专利名称：驱动电路及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种由使用呈现半导体特性的金属氧化物形成的元件构成的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。其中，半导体装置指的是能够通过利用半导体特性而动作的所有装置，因此显示装置、半导体电路以及电子设备都是半导体装置。
背景技术：
金属氧化物的种类繁多且用途广。氧化铟作为较普遍的材料被用于液晶显示器等中所需要的透明电极材料。在金属氧化物中存在呈现半导体特性的金属氧化物。呈现半导体特性的金属氧化物是化合物半导体的一种。化合物半导体是指2种以上的原子可以结合而形成的半导体。通常，金属氧化物为绝缘体。但是，也存在根据金属氧化物的构成元素的组合而为半导体的情况。例如，已知在金属氧化物中，氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等呈现半导体特性。并且，将由这种金属氧化物构成的透明半导体层用作沟道形成区的薄膜晶体管已被公开(专利文献I至4、非专利文献I)。但是，已知金属氧化物不仅有一元氧化物而且还有多元氧化物。例如，属于同系物(homologous series)的InGaO3 (ZnO)m (m:自然数)为公知的材料(非专利文献2至4)。
并且，已经确认可以将上述那样的In-Ga-Zn类氧化物用于薄膜晶体管的沟道形成区(专利文献5、非专利文献5以及6)。专利文献1:日本专利公开昭60-198861号公报专利文献2:日本专利公开平8-264794号公报专利文献3:日本PCT国际申请翻译平11-505377号公报专利文献4:日本专利公开2000-150900号公报专利文献5:日本专利申请公开2004-103957号公报非专利文献I:M.ff.Prins, K.0.Grosse-Holz, G.Muller, J.F.M.Cillessen, J.B.Giesbers, R.P.Weening, and R.M.Wolf、「A ferroelectric transparent thin-filmtransistorJ >App1.Phys.Lett.、17Junel996、Vol.68p.3650-3652非专利文献2:M.Nakamura, N.Kimizuka, and T.Mohri>ΓThe Phase Relations inthe In2O3-Ga2ZnO4-ZnO System atl350°C」、J.Solid State Chem.、1991、Vol.93，p.298-315非专利文献3:Ν.Kimizuka, M.1sobe, and Μ.Nakamura、「Synthesesand Single-Crystal Data of Homologous Compounds, In2O3(ZnO)m (m = 3, 4，and5)，InGaO3 (ZnO) 3, and Ga2O3 (ZnO) m (m = 7，8，9，and I 6) in theIn2O3-ZnGa2O4-ZnOSystemJ、J.Solid State Chem.、1995、Vol.116, p.170-178
非专利文献4:中村真佐樹、君塚昇、毛利尚彦、磯部光正、「* 口力' ^相、InFeO3(ZnO)mOn:自然数)i子乃同型化合物乃合成結晶構造」、固体物理、1993年、Vol.28、N0.5、ρ.317-327非专利文献5:K.Nomura, H.0hta, K.Ueda, T.Kamiya, M.Hirano, and H.Hosono>「Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxidesemiconductor」、SCIENCE、2003、Vol.300、p.1269-1272非专利文献6:Κ.Nomura, H.0hta, A.Takagi, T.Kamiya, M.Hirano, and H.Hosono>「Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistorsusing amorphous oxide semiconductors」、NATURE、2004、Vol.432p.488-49
发明内容
正在研讨将利用呈现半导体特性的金属氧化物(以下，也称为氧化物半导体)的薄膜晶体管应用于有源矩阵型显示装置(液晶显示器、电致发光显示器或电子纸等)。有源矩阵型显示装置包括被配置为矩阵状的数十万至数百万的像素以及向像素输入脉冲信号的驱动电路。在有源矩阵型显示装置中，薄膜晶体管被设置在各个像素中，并用作根据从驱动电路输入的脉冲信号进行导通、截止的切换的开关元件，从而实现图像的显示。另外，薄膜晶体管还用作构成驱动电路的元件。用来驱动像素部的驱动电路包括如薄膜晶体管、电容元件、电阻元件等元件。本发明的一个方式的目的之一在于提供一种由使用氧化物半导体制造的有源元件及无源元件构成的驱动电路以及具有该驱动电路的半导体装置。本发明的一个方式包括增强型薄膜晶体管以及电阻元件。薄膜晶体管以及电阻元件使用氧化物半导体层形成。并且，将用于薄膜晶体管的氧化物半导体层的氢浓度设定为低于用于电阻元件的氧化物半导体层的氢浓度。由此，用于电阻元件的氧化物半导体层的电阻值低于用于薄膜晶体管的氧化物半导体层的电阻值。本发明的一个方式包括使用氧化物半导体层形成的薄膜晶体管以及电阻元件，并且在用于电阻元件的氧化物半导体层上直接接触地设置通过使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层，并且在用于薄膜晶体管的氧化物半导体层上隔着用作阻挡层的氧化硅层地设置所述氮化硅层。因此，对用于电阻元件的氧化物半导体层中引入比用于薄膜晶体管的氧化物半导体层更高浓度的氢。其结果，用于电阻元件的氧化物半导体层的电阻值低于用于薄膜晶体管的氧化物半导体层的电阻值。即，本发明的一个方式为驱动电路，该驱动电路包括:将第一氧化物半导体层用作电阻成分的电阻元件；将氢浓度比第一氧化物半导体层的氢浓度低的第二氧化物半导体层用作沟道形成区的薄膜晶体管；设置在第二氧化物半导体层上的氧化硅层；以及设置在第一氧化物半导体层以及所述氧化硅层上的氮化硅层。 再者，本发明的一个方式采用如下结构:在用作电阻元件的电阻成分以及薄膜晶体管的沟道形成区的氧化物半导体层与作为导电体的布线之间设置被低电阻化了的氧化物半导体层。
S卩，本发明的一个方式为驱动电路，该驱动电路在上述结构中包括:接触于电阻元件的一方的端子或另一方的端子以及所述第一氧化物半导体层的第三氧化物半导体层；接触于薄膜晶体管的第一端子以及第二氧化物半导体层的第四氧化物半导体层；以及接触于薄膜晶体管的第二端子以及第二氧化物半导体层的第五氧化物半导体层，其中第三氧化物半导体层至第五氧化物半导体层的电阻值比第二氧化物半导体层的电阻值低。另外，本发明的一个方式包括使用含有高浓度的氮的氧化物半导体层形成的电阻元件以及薄膜晶体管。另外，在薄膜晶体管上设置用作阻挡层的氧化硅层。在该阶段中，在包含成为氢原子的供给源的物质的气氛下进行200°C至600°C的热处理，典型的是250°C至500°C的热处理。由于氧化物半导体层中的氮可以在防止构成氧化物半导体层的原子在膜中被填充得过密，并且可以促进氢向膜中的扩散、固溶(solid dissolution)，所以通过该热处理，对用于电阻元件的含有高浓度的氮的氧化物半导体层中引入比用于薄膜晶体管的氧化物半导体层更高浓度的氢。其结果，用于电阻元件的含有高浓度的氮的氧化物半导体层的电阻值低于用于薄膜晶体管的含有高浓度的氮的氧化物半导体层的电阻值。即，本发明的一个方式为驱动电路，该驱动电路包括:将含有高浓度的氮的第一氧化物半导体层用于电阻成分的电阻元件；以及将比第一氧化物半导体层氢浓度低并含有高浓度的氮的第二氧化物半导体层用于沟道形成区的薄膜晶体管。另外，含有高浓度的氮的氧化物半导体层是指氮(N)与氧(O)的比率(N/0)为0.05以上且0.8以下的范围，优选为0.1以上0.5以下的氧化物半导体层。再者，本发明的一个方式采用如下结构:在用于电阻元件的含有高浓度的氮的氧化物半导体层上直接接触地设置通过使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层。
即，本发明的一个方式为驱动电路，该驱动电路在上述结构中包括:设置在第二氧化物半导体层上的氧化硅层；以及设置在第一氧化物半导体层以及氧化硅层上的氮化硅层。另外，在本文件(说明书、权利要求书或附图等)中，“膜”是指形成在整个基板表面上的物体，虽然其根据之后进行的光刻工序等被加工为所希望的形状，但这里指的是加工前的状态。并且，“层”是指从“膜”通过光刻工序等加工形成为所希望的形状的物体，或者以形成在整个基板表面为目的的物体。另外，在本文件(说明书、权利要求书或附图等)中，A与B连接，除了指A与B直接连接的情况外，也指电连接的情况。这里，A与B电连接是指当A与B之间存在具有某种电作用的对象物时，通过该对象物，A与B大致成为同一节点的情况。具体是指，当考虑到电路动作时A与B可以被认为是同一节点的情况，例如，通过晶体管之类的开关元件A与B连接，而通过该开关元件的导通A与B大致成为同电位的情况；通过电阻元件A与B连接，该电阻元件的两端所产生的电位差为不影响包括A和B的电路的动作的程度的情况；等等。另外，由于薄膜晶体管的源极端子及漏极端子根据薄膜晶体管的结构或动作条件等而改变，所以很难特定哪个端子为源极端子或漏极端子。藉此，在本文件(说明书、权利要求书或附图等)中，将源极端子及漏极端子的一方记为第一端子，而将源极端子及漏极端子的另一方记为第二端子来进行区分。
根据本发明的一个方式，可以使用作电阻元件的电阻成分的氧化物半导体层的氢浓度高于用作薄膜晶体管的沟道形成区的氧化物半导体层的氢浓度。因此，可以选择性地降低氧化物半导体层的电阻值。由此，不需要另行进行薄膜晶体管的制造工序以及电阻元件的制造工序，从而可以提供制造步骤得到缩减的驱动电路以及具有该驱动电路的半导体
>J-U ρ α装直。
图1是示出半导体装置的一个结构例的图；图2是示出驱动电路的一个结构例的框图；图3Α和3Β是示出驱动电路的一个结构例的电路图；图4是示出驱动电路的时序图的一个例子的
图5Α至5C是示出驱动电路的一个结构例的电路图；图6Α至6C是示出驱动电路的一个结构例的电路图；图7是示出驱动电路的一个结构例的框图；图8是示出驱动电路的一个结构例的布局图；图9是示出驱动电路的一个结构例的布局图；图10是示出驱动电路的一个结构例的布局图；图1lA至IlC是示出驱动电路的一个结构例的图；图12Α和12Β是示出驱动电路的一个结构例的图；图13Α和13Β是示出驱动电路的一个结构例的图；图14Α和14Β是示出驱动电路的一个结构例的图；图15Α至15C是示出驱动电路的制造工序的一个例子的图；图16Α至16C是示出驱动电路的制造工序的一个例子的图；图17是示出驱动电路的一个结构例的图；图18Α至18C是示出驱动电路的制造工序的一个例子的图；图19Α和19Β是示出驱动电路的制造工序的一个例子的图；图20Α和20Β是示出驱动电路的一个结构例的电路图并且图20C是示出驱动电路的时序图的一个例子的图；图21是示出半导体装置的一个结构例的图；图22Α和22Β是示出保护电路的一个结构例的电路图；图23是示出半导体装置的像素的一个结构例的电路图；图24Α至24C是示出半导体装置的一个结构例的图；图25Α和25Β是示出半导体装置的一个结构例的图；图26是示出半导体装置的一个结构例的图；图27Α至27C是示出半导体装置的一个例子的图；图28Α和28Β是示出半导体装置的一个例子的图。附图标记说明100基板101源极线驱动电路
102A栅极线驱动电路102B栅极线驱动电路103像素部104AFPC104BFPC201时钟信号用电平转移器202起始脉冲用电平转移器203脉冲输出电路204NAND 回路205缓冲器206取样开关251移位寄存器300脉冲输出电路301开关302倒相电路 303倒相电路304开关305倒相电路331脉冲输出电路332脉冲输出电路350脉冲输出电路351薄膜晶体管352电阻元件353薄膜晶体管354电阻元件355薄膜晶体管356薄膜晶体管357电阻元件358薄膜晶体管359布线360布线500基板501源极线驱动电路502A栅极线驱动电路502B栅极线驱动电路503像素部504AFPC504BFPC550保护电路
551保护电路560薄膜晶体管561薄膜晶体管562薄膜晶体管563薄膜晶体管564薄膜晶体管565薄膜晶体管566薄膜晶体管567薄膜晶体管568电阻元件569布线570电阻元件571电阻元件572薄膜晶体管573布 线580基板581薄膜晶体管585绝缘层587电极层588电极层589球形粒子590a黑色区590b白色区594空洞595填料596基板601电阻元件602薄膜晶体管603电阻元件604薄膜晶体管605电阻元件606薄膜晶体管607电阻元件608薄膜晶体管701电阻元件702薄膜晶体管703薄膜晶体管730电容元件731薄膜晶体管
721薄膜晶体管751时钟信号用电平转移器752起始脉冲用电平转移器753脉冲输出电路754NAND 回路755缓冲器781移位寄存器801电源线802电源线803控制信号线
804控制信号线805控制信号线806氧化物半导体层807布线层808布线层809接触孔900基板901第一布线902栅极端子903绝缘层904接触孔905氧化物半导体层906氧化物半导体层907布线908布线909氧化硅层910氮化硅层911a缓冲层911b缓冲层911c缓冲层91 Id缓冲层91 Ie缓冲层912布线950氧化物半導体膜951氧化物半導体膜960氧化物半导体层961氧化物半导体层962氧化物半导体层963氧化物半导体层
964氧化物半导体层
965氧化物半导体层
966氧化物半导体层
967氧化物半导体层
968氧化物半导体层
1001沟道保护层
IOlOa缓冲层
IOlOb缓冲层
1400脉冲输出电路
1401倒相电路
1402开关
1403电容 元件
1411薄膜晶体管
1412电阻元件
1413薄膜晶体管
1414电容元件
1415布线
1416布线
2001氧化物半导体层
2002氧化物半导体层
4501基板
4502像素部
4503a源极线驱动电路
4503b源极线驱动电路
4504a栅极线驱动电路
4504b栅极线驱动电路
4505密封材料
4506基板
4507填料
4509薄膜晶体管
4510薄膜晶体管
4511发光元件
4512电场发光层
4513电极层
4515连接端子电极
4516端子电极
4517电极层
4518aFPC
4518bFPC
4519各向异性导电膜
4520分隔壁
6400像素
6401薄膜晶体管
6402薄膜晶体管
6403发光元件
6405源极线
6406栅极线
6407电源线
6408共同电极
7001薄膜晶体管
7002发光元件
7003阴极
7004发光层
7005阳极
7011薄膜晶体管
7012发光元件
7013阴极
7014发光层
7015阳极
7016屏蔽层
7017导电层
7021薄膜晶体管
7022发光元件
7023阴极
7024发光层
7025阳 极
7027导电层
9630框体
9631显示部
9632扬声器
9633操作键
9634连接端子
9635记录媒体读取部
9640框体
9641显示部
9642扬声器
9643操作键
9644连接端子
9645快门按钮
9646图像接收部
9650框体
9651显示部
9652扬声器
9653操作键
9654连接端子
9660框体
9661显示部
9662扬声器
9663操作键
9664连接端子
9665点击设备
9666外部连接端口
9670框体
9671显示部
9672扬 声器
9673操作键
麦克风具体实施方式
以下使用附图对所公开的发明的实施方式进行例示。但是，所公开的发明不限于以下的实施方式，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式及详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，所公开的发明不应该被解释为仅限于本实施方式所记载的内容。在下面所例示的实施方式中，有时在不同附图中使用相同的附图标记来表示相同的部分。
实施方式I
在本实施方式中，使用图1至图16对具有使用氧化物半导体制造的驱动电路的显示装置的一个例子进行说明。具体地，作为用于驱动显示装置的像素部的驱动电路的源极线驱动电路以及栅极线驱动电路的一个例子，对具有组合增强型薄膜晶体管和电阻元件而形成的反相器(以下，称为ERMOS电路)的驱动电路进行说明。另外，在本实施方式中，对将η沟道型薄膜晶体管用作构成单极性驱动电路的薄膜晶体管的例子进行说明。
另外，显示装置是指具有发光元件或液晶元件等的显示元件的装置。显示装置也可以包括驱动多个像素的周边驱动电路。另外，驱动多个像素的周边驱动电路与多个像素形成在同一基板上。另外，显示装置也可以包括柔性印刷基板(Flexible PrintedCircuit:FPC)。再者，显示装置还可以包括通过柔性印刷基板(FPC)等连接并安装有IC芯片、电阻元件、电容元件、电感器、晶体管等的印刷线路板(PWB)。再者，显示装置还可以包括偏振片或相位差板等的光学片、照明装置、框体、声音输入输出装置、光传感器等。
在图1中示出显示装置的整体图。在基板100上，一体形成有源极线驱动电路101、第一栅极线驱动电路102A、第二栅极线驱动电路102B以及像素部103。在像素部103中，由虚线框110包围的部分为一个像素。在图1所示的例子中，虽然示出第一栅极线驱动电路102A、第二栅极线驱动电路102B作为栅极线驱动电路，也可以仅使用其中一个。另外，在显示装置的像素中，利用薄膜晶体管进行显示元件的控制。对源极线驱动电路101、第一栅极线驱动电路102A、第二栅极线驱动电路102B进行驱动的信号(时钟信号、起始脉冲信号等)通过柔性印刷基板(Flexible Printed Circuit:FPC) 104A、104B从外部输入。
用来驱动像素部的源极线驱动电路、栅极线驱动电路具有由薄膜晶体管、电容元件、电阻元件等构成的倒相电路。当使用单极性薄膜晶体管形成倒相电路时，有组合增强型薄膜晶体管及耗尽型薄膜晶体管而形成的电路(以下，称为EDMOS电路)、由增强型薄膜晶体管和增强型薄膜晶体管而形成的电路(以下，称为EEMOS电路)以及ERMOS电路。另外，当η沟道型薄膜晶体管的阈值电压为正时将其定义为增强型薄膜晶体管，而当η沟道型薄膜晶体管的阈值电压为负时将其定义为耗尽型晶体管，并且在本说明书中始终使用该定义。
当将阈值电压为正的增强型薄膜晶体管用于设置在像素部的薄膜晶体管时，可以使根据对栅极端子与源极端子之间施加的电压而流过的电流小于耗尽型晶体管，从而谋求实现低耗电量化。另外，优选使用与像素部相同的增强型薄膜晶体管作为用来驱动像素部的驱动电路所使用的薄膜晶体管。通过使用增强型薄膜晶体管作为倒相电路的薄膜晶体管，制造像素部以及驱动电路时的晶体管的种类为一种，所以可以减少制造工序。另外，由于增强型晶体管使用氧化物半导体并且具有当栅极电压为-20V至20V时导通截止比为IO9以上的电特性，所以源极端子及漏极端子间的漏电流少，从而实现低耗电量驱动。
另外，在本文件(说明书、权利要求书或附图等)中使用的氧化物半导体形成表示为InMO3 (ZnO)m (m>0)的薄膜，并利用该薄膜制造半导体元件。另外，M表示选自镓(Ga)、铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)及钴(Co)中的一种金属元素或多种金属元素。例如，除了有包含镓(Ga)作为M的情况以外，还有包含镓(Ga)和镍(Ni)、或镓(Ga)和铁(Fe)等包含镓(Ga)以外的上述金属元素的情况。另外，在上述氧化物半导体中，除了包含作为M的金属元素之外，有时还包含作为杂质元素的铁(Fe)、镍(Ni)、以及其他过渡金属元素或该过渡金属的氧化物。此外，上述氧化物半导体所含有的钠(Na)为5X 1018atoms/cm3以下,优选为lX1018atomS/Cm3以下。在本文件(说明书、权利要求书或附图等)中，也将该薄膜称为In-Ga-Zn-O类非单晶膜。
表I示出利用感应I禹合等离子体质量分析法(Inductively Coupled Plasma MassSpectrometry:1CP_MS分析法)的典型测量例子。在使用摩尔数之比为In2O3:Ga2O3:ZnO= I:I:1的靶材(In:Ga:Zn=l:1:0.5)，并且压力为0.4Pa，直流(DC)电源为500W，氩气体流量为lOsccm，氧为5sccm的条件I下得到的氧化物半导体膜是InGaa94Zna4tlOi31t5另外，在上述条件的基础上仅将成膜气氛条件改变为氩气体流量为40sCCm，氧为Osccm的条件2下得到的氧化物半导体膜是InGaa 95Zn0.4103.33。
[表1]
权利要求
1.一种半导体装置，包括: 包括沟道形成区的晶体管，其中所述沟道形成区包括在绝缘膜上的第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包含铟和锌； 在所述绝缘膜上的氧化物层，所述氧化物层包含铟和锌； 在所述第一氧化物半导体层上并与其接触的氧化物绝缘层；以及 在所述氧化物层上并与其接触的氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层包含氢。
2.—种半导体装置，包括: 包括沟道形成区的晶体管，其中所述沟道形成区包括在绝缘膜上的第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包含铟和锌； 电连接至所述晶体管的无源元件，所述无源元件包括在所述绝缘膜上的氧化物层，所述氧化物层包含铟和锌； 在所述第一氧化物半导体层上并与其接触的氧化物绝缘层；以及 在所述氧化物层上并与其接触的氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层包含氢。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述无源元件是电阻元件。
4.一种半导体装置，包括: 包括沟道形成区的晶体管，其中所述沟道形成区包括在衬底上的第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包含铟和锌； 在所述衬底上的氧化物层，所述氧化物层包含铟和锌； 在所述第一氧化物半导体层上并与其接触的氧化物绝缘层；以及在所述氧化物层和所述氧化物绝缘层上的氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层与所述氧化物层相接触。
5.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的半导体装置，其中所述氧化物层的电阻比所述第一氧化物半导体层的电阻低。
6.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的半导体装置，其中所述氧化物层的氢浓度比所述第一氧化物半导体层的氢浓度高。
7.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的半导体装置，其中所述氮化物绝缘层是氮化娃层。
8.根据权利要求1或4所述的半导体装置，其中所述氧化物层包括在无源元件中。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述无源元件是电阻元件。
10.一种显示装置，包括: 晶体管，包括: 在衬底上的栅极； 在所述栅极上的栅极绝缘膜； 在所述栅极绝缘膜上的第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包含铟和锌； 在所述第一氧化物半导体层上并与其电接触的源极； 在所述第一氧化物半导体层上并与其电接触的漏极； 电连接至所述显示装置的像素电极； 在所述衬底上的氧化物层，所述氧化物层包含铟和锌； 在所述第一氧化物半导体层、所述源极和所述漏极上的氧化物绝缘层；以及在所述氧化物层和所述氧化物绝缘层上的氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层包含氢， 其中所述氮化物绝缘层与所述氧化物层相接触，以及 其中所述氧化物绝缘层与所述源极和所述漏极之间的所述第一氧化物半导体层的上表面相接触。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述氧化物层的电阻比所述第一氧化物半导体层的电阻低。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述氧化物层的氢浓度比所述第一氧化物半导体层的氢浓度高。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述氮化物绝缘层是氮化硅层。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述氧化物层包括在无源元件中。
15.根 据权利要求14所述的显示装置，其中所述无源元件是电阻元件。
全文摘要
本发明涉及一种驱动电路及半导体装置，提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。
文档编号H01L29/786GK103219394SQ201310138489
公开日2013年7月24日 申请日期2009年12月23日 优先权日2008年12月24日
发明者小山润, 坂田淳一郎, 丸山哲纪, 井本裕己, 浅野裕治, 肥塚纯一 申请人:株式会社半导体能源研究所