一种基片集成圆极化双频段天线的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基片集成圆极化双频段天线，本实用新型由上下表面涂有金属贴片的介质基片构成，所述的介质基片为T型结构，介质基片除了上底边以外沿周向开有等间距等半径的第一金属化通孔，第一金属化通孔贯穿上、下两层金属贴片形成基片集成波导，介质基片的上半段和下半段部分分别在上层金属贴片上开有第一X型缝隙和第二X型缝隙，两个X型缝隙周边分别开有第二金属化通孔。本实用新型具有在两个工作频段上均能圆极化辐射、同时增益高、交叉极化低、体积小、成本低、损耗小、易于集成及批量化生产的优点。
【专利说明】—种基片集成圆极化双频段天线【技术领域】
[0001]本发明采用基片集成波导技术，属于圆极化极化，特别适合于工作在间隔大的两个频段的无线通信系统，具体涉及一种工作在双频段的基片集成天线。
[0002]【背景技术】
[0003]波导缝隙天线具有高功率、高增益的优势，同时无电磁泄漏的优势。但是，波导天线与集成电路无法实现无缝对接。微带天线具有与高频电路无缝对接的优势，在微波领域很大程度上取代了传统的波导天线，但是微带天线在高功率场合仍然无法取代传统的波导。一种结合传统波导与现代集成电路优势的基片集成技术，能够与集成电路无缝对接，同时适用于高功率场合。
【发明内容】
[0004]本实用新型针对现有技术不足，提出了一种基片集成圆极化双频段天线。
[0005]本实用新型一种基片集成圆极化双频段天线，由上下表面涂有金属贴片的介质基片构成，所述的介质基片为T型结构，介质基片除了上底边以外沿周向开有等间距等半径的第一金属化通孔，第一金属化通孔贯穿上、下两层金属贴片形成基片集成波导，介质基片的上半段和下半段部分分 别在上层金属贴片上开有第一 X型缝隙和第二 X型缝隙，两个X型缝隙周边分别开有第二金属化通孔。
[0006]有益效果:具有在两个工作频段上均能圆极化辐射、同时增益高、交叉极化低、体积小、成本低、损耗小、易于集成及批量化生产的优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的俯视图；
[0008]图2为本实用新型的仰视图。
【具体实施方式】
[0009]如图1、图2所示，本实用新型一种基片集成圆极化双频段天线，由上下表面涂有金属贴片的介质基片I构成，所述的介质基片为T型结构，介质基片除了上底边以外沿周向开有等间距等半径的第一金属化通孔4，第一金属化通孔4贯穿上、下两层金属贴片形成基片集成波导，介质基片的上半段和下半段部分分别在上层金属贴片上开有第一 X型缝隙2和第二 X型缝隙5，两个X型缝隙周边分别开有第二金属化通孔3。
[0010]沿周向设置的第一金属化通孔4形成波导壁。第一 X型缝隙2和第二 X型缝隙5形成圆极化辐射，X型缝隙周边设置的第二金属化通孔3改善辐射的带宽特性。
[0011]当工作频率为较低频段时，第二 X型缝隙5产生圆极化辐射。第一 X型缝隙2不产生辐射。当工作频率为较高频段时，第二 X型缝隙5及第一 X型缝隙2同时产生圆极化辐射。
【权利要求】
1.一种基片集成圆极化双频段天线，由上下表面涂有金属贴片的介质基片构成，其特征在于:所述的介质基片为T型结构，介质基片除了上底边以外沿周向开有等间距等半径的第一金属化通孔，第一金属化通孔贯穿上、下两层金属贴片形成基片集成波导，介质基片的上半段和下半段部分分别在上层金属贴片上开有第一 X型缝隙和第二 X型缝隙，两个X型缝隙周边分别开有第二金属化通孔。
【文档编号】H01Q13/00GK203415687SQ201320458299
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年7月30日 优先权日:2013年7月30日
【发明者】蔡本晓 申请人:杭州电子科技大学