专利名称：一种传感器的制造方法
技术领域：
本发明涉及影像检测技术，特别是涉及一种传感器的制造方法。
背景技术：
随着人们自我保健意识的逐渐增强，各种无损伤医疗检测方法受到人们的青睐。在诸多的无损伤检测方法中，计算机断层扫描技术已经被广泛的应用到我们的现实生活中。在计算机断层扫描设备的组成中，必不可缺的一个部分就是传感器。传感器的基本结构如图I所示，该传感器12的每个感测单元包括一个光电二极管13和一个场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET) 14，场效应晶体管14的栅极与传感器12的扫描线(Gate Line) 15连接，场效应晶体管14的漏极与传感器12的数据线(Data Line) 16连接，光电二极管13与场效应晶体管14的源极连接；数据线16的一端通·过连接引脚17连接数据读出电路18。传感器的工作原理为传感器12通过扫描线15施加驱动扫描信号来控制场效应晶体管14的开关状态。当场效应晶体管14被打开时，光电二极管13产生的光电流信号依次通过与场效应晶体管14连接的数据线16、数据读出电路18而输出，通过控制扫描线15与数据线16上的信号时序来实现光电流信号的采集功能，即通过控制场效应管14的开关状态来实现对光电二极管13产生的光电流信号采集的控制作用。目前，传感器通常采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)平板结构,这种传感器在断面上分为多层，例如在一个感测单元内包括基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极与漏极层、钝化层、PIN光电传感器的PI结和透明电极窗口层，以及偏压线层和挡光条层等。当然，不同传感器由于具体结构的差异，在断面上的具体图层也不尽相同。通常，传感器的各个图层都是通过构图(MASK)工艺形成的，而每一次MASK工艺通常包括掩模、曝光、显影、刻蚀和剥离等工序。现有传感器在制造时通常需要采用9至11次构图工艺，这样就对应的需要9至11张光罩掩模板，传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升。
发明内容
本发明的目的是提供一种传感器的制造方法，用以解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升的技术问题。本发明传感器的制造方法，包括在衬底基板上形成数据线的图形、与数据线连接的漏极的图形、与漏极相对而置形成沟道的源极的图形、与源极连接的接收电极的图形、位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形；通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形；通过一次构图工艺形成位于有源层之上的栅极绝缘层的图形；
通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上的栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形和位于透明电极之上的偏压电极的图形。在本发明技术方案中，最终形成的传感器的薄膜晶体管器件为顶栅型结构，传感器的制造方法对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
图I为现有传感器的立体结构示意图；图2为本发明第一实施例传感器的制造方法流程示意图；图3为本发明第二实施例中步骤11的具体流程示意图；图4为本发明第三实施例中步骤11的具体流程示意图；·图5为本发明所制造的传感器的一个感测单元的俯视结构示意图；图6为传感器的多个呈阵列状排布的感测单元的俯视结构示意图；图7为步骤11后的截面视图(对应图5的A-A处)；图8为步骤11后的截面视图(对应图5的B-B处)；图9为步骤12后的截面视图(对应图5的A-A处)；图10为步骤12后的截面视图(对应图5的B-B处)；图11为步骤13后的截面视图(对应图5的A-A处)；图12为步骤13后的截面视图(对应图5的B-B处)；图13为步骤14后的截面视图(对应图5的A-A处)；图14为步骤14后的截面视图(对应图5的B-B处)；图15为步骤15后的截面视图(对应图5的A-A处)；图16为步骤15后的截面视图(对应图5的B-B处)；图17为步骤16后的截面视图(对应图5的A-A处)；图18为步骤16后的截面视图(对应图5的B-B处)。附图标记12-传感器13-光电二极管(现有技术)14-场效应晶体管15-扫描线16-数据线(现有技术) 17-连接引脚18-数据读出电路 30-栅线31-数据线32-衬底基板33-源极34-漏极35-欧姆层36-有源层37-栅极绝缘层38-栅极39-接收电极40-光电二极管41-透明电极42-偏压电极40a_N型半导体40b_I型半导体 40c-P型半导体43-钝化层30a-单栅线30b_双栅线50-薄膜晶体管器件51-光电二极管器件
具体实施例方式为了解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂的技术问题，本发明提供了一种传感器的制造方法。在本发明以下实施例中，所述传感器包含多种类型，例如X射线传感器等。如图2所示，本发明第一实施例传感器的制造方法，包括步骤11、在衬底基板32上形成数据线31的图形、与数据线31连接的漏极34的图形、与漏极34相对而置形成沟道的源极33的图形、与源极33连接的接收电极39的图形、位于接收电极39之上的光电二极管40的图形，以及位于光电二极管40之上的透明电极41的图形；该步骤后的截面结构请参照图7和图8所示；步骤12、通过一次构图工艺形成位于源极33和漏极34之上的欧姆层35的图形；该步骤后的截面结构请参照图9和图10所示；步骤13、通过一次构图工艺形成位于欧姆层35之上并覆盖沟道的有源层36的图形；该步骤后的截面结构请参照图11和图12所示；·步骤14、通过一次构图工艺形成位于有源层36之上的栅极绝缘层37的图形；该步骤后的截面结构请参照图13和图14所示；步骤15、通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层37之上的栅线30的图形、与栅线30连接的栅极38的图形和位于透明电极41之上的偏压电极42的图形；该步骤后的截面结构请参照图15和图16所示。该实施例方法在形成栅线30的图形、栅极38的图形和偏压电极42的图形之后，进一步包括步骤16、通过一次构图工艺形成位于栅线30、栅极38和偏压电极42之上并覆盖基板的钝化层43的图形，所述钝化层43具有信号引导区过孔(位于基板周边，图中未示出)；该步骤后的截面结构请参照图17和图18所示。一次构图工艺通常包括基板清洗、成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序；对于金属层通常采用物理气相沉积方式(例如磁控溅射法)成膜，通过湿法刻蚀形成图形，而对于非金属层通常采用化学气相沉积方式成膜，通过干法刻蚀形成图形。步骤11中，所述透明电极41的图形既可单独通过湿法刻蚀形成，也可与光电二极管40的图形同时通过干法刻蚀形成。本发明中，所述衬底基板32可以为玻璃基板、塑料基板或其他材料的基板；所述数据线31、源极33、漏极34和接收电极39可以采用相同的材质，例如为铝钕合金(AINd)、铝(Al)、铜(Cu)、钥(Mo)、钥钨合金(MoW)或铬(Cr)的单层膜，也可以为这些金属材料任意组合所构成的复合膜，厚度通常在150纳米至450纳米之间；欧姆层35的材质可以为掺杂质半导体(n+a-Si);有源层36的材质可以为非晶硅(a_Si )，厚度在30纳米至250纳米之间；栅极绝缘层37的材质可以为氮化硅，厚度在300纳米至500纳米之间；栅线30、栅极38和偏压电极42可以采用相同的材质，优选为重金属或重金属合金，例如铜铅合金；透明电极41的材质可以为氧化铟锡等。钝化层43可以采用无机绝缘膜，例如氮化硅等，或有机绝缘膜，例如感光树脂材料或者非感光树脂材料等，厚度通常在150纳米至1500纳米之间。在本发明的优选实施例中，所述数据线31、源极33、漏极34和接收电极39的材质相同，所述光电二极管40为PIN (positive, intrinsic, negative,简称PIN)型光电二极管，包括N型半导体40a、I型半导体40b和P型半导体40c，PIN型光电二极管利用光生伏特原理工作，具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点，其结构相当于在PN结中间插入较厚的本征非晶硅层，P型材料由本征材料掺入提供空穴的杂质形成，N型材料由本征材料掺入提供电子的杂质形成。在本发明的其它实施例中，光电二极管还可以为MIS (metal,insulative, semiconductor,金属-绝缘体-半导体,简称MIS)型光电二极管等。如图3所示实施例，步骤11具体包括以下步骤步骤111、在衬底基板32上依次沉积数据线金属、N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极金属；步骤112、涂覆光刻胶；步骤113、采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光，其中，不透光区对应形成接收电极39、PIN光电二极管和透明电极41的区域；半透光区对应形成数据线31、漏极33和源极34的区域；该步骤所采用的掩模板可以具体为灰色调掩模板或者半色调掩模板等；
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步骤114、显影，去除全透光区对应区域的光刻胶；步骤115、对基板进行刻蚀，形成接收电极39的图形、光电二极管40的图形和透明电极41的图形；步骤116、对基板进行灰化，去除半透光区对应区域的光刻胶；步骤117、对基板进行刻蚀，去除半透光区对应区域的透明电极金属、P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层，并剥离光刻胶，最终形成数据线31的图形、漏极34的图形和源极33的图形。如图4所示实施例，步骤11也可以通过两次构图工艺实现，具体步骤如下步骤21 :在衬底基板32上通过一次构图工艺形成数据线31的图形、与数据线31连接的漏极34的图形、与漏极34相对而置形成沟道的源极33的图形、与源极33连接的接收电极39的图形；步骤22 :通过一次构图工艺形成位于接收电极39之上的光电二极管40的图形，以及位于光电二极管40之上的透明电极41的图形。所述光电二极管40为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体，则步骤22，具体包括依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极金属，通过一次构图工艺形成光电二极管40的图形和透明电极41的图形。在本发明技术方案中，最终形成的传感器的薄膜晶体管器件为顶栅型结构，传感器的制造方法对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。如图5、图17和图18所示，依照本发明方法所制造的传感器，包括衬底基板32、呈交叉排列的一组栅线30和一组数据线31，以及由所述一组栅线30和一组数据线31所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，其中，所述薄膜晶体管器件包括位于衬底基板32之上并相对而置形成沟道的源极33和漏极34，所述漏极34与相邻的数据线31连接，以及位于源极33和漏极34之上的欧姆层35、位于欧姆层35之上并覆盖沟道的有源层36、位于有源层36之上的栅极绝缘层37和位于栅极绝缘层37之上并与相邻的栅线30连接的栅极38 ；
所述光电二极管传感器件包括位于衬底基板32之上并与源极33连接的接收电极39、位于接收电极39之上的光电二极管40、位于光电二极管40之上的透明电极41，以及位于透明电极41之上的偏压电极42。请继续参照图17和图18所示，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括位于接收电极39之上的N型半导体(n+a-Si )40a,位于N型半导体40a之上的I型半导体(a_Si )40b,以及位于I型半导体40b之上的P型半导体(p+a-Si) 40c。所述传感器，还包括位于一组栅线30，及每个感测单元的栅极38和偏压电极42之上并覆盖基板的钝化层43，所述钝化层43具有信号引导区过孔(图17和图18为一个感测单元的截面结构，因此位于基板周边的信号引导区过孔未在图中示出)。如图6所示，依照本发明方法所制造的传感器优选具有以下结构所述一组栅线30，包括两根单栅线30a，以及位于两根单栅线30a之间的多组双栅线30b，则所述每个感测单元包括两个感测子单元，两个感测子单元的薄膜晶体管器件50·呈对角分布，且薄膜晶体管器件50的栅极与相邻的单栅线30a或者相邻的双栅线30b中距离较近的一根连接。对比于传统的传感器(传统的传感器的栅线与数据线均为单线排布，每个感测单元包含一个薄膜晶体管器件和一个光电二极管传感器件，即只包含一个感测子单元)，双栅线的排布方式使得栅线总数量增加一倍，但数据线数量却降低至一半，而栅线驱动设备的成本要低于数据驱动设备的成本，因此，采用该结构可进一步降低传感器的成本。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括 在衬底基板上形成数据线的图形、与数据线连接的漏极的图形、与漏极相对而置形成沟道的源极的图形、与源极连接的接收电极的图形、位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形； 通过一次构图工艺形成位于源极和漏极之上的欧姆层的图形； 通过一次构图工艺形成位于欧姆层之上并覆盖沟道的有源层的图形； 通过一次构图工艺形成位于有源层之上的栅极绝缘层的图形； 通过一次构图工艺形成位于栅极绝缘层之上的栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形和位于透明电极之上的偏压电极的图形。
2.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，在形成栅线的图形、栅极的图形和偏压电极的图形之后，进一步包括 通过一次构图工艺形成位于栅线、栅极和偏压电极之上并覆盖基板的钝化层的图形，所述钝化层具有信号引导区过孔。
3.如权利要求I或2所述的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形，通过一次构图工艺形成。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体，则所述通过一次构图工艺形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形，具体包括 在衬底基板上依次沉积数据线金属、N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极金属，并在透明电极金属之上涂覆光刻胶； 采用具有全透光区、半透光区和不透光区的掩模板对基板进行曝光，其中，不透光区对应形成接收电极、PIN光电二极管和透明电极的区域；半透光区对应形成数据线、漏极和源极的区域； 对基板进行显影、刻蚀，形成接收电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形； 对基板进行灰化、刻蚀和光刻胶剥离，形成数据线的图形、漏极的图形和源极的图形。
5.如权利要求I或2所述的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形和透明电极的图形，通过两次构图工艺形成，具体为 在衬底基板上通过一次构图工艺形成数据线的图形、与数据线连接的漏极的图形、与漏极相对而置形成沟道的源极的图形、与源极连接的接收电极的图形； 通过一次构图工艺形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括N型半导体、I型半导体和P型半导体，则所述通过一次构图工艺形成光电二极管的图形，以及透明电极的图形，具体包括 依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极金属，通过一次构图工艺形成光电二极管的图形和透明电极的图形。
7.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述透明电极的图形通过湿法刻蚀形成，或者，所述透明电极的图形与光电二极管的图形同时通过干法刻蚀形成。
8.如权利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同，所述栅线、栅极和偏压电极的材质相同。
全文摘要
本发明公开了一种传感器的制造方法，包括在衬底基板上形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形，以及透明电极的图形；通过一次构图工艺形成欧姆层的图形；通过一次构图工艺形成有源层的图形；通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形；通过一次构图工艺形成栅线的图形、栅极的图形和偏压电极的图形。本发明方法对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
文档编号H01L27/146GK102790062SQ20121026256
公开日2012年11月21日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日
发明者徐少颖, 谢振宇, 陈旭 申请人:北京京东方光电科技有限公司