专利名称：基板框架抽吸装置及其控制方法
技术领域：
实施例涉及一种基板框架抽吸装置，该基板框架抽吸装置抽吸并且固定基板框架。
背景技术：
当制造并且测试半导体封装时，基板框架抽吸装置被用于抽吸并且固定基板框架。基板框架支撑被附接到此的半导体，以便形成半导体封装。为了抽吸基板框架，基板框架抽吸装置包括主体，该主体具有被限定在其中的顶侧开放的腔室；抽吸板，该抽吸板覆盖开放的腔室并且被提供有多个吸气孔；以及压力调节设备，该压力调节设备被连接到腔室以调节腔室中的压力。 因此，当腔室使用压力调节设备达到负压状态时，负压(真空压力)被转移到基板框架，并且进而与吸气孔相对应的基板框架的部分被抽吸到抽吸板，使得基板框架被固定到基板框架抽吸装置。基板框架和附接到框架的半导体被测试，同时基板框架被固定到基板框架抽吸装置。
发明内容
至少一个实施例提供了一种基板框架抽吸装置，该基板框架抽吸装置能够以稳定的方式抽吸基板框架。实施例的其它方面将会在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地根据描述将是显然的，或者可以通过本发明的实践来获知。在一个实施例中，基板框架抽吸装置可以包括主体，该主体具有至少一个顶侧开放的腔室；抽吸板，该抽吸板是由多孔材料制成以覆盖至少一个腔室的顶侧；以及压力调节设备，该压力调节设备被连接到至少一个腔室以调节至少一个腔室中的压力。至少一个腔室可以包括使用分隔壁被限定在主体中的多个腔室。压力调节设备可以被连接到相应的腔室，以便实现对于多个腔室的单独压力调节。在一个实施例中，提供一种控制基板框架抽吸装置的方法，该装置包括多个腔室、抽吸板和压力调节设备以抽吸基板框架。该方法可以包括使用压力调节设备使多个腔室顺次地进入负压状态，使得与多个腔室分别相对应的基板框架的部分被顺次地抽吸到抽吸板。使多个腔室顺次地进入负压状态可以按照从与基板框架的一个侧端相对应的腔室到与基板框架的另一个侧端相对应的腔室的顺序发生。使多个腔室顺次地进入负压状态可以按照从与基板框架的中心相对应的腔室到与基板框架的两个侧端分别相对应的腔室的顺序发生。该方法可以进一步包括使用压力调节设备使多个腔室顺次地进入正压状态，使得与多个腔室分别相对应的基板框架的部分被顺次地与抽吸板分尚。
使多个腔室顺次地进入正压状态可以按照从与基板框架的一个侧端相对应的腔室到与基板框架的另一侧端相对应的腔室的顺序发生。使多个腔室顺次地进入正压状态可以按照从与基板框架的两个侧端分别相对应的两个腔室到与基板框架的中心相对应的腔室的顺序发生。如上所述，根据本发明的一个方面的基板框架抽吸装置可以通过由多孔材料制成的抽吸板来抽吸基板框架，并且因此可以均匀地抽吸基板框架的整个表面。此外，基板框架抽吸装置可以包括被限定在主体中的多个腔室，并且因此可以使用压力调节设备按部分顺次地抽吸基板框架部分。以这种方式，基板框架抽吸装置可以减少或者防止在抽吸基板框架的过程中可能以其它方式发生的基板框架的弯曲或者扭曲。
根据下面结合附图进行的简要描述，将更加清楚地理解示例实施例。图I-图7表 示没有限制的在此描述的示例实施例。图I是根据实施例的基板框架抽吸装置的透视图；图2至图4是图示根据实施例的基板框架抽吸装置的操作的侧视图；以及图5至图7是图示根据另一实施例的基板框架抽吸装置的操作的侧视图。应当注意的是，这些附图旨在图示在某些示例实施例中利用的方法、结构和/或材料的普通特性并且补充下面提供的书面描述。然而，这些附图没有定标并且可以不精确地反映任何给定的实施例的精确的结构或者性能特性，并且不应当被解释为限定或者限制由示例实施例包含的值或者属性的范围。例如，为了清楚起见，分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位可以被减少或者被夸大。在各个附图中的相似的或者相同的附图标记的使用旨在指示相似的或者相同的元件或者特征的存在。
具体实施例方式现在将参考附图更加全面地描述示例实施例，在附图中示出了示例实施例。然而，示例实施例可以以多种不同的形式具体化并且不应被解释为限于在此阐述的实施例；而是，这些实施例被提供使得本公开将透彻的和全面的，并且对本领域的普通技术人员来说将完全地传达示例实施例的概念。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被夸大。附图中相同的附图标记表示相同的元件，并且因此将省略它们的描述。将理解的是，当元件被称为“被连接”或者“被耦合”到另一元件时，其能够被直接地连接或者耦合到另一元件或者中间元件可以存在。相反地，当元件被称为“被直接地连接”或者“被直接地耦合”到另一元件时，没有中间元件存在。相同的附图标记通篇指示相同的元件。如在此所使用的术语“和/或”包括所关联的列表项目中的一个或者多个的任何和所有组合。应当以相同的方式(例如，“之间”对“直接在之间”、“相邻”对“直接相邻”、“在上面”对“直接在上面”)解释被用于描述元件或者层之间的关系的其它词语。将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等等可以在此被用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部件，但是不应当通过这些术语来限制这些元件、组件、区域、层以及/或者部件。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或者部件与另一元件、组件、区域、层或者部件。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，在下面论述的第一元件、组件、区域、层或者部件可被称为第二元件、组件、区域、层或者部件。诸如“在下面”、“在下方”、“较低的”、“在上面”、“上面的”等等的空间相对术语可以在此为方便描述被用于描述如附图中图示的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包含除了在附图中描述的取向之外的正在使用或者操作的设备的不同取向。例如，如果附图中的设备被颠倒，则被描述为在另一元件的“下方”或者“下面”的元件或者特征的元件将被取向在其它的元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“在下方”能够包含在上面和在下方的取向。设备可以以其它的方式被取向(旋转90度或者在其它取向)并且因此在此使用的空间相对叙述语被解释。在此使用的术语是为了仅描述特定的实施例并且不旨在限制示例实施例。如在此使用的，单数形式“一”、“一个”以及“这个”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。将进一步理解的是，如在此使用的，术语“包括”、“包括”、“包括”和/或“包括”指定了陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、以及/或者组件的存在，但是没有排除一个或者多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件、和/或其组的存在或者添加。参考作为示例实施例的理想化的实施例(和中间结构)的示意性图示的横截面图在此描述了示例实施例。同 样，应当预料到由于例如制造技术和/或公差的图示的形状的变化。因此，示例实施例不应当被解释为限于在此图示的区域的特定形状，而是应当包括例如由于制造引起的形状的偏差。例如，图示为矩形的注入的区域可以在其边缘处具有圆形的或者弯曲的特征和/或梯度的注入浓度，而不是从注入的到非注入的区域的二进制改变。同样地，通过注入形成的掩埋区域可能导致在掩埋区域和由此发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在附图中图示的区域在本质上是示意性的并且其形状并不旨在图示设备的区域的实际形状并且并不旨在限制示例实施例的范围。除非另有定义，在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的相同意义。进一步将理解的是，诸如在常用的字典中所定义的术语应被解释为具有与在有关领域的上下文中的意义一致的意义，并且将不会以理想化的或者过度形式意义来解释，除非在此清楚地如此定义。下面，将参考附图详细地描述根据实施例的基板框架抽吸装置。如图I中所示，基板框架抽吸装置20包括主体21，该主体21具有至少一个顶侧开放的腔室21a ;抽吸板22，该抽吸板22覆盖至少一个腔室21的顶侧并且抽吸基板框架10 ；以及压力调节设备23，该压力调节设备23通过连接管24被连接到至少一个腔室21a以调节至少一个腔室21a中的压力。在本示例性实施例中，抽吸板22是由如在海绵体中具有微孔的多孔材料制成，并且被配置成根据至少一个腔室21a中的压力来抽吸基板框架10。具体地，当至少一个腔室21中的压力使用压力调节设备23变成负压时，在由多孔材料制成的抽吸板22的微孔处产生吸力并且因此基板框架10被抽吸到抽吸板22。另一方面，当至少一个腔室21a中的压力使用压力调节设备23变成正压时，在抽吸板22处产生的吸力消失并且因此基板框架10与抽吸板22分离。在实施例中，抽吸板可以是由其中具有微孔的硅材料制成。因为抽吸板22是由多孔材料制成，所以经由形成在抽吸板22中的微孔向基板框架10的整个表面均匀地施加吸力。因此，可以防止吸力集中在基板框架10的特定部分或者可以减少基板框架10的特定部分上的吸力的集中。结果，可以抑制被抽吸的基板框架10的弯曲，如果吸力集中在基板框架10的特定部分处，则这可以以其它方式发生。在这个示例实施例中，至少一个腔室21a包括使用多个分隔壁21b被限定在主体21中的多个腔室21a。相应的腔室21a单独地被连接到压力调节设备23，使得单独地控制每个腔室21a中的压力。因此，通过使用压力调节设备23单独地调节相应的腔室21a中的压力，吸力可能仅被选择性地施加到与多个腔室21a分别相对应的抽吸板22的部分。通过使用多孔材料来形成抽吸板22并且通过分隔壁21b来限定多个腔室21a，可以将吸力通过形成在抽吸板22中的微孔甚至转移到与分隔壁21b相对应的抽吸板22的部分。以这种方式，可以抑制基板框架10的弯曲，当不同的吸力分别被施加到基板的不同部分时，这可以以其它方式发生。在下文中，将详细地描述如上所述控制基板框架抽吸装置的方法。如图2中所示，当所有的腔室21a是处于正压状态时，基板框架10被放置在抽吸 板22上。另一方面，通过在将半导体安装在基板框架10的过程中施加的热或者压力，可以部分地或者整体地弯曲基板框架10。当基板框架10居留于抽吸板22上时，压力调节设备23通过从腔室21a抽吸空气来使腔室21a中的每一个顺次地进入负压状态。以这种方式，通过使腔室21a中的每一个进入负压状态，仅在与相应的腔室21a相对应的抽吸板22的部分处可以产生吸力，并且进而与相应的腔室21a相对应的基板框架10的部分被抽吸到抽吸板22。在这个示例实施例中，如图3至图5中所示，使腔室21a中的每一个顺次地进入负压状态按照从与基板框架10的一个侧端相对应的腔室21a到与基板框架10的另一侧端相对应的腔室21a的顺序发生。通过控制压力调节设备21使腔室21a中的每一个顺次地进入负压状态的这个方式，基板框架10可以从基板框架10的一个侧端到基板框架10的另一侧端被部分地或者顺次地抽吸到抽吸板22。通过使基板框架10能够从框架10的一个侧端到框架10的另一侧端被部分地并且顺次地抽吸到抽吸板22，可以抑制基板框架10的扭曲或者弯曲，如果当基板框架的整个表面被马上抽吸到抽吸板时，则这可能以其它方式发生。在基板框架10已经被抽吸到抽吸板22之后，使用测试仪开始测试基板框架10和部署在框架10中的半导体。一旦完成测试处理，则使用压力调节设备23使腔室21a中的每一个顺次地进入正压状态。使腔室21a中的每一个顺次地进入正压状态按照从与基板框架10的一个侧端相对应的腔室21a到与基板框架10的另一侧端相对应的腔室21a的顺序发生。以这种方式，在抽吸板22处不再产生吸力并且因此基板框架10可以与抽吸板22分离。以这种方式，通过使腔室21a中的每一个顺次地进入正压状态，在抽吸处理期间被变形的基板框架10的部分可以被恢复到其原始的形状，从而最小化基板框架10的移动。在上面的示例实施例中，控制压力调节设备22，使得使腔室21a中的每一个顺次地进入负压状态按照从与基板框架10的一个侧端相对应的腔室21a到与基板框架10的另一侧端相对应的腔室21a的顺序发生。然而，本发明不限于此。替代地，如图6和图7中所示，可以以使腔室21a中的每一个进入负压状态按照从与基板框架10的中心相对应的腔室21a到与基板框架10的两个侧端分别相对应的两个腔室21a的顺序发生的这样的方式来控制压力调节设备23。
以这种方式，可以使用压力调节设备23使腔室21a两个接两个地顺次地进入负压状态。因此，基板框架10可以被更快速地抽吸到抽吸板22。一旦完成对基板框架10的测试处理，则控制压力调节设备23，使得使腔室21a中的每一个顺次地进入正压状态可以按照从与基板框架10的两个侧端分别相对应的两个腔室21a到与基板框架10的中心相对应的腔室21a的顺序发生。虽然已经特别地示出和描述了示例实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下可以在其中进行 形式和细节上的变化。
权利要求
1.一种基板框架抽吸装置，包括 主体，所述主体具有至少一个顶侧开放的腔室； 抽吸板，所述抽吸板是由多孔材料制成，以覆盖所述至少一个腔室的顶部；以及 压力调节设备，所述压力调节设备被连接到所述至少一个腔室并且被配置成调节所述至少一个腔室中的压力。
2.根据权利要求I所述的装置，其中所述至少一个腔室包括使用分隔壁被限定在所述主体中的多个腔室，并且 所述压力调节设备被连接到相应的腔室，以便实现所述多个腔室的单独压力调节。
3.—种控制基板框架抽吸装置的方法，所述基板框架抽吸装置包括多个腔室、抽吸板和压力调节设备以抽吸基板框架，所述方法包括 使用所述压力调节设备，使所述多个腔室中的每一个顺次地进入负压状态，使得与所述多个腔室分别相对应的所述基板框架的部分被顺次地抽吸到所述抽吸板。
4.根据权利要求3所述的方法，其中使所述多个腔室顺次地进入所述负压状态的步骤按照从与所述基板框架的一个侧端相对应的腔室到与所述基板框架的另一个侧端相对应的腔室的顺序发生。
5.根据权利要求3所述的方法，其中使所述多个腔室顺次地进入所述负压状态的步骤按照从与所述基板框架的中心相对应的腔室到与所述基板框架的两个侧端分别相对应的两个腔室的顺序发生。
6.根据权利要求3所述的方法，进一步包括 使用所述压力调节设备，使所述多个腔室中的每一个顺次地进入正压状态，使得与所述多个腔室分别相对应的所述基板框架的所述部分被顺次地与所述抽吸板分离。
7.根据权利要求6所述的方法，其中使所述腔室中的每一个顺次地进入所述正压状态的步骤按照从与所述基板框架的一个侧端相对应的腔室到与所述基板框架的另一侧端相对应的腔室的顺序发生。
8.根据权利要求6所述的方法，其中使所述腔室中的每一个顺次地进入所述正压状态的步骤按照从与所述基板框架的两个侧端分别相对应的两个腔室到与所述基板框架的中心相对应的腔室的顺序发生。
全文摘要
本发明涉及一种基板框架抽吸装置及其控制方法。在一个实施例中，基板框架抽吸装置包括主体，该主体具有至少一个顶侧开放的腔室；抽吸板，该抽吸板覆盖至少一个腔室的顶部；以及压力调节设备，该压力调节设备被连接到至少一个腔室并且被配置成调节至少一个腔室中的压力。
文档编号H01L21/683GK102820249SQ20121018654
公开日2012年12月12日 申请日期2012年6月7日 优先权日2011年6月7日
发明者朴渊默 申请人:三星电子株式会社