专利名称：一种传感器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及影像检测技术，特别是涉及一种传感器及其制造方法。
背景技术：
随着人们自我保健意识的逐渐增强，各种无损伤医疗检测方法受到人们的青睐。在诸多的无损伤检测方法中，计算机断层扫描技术已经被广泛的应用到我们的现实生活中。在计算机断层扫描设备的组成中，必不可缺的一个部分就是传感器。传感器的基本结构如图I所示，该传感器12的每个感测单元包括一个光电二极管13和一个场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET) 14，场效应晶体管14的栅极与传感器12的扫描线(Gate Line) 15连接，场效应晶体管14的漏极与传感器12的数据线(Data Line) 16连接，光电二极管13与场效应晶体管14的源极连接；数据线16的一端通·过连接引脚17连接数据读出电路18。传感器的工作原理为传感器12通过扫描线15施加驱动扫描信号来控制场效应晶体管14的开关状态。当场效应晶体管14被打开时，光电二极管13产生的光电流信号依次通过与场效应晶体管14连接的数据线16、数据读出电路18而输出，通过控制扫描线15与数据线16上的信号时序来实现光电流信号的采集功能，即通过控制场效应管14的开关状态来实现对光电二极管13产生的光电流信号采集的控制作用。目前，传感器通常采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)平板结构,这种传感器在断面上分为多层，例如在一个感测单元内包括基板、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源极与漏极层、钝化层、PIN光电传感器的PIN结和透明电极窗口层，以及偏压线层和挡光条层等。当然，不同传感器由于具体结构的差异，在断面上的具体图层也不尽相同。通常，传感器的各个图层都是通过构图(MASK)工艺形成的，而每一次MASK工艺通常包括掩模、曝光、显影、刻蚀和剥离等工序。现有传感器在制造时通常需要采用10至11次构图工艺，这样就对应的需要10至11张光罩掩模板，传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升。
发明内容
本发明的目的是提供一种传感器及其制造方法，用以解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂，产能较难提升的技术问题。本发明传感器，包括衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，其中，所述薄膜晶体管器件包括位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层；位于有源层之上的欧姆层；位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接；以及覆盖沟道的钝化保护层；所述光电二极管传感器件包括与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及位于透明电极之上的偏压电极，所述偏压电极与相邻的偏压线连接。本发明传感器的制造方法，包括在衬底基板上形成栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形；形成覆盖基板的栅极绝缘层，以及位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层的图形，位于有源层之上的欧姆层的图形，位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极的图形，与源极连接的接收电极的图形，与漏极连接的数据线的图形，以及覆盖沟道的钝化保护层的图形；
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形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；形成第一钝化层的图形，所述第一钝化层未覆盖形成偏压电极和偏压线的区域；形成位于透明电极之上的偏压电极的图形、与偏压电极连接的偏压线的图形，以及位于第一钝化层之上，源极、漏极及沟道上方的挡光条的图形。本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，对比于现有技术，其在制造时减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
图I为现有传感器的立体结构示意图；图2为本发明传感器的一个感测单元的俯视结构示意图；图3为本发明传感器的多个呈阵列状排布的感测单元的俯视结构示意图；图4为本发明传感器的制造方法流程示意图；图5a为图2的A-A处截面视图(第一实施例)；图5b为图2的B-B处截面视图(第一实施例)；图6a为图2的A-A处截面视图(第二实施例)；图6b为图2的B-B处截面视图(第二实施例)；图7a为图2的A_A处截面视图(第三至第六实施例)；图7b为图2的B-B处截面视图(第三至第六实施例)。附图标记12-传感器13-光电二极管(现有技术)14-场效应晶体管15-扫描线16-数据线(现有技术)17-连接引脚18-数据读出电路 30-栅线31-数据线32-衬底基板33-源极34-漏极35-欧姆层36-有源层37-栅极绝缘层38-栅极39-接收电极 40-光电二极管41-透明电极 42a-偏压电极 40a_N型半导体40b_I型半导体 40c-P型半导体 43-第一钝化层
30a-单栅线30b_双栅线50-薄膜晶体管器件42b-偏压线52-挡光条53-钝化保护层55-有源材料层 56-欧姆材料层 57-第二钝化层
具体实施例方式为了解决现有技术中存在的传感器的制造成本较高，且制造工艺较为复杂的技术问题，本发明提供了一种传感器及其制造方法。在本发明以下实施例中，所述传感器包含多种类型，例如X射线传感器等。如图2、图5a和图5b所示，本发明传感器，包括衬底基板32、呈交叉排列的一组栅线30和一组数据线31、由所述一组栅线30和一组数据线31所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线42b，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电·二极管传感器件组成的感测子单元，其中，所述薄膜晶体管器件包括位于衬底基板32之上并与相邻的栅线30连接的栅极38 ;位于栅极38之上并覆盖基板的栅极绝缘层37 ;位于栅极绝缘层37之上、栅极38上方的有源层36 ;位于有源层36之上的欧姆层35 ;位于欧姆层35之上并相对而置形成沟道的源极33和漏极34，所述漏极34与相邻的数据线31连接；以及覆盖沟道的钝化保护层53 ；所述光电二极管传感器件包括与源极33连接的接收电极39、位于接收电极39之上的光电二极管40、位于光电二极管40之上的透明电极41，以及位于透明电极41之上的偏压电极42a,所述偏压电极42a与相邻的偏压线42b连接。本发明中，所述衬底基板32可以为玻璃基板、塑料基板或其他材料的基板；所述栅线30、栅极38、数据线31、源极33、漏极34、接收电极39、偏压电极42a、偏压线42b和下文中所提及的挡光条52 (其作用是为减少光线对沟道的影响)可以采用相同的材质，例如为铝钕合金(AINd)、铝(Al)、铜(Cu)、钥(Mo)、钥钨合金(MoW)或铬(Cr)的单层膜，也可以为这些金属材料任意组合所构成的复合膜，厚度通常在150纳米至450纳米之间；欧姆层35的材质可以为掺杂质半导体(n+a-Si);有源层36的材质可以为非晶娃(a_Si),厚度在30纳米至250纳米之间；栅极绝缘层37的材质可以为氮化硅，厚度在300纳米至500纳米之间；钝化保护层53可以采用氮化硅等，可以与下文的第一钝化层43和第二钝化层57采用相同的材质。如图5a和图6a所示，钝化保护层53可以覆盖源极33、漏极34和沟道；此外，如图7a所示，钝化保护层53也可以只覆盖沟道。当薄膜晶体管器件形成后，在刻蚀形成光电二极管40和透明电极41时，钝化保护层53可有效保护沟道不被刻蚀破坏；透明电极41的材质可以为氧化铟锡等。所述光电二极管优选为PIN (positive, intrinsic, negative,简称 PIN)型光电二极管，包括位于接收电极39之上的N型半导体(n+a-Si)40a，位于N型半导体40a之上的I型半导体(a-Si) 40b，以及位于I型半导体40b之上的P型半导体(p+a_Si) 40c。PIN型光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。在本发明的其它实施例中，光电二极管还可以采用MIS (metal, insulative, semiconductor,金属-绝缘体-半导体,简称MIS)型光电二极管等。如图3所示，所述一组栅线30，包括两根单栅线30a，以及位于两根单栅线30a之间的多组双栅线30b，则所述每个感测单元包括两个感测子单元，两个感测子单元的薄膜晶体管器件50呈对角分布，且薄膜晶体管器件50的栅极与相邻的单栅线30a或者相邻的双栅线30b中距离较近的一根连接。对比于传统的传感器(传统的传感器的栅线与数据线均为单线排布，每个感测单元包含一个薄膜晶体管器件和一个光电二极管传感器件，即只包含一个感测子单元)，双栅线的排布方式使得栅线总数量增加一倍，但数据线数量却降低至一半，而栅线驱动设备的成本要低于数据驱动设备的成本，因此，采用该结构可进一步降低传感器的成本。此外，如图2所示，该实施例中，偏压线42b位于感测单元的两个感测子单元之间，与两个感测子单元的偏压电极42a交叉相连，呈“十字交叉形”，对比于传统的“一字形”偏压线，该结构可提高偏压电极和透明电极之间电压的均一性。请继续参照图5a和图5b所示，所述传感器，还包括位于薄膜晶体管器件和透明电极41之上的第一钝化层43，所述第一钝化层43未·覆盖偏压电极42a和偏压线42b ；位于第一钝化层43之上，并位于源极33、漏极34及沟道上方的挡光条52 ；位于挡光条52之上并覆盖基板的第二钝化层57，所述第二钝化层57具有信号引导区过孔(位于基板周边，因此图中未示出)。该优选实施例中，数据线31、源极33、漏极34和接收电极39的材质相同；挡光条52、偏压电极42a和偏压线42b的材质相同。第一钝化层43和第二钝化层57可以米用无机绝缘膜，例如氮化硅等，或有机绝缘膜，例如感光树脂材料或者非感光树脂材料等，厚度通常在150纳米至1500纳米之间。如图5b所示，该实施例还包括，在每条数据线31和每个光电二极管传感器件的接收电极39的下方，依次位于栅极绝缘层37之上的有源材料层55和欧姆材料层56。有源材料层55和欧姆材料层56分别与有源层36和欧姆层35的材质相同，该结构设计的目的是为了减少构图工艺的次数，有源材料层55和欧姆材料层56在传感器中并未起到实际作用。在本发明技术方案中，传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，对比于现有技术，该结构可减少制造过程中掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备广能及广品的良品率。请参照图4并结合图5a、图5b、图6a、图6b、图7a和图7b所示，本发明传感器的制造方法，包括以下步骤步骤101、在衬底基板32上形成栅线30的图形、与栅线30连接的栅极38的图形；步骤102、形成覆盖基板的栅极绝缘层37，以及位于栅极绝缘层37之上、栅极38上方的有源层36的图形，位于有源层36之上的欧姆层35的图形，位于欧姆层35之上并相对而置形成沟道的源极33和漏极34的图形，与源极33连接的接收电极39的图形，与漏极34连接的数据线31的图形，以及覆盖沟道的钝化保护层53的图形；步骤103、形成位于接收电极39之上的光电二极管40的图形，以及位于光电二极管40之上的透明电极41的图形；步骤104、形成第一钝化层43的图形，所述第一钝化层43未覆盖形成偏压电极42a和偏压线42b的区域； 步骤105、形成位于透明电极41之上的偏压电极42a的图形、与偏压电极42a连接的偏压线42b的图形，以及位于第一钝化层43之上，源极33、漏极34及沟道上方的挡光条52的图形。此外，在步骤105之后，还进一步包括步骤106、形成覆盖基板的第二钝化层57的图形，所述第二钝化层57具有信号引导区过孔。步骤101、步骤103至步骤106各自均可通过一次构图工艺形成，一次构图工艺通常包括基板清洗、成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序；对于金属层通常采用物理气相沉积方式(例如磁控溅射法)成膜，通过湿法刻蚀形成图形，而对于非金属层通常采用化学气相沉积方式成膜，通过干法刻蚀形成图形，以下各步骤道理类似，不再赘述。步骤102具体可以包括多次构图工艺，根据构图工艺的次数不同，整个传感器的·制造工艺所用掩模板的张数也不尽相同，以下举具体实施例作进一步详细说明。实施例一，形成图5a和图5b所示的传感器，共需7次构图工艺，步骤102包括依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层、欧姆半导体层、数据线金属；通过一次灰色调或半色调构图工艺形成有源层36的图形、欧姆层35的图形、源极33和漏极34的图形、接收电极39的图形，以及数据线31的图形，其中，掩模板的不透光区对应形成接收电极39、数据线31、漏极34和源极33的区域，半透光区对应形成沟道的区域；沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖源极33、漏极34和沟道的钝化保护层53的图形。实施例二，形成图6a和图6b所示的传感器，共需8次构图工艺，步骤102包括依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层和欧姆半导体层，通过一次构图工艺形成有源层36的图形和欧姆层35的图形；沉积数据线金属，通过一次构图工艺形成源极33和漏极34的图形、接收电极39的图形，以及数据线31的图形；沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖源极33、漏极34和沟道的钝化保护层53的图形。实施例三，形成图7a和图7b所示的传感器，共需9次构图工艺，步骤102包括依次沉积栅极绝缘层和有源半导体层，通过一次构图工艺形成有源层36的图形；沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖沟道区域的钝化保护层53的图形；沉积欧姆半导体层，通过一次构图工艺形成欧姆层35的图形；沉积数据线金属，通过一次构图工艺形成源极33和漏极34的图形、接收电极39的图形，以及数据线31的图形。实施例四，形成图7a和图7b所示的传感器，共需8次构图工艺，步骤102包括依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层和钝化保护层材料，通过一次灰色调或半色调构图工艺形成有源层36的图形和覆盖沟道区域的钝化保护层53的图形，其中，掩模板的不透光区对应形成钝化保护层53的区域，半透光区对应形成有源层36上方的非沟道区域；沉积欧姆半导体层，通过一次构图工艺形成欧姆层35的图形；
沉积数据线金属，通过一次构图工艺形成源极33和漏极34的图形、接收电极39的图形，以及数据线31的图形。实施例五，形成图7a和图7b所示的传感器，共需8次构图工艺，步骤102包括依次沉积栅极绝缘层和有源半导体层，通过一次构图工艺形成有源层36的图形；沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖沟道区域的钝化保护层53的图形；依次沉积欧姆半导体层和数据线金属，通过一次构图工艺形成欧姆层35的图形、源极33和漏极34的图形、接收电极39的图形，以及数据线31的图形。实施例六，形成图7a和图7b所示的传感器，共需7次构图工艺，步骤102包括
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依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层和钝化保护层材料，通过一次灰色调或半色调构图工艺形成有源层36的图形和覆盖沟道区域的钝化保护层53的图形，其中，掩模板的不透光区对应形成钝化保护层53的区域，半透光区对应形成有源层36上方的非沟道区域；依次沉积欧姆半导体层和数据线金属，通过一次构图工艺形成欧姆层35的图形、源极33和漏极34的图形、接收电极39的图形，以及数据线31的图形。实施例一至实施例六中，所述形成光电二极管的图形和透明电极的图形，可具体包括依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成光电二极管40a、40b、40c的图形和透明电极41的图形；所述数据线31、源极33、漏极34和接收电极39的材质相同；所述挡光条52、偏压电极42a和偏压线42b的材质相同。可见，对比于现有技术(采用10至11次构图工艺)，本发明制造方法减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种传感器，其特征在于，包括衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，其中， 所述薄膜晶体管器件包括位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层；位于有源层之上的欧姆层；位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接；以及覆盖沟道的钝化保护层； 所述光电二极管传感器件包括与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及位于透明电极之上的偏压电极，所述偏压电极与相邻的偏压线连接。
2.如权利要求I所述的传感器，其特征在于，所述一组栅线，包括两根单栅线，以及位于两根单栅线之间的多组双栅线，则 所述每个感测单元包括两个感测子单元，两个感测子单元的薄膜晶体管器件呈对角分布，且薄膜晶体管器件的栅极与相邻的单栅线或者相邻的双栅线中距离较近的一根连接。
3.如权利要求I所述的传感器，其特征在于，所述偏压线位于感测单元的两个感测子单元之间，与两个感测子单元的偏压电极交叉相连。
4.如权利要求I所述的传感器，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管，包括位于接收电极之上的N型半导体，位于N型半导体之上的I型半导体，以及位于I型半导体之上的P型半导体。
5.如权利要求广4中任一所述的传感器，其特征在于，还包括 位于薄膜晶体管器件和透明电极之上的第一钝化层，所述第一钝化层未覆盖偏压电极和偏压线； 位于第一钝化层之上，并位于源极、漏极及沟道上方的挡光条； 位于挡光条之上并覆盖基板的第二钝化层，所述第二钝化层具有信号引导区过孔； 其中，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条、偏压电极和偏压线的材质相同。
6.如权利要求5所述的传感器，其特征在于，还包括在每条数据线和每个光电二极管传感器件的接收电极的下方，依次位于栅极绝缘层之上的有源材料层和欧姆材料层，所述有源材料层和欧姆材料层分别与有源层和欧姆层的材质相同。
7.如权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述钝化保护层覆盖源极、漏极和沟道。
8.—种传感器的制造方法，其特征在于，包括 在衬底基板上形成栅线的图形、与栅线连接的栅极的图形； 形成覆盖基板的栅极绝缘层，以及，位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层的图形，位于有源层之上的欧姆层的图形，位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极的图形，与源极连接的接收电极的图形，与漏极连接的数据线的图形，以及覆盖沟道的钝化保护层的图形； 形成位于接收电极之上的光电二极管的图形，以及位于光电二极管之上的透明电极的图形；形成第一钝化层的图形，所述第一钝化层未覆盖形成偏压电极和偏压线的区域； 形成位于透明电极之上的偏压电极的图形、与偏压电极连接的偏压线的图形，以及位于第一钝化层之上，源极、漏极及沟道上方的挡光条的图形。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成栅极绝缘层、有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形、数据线的图形和钝化保护层的图形，具体包括步骤 依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层、欧姆半导体层、数据线金属；通过一次灰色调或半色调构图工艺形成有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形，以及数据线的图形，其中，掩模板的不透光区对应形成接收电极、数据线、漏极和源极的区域，半透光区对应形成沟道的区域； 沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖源极、漏极和沟道的钝化保护层的图形。
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成栅极绝缘层、有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形、数据线的图形和钝化保护层的图形，具体包括步骤 依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层和欧姆半导体层，通过一次构图工艺形成有源层的图形和欧姆层的图形； 沉积数据线金属，通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、接收电极的图形，以及数据线的图形； 沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖源极、漏极和沟道的钝化保护层的图形。
11.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成栅极绝缘层、有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形、数据线的图形和钝化保护层的图形，具体包括步骤 依次沉积栅极绝缘层和有源半导体层，通过一次构图工艺形成有源层的图形； 沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖沟道区域的钝化保护层的图形； 沉积欧姆半导体层，通过一次构图工艺形成欧姆层的图形； 沉积数据线金属，通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、接收电极的图形，以及数据线的图形。
12.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成栅极绝缘层、有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形、数据线的图形和钝化保护层的图形，具体包括步骤 依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层和钝化保护层材料，通过一次灰色调或半色调构图工艺形成有源层的图形和覆盖沟道区域的钝化保护层的图形，其中，掩模板的不透光区对应形成钝化保护层的区域，半透光区对应形成有源层上方的非沟道区域； 沉积欧姆半导体层，通过一次构图工艺形成欧姆层的图形； 沉积数据线金属，通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、接收电极的图形，以及数据线的图形。
13.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成栅极绝缘层、有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形、数据线的图形和钝化保护层的图形，具体包括步骤 依次沉积栅极绝缘层和有源半导体层，通过一次构图工艺形成有源层的图形； 沉积钝化保护层材料，通过一次构图工艺形成覆盖沟道区域的钝化保护层的图形； 依次沉积欧姆半导体层和数据线金属，通过一次构图工艺形成欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形，以及数据线的图形。
14.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成栅极绝缘层、有源层的图形、欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形、数据线的图形和钝化保护层的图形，具体包括步骤 依次沉积栅极绝缘层、有源半导体层和钝化保护层材料，通过一次灰色调或半色调构图工艺形成有源层的图形和覆盖沟道区域的钝化保护层的图形，其中，掩模板的不透光区对应形成钝化保护层的区域，半透光区对应形成有源层上方的非沟道区域； 依次沉积欧姆半导体层和数据线金属，通过一次构图工艺形成欧姆层的图形、源极和漏极的图形、接收电极的图形，以及数据线的图形。
15.如权利要求8 14任一项所述的制造方法，其特征在于，在形成偏压电极的图形、偏压线的图形，以及源极、漏极和挡光条的图形之后，进一步包括步骤 形成覆盖基板的第二钝化层的图形，所述第二钝化层具有信号引导区过孔。
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述形成光电二极管的图形和透明电极的图形，具体包括 依次沉积N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层和透明电极层，通过一次构图工艺形成光电二极管的图形和透明电极的图形。
17.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条、偏压电极和偏压线的材质相同。
全文摘要
本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，所述薄膜晶体管器件的沟道上方设置有钝化保护层。本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，对比于现有技术，传感器的制造工艺减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
文档编号H01L27/146GK102790065SQ201210262848
公开日2012年11月21日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日
发明者徐少颖, 谢振宇, 陈旭 申请人:北京京东方光电科技有限公司