专利名称：改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术的制作方法
技术领域：
本发明是一种是一种运用在双结薄膜太阳能电池的新技术。在双结的接面上多加上一道制程，形成良好的穿隧效应，使双结薄膜太阳能电池效率达到加成效果，以增加太阳能电池发电效率。
背景技术：
由于现在太阳能产业为了有效提升太阳能电池效率，纷纷由单结太阳能电池转成双结太阳能电池。而双结太阳能电池在串联两个电池时，其接面扮演相当重要的角色，若无良好的穿隧结产生，两个太阳能电池堆栈在一起将无法有加乘效果，所以能在此接面产生 良好的穿隧结，将可大大提升太阳能电池之效率，增加其产业竞争力。发明说明
本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。具体实施方法
吾将本发明搭配附图，详细说明如下图1为本发明改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术之制程示意图，由图中可得知，先于基板(I)上先后镀制电极(2)和一单结薄膜太阳能电池(3)，之后在镀制完成的太阳能电池表面上，再镀制一层透明氧化层，在此接面形成一些额外的缺陷层(4)，之后再镀制上第二层薄膜太阳能电池(5)和电极(6)，即完成有良好穿隧结之高效能双结薄膜太阳能电池。图2为本发明改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术之内建电场图，由图可得知，在第一(3)、二(5)层薄膜太阳能电池内部所形成之内建电场方向(7)是一样的，但在双结接面上，因为第一层N型薄膜层(3-1)与第二层P型薄膜层(5-1)容易形成反方向之内建电场，将影响载子的传递，在此接面加镀制一层透明氧化层⑷制程，可有效抵制反巷内建电场形成，同时也因为此层为透明薄膜层，并不会影响光行进，有效提升双结薄膜太阳能电池之效率，增加太阳能产业进争能力。以上说明，对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。
下面为结合附图对本发明进一步说明图1为本发明改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术之制程示意图。图2为本发明改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术之内建电场图。图标主要符号说明1…基板2…电极3…第一层薄膜太阳能电池3-1.第一层薄膜太阳能电池之P型薄膜层4…透明氧化层5…第二层薄膜太阳能电池5-1.第二层薄膜太阳能电池之N型薄膜 层6…电极7…内建电场方向。
权利要求
1.本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。
2.根据权利要求1所叙述的一种改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术，皆适用于N-1-P(N-P)或P-1-N(P-N)型薄膜太阳能电池，只要为双结太阳能电池，运用此技术，皆属于本发明之权利要求。
3.根据权利要求1所叙述的一种改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术，在双结接面镀制一层透明氧化层，在此接面形成一些额外的缺陷层，有效阻止载子分离形成反向的内建电场，同时也因为此层为透明薄膜层，并不会影响光行进。
全文摘要
本发明为改善穿隧效应之高效率双结薄膜太阳能电池技术，主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处，利用透明氧化层本身内部现有之缺陷，而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率，有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场，获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结，若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构，此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉积结晶之质量，大大提升薄膜太阳能电池之效能。
文档编号H01L31/18GK103022224SQ20111028236
公开日2013年4月3日 申请日期2011年9月22日 优先权日2011年9月22日
发明者简唯伦, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司