专利名称：绝缘膜结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种用于保护在各种电子材料中使用的绝缘膜的绝缘膜结构及其制造方法。
背景技术：
近年来，随着数字电子产品的集成化和多功能性的不断增加，高技术产品的功能也在持续提升。尤其是，对于印刷电路板(PCB),增强型绝缘膜(buildup insulating film)被用于实现高规格所需的厚度减小、高集成度和微电路。这样的绝缘膜可由两种材料制成一种是在流延处理(casting process)中用于转移(transfer)的底膜，而另一种是在流延处理后用于保护绝缘材料的覆盖膜。用作这两种材料的膜需要具有不同的功能。底膜包括防滑性，以使得绝缘膜被顺利地转移。此外，底膜包括释放性(releaseproperty)，以使得底膜在应用于产品时能够从产品上顺利地释放。而且，保护膜包括层压性，以稳定地保护绝缘膜。此外，保护膜包括释放性，以使得保护膜在应用于产品时能够从产品上顺利释放。如图I所示，根据现有技术的绝缘膜结构被制造成卷状，并包括三层结构，其中，绝缘膜2在未经表面处理的底膜(PET) I上流延形成，而后保护膜3被形成在绝缘膜2上。保护膜3包括易用于层压的粘合剂。当将具有上述配置的卷状绝缘膜结构应用于产品时，如图2所示，出现了这样的问题当将保护膜3从底膜I分离时，绝缘膜2也被剥离。其原因在于，包含在具有上述配置的绝缘膜结构中的各层不具备特定的形体(given physicality)。这就需要开发与各种电子材料(包括印刷电路板)均相匹配的增强型绝缘膜。
发明内容
本发明意在解决上述问题，因此，本发明的目的在于提供一种具有简单配置的绝缘膜结构，该绝缘膜结构降低了当被用于各种电子材料时所产生的废品率。此外，本发明的另一目的在于提供一种制造绝缘膜结构的方法。根据达到此目的的本发明的一个方面，提供了一种具有绝缘膜层和底膜层的双层结构的绝缘膜结构，其中，底膜层包括形成在底膜层的与绝缘膜层接触的一侧上的释放层，以及形成在底膜层的另一侧上的表面处理层。优选地，形成在底膜层上的释放层的释放力在30gf至IOOOgf的范围内。
形成在底膜层上的表面处理层的表面经受粗化处理。优选地，形成在底膜层上的表面处理层的层压力在34达因至40达因的范围内。优选地，形成 在底膜层上的表面处理层的表面电阻在IOltlQ至IO12Q的范围内。底膜层由PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)和PE(聚乙烯)的任何一种形成。优选地，绝缘膜由B级树脂和C级树脂一种形成。此外，根据达到此目的的本发明的另一个方面，提供了一种制造绝缘膜结构的方法，包括在底膜层的一侧形成释放层；形成在底膜层的另一侧形成的表面处理层；以及在其上形成了释放层的底膜层上流延绝缘膜。优选地，释放层通过硅基释放处理或氟基释放处理形成。优选地，表面处理层由使用茂金属催化剂制成的聚烯烃树脂，和由PP (聚丙烯)/PE(聚乙烯)嵌段共聚物制成的膜的一种形成。根据本发明的方法进一步包括粗化表面处理层的表面。而且，该粗化包括对底膜层执行物理和化学处理。因此，本发明不需要另外配置的保护绝缘膜的保护膜层。此外，根据本发明的绝缘膜结构被制造成具有绝缘膜层和底膜层的双层结构，从而降低了制造该绝缘膜所需的材料的采购成本，并由此降低了制造后所产生的废物的处理成本。此外，在卷状绝缘膜中，可将绝缘膜的厚度减小保护膜层的厚度量级，这进一步增加了将绝缘膜缠绕成卷的封装。此外，具有上述配置的绝缘膜结构可被用于保护在电子材料中使用的绝缘膜。此夕卜，可以避免当被用于实际产品时底膜层分离的问题。
结合附图，通过对实施方式的如下描述，本发明一般性概念的这些和/或其他方面以及优点将变得显而易见且更容易被理解，其中图I是根据现有技术的绝缘膜结构的截面图；图2是示出当将根据现有技术的绝缘膜结构应用于实际产品时所产生的问题的截面图；图3是根据本发明的一个示例性实施方式的绝缘膜结构的截面图；以及图4是根据本发明的一个示例性实施方式的绝缘膜结构的截面图。
具体实施例方式在下文中，将参照附图对本发明的具体实施方式
进行描述。然而，所提供的下述实施方式仅作为实例而并不意在将本发明限定于此。将省略对众所周知的部件及处理技术的描述从而不会给本发明实施方式造成不必要的含糊。以下术语考虑到本发明的功能而定义，并且可根据用户或操作人员的意图或习惯而改变。因此，这些术语应基于本说明书通篇所描述的内容来定义。本发明的技术思想应由所附权利要求来限定，而下述实施方式仅是用于向本领域技术人员有效描述本发明技术思想的实例。根据本发明的绝缘膜结构不需要另外配置的用来保护绝缘膜的保护膜层。此外，根据本发明的绝缘膜结构被制造成具有绝缘膜层和底膜层的双层结构。释放层形成在底膜层的与绝缘膜层接触的一侧，而表面处理层(surface-treated layer)形成在底膜层的另一侧。因此，根据本发明的绝缘膜结构起到底膜层和保护膜层的双重作用。在根据本发明的绝缘膜结构中，底膜层包括防滑性，以使得形成在底膜层上的绝缘膜被顺利转移。此外，底膜层还包括释放性，以使得底膜在应用于产品时能被顺利地分离。为此，释放层形成在其上流延绝缘膜的表面上。优选地，释放层通过硅基释放处理或氟基释放处理形成，但并不限于此。形成在底膜层上的释放层的释放力优选在30gf至IOOOgf的范围内。当释放层的释放力大于IOOOgf时，在基板制造处理过 程中，底膜在涂覆绝缘膜之后不能顺利地去除，这导致了绝缘膜的表面缺陷。同时，当释放层的释放力小于30gf时，在应用至绝缘膜时，绝缘膜可能被转移至形成在底膜层上的释放层的相对侧。随后，为获得将层压在绝缘膜上的保护膜层的特性，对底膜层的其上流延了绝缘膜的相对侧进行表面处理。通过使用茂金属催化剂(metallocene catalytic agent)制成的聚烯烃树脂和PP (聚丙烯)/PE (聚乙烯)嵌段共聚物的一种执行表面处理，但并不限于此。在这种情况下，形成在底膜层上的表面处理层的层压力设定在34达因至40达因的范围内。将表面处理层的层压力设定为低于34达因会导致绝缘膜与保护膜层之间不均匀的层压。同时，将表面处理层的层压力设定为超过40达因会导致在基板制造处理过程中在去除保护膜层时，绝缘膜被转移至保护膜层。此外，形成在底膜层上的表面处理层的表面电阻优选被设定在IOltlQ至IO12Q的范围内。对于IOltlQ至IO12Q的表面电阻，在表面处理层的表面上会表现出抗静电效应。这防止了空气中的灰尘通过在去除保护膜层时产生的静电而附着至绝缘膜上。因此，根据本发明的底膜层扩展了关于保护膜层和底膜层的两种不同特性。此外，对表面处理层执行粗化处理，使得当被应用于产品时，进一步提高对卷状产品的间接处理效率，这使得将被层压的表面之间的接触面积最小化。这使得缠绕成卷的绝缘膜的展开变得容易。粗化处理包括对底膜层执行物理和化学处理。因此，可获得精细的粗糙度。在根据本发明的绝缘膜结构中，底膜层可由PET、PP和PE的任何一种形成，并可优选由PET形成，但并不限于此。在根据本发明的绝缘膜结构中，绝缘膜可由B级树脂或C级树脂制成，但并不限于此。在下文中，将对根据本发明的绝缘膜结构的制造方法进行描述。根据本发明的绝缘膜结构的制造方法包括在底膜层的一侧上形成释放层，形成在底膜层的另一侧上形成的表面处理层，以及在其上形成了释放层的底膜层上流延绝缘膜。形成在底膜层的一侧上的释放层通过硅基释放处理或氟基释放处理形成。硅涂覆为将作为有机硅化合物的硅树脂涂覆在底膜层的表面上的处理。本文中，使用了所描述的硅树脂，但并不限于此。例如，在处理底膜层的表面的过程中，可以使用各种类型的硅树脂。 氟基释放处理是用氟树脂代替硅树脂涂覆在底膜层的表面上的处理。本文中，使用了所描述的氟树脂，但并不限于此。例如，可以使用能够提供释放特性的各种类型的硅树脂。优选地，将释放层的厚度设定在0. 3微米至0. 4微米的范围内，以获得30gf至IOOOgf范围内的释放力。随后，在底膜层的其上形成了释放层的相对侧上形成表面处理层。表面处理层可由通过使用茂金属催化剂制成的聚烯烃树脂，或PP (聚丙烯)/PE (聚乙烯)嵌段共聚物中的一种形成。此外，根据本发明的绝缘膜结构制造方法可以进一步包括粗化表面处理层的表面。粗化处理包括对底膜层执行物理和化学处理。这获得了精细的粗糙度。对表面处 理层进行粗化使得将被层压的表面之间的接触面积最小化。这使得缠绕成卷的绝缘膜的展开变得容易。图3是示出根据本发明一个示例性实施方式的绝缘膜结构的截面图。如图3所示，根据一个示例性实施方式的绝缘膜结构100包括具有绝缘膜层10和底膜层20的双层结构。首先，通过将硅或氟树脂涂覆在与绝缘膜层10接触的底膜层20的一侧上形成释放层21。作为一个实例，底膜可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。此外，通过将由使用茂金属催化剂制成的聚烯烃树脂，或由PP (聚丙烯)/PE (聚乙烯)嵌段共聚物制成的膜涂覆在底膜层20的另一侧上形成表面处理层22。因此，根据本发明的底膜层20包括释放层21和表面处理层22，起到底膜层和保护膜层的双重作用。形成在底膜层20上的释放层21的释放力在30gf至IOOOgf的范围内。形成在底膜层20上的表面处理层22的层压力在34达因至40达因的范围内。此夕卜，表面处理层22的表面电阻在IOiciQ至IO12 Q的范围内。随后，通过将环氧树脂流延在其上形成了释放层21的底膜层20上形成绝缘膜层10。优选地，底膜层20可以由环氧树脂形成。此外，可以B级(即，部分固化态)或C级(即，完全固化态)形成底膜层20。此外，根据本发明的绝缘膜结构制造方法可以进一步包括粗化表面处理层22的表面。结果，如图4所示，该粗化使得表面处理层22具有恒定的粗糙度23。通过这种配置，使用缠绕成卷的绝缘膜结构能使得绝缘膜的展开变得容易。尽管已参照其优选实施方式对本发明进行了详细描述，但本领域技术人员需要理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可对这些实施方式进行变形。因此，本发明的范围应当由所附权利要求及等同替换，而不是由所述实施方式来限定。
权利要求
1.一种具有绝缘膜层和底膜层的双层结构的绝缘膜结构， 其中，所述底膜层包括 释放层，形成在所述底膜层的与所述绝缘膜层接触的一侧上； 以及 表面处理层，形成在所述底膜层的另一侧上。
2.根据权利要求I所述的绝缘膜结构，其中，形成在所述底膜层上的所述释放层的释放力在30gf至IOOOgf的范围内。
3.根据权利要求I所述的绝缘膜结构，其中，形成在所述底膜层上的所述表面处理层的表面经受粗化处理。
4.根据权利要求I所述的绝缘膜结构，其中，形成在所述底膜层上的所述表面处理层的层压力在34达因至40达因的范围内。
5.根据权利要求I所述的绝缘膜结构，其中，所述表面处理层的表面电阻在IOltlQ至IO12Q的范围内。
6.根据权利要求I所述的绝缘膜结构，其中，所述底膜层由PET、PP和PE的任何一种形成。
7.根据权利要求I所述的绝缘膜结构，其中，绝缘膜由B级树脂和C级树脂的一种形成。
8.—种制造绝缘膜结构的方法，包括 在底膜层的一侧上形成释放层； 形成在所述底膜层的另一侧上形成的表面处理层；以及 在其上形成了所述释放层的所述底膜层上流延绝缘膜。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过硅基释放处理或氟基释放处理形成所述释放层。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述表面处理层由PP(聚丙烯)/PE (聚乙烯)嵌段共聚物和使用茂金属催化剂制成的聚烯烃树脂中的一种形成。
11.根据权利要求8所述的方法，进一步包括粗化所述表面处理层的表面。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述粗化包括在所述底膜层上执行物理和化学处理。
全文摘要
本发明提供了一种绝缘膜结构及其制造方法，所述绝缘膜结构具有简单的配置，降低了当被用于各种电子材料时所产生的废品率，所述绝缘膜结构包括具有绝缘膜层和底膜层的双层结构，其中，底膜层包括形成在底膜层的与绝缘膜层接触的一侧上的释放层，以及形成在底膜层的另一侧上的表面处理层。
文档编号H01B17/60GK102637496SQ201210031689
公开日2012年8月15日 申请日期2012年2月13日 优先权日2011年2月14日
发明者朴文秀, 李春根, 林成泽, 申东周, 金成贤 申请人:三星电机株式会社