一种器件隔离的方法
【专利摘要】本发明涉及一种器件隔离的方法，包括以下步骤，步骤一，在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连；步骤二，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理；步骤三，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽；步骤四，在晶圆背面刻蚀出的沟槽中填充隔离物质。在硅衬底背面蚀刻沟槽，可以减少在晶圆正面刻蚀深沟槽造成的等离子体损伤，同时又能保证器件的隔离的效果。
【专利说明】—种器件隔离的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种器件隔离的方法。
【背景技术】
[0002]互补型金属氧化物半导体(CMOS)由P型金属氧化物半导体(PMOS)和N型金属氧化物半导体(NMOS)构成，因为需要将PMOS和NMOS同时形成在同一硅衬底上，故需要对其进行隔离。现有的隔离技术有L0C0S，STI，但是由于器件隔离的要求越来越高，正逐渐形成了深沟槽填充的新技术(DTI, deep trench isolation),因为需要蚀刻深沟槽,工艺难度较高，且会因更多的等离子体损伤，造成器件性能降低。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种简单的、减少等离子体损伤、提高器件性能的器件隔离方法。
[0004]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种器件隔离的方法，包括以下步骤，
[0005]步骤一，在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连；
[0006]步骤二，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理；
[0007]步骤三，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽；
[0008]步骤四，在晶圆背面刻蚀出的沟槽中填充隔离物质。
[0009]本发明的有益效果是:在硅衬底背面蚀刻沟槽，可以减少在晶圆正面刻蚀深沟槽造成的等离子体损伤，同时又能保证器件的隔离的效果。
[0010]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0011]进一步，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄的厚度为200?300微米。
[0012]进一步，所述步骤三中，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀沟槽的位置与晶圆正面的浅沟槽的位置相对应，且所述晶圆背面刻蚀的沟槽与晶圆正面的浅沟槽相连。
[0013]进一步，所述步骤四中，在晶圆背面刻蚀的沟槽中填充的隔离物质为二氧化硅。
[0014]进一步，对已完成金属连线的硅晶圆背面进行减薄处理所采用的方法为湿法刻蚀、研磨、化学机械研磨其中的一种或几种方法的组合。
[0015]进一步，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽的方法采用的是干法刻蚀。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本发明一种器件隔离的方法的流程图；
[0017]图2为本发明一种器件隔离的方法的器件隔离过程的示意图。
[0018]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0019]1、已完成金属连线的晶圆，2、背面减薄的晶圆，3、完成隔离的晶圆。【具体实施方式】
[0020]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0021]如图1所示，一种器件隔离的方法，首先在晶圆正面进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连，所述浅沟沟槽隔离是在0.25um以下，主要采用刻蚀一定深度的沟槽、填充沟槽、化学机械抛光平坦化技术进行器件的隔离，所述金属互连是指在集成电路片上淀积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路，在晶圆正面刻蚀的浅沟槽位于晶圆正面的两个参杂区之间；然后，减薄晶圆背面，采用湿法蚀亥IJ，研磨，化学机械研磨等方法中的一种或几种方法的组合对已完成金属连线的晶圆背面进行减薄处理，减薄的厚度为200?300微米；接着，在晶圆背面刻蚀沟槽，在进行减薄处理后的晶圆背面采用干法刻蚀出沟槽，在晶圆背面刻蚀沟槽的位置与晶圆正面的浅沟槽的位置相对应，且所述晶圆背面刻蚀的沟槽与晶圆正面的浅沟槽相连；最后，在晶圆背面沟槽中填充隔离物质，所述隔离物质为二氧化硅。
[0022]图2为本发明一种器件隔离的方法的器件隔离过程的示意图，在晶圆正面刻蚀浅沟槽，在晶圆正面安装金属连线，得到已完成金属连线的晶圆1，减薄已完成金属连线的晶圆I的背面，得到背面减薄的晶圆2，在背面减薄的晶圆2的背面刻蚀沟槽，并在沟槽中填充隔离物质，得到完成隔离的晶圆3。
[0023]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种器件隔离的方法，其特征在于:包括以下步骤， 步骤一，在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连； 步骤二，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理； 步骤三，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽； 步骤四，在晶圆背面刻蚀出的沟槽中填充隔离物质。
2.根据权利要求1所述的一种器件隔离的方法，其特征在于:所述步骤二中，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄的厚度为200?300微米。
3.根据权利要求1或2所述的一种器件隔离的方法，其特征在于:所述步骤三中，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀沟槽的位置与晶圆正面的浅沟槽的位置相对应，且所述晶圆背面刻蚀的沟槽与晶圆正面的浅沟槽相连。
4.根据权利要求1或2所述的一种器件隔离的方法，其特征在于:所述步骤四中，在晶圆背面刻蚀的沟槽中填充的隔离物质为二氧化硅。
5.根据权利要求1或2所述的一种器件隔离的方法，其特征在于:对已完成金属连线的硅晶圆背面进行减薄处理所采用的方法为湿法刻蚀、研磨、化学机械研磨其中的一种或几种方法的组合。
6.根据权利要求1或2所述的一种器件隔离的方法，其特征在于:在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽的方法采用的是干法刻蚀。
【文档编号】H01L21/762GK103489820SQ201310456375
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】洪齐元, 黄海 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司