穿硅孔堆叠结构以及其制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种由多个基底叠合而成的穿硅孔堆叠结构，其中每个基底都包含多个渐缩式的穿硅孔，每个渐缩式穿硅孔较粗的一端会具有一凹部，较细的一端则从基底中凸出，基底会以其每个渐缩式穿硅孔的较细端装入另一渐缩式穿硅孔式的较粗端对应凹部中并与其接合的方式来逐一堆叠。
【专利说明】穿硅孔堆叠结构以及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明大体上关于一种半导体技术，特别是关于一种渐缩式的穿硅孔(throughsilicon via, TSV)堆叠结构以及其制作方法。
【背景技术】
[0002]就公知的半导体芯片而言，集成电路会形成在具有电性终端(如一接垫结构)的半导体芯片或基底的有源面上。为了达成高密度的电互连结构，业界开发出了立体式的芯片堆叠结构(3-D chip)，其电性终端不仅会设在半导体芯片的有源面上，也会设在对应的晶背上。在这样的立体堆叠结构中，穿娃孔(through silicon via, TSV)就是用来连接多个垂直堆叠的芯片或晶圆的结构，以使其得以组装成具有高功率、高密度、以及微缩尺寸的立体芯片堆叠封装结构/模块或是晶圆接合结构。穿硅孔结构，顾名思义，就是一种穿过芯片内部的导电性贯孔结构，其会贯通芯片的底面与底面，其不需使用任何的介板(interposer)或打线(bonding wire)即可形成多层的垂直电性连结，也不会经过芯片边缘的侧壁部位，故可以大幅缩短电路径。穿硅孔结构也能进一步地借由大幅减少封装结构的高度与尺寸的方式来增强电子装置的积集度与效能，进而增加电子装置的速度并减少其能耗。
[0003]为了连接彼此堆叠的芯片，芯片上的穿硅孔结构需要加以对齐。然而，随着半导体业界中电路尺寸微缩的趋势，穿硅孔结构的大小也变得越来越小。因此，要将芯片或基底上的每个穿硅孔与另一芯片或基底上对应的穿硅孔准确地对准变得越为困难。
[0004]在美国专利
【发明者】林柏均 申请人:南亚科技股份有限公司