专利名称：一种高频微带基片式环行器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种环行器，尤其涉及一种高频微带基片式环行器。
背景技术：
环行器是一个多端口器件，其中电磁波的传输只能沿单方向环行，其原理是磁场偏置铁氧体材料各向异性特性，在近代雷达和微波多路通信系统中都要用到具有单方向环行特性的环行器件。现有的微波结构环行器有微带式、波导式、带状线和同轴式，其中以微带三端环行器用的最多，用铁氧体材料作介质，上置导带结构，加恒定磁场，就具有环行特性，但其存在着工作频率范围低的缺陷。
实用新型内容实用新型目的:本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种高频微带基片式环行器，该环行器结构简单、体积小，适用于表面贴装和微电路集成，并且满足较高频率范围的工作要求。技术方案:本实用新型所述的一种高频微带基片式环行器，包括底座、饱和磁矩等于5000Gs的尖晶石铁氧体基片、微带电路和永磁体，所述尖晶石铁氧体基片的厚度为
0.28-0.32mm，所述微带电路设置在所述尖晶石铁氧体基片上表面，所述永磁体设置在所述微带电路上，所述永磁体的中心与微带电路的圆盘中心保持一致，所述尖晶石铁氧体基片的下表面固定在底座上。进一步地，所述微带电路通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片上表面。进一步地，所 述永磁体为钐钴永磁体，所述底座由磁性金属材料加工制成。进一步地，所述永磁体通过环氧树脂胶合在所述微带电路上。进一步地，所述尖晶石铁氧体基片通过焊锡膏焊接在底座上。上述技术方案保证永磁体纵向磁化尖晶石铁氧体基片，尖晶石铁氧体基片边缘磁化均匀，接地良好，并且由于底座与尖晶石铁氧体基片的热膨胀系数相当，能够在焊接时保护尖晶石铁氧体基片，降低了由于焊接而导致尖晶石铁氧体基片开裂的风险，提高了产品的可靠性。本实用新型与现有技术相比，其有益效果是:本实用新型结构简单、体积小，适用于表面贴装和微电路集成，并且满足较高频率范围的工作要求。
图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型的装配后的外型图。
具体实施方式
下面对本实用新型技术方案进行详细说明，但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。如图1和2所示，一种高频微带基片式环行器，包括铁合金底座1、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片2、微带电路3和衫钻永磁体4,所述尖晶石铁氧体基片2的厚度为0.28-0.32mm，所述微带电路3通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片2上表面，所述钐钴永磁体4通过环氧树脂层胶合在所述微带电路3上，所述钐钴永磁体4的中心与微带电路3的圆盘中心保持一致，所述尖晶石铁氧体基片2的下表面通过焊锡膏焊接在铁合金底座I上。所述饱和磁矩为5000GS的尖晶石铁氧体基片2居里温度高，温度稳定性好，同时减薄基片的厚度能够使隔环行器在高频范围内工作。上述隔离器的主要技术指标如下表:
权利要求1.一种高频微带基片式环行器，包括底座、铁氧体基片、微带电路和永磁体，所述微带电路设置在所述铁氧体基片上表面，所述永磁体设置在所述微带电路上，所述永磁体的中心与微带电路的圆盘中心保持一致，所述铁氧体基片的下表面固定在底座上，其特征在于，所述铁氧体基片为饱和磁矩等于5000GS的尖晶石铁氧体基片，其厚度为0.28-0.32mm。
2.根据权利要求1所述的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述微带电路通过光刻技术电镀在所述尖晶石铁氧体基片上表面。
3.根据权利要求1所述的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述永磁体为钐钴永磁体，所述底座由磁性金属材料加工制成。
4.根据权利要求1所述的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述永磁体通过环氧树脂胶合在所述微带电路上。
5.根据权利要求1所述的高频微带基片式环行器，其特征在于，所述尖晶石铁氧体基片通过焊锡膏焊 接在底座上。
专利摘要本实用新型公开一种高频微带基片式环行器，包括底座、饱和磁矩为5000Gs的尖晶石铁氧体基片、微带电路和永磁体，所述尖晶石铁氧体基片的厚度为0.28-0.32mm，所述微带电路设置在所述尖晶石铁氧体基片上表面，所述永磁体设置在所述微带电路上，所述永磁体的中心与微带电路的圆盘中心保持一致，所述尖晶石铁氧体基片的下表面固定在底座上；本实用新型结构简单、体积小，适用于表面贴装和微电路集成，并且满足较高频率范围的工作要求。
文档编号H01P1/387GK203085719SQ20122063650
公开日2013年7月24日 申请日期2012年11月28日 优先权日2012年11月28日
发明者刘旷希, 唐正龙 申请人:南京广顺电子技术研究所