层，位于该宽能隙非晶硅半导体层上；一 N型非晶硅半导体层，位于该本质型半导体层上；一第二透明导电层，位于该N型非晶硅半导体层上；—外透明玻璃基板，位于该第二透明导电层上。其中，该透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。其中，该P型微晶硅半导体层，取代传统的P型非晶硅半导体层。其中，该宽能隙非晶硅半导体层，为新增加制程，能更有效增加太阳能电池中的电子与电洞的结合。与传统非晶硅太阳能电池技术作比较，本发明具有的有效效益为本发明所使用的新型非晶硅薄膜太阳能电池制程，包含了透明玻璃基板、第一透明导电层、P型微晶硅半导体层、宽能隙非晶硅半导体层、本质型半导体层、N型非晶硅半导体层、第二透明导电层及外透明玻璃基板。利用P型微晶硅半导体层及宽能隙非晶硅半导体层，有效提升电子及电洞对的结合，进而有效提升非晶硅薄膜太阳能电池的效率，并降低生产成本达到符合市场需求的目的。
具体实施例方式兹将本发明配合附图，详细说明如下参照图一，是本发明可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程的流程图。参照图二，是本发明非晶硅薄膜太阳能电池的新型结构图，其中包含了透明玻璃基板I、第一透明导电层2、p型微晶硅半导体层3、宽能隙非晶硅半导体层4、本质型半导体层5、N型非晶硅半导体层6、第二透明导电层7及外透明玻璃基板8。为了能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率，其光吸收层依序堆栈如下P型微晶硅半导体层3、宽能隙非晶硅半导体层4、本质型半导体层5及N型非晶硅半导体层6。当太阳光照射在PN接面时，会有部分原子得到能量，进而形成自由电子，而失去电子的·原子将会形成电洞，通过P型及N型半导体分别吸引电子与电洞，把正电及负电分离，因此在PN接面的两端形成一电位差，接着在导电层上接上电路，使电子可以通过并在PN接面的另一端再次结合电子与电洞对，即可利用导线将电能输出。因此，本发明所使用的P型微晶半导体层3与宽能隙非晶硅半导体层4，其目的皆在提高电子与电洞对的结合效率，当提高电子与电洞对的结合效率，即可获得更高的发电效率，并能有效降低生产成本及符合市场需求。以上说明，对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。第一图是本发明之新型制程的流程方块示意图。第二图是本发明之新型结构图主要组件符号说明I···透明玻璃基板2...第一透明导电层3. . .P型微晶硅半导体层4...宽能隙非晶硅半导体层5...本质型半导体层6. . .N型非晶硅半导体层7···第二透明导电层8...外透明玻璃基板
权利要求
1.一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，此技术方法其结构利用P层微晶硅取代传统的P层非晶硅，并增加一层宽能隙的非晶硅半导体层于P型微晶硅半导体层及本质型半导体层之间，其目的在于能够获得更高的发电效率。
2.根据权利要求I所述的一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，其中透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
3.根据权利要求I所述的一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，其中该P型微晶硅半导体层，取代传统的P型非晶硅半导体层，提升光电转换效率。
4.根据权利要求I所述的一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，其中该宽能隙非晶硅半导体层，为新增加制程，能更有效增加太阳能电池中的电子与电洞的结合。
全文摘要
本发明主要目的系一种可有效提升非晶硅薄膜太阳能电池发电效率的新型制程，此技术方法其结构利用P层微晶硅取代传统的P层非晶硅，并增加一层宽能隙的非晶硅半导体层于P型微晶硅半导体层及本质型半导体层之间，其目的在于能够获得更高的发电效率。
文档编号H01L31/20GK102931292SQ20111022940
公开日2013年2月13日 申请日期2011年8月11日 优先权日2011年8月11日
发明者陈政宏, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司