一种三相电抗器及逆变器并网系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种三相电抗器及逆变器并网系统，该三相电抗器包括：三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，附加磁柱位于三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感的磁柱平行。采用本实用新型提供的方案，可靠性较高。
【专利说明】—种三相电抗器及逆变器并网系统
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电力电子【技术领域】，尤其涉及一种三相电抗器及逆变器并网系统。
【背景技术】
[0002]近几年来，三相电抗器在电力电子【技术领域】获得了广泛的应用，图1所示即为一种采用了三相电抗器的逆变器并网系统。
[0003]现有技术中的三相电抗器多为如图2所示的三相三磁柱电感，具体包括两个相对的磁轭201、三个具有气隙的磁柱202和三个线圈203，三个磁柱202位于两个相对的磁轭201之间，三个线圈203分别绕在三个磁柱202的外周上。
[0004]图2所示的三相电抗器在输入三相完全对称的电流时，三个绕有线圈的磁柱202产生的磁通的矢量和为零。然而在实际应用时，很难保证输入的三相电流完全对称，使得三个绕有线圈的磁柱202产生的磁通的矢量和不为零，存在零序电流，导致三相电抗器的电感量发生变化，甚至无法正常工作，可见图2所示的三相电抗器的可靠性较低。
实用新型内容
[0005]本实用新型实施例提供一种三相电抗器及逆变器并网系统，能够解决现有技术中三相电抗器可靠性较低的问题。
[0006]本实用新型实施例提供了一种三相电抗器，包括:三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，所述附加磁柱位于所述三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与所述三相三磁柱电感的磁柱平行。
[0007]本实用新型实施例还提供了 一种逆变器并网系统，包括上述三相电抗器。
[0008]本实用新型实施例提供的三相电抗器，设有至少一个附加磁柱，当三相电抗器输入的三相电流不完全对称、存在零序电流时，附加磁柱能够为零序电流提供磁通通路，保证了三相电抗器的正常工作，提高了三相电抗器的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
[0010]图1为现有技术中逆变器并网系统的结构示意图；
[0011]图2为现有技术中三相电抗器的结构示意图；
[0012]图3为本实用新型实施例1提供的三相电抗器的结构示意图；
[0013]图4为本实用新型实施例2提供的三相电抗器的结构示意图；
[0014]图5为本实用新型实施例3提供的三相电抗器的结构示意图。
【具体实施方式】[0015]为了给出能够提高三相电抗器的可靠性的实现方案，本实用新型实施例提供了一种三相电抗器，以下结合说明书附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0016]本实用新型实施例提供了一种三相电抗器，包括:三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，附加磁柱位于三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感的磁柱平行。
[0017]其中，附加磁柱的数量具体可以仅为一个，也可以为两个，或者更多个。
[0018]下面结合附图，用具体实施例对本实用新型提供的上述三相电抗器进行详细说明。
[0019]实施例1:
[0020]图3所示为本实用新型实施例1提供的三相电抗器，包括:三相三磁柱电感31和一个附加磁柱32,该附加磁柱32位于三相三磁柱电感31的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感31的磁柱平行。具体的，附加磁柱32位于三相三磁柱电感31的中心磁柱的左侧。
[0021]在其它实施例中，附加磁柱32也可以位于三相三磁柱电感31的中心磁柱的右侧，本实用新型对此不作限定。
[0022]附加磁柱32的高度及厚度和三相三磁柱电感31的磁柱相同，宽度可以根据三相电抗器中存在的零序电流的大小和附加磁柱32的材料的抗饱和能力确定，具体为:
[0023]存在的零序电流越大，附加磁柱32的宽度越宽；存在的零序电流越小，附加磁柱32的宽度越窄；附加磁柱32的材料的抗饱和能力越弱，附加磁柱32的宽度越宽；附加磁柱32的材料的抗饱和能力越强，附加磁柱32的宽度越窄。
[0024]较佳的，在确定附加磁柱32的宽度时还可以考虑到材料损耗。
[0025]进一步的，附加磁柱32的材料为内部不含有气隙的磁性材料，例如铁氧体、硅钢
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[0026]在对损耗敏感的应用场合中，例如应用场合中存在高频含量较高的零序电流时，可以采用铁氧体作为附加磁柱32的材料，损耗较小；在对损耗不敏感的应用场合中，可以采用硅钢片作为附加磁柱32的材料，成本较低。
[0027]即附加磁柱32的具体材料可以根据应用场合进行确定。
[0028]上述硅钢片、铁氧体仅为示例，为常用的内部不含有气隙的磁性材料，其它内部不含有气隙的磁性材料也可以作为该三相电抗器中附加磁柱32的材料。
[0029]三相三磁柱电感31的两个相对的磁轭的材料可以为硅钢片等内部不含有气隙的磁性材料；三个磁柱的材料可以为硅钢片等内部不含有气隙的磁性，也可以为磁粉芯等内部含有气隙的磁性材料，具体如铁硅磁粉芯或铁硅铝金属磁粉芯等；三个磁柱上气隙的数量及宽度可以根据实际需求进行设定。
[0030]采用本实用新型实施例1提供的三相电抗器，当输入的三相电流不完全对称、存在零序电流时，附加磁柱32能够为零序电流提供磁通通路，保证了三相电抗器的正常工作，提高了三相电抗器的可靠性。
[0031]本实用新型实施例还提供了一种三相电抗器，该三相电抗器具有两个附加磁柱。[0032]实施例2:
[0033]图4所不为本实用新型实施例2提供的二相电抗器,包括:二相二磁柱电感41和两个附加磁柱42，两个附加磁柱42位于三相三磁柱电感41的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感41的磁柱平行。具体的,两个附加磁柱42分别位于三相三磁柱电感41的中心磁柱的两侧。
[0034]两个附加磁柱42可以不以三相三磁柱电感的中心线对称分布在中心磁柱的两侧，较佳的，两个附加磁柱42以三相三磁柱电感的中心线对称分布在中心磁柱的两侧。
[0035]两个附加磁柱42的高度及厚度和三相三磁柱电感41的磁柱相同，宽度可以根据存在的零序电流的大小和附加磁柱42的材料的抗饱和能力确定，具体确定原则参见上述实施例1。
[0036]附加磁柱42的材料为内部不含有气隙的磁性材料，例如铁氧体、硅钢片等，具体材料可以根据应用场合进行确定。
[0037]两个附加磁柱42的材料可以为不同的材料，但通常情况下，应用场合确定后，一般选择相同的材料。
[0038]采用本实用新型实施例2提供的三相电抗器，可靠性较高，并且相比于上述实施例I,可以保证三相电抗器结构的对称性,从而保证磁路的对称。
[0039]本实用新型实施例还提供了一种具有两个附加磁柱的三相电抗器，两个附加磁柱的具体位置和上述实施例2中两个附加磁柱的具体位置不同。
[0040]实施例3:
[0041]图5所示为本实用新型实施例3提供的三相电抗器，包括:三相三磁柱电感51和两个附加磁柱52,两个附加磁柱52位于三相三磁柱电感51的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感51的磁柱平行。具体的,两个附加磁柱52分别位于三相三磁柱电感51的三个磁柱的两侧。
[0042]两个附加磁柱52可以不以三相三磁柱电感的中心线对称分布在中心磁柱的两侦牝较佳的，两个附加磁柱52以三相三磁柱电感的中心线对称分布在中心磁柱的两侧。
[0043]两个附加磁柱52的高度及厚度和三相三磁柱电感51的磁柱相同，宽度可以根据存在的零序电流的大小和附加磁柱52的材料的抗饱和能力确定，具体确定原则参见上述实施例1。
[0044]附加磁柱52的材料为内部不含有气隙的磁性材料，例如铁氧体、硅钢片等，具体材料可以根据应用场合进行确定。
[0045]两个附加磁柱52的材料可以为不同的材料，但通常情况下，应用场合确定后，一般选择相同的材料。
[0046]采用本实用新型实施例3提供的三相电抗器，和上述实施例2具有相同的技术效果，三相电抗器的可靠性较高。
[0047]在本实用新型的另一实施例中，三相电抗器具有两个附加磁柱时，两个附加磁柱也可以同时位于三相三磁柱电感的中心磁柱的一侧,或者同时位于三相三磁柱电感的三个磁柱的一侧，在此不再详述。
[0048]在本实用新型的另一实施例中，三相电抗器也可以具有三个或三个以上的附加磁柱，只要附加磁柱位于三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感的磁柱平行，无论附加磁柱的具体位置如何都可以解决本实用新型要解决的技术问题，为零序电流提供磁通通路，保证三相电抗器正常工作，提高可靠性。
[0049]实施例4:
[0050]本实用新型实施例4提供一种逆变器并网系统，包括上述实施例中任一三相电抗器。
[0051]综上所述，本实用新型实施例提供的三相电抗器，包括:三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，附加磁柱位于三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与三相三磁柱电感的磁柱平行。采用本实用新型实施例提供的三相电抗器，可靠性较高。
[0052]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种三相电抗器，其特征在于，包括:三相三磁柱电感和至少一个附加磁柱，所述附加磁柱位于所述三相三磁柱电感的两个相对的磁轭之间，与所述三相三磁柱电感的磁柱平行。
2.如权利要求1所述的三相电抗器，其特征在于，所述附加磁柱的材料为内部不含有气隙的磁性材料。
3.如权利要求2所述的三相电抗器，其特征在于，所述附加磁柱的材料具体为铁氧体。
4.如权利要求2所述的三相电抗器，其特征在于，所述附加磁柱的材料具体为硅钢片。
5.如权利要求1-4任一所述的三相电抗器，其特征在于，所述附加磁柱的数量具体为两个。
6.如权利要求5所述的三相电抗器，其特征在于，两个附加磁柱分别位于所述三相三磁柱电感的中心磁柱的两侧。
7.如权利要求5所述的三相电抗器，其特征在于，两个附加磁柱分别位于所述三相三磁柱电感的三个磁柱的两侧。
8.如权利要求6或7所述的三相电抗器，其特征在于，两个附加磁柱以所述三相三磁柱电感的中心线对称分布。
9.一种逆变器并网系统，其特征在于，包括权利要求1-8任一所述的三相电抗器。
【文档编号】H01F27/24GK203552913SQ201320744725
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日
【发明者】汪志勇 申请人:艾默生网络能源有限公司