专利名称：晶片表面平整度测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于晶片加工领域，具体地说，涉及晶片切割或研磨后表面平整度的
测量装置。
背景技术：
蓝宝石是一种氧化铝单晶材料，具有非常高的硬度，是目前LED行业的普遍采用的衬底材料，用作氮化镓等外延生长的基质以生产蓝光等发光二极管。衬底加工后晶片平整度测量是LED产业链中的一个重要环节，需要达到非常高的精度，特别是用于制作图形化晶片的衬底，要求平整度小于5微米。现有的蓝宝石衬底的平整度测量工艺一般是靠手动按压测量测得其表面平整度。蓝宝石晶片经加工后厚度需精确到微米级别，晶片测量是在大理石平面上进行，传统晶片平整度测量技术由于晶片有不同程度的翘曲，靠人手按压 测量，无法准确测得其表面平整度，误差范围较大；按压过程中对晶片伤害较大，易造成划伤、压碎、磕边、污染等不良现象；且因测量时间长造成高效差，测量效率低。
实用新型内容为解决上述技术问题，本实用新型提出了一种能够快速并准确测量晶片表面平整度，并且不会对晶片产生划伤、压碎、磕边、污染等不良现象的晶片表面平整度测量装置。本实用新型的技术方案是晶片表面平整度测量装置，包括测量台7、托盘3、测厚装置2和真空泵4，所述测厚装置2通过支架I固定在测量台7上，托盘3放置于测量台7上，托盘3通过胶管6与真空泵4连接。所述托盘3底部设有空隙8。所述真空泵4选用多级气动真空泵，其安全性高、噪音小。使用时，将测量台7放置于水平的工作台面5上，晶片通过真空泵4抽真空吸附于托盘3上，使用测厚装置2先测量晶片中心点厚度，多点测量时，可通过调节托盘3水平移动来实现。多点测量后，根据多点厚度数据计算出晶片表面平整度。多点测量次数越多，表面平整度计算越准确。所述托盘3作为晶片测量平面，通过水平仪保证托盘3处于水平位置。托盘3由多级气动真空泵4控制，测量晶片时，将晶片放置在对应尺寸的托盘3位置，放置好后真空外控开关由脚踏来控制，避免了人手操作的麻烦。可根据晶片尺寸更换托盘3。本实用新型的有益效果在于I、本实用新型采用抽真空吸附晶片，使晶片均匀吸附在水平托盘上，不仅减小了测量时人手按压测量的误差，而且避免了划伤、压碎、磕边、污染等不良现象，提高了成品率；2、采用本实用新型提供的测量装置进行测量，减少了测量时间，大大提高了测量效率，达到准确、高效的目的。
图I是本实用新型的整体结构示意图；图2是本实用新型中测量台7的结构示意图；图3是本实用新型中托盘3的结构示意图。其中，I、支架；2、测厚装置；3、托盘；4、真空泵；5、工作台面；6、胶管；7、测量台；8、空隙；9、接入孔。
具体实施方式
以下结合附图具体说明本实用新型。参见图I和图2，本实用新型包括测量台7、托盘3、测厚装置2和真空泵4，测厚装置2通过支架I固定在测量台7上，托盘3放置于测量台7上，托盘3通过胶管6与真空泵4连接。真空泵4选用多级气动真空泵。参见图3，托盘3底部设有空隙8，托盘3通过接入孔9接入真空泵4的胶管6。使用时，将测量台7放置于水平的工作台面5上，晶片通过真空泵4抽真空吸附于托盘3上，使用测厚装置2先测量晶片中心点厚度，多点测量时，可通过调节托盘3水平移动来实现。多点测量后，根据多点厚度数据计算出晶片表面平整度。多点测量次数越多，晶片表面平整度计算越准确。
权利要求1.晶片表面平整度测量装置，其特征在于，包括测量台(7)、托盘(3)、测厚装置(2)和真空泵(4)，所述测厚装置(2)通过支架(I)固定在测量台(7)上，托盘(3)放置于测量台(7)上，托盘(3)通过胶管(6)与真空泵⑷连接。
2.根据权利要求I所述的晶片表面平整度测量装置，其特征在于，所述托盘(3)底部设有空隙⑶。
专利摘要本实用新型属于晶片加工领域，具体地说，涉及晶片切割或研磨后表面平整度的测量装置。其包括测量台7、托盘3、测厚装置2和真空泵4，所述测厚装置2通过支架1固定在测量台7上，托盘3放置于测量台7上，托盘3通过胶管6与真空泵4连接。本实用新型采用抽真空吸附晶片，使晶片均匀吸附在水平托盘上，不仅减小了测量时人手按压测量的误差，而且避免了划伤、压碎、磕边、污染等不良现象，提高了成品率；采用本实用新型提供的测量装置进行测量，减少了测量时间，大大提高了测量效率，达到准确、高效的目的。
文档编号H01L21/683GK202473871SQ201220041660
公开日2012年10月3日 申请日期2012年2月9日 优先权日2012年2月9日
发明者毕燕飞 申请人:青岛嘉星晶电科技股份有限公司