专利名称：同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路中半导体エ艺方法。
背景技术：
在现今的半导体应用中已出现了越来越多的需使用深沟槽结构来实现功能的器件，而对于ー些特殊器件，如光分路器等，会在硅片上同时存在一些开ロ尺寸不一的深沟槽，开ロ尺寸从0.8微米到100微米，深度从2微米至10微米。高宽比变化很大，从0.02至IJ12. 5。此类器件的不同尺寸的深沟槽不但需要将其填充完满，不留空洞，而且由于填充薄膜较传统エ艺更厚，从2微米 5微米不等，会使用化学机械研磨的方式来保证开不等ロ尺寸不等的深沟槽的面内填充均一性。因此，对于薄膜沉积和化学机械研磨，都会具有较大的挑战和难度。传统方法是采用化学气相沉积(CVD)的方式将沟槽填满，若深宽比较大，会采用回刻的方式(etch back)将沟槽顶部的开ロ放大，然后继续填充，但是对于大开ロ的深沟槽，则会导致底部同时被刻蚀，因此导致无法填充大开ロ沟槽。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，它可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开ロ的沟槽里的填充物不被去除，エ艺简单，效果明显。为了解决以上技术问题，本发明提供了一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，包括以下步骤步骤一、在硅基板上淀积ー层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤ニ、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形；步骤四、在硅片上淀积ー层台阶覆盖能力较好的氧化膜；步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比；步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。本发明的有益效果在于可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开ロ的沟槽里的填充物不被去除，エ艺简単，效果明显。步骤一中，所述氧化膜和/或氮化膜的厚度为100(T5000埃，其采用LPCVDエ艺、或PECVDエ艺淀积。步骤ニ中，所述氧化膜或氮化膜刻蚀宽度为I 100微米；深度以硅损失小于100埃为优选，所述方法采用干法或湿法刻蚀エ艺。步骤三中，深沟槽由干法刻蚀方法产生，深度为(TlO微米，尺寸为f 100微米。步骤四中，所述深沟槽的填充采用常压或低压化学气相淀积生长エ艺，生长厚度为100(Tl0000埃，一般填充厚度为深沟槽深度的1/2到1/5，优选1/3。
步骤五中，化学机械研磨所使用的研磨液为前步淀积的氧化膜相对阻挡层具有高选择比的研磨液。步骤六中，所述氧化膜厚度为100(T10000A，膜质与生长方式可以与步骤四所述氧化膜相同，亦可不同，优选翘曲度与步骤四中相反的膜质。步骤六中，后续的氧化膜淀积和化学机械研磨的轮次为2 10次，以实际开ロ尺寸以及厚度淀积的能力为判断标准。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进ー步详细说明。图1是硅衬底示意图；图2是在硅衬底上淀积阻挡层的示意图；图3是在阻挡层上淀积光阻的示意图；图4是曝光步骤的示意图；图5是显影后刻蚀阻挡层的示意图；图6是刻蚀处开ロ大小不一的深沟槽的示意图；图7是在深沟槽中填充氧化物的示意图；图8是化学机械研磨将小开ロ沟槽深宽比降低的示意图；图9是进行第二甚至第三轮的填充，直至将沟槽填满的示意图。附图标记说明1为硅衬底，2为氧化物或氮化物的组合体所构成的阻挡层，3为光阻(PR)，4为填充沟槽的氧化物
具体实施例方式本发明采用了ー种新型的エ艺流程，即在硅衬底上先淀积ー层氧化膜和氮化膜的组合来作为阻挡层(hardmask)，然后通过光刻和刻蚀形成深沟槽之后，先填充ー层台阶覆盖能力较好的氧化层，然后用化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜去除，如此可以有效降低深沟槽的高宽比，然后再进行后续轮次的淀积和研磨，直至将深沟槽填满。该方法不仅可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开ロ的沟槽里的填充物不被去除，エ艺简单，效果明显。该方法不仅可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开ロ的沟槽里的填充物不被去除，エ艺实现简单，效果明显。如图1、2所示，在硅衬底上淀积ー层氧化膜和/或氮化膜作为阻挡层，厚度为1000^5000埃，其采用LPCVDエ艺、或PECVDエ艺淀积。如图3至图5所示，通过曝光和显影后，将阻挡层氧化膜或/和氮化膜刻蚀，宽度为I 100微米；深度以硅损失小于100埃为优选。如图6所示，去除光阻后，以氧化膜或/和氮化膜作为阻挡层，刻蚀出开ロ大小不等的深沟槽，深沟槽由干法刻蚀方法产生，深度为(Tio微米左右，尺寸为f loo微米。如图7所示，淀积ー层台阶覆盖能力较好的氧化膜；其厚度为深沟槽深度的1/2。如图8所示，通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低小尺寸深沟槽的深宽比，同时保证大开ロ尺寸的深沟槽的底部氧化膜不会损失。如图9所示，继续以氧化物填充深沟槽，氧化膜厚度为100(Tl0000埃，膜质与生长方式可以与图7所述氧化膜相同，亦可不同。直至将深沟槽填满。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式
的描述g在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式
用来掲示本发明的最佳实施方法，以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。
权利要求
1.一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤一、在硅基板上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层； 步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底； 步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形； 步骤四、在硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜； 步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比； 步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。
2.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤一中，所述氧化膜和/或氮化膜的厚度为100(Γ5000埃，其采用LPCVD工艺、或PECVD工艺淀积。
3.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤二中，所述氧化膜或氮化膜刻蚀宽度为I 100微米；深度以硅损失小于100埃为优选，所述方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
4.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤三中，深沟槽由干法刻蚀方法产生，深度为flOO微米，深沟槽宽度为f 10微米。
5.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤四中，所述深沟槽的填充采用常压或低压化学气相淀积生长工艺，生长厚度为100(Γ10000埃，一般填充厚度为深沟槽深度的1/2到1/5。
6.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤五中，化学机械研磨所使用的研磨液为前步淀积的氧化膜相对阻挡层具有高选择比的研磨液。
7.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤六中，所述氧化膜厚度为100(Γ10000Α，膜质与生长方式与步骤四所述氧化膜相同。
8.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤六中，所述氧化膜厚度为100(Γ10000Α，膜质与生长方式可以与步骤四所述氧化膜相同，或优选翘曲度与步骤四中相反的膜质。
9.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，步骤六中，后续的氧化膜淀积和化学机械研磨的轮次为2 10次，以实际开口尺寸以及厚度淀积的能力为判断标准。
10.如权利要求1所述的同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，其特征在于，所述步骤四中台阶覆盖能力较好的氧化膜为高密度等离子体HDP或低压高温氧化膜HTO ;所述步骤三中深沟槽深度为50 80微米，深沟槽宽度为I 5微米。
全文摘要
本发明公开了一种同时填充及平坦化不同尺寸深沟槽的方法，包括以下步骤步骤一、在硅基板上淀积一层或数层氧化膜或氮化膜的组合体，作为阻挡层；步骤二、淀积光刻胶，显影后刻蚀氧化膜或氮化膜的组合体，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；步骤三、去除光刻胶，然后利用氧化膜或氮化膜的组合体作为阻挡层，刻蚀出具有不同深宽比的深沟槽的图形；步骤四、在硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜；步骤五、通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的氧化膜研磨去除，从而降低深沟槽的深宽比；步骤六、进行连续几轮的氧化膜淀积和化学机械研磨，直至将不同尺寸的深沟槽均填满。本发明可以降低大高宽比的深沟槽的填充难度，同时又可保证大开口的沟槽里的填充物不被去除，工艺简单，效果明显。
文档编号H01L21/02GK103035486SQ20121036790
公开日2013年4月10日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日
发明者刘继全, 钱志刚, 成鑫华 申请人:上海华虹Nec电子有限公司