技术总结
一种自对准三重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层的部分表面具有若干分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间暴露出待刻蚀层表面，所述第一牺牲层表面具有第二牺牲层；在所述待刻蚀层、第一牺牲层和第二牺牲层表面形成掩膜薄膜；去除所述第二牺牲层的侧壁和顶部表面的掩膜薄膜，在所述第一牺牲层两侧形成第一掩膜；在形成所述第一掩膜之后，沿所述第二牺牲层的侧壁表面去除部分所述第二牺牲层，使所述第二牺牲层的尺寸缩小，并暴露出部分第一牺牲层表面，所述尺寸缩小到第二牺牲层形成第二掩膜。所述形成方法简单，所形成的三重图形应用更广泛。
技术研发人员：尚飞;何其旸
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310106678
技术研发日：2013.03.28
技术公布日：2018.03.06