专利名称：一种非晶硅薄膜电池芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池领域，具体是一种非晶硅薄膜电池芯片。
背景技术：
非晶硅太阳能电池芯片主要用于草坪灯、太阳能装饰灯、室内电子产品等充电使用，由于电池芯片的体积小，通常正负极引线都是使用电烙铁焊锡方式，在电池芯片的正负极上直接焊接引线。现在有技术通常在背电极上面通过丝网印刷导电铜、经过高温烘烤，使导电铜粘贴在正负电极两端；但由于该种方式在焊接过程中或在使用过程中很容易脱落、粘接不牢靠，严重影响电池的电气性能。
实用新型内容为了解决现有的太阳能电池的背电极在使用过程中容易脱落、粘接不牢靠的问题，本实用新型提供了一种非晶硅薄膜电池芯片。本实用新型采用的技术方案是所述电池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜层和背电极，所述玻璃基板上依次设有非晶硅薄膜层和背电极，所述背电极包括铝层和铜镍合金层。优选地，所述铜镍合金层位于铝层的上部，所述铜镍合金层的上面覆盖有保护膜。优选地，所述玻璃基板和非晶硅薄膜层之间设有透明导电膜。优选地，所述铝层和铜镍合金层上设有绝缘线。本实用新型电池芯片的背电极包括铝层和铜镍合金层，大大降低了焊接的脱落率，并且焊接方便，牢靠，由于整个背电极都是由铜镍膜组成，可以自由的变换焊接位置，大大减轻了焊点设计困难。而且该电池芯片的磁控溅射为真空度镀膜工艺，整过镀膜十分均匀，速度快提高了工作效率，制作流程方便，保质期长，使太阳电池芯片更加稳定。
图I为本实用新型一种实施例的局部结构示意图；图2为本实用新型一种实施例的绝缘线结构示意图；图3为本实用新型一种实施例的保护膜结构示意图；图4为本实用新型一种实施例的整体结构示意图。在图中，I玻璃基板、2透明导电膜、3非晶硅薄膜层、4背电极、5绝缘线、6保护膜、21—次光刻处、22 二次光刻处、23三次光刻处、24横向绝缘线、25正电极、26负电极、411铝层、412铜镍合金层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型提供的具体实施方式
作进一步详细的描述[0016]如图1-3所示，为本实用新型一种实施例的结构示意图，该电池芯片包括玻璃基板I、非晶硅薄膜层3和背电极4，所述玻璃基板I上依次设有非晶硅薄膜层3和背电极4，所述背电极4包括铝层411和铜镍合金层412。本实用新型电池芯片的背电极包括铝层和铜镍合金层，大大降低了焊接的脱落率，并且焊接方便，牢靠，由于整过背电极都是由铜镍膜组成，可以自由的变换焊接位置，大大减轻了焊点设计困难。而且该电池芯片的磁控溅射为真空度镀膜工艺，整过镀膜十分均匀，速度快提高了工作效率，制作流程方便，保质期长，使太阳电池芯片更加稳定。再次参阅图I，在玻璃基板I上镀上透明导电膜2，在透明导电膜上刻划小单元，形成一次光刻处21,将刻划了非晶娃薄膜层的电池片在磁控派射中沉积背电极；首先将磁控溅射设备抽真空至3X10_3Pa ;进入工艺自动方式 ，开启直流射频电源，频率为13. 56MHz、靶材功率为5-9KW ;传动速度为O. 8^m/s ;并通入气体Ar，流量为200-300sCCm ;将非晶硅薄膜电池放入真空腔室，分别在非晶硅膜表面上沉积Al层411和Cu、Ni合金层412两层，沉积厚度为I μ m。在经过波长为532的绿激光在背电极膜上刻线，形成二次光刻处22，沿着非晶硅刻划线沟道同一方向，并且与该方向平行，相距约O. Imm;使各节电池电气断开作用；再用波长为532的绿激光在背电极表面刻划绝缘线5，形成三次光刻处23，该绝缘线包括多条横向绝缘线24，如图2，横向绝缘线24的宽度为O. 03-0. 05mm。并要求跨线电阻大于2M Ω ；保证各电池芯片与外界隔离。再将刻蚀好横向绝缘线24的非晶硅薄膜电池在专用贴膜机上贴一层保护膜6，如图3所示；要求贴膜机滚动频率为30Hz，贴膜滚轮压力为O. 2-0. 5MPa。再将贴膜后的非晶硅薄膜电池在自动玻璃切割机上，根据设定后的规格尺寸进行切割；如图4所示，最后用激光打标机将非晶硅表面上的绝缘保护膜开出正负电极25、26 ；再经过测试分选包装入库，得到100%性能的非晶硅薄膜太阳电池芯片。本实用新型是通过在线磁控溅射的方式在非晶硅薄膜电池上镀两层背电极，第一层为铝层，大约厚度为300A° ;第二层为Cu，Ni合金层，大约厚度为250A°，由于磁控溅射镀的膜均匀性好、附着力强，因此在很多领域内都使用磁控溅射镀各种元素的膜；再通过三次光刻、以及刻划绝缘线、贴保护膜、最后再正负极使用焊锡方式直接引出正负极引线，使整过制造工艺流程更简单，产品质量更加稳定，保证在长期使用过程中不易脱落；本实用新型的电池的制作的具体步骤如下I)在刻划了二次光刻的非晶娃薄膜表面,使用磁控派射方式镀一层背电极；2)使用波长为532的绿激光在背电极表面刻线，使每个子电池相互隔开；3)使用波长为532的绿激光在背电极表面刻划绝缘线，使每个小电池相互隔开；4)使用保护膜，通过自动贴膜机上贴在背电极表面上；5)使用激光打标机在正负极两段，雕刻正负极焊点，直接焊接引出正负极线；本实用新型的电池芯片采用该种方法做出的非晶硅薄膜电池芯片，提高了电池芯片的工作稳定性，并提高了电池的光电转换效率，使产品成本得以降低，同时也提高了同行业的竞争力。在此说明书中，本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的 。
权利要求1.一种非晶硅薄膜电池芯片，其特征在于，所述电池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜层和背电极，所述玻璃基板上依次设有非晶硅薄膜层和背电极，所述背电极包括铝层和铜镍合金层。
2.根据权利要求I所述的电池芯片，其特征在于，所述铜镍合金层位于铝层的上部，所述铜镍合金层的上面覆盖有保护膜。
3.根据权利要求I或者2所述的电池芯片，其特征在于，所述玻璃基板和非晶硅薄膜层之间设有透明导电膜。
4.根据权利要求I或者2所述的电池芯片，其特征在于，所述铝层和铜镍合金层上设有绝缘线。
专利摘要本实用新型提供了一种非晶硅薄膜电池芯片，所述电池芯片包括玻璃基板、非晶硅薄膜层和背电极，所述玻璃基板上依次设有非晶硅薄膜层和背电极，所述背电极包括铝层和铜镍合金层。本实用新型电池芯片的背电极包括铝层和铜镍合金层，大大降低了焊接的脱落率，并且焊接方便，牢靠，由于整过背电极都是由铜镍膜组成，可以自由的变换焊接位置，大大减轻了焊点设计困难；由于磁控溅射为真空度镀膜工艺，整过镀膜十分均匀，速度快提高了工作效率，制作流程方便，保质期长，使太阳电池芯片更加稳定。
文档编号H01L31/0224GK202585435SQ201220238538
公开日2012年12月5日 申请日期2012年5月25日 优先权日2012年5月25日
发明者邓文忠 申请人:浙江慈能光伏科技有限公司