基座的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种基座，该基座通过对在蜂巢状图案结构的最密填充配置的多个锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列的锪孔配置进行变更，由此在最外周部极力消除无用的空间而配置最多的锪孔。蜂巢状图案结构的同心六边形形状锪孔列(A1、A2)中的最外周的第2个锪孔列(A2)的位于各顶点的锪孔与构成最外周锪孔列(A3)的两个锪孔分别实质上进行点接触，该两个锪孔相互实质上进行点接触。在最外周锪孔列(A3)的锪孔(M(3)-C)和锪孔(M(3)-B)之间配置有与在锪孔列(A2)的顶点(B2)和顶点(B1)之间配置的锪孔的个数同等数量的锪孔，在最外周锪孔列(A3)的锪孔(M(3)-D)和锪孔(M(3)-E)之间配置有与在锪孔列(A2)的顶点(B2)和顶点(B3)之间配置的锪孔的个数同等数量的锪孔。
【专利说明】基座
【技术领域】
[0001] 本发明涉及在半导体装置的制造等中使用的基座（susceptor)，涉及在基座表面 配置有最多个锪孔的最密填充配置结构的基座。
【背景技术】
[0002] 例如，在LED芯片的制造工序中向蓝宝石基板上的化合物生长或Si设备制造工序 中的向Si晶片基板上的Si外延生长时所使用的基座具备载置各晶片的锪孔。上述基座的 锪孔配置多呈同心圆状地配置。然而，在这样的同心圆状的锪孔配置中，无用的空间多，因 此利用一次处理能涂覆处理的基板的个数不充分，处理的效率化较差。
[0003] 而且，若在基座主体的表面上未由基板覆盖的空余部分多，则对于吹附到基座主 体的表面上的气体的流动而言，作为阻力发挥作用，因此气体的流动紊乱，成为阻碍各基板 的厚度的均匀的生长的主要原因，会导致品质的下降，从而使成品率下降。
[0004] 因此，提出了呈同心六边形形状配置的蜂巢状图案（参照以下的专利文献1)。这 样的配置是最密填充配置，能够尽量减少无用的空间。
[0005] 【在先技术文献】
[0006] 【专利文献】
[0007] 【专利文献1】日本特表2010-528466号公报
【发明内容】
[0008]【发明要解决的课题】
[0009] 然而，在上述的专利文献1所公开的最密填充配置中，由于成为六边形形状的配 置，因此在基座表面的外周部产生无用的空间，在基座表面的外周部，存在未得到最密填充 配置这样的问题。而且，本来基座表面的外周部能配置最多的基板，因此，在该部分存在较 多的无用空间的话可能会导致品质下降的基板屡屡存在，因此不优选。
[0010] 本发明是鉴于上述的实际情况而考虑出的发明。其目的在于提供一种基座，该基 座通过对在蜂巢状图案结构的最密填充配置的多个锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列 的锪孔的配置形态进行变更，由此在最外周部极力消除无用的空间而配置最多的锪孔。 [0011] 用于解决课题的方案
[0012] 为了实现上述目的，本发明涉及的基座在圆形的表面上配置有同一直径的多个圆 形形状的锪孔，并且这多个锪孔由最密填充配置的多个锪孔列和在这多个锪孔列的外周部 配置的最外周锪孔列构成，所述基座的主旨在于，所述最密填充配置构成为，在圆形表面的 中心部配置有一个锪孔，在位于该中心部的锪孔的外周侧配置有N个同心正六边形形状的 锪孔列，N为1以上的任意的整数，在各锪孔列中，构成锪孔列的各锪孔与相邻的锪孔实质 上进行点接触，且构成这N个锪孔列中的位于最内周侧的第1个锪孔列的各锪孔与位于所 述中心部的锪孔实质上进行点接触，而且，在同心正六边形形状的锪孔列的个数N为2以上 时，在这多个锪孔列中的比所述第1个锪孔列靠外周侧的第E个锪孔列中，构成该第E个锪 孔列的各锪孔与构成该第E个锪孔列的内周侧的第（E-1)个锪孔列的各锪孔实质上进行点 接触，其中，E为2 < E < N的任意的整数，所述最外周锪孔列构成为，构成所述最密填充配 置的N个锪孔列中的第N个锪孔列的各顶点位置处的锪孔与构成最外周锪孔列的两个锪孔 分别实质上进行点接触，并且，在与第N个锪孔列的相邻的顶点位置中的一方的顶点位置 相关联的所述两个锪孔和与另一方的顶点位置相关联的所述两个锪孔之间，夹设配置有与 在所述第N个锪孔列的各顶点之间配置的锪孔的个数同等数量的锪孔。
[0013] 在此，用语"实质上进行点接触"是指可以看作是进行点接触这种程度地分开（例 如分离百分之几毫米）的情况。
[0014] 另外，在从正面观察基座表面的情况下，关于第N个锪孔列的左侧顶点位置、中央 顶点位置、右侧顶点位置这三个顶点位置，与处于左侧顶点位置的锪孔实质上进行点接触 的最外周锪孔列的两个锪孔中的左侧的锪孔为A且右侧的锪孔为B，与处于中央顶点位置 的锪孔实质上进行点接触的最外周锪孔列的两个锪孔中的左侧的锪孔为C且右侧的锪孔 为D，与处于右侧顶点位置的锪孔实质上进行点接触的最外周锪孔列的两个锪孔中的左侧 的锪孔为E且右侧的锪孔为F时，用语"与第N个锪孔列的相邻的顶点位置中的一方的顶点 位置相关联的所述两个锪孔和与另一方的顶点位置相关联的所述两个锪孔之间"是指锪孔 B与锪孔C之间、及锪孔D与锪孔E之间。
[0015] 根据上述结构，可实现在最外周部能极力消除无用的空间且配置有最多的锪孔的 最密填充配置的基座。因此，通过使用具备这样的结构的基座的气相生长装置，由此在一次 处理中能够进行更多的基板的层的生长处理，能够实现处理的效率化。
[0016] 需要说明的是，在本发明中，与构成最密填充配置的N个锪孔列中的第N个锪孔列 的各顶点位置处的锪孔实质上进行点接触的最外周锪孔列的两个锪孔可以相互实质上进 行点接触，也可以分离。
[0017] 在本发明中，优选的是，与所述第N个锪孔列的各顶点位置处的锪孔实质上进行 点接触的最外周锪孔列的两个锪孔成为相互实质上进行点接触且连结该两个锪孔的中心 的线与延长线正交的配置形态，其中，所述延长线是将与这两个锪孔实质上进行点接触的 所述第N个锪孔列的位于顶点的锪孔的中心和基座表面的中心部连结的线的延长线。根据 这样的结构，在具备相同个数的锪孔的基座中，能够使基座的直径最小，因此空余部分少， 能够实现效率最优的配置形态。
[0018] 在本发明中，优选的是，所述最外周锪孔列成为与所述同心正六边形形状的锪孔 列同心的圆形配置。若为这样的结构，则反应气体从基座的中心部到外周部顺畅地流动，因 此能够保持配置于最外周锪孔列的各基板的层的生长的均匀性，能够提高品质。
[0019] 【发明效果】
[0020] 根据本发明，可实现在最外周部能极力消除无用的空间且配置有最多的锪孔的最 密填充配置的基座。因此，通过使用具备这样的结构的基座的气相生长装置，由此在一次处 理中能够进行更多的基板的处理，能够实现处理的效率化。
【专利附图】
【附图说明】
[0021] 图1是本发明的基座的俯视图。
[0022] 图2是本发明的基座的局部放大俯视图。
[0023] 图3是图2的X-X向视剖视图。
[0024] 图4是用于说明最外周锪孔列的锪孔配置形态的图。
[0025] 图5是表示最外周锪孔列A3成为与正六边形形状锪孔列Al、A2同心的圆形配置 的情况的图。
[0026] 图6是表不配直有同心正7K边形形状镑孔列A1和最外周镑孔列A2的基座的图。
[0027] 图7是表不配直有同心正7K边形形状镑孔列A1?A3和最外周镑孔列A4的基座 的图。
[0028] 图8是表不配直有同心正7K边形形状镑孔列A1?A4和最外周镑孔列A5的基座 的图。
[0029] 图9是表示最外周锪孔列A4的两个锪孔Μ(4)、Μ(4)分离配置时的最外周锪孔列 Α4的锪孔配置形态的图。
【具体实施方式】
[0030] 以下，基于实施方式，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本发明没有限定为 以下的实施方式。
[0031] (实施方式1)
[0032] 以下，基于实施方式，对本发明进行详细说明。需要说明的是，本发明没有限定为 以下的实施方式。
[0033] 在外延晶片的制造中使用的气相生长装置例如是能够使多张半导体晶片同时进 行外延生长的被称为微型分批炉的立式的气相生长装置。该立式的气相生长装置具备箱形 形状的腔室、能够将多张晶片大致水平地载置的基座、将原料气体向腔室内供给的原料气 体供给机构、将载气向腔室内供给的载气供给机构、及对腔室内进行加热的加热机构。设于 该装置的本发明的基座如图1所示。
[0034] 图1是本发明的基座的俯视图。基座1为圆盘状。在该基座1的圆形的表面2上 规则地配置有同一直径的多个圆形形状的锪孔Μ。具体而言，由最密填充配置的多个锪孔列 和在这多个锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列构成。
[0035] 如图1所示，最密填充配置的多个锪孔列由所谓的蜂巢状图案构成。即，在基座主 体2的中心部配置一个锪孔Μ(0)(在单独表示中心部的锪孔时，用参照符号Μ(0)表示）， 在该位于中心部的锪孔Μ(0)的外周侧配置有Ν个（在本实施方式中为两个）同心正六边 形形状的锪孔列Α1、Α2。构成锪孔列Α1的各锪孔M(l)(在单独表示构成锪孔列Α1的锪孔 时，用参照符号M(l)表示）与相邻的锪孔M(l)实质上进行点接触。其他的锪孔列Α2也是 与锪孔列Α1同样的结构，构成锪孔列Α2的各锪孔Μ(2)(在单独表示构成锪孔列Α2的锪孔 时，用参照符号Μ(2)表示）与相邻的锪孔Μ(2)实质上进行点接触。
[0036] 在此，在本申请说明书中，"实质上进行点接触"是指如图2及图3所示那样，可以 看作是通过将锪孔Μ彼此分隔的分隔部3进行点接触这种程度地分开（例如分离百分之几 毫米）的情况。
[0037] 另外，构成锪孔列Al、Α2中的位于最内周侧的第1个锪孔列Α1的各锪孔Μ (1)与 位于中心部的锪孔Μ(0)实质上进行点接触。而且，构成第2个锪孔列Α2的各锪孔Μ(2)与 构成第1个锪孔列Α1的各锪孔M(l)实质上进行点接触。需要说明的是，若说明配置Ν(Ν 为2以上的任意的整数）个同心正六边形形状的锪孔列A1?An的情况，则在比第1个锪 孔列靠外周侧的第E(E为2 < E < N的任意的整数）个锪孔列中，构成该第E个锪孔列的 各锪孔与构成该锪孔列的内周侧的第（E-1)个锪孔列的各锪孔实质上进行点接触。
[0038] 需要说明的是，锪孔列Al、A2是以基座表面2的中心点为中心的同心正六边形形 状，这是指对于锪孔列Al、A2中的任一方，都在正六边形的顶点位置配置锪孔M，且以锪孔 列A1的一边的锪孔的个数为2、锪孔列A2的一边的锪孔的个数为3的方式使锪孔列A的构 成一边的锪孔的个数比内周侧的紧挨着的一个锪孔列的构成一边的锪孔的个数多一个的 结构的同心正六边形形状。
[0039] 通过上述的结构，在基座表面2的从中心部到锪孔列A2的范围内，锪孔的配置形 态由所谓的蜂巢状图案构成，成为最密填充配置的结构。
[0040] (最外周锪孔列的配置形态）
[0041] 最外周锪孔列A3成为以下这样的配置形态。即，如图1所示，锪孔列A2的位于各 顶点的锪孔M(2)与构成最外周锪孔列A3的两个锪孔M(3)、M(3)分别实质上进行点接触。 这两个锪孔M(3)、M(3)相互实质上进行点接触，且如图4所示，将两个锪孔M(3)、M(3)的中 心连结的线L1与延长线L2正交，该延长线L2是将与这两个锪孔M(3)、M(3)实质上进行点 接触的锪孔列A2的位于顶点的M(2)的中心点和基座表面2的中心点连结的线的延长线。
[0042] 在此，着眼于锪孔列A2的各顶点B1?B6中的顶点B2进行说明。关于顶点B2的 左侧顶点B1、顶点B2的右侧顶点B3、及顶点B2这三个顶点，与位于左侧顶点B1的锪孔M(2) 实质上进行点接触的最外周锪孔列A3的两个锪孔M(3)中的左侧的锪孔为M(3)-A且右侧 的锪孔为M(3) -B，与位于中央顶点B2的锪孔M(2)实质上进行点接触的最外周锪孔列A3的 两个锪孔Μ (3)中的左侧的锪孔为Μ (3) -C且右侧的锪孔为Μ (3) -D，与位于右侧顶点B3的锪 孔Μ(2)实质上进行点接触的最外周锪孔列A3的两个锪孔Μ(3)中的左侧的锪孔为Μ(3)-Ε 且右侧的锪孔为Μ (3) -F时，在锪孔Μ (3) -C和锪孔Μ (3) -Β之间配置有与在锪孔列Α2的顶 点Β2和顶点Β1之间配置的锪孔的个数（在本实施方式中为一个）同等数量的锪孔，在锪 孔Μ(3) -D和锪孔Μ(3) -Ε之间配置有与在锪孔列Α2的顶点Β2和顶点Β3之间配置的锪孔的 个数（在本实施方式中为一个）同等数量的锪孔。并且，锪孔Μ(3)-Β、夹设在锪孔Μ(3)-Β 与锪孔Μ (3) -C之间的锪孔Μ (3)、以及锪孔Μ (3) -C分别成为与相邻的锪孔彼此实质上进行 点接触的配置形态，锪孔Μ (3) -D、夹设在锪孔Μ (3) -D与锪孔Μ (3) -Ε之间的锪孔Μ (3)分别 成为与相邻的锪孔彼此实质上进行点接触的配置形态。
[0043] 需要说明的是，在上述的例子中，着眼于顶点Β2进行了说明，但对于其他的锪孔 列Α2的各顶点Β1、Β2?Β6中的每个，也是在与该顶点相关联的最外周锪孔列A3的两个锪 孔Μ(3)和与相邻的顶点相关联的最外周锪孔列A3的两个锪孔Μ(3)之间，配置有与在锪孔 列Α2的该顶点之间配置的锪孔的个数（在本实施方式中为一个）同等数量的锪孔。
[0044] 需要说明的是，作为在与顶点相关联的最外周锪孔列A3的两个锪孔Μ(3)、Μ(3)和 与相邻的顶点相关联的最外周锪孔列A3的两个锪孔Μ(3)、Μ(3)之间夹设的锪孔的夹设的 形态，可以如图1所示那样为直线状，而且，也可以如图5所示那样为圆弧状。在如图5所 示那样为圆弧状的情况下，最外周锪孔列A3成为与正六边形形状锪孔列Α1、Α2同心的圆形 配置。
[0045] 通过上述那样的最外周锪孔列的配置形态，能够实现配置有最多的锪孔的最密填 充配置的基座。因此，通过使用具备这样的结构的基座的气相生长装置，由此在一次处理中 能够进行更多的基板的处理，能够实现处理的效率化。
[0046] 尤其是在图5所示的最外周锪孔列成为圆形配置的情况下，反应气体从基座的中 心部到外周部顺畅地流动，因此能够更进一步地保持配置于最外周锪孔列的各基板的层的 生长的均勻性，能够提商品质。
[0047] 需要说明的是，在上述实施方式中，示出了配置有正六边形形状锪孔列A1、A2和 最外周锪孔列A3的结构的基座，但本发明没有限定于此，上述实施方式中示出的配置形态 也可以广泛应用于配置有同心正六边形形状锪孔列A1?An和最外周锪孔列An+1的基座。 配置有同心正六边形形状锪孔列A1和最外周锪孔列A2的基座如图6所示，配置有同心正 六边形形状锪孔列A1?A3和最外周锪孔列A4的基座如图7所示，配置有同心正六边形形 状锪孔列A1?A4和最外周锪孔列A5的基座如图8所示。在图6?图8的任一图中，都能 实现配置有最多的锪孔的最密填充配置的基座。
[0048] (其他的事项）
[0049] 在上述实施方式中，与锪孔列A2的位于各顶点的锪孔M(2)实质上进行点接触的 最外周锪孔列A3的两个锪孔M(3)、M(3)为彼此实质上进行了点接触的配置形态，但锪孔 Μ(3)和锪孔Μ(3)也可以是分离的配置形态。
[0050] 参照图9进行说明。在此，图9是将通过由蜂巢状图案构成的锪孔列Α1?A3和最 外周镑孔列Α4而配直的基座的一部分放大表不的图。在该图9中，最外周镑孔列Α4的两个 锪孔Μ(4)、Μ(4)为分离的配置形态。这种情况下的锪孔Μ(4)与锪孔Μ(4)之间夹设的锪孔 未配置成一直线状或圆弧状，而是成为一部分的锪孔稍向外方向侧突出的配置状态。然而， 即便是这样的配置形态，也能在最外周配置最多的锪孔，作为整体而言，能够实现空余空间 少的最密填充配置的基座。
[0051] 在此，最外周锪孔列的两个锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)分离的配置形态时的基座的半径 设为R1，而且，两个锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)相互实质上进行点接触且将两个锪孔Μ(4)、锪孔 Μ(4)的中心连结的线L1与延长线L2正交的配置形态时的基座的半径设为R2时，半径R1 比半径R2稍大，其中，该延长线L2是将与这两个锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)实质上进行点接触的 锪孔列A3的位于顶点的Μ(3)的中心点和基座表面2的中心点连结的线的延长线。因此，在 最外周锪孔列的两个锪孔Μ(4)、锪孔Μ(4)分离的配置形态的情况下，与两个锪孔Μ(4)、锪 孔Μ (4)相互实质上进行点接触的配置形态相比，空余部分变多。反而言之，两个锪孔Μ (4)、 锪孔Μ(4)相互实质上进行点接触的配置形态能够最为减小基座的直径，能够减少空余部 分，因此是效率最优的配置形态。
[0052] 另外，在最外周锪孔列的两个锪孔Μ(4)、Μ(4)分离的配置形态的情况下，这两个 锪孔Μ(4)、Μ(4)相对于延长线L2可以是成为线对称的配置，也可以是成为非对称的配置、 即左侧的锪孔Μ(4)与延长线L2的间隔不同于右侧的锪孔Μ(4)与延长线L2的间隔的配置 形态，其中该延长线L2是将与两个锪孔Μ(4)、Μ(4)实质上进行点接触的锪孔列Α2的位于 顶点的锪孔Μ(3)的中心点和基座表面2的中心点连结的线的延长线。在这样的配置形态 的情况下，夹设在锪孔Μ(4)与锪孔Μ(4)之间的锪孔未配置成一直线状或圆弧状，而是一部 分的锪孔成为稍向外方向侧突出的配置状态，但即使是这样的配置形态，也能够在最外周 配置最多的锪孔，作为整体而言，能够实现空余空间少的最密填充配置的基座，在这一点上 并未改变。
[0053] 【工业上的可利用性】
[0054] 本发明应用于在半导体装置的制造等中使用的气相生长用基座等。
[0055] 【符号说明】
[0056] 1 :基座
[0057] 2 :基座表面
[0058] 3 :分隔部
[0059] A1?A5 :锪孔列
[0060] Μ :锪孔
[0061] Μ(0):位置中心部的锪孔
[0062] M(l):构成锪孔列Α1的锪孔
[0063] Μ (2):构成锪孔列Α2的锪孔
[0064] Μ (3):构成锪孔列A3的锪孔
[0065] Μ (4):构成锪孔列Α4的锪孔
[0066] Μ (5):构成锪孔列Α5的锪孔
【权利要求】
1. 一种基座，其在圆形的表面上配置有同一直径的多个圆形形状的锪孔，并且这多个 锪孔由最密填充配置的多个锪孔列和在这多个锪孔列的外周部配置的最外周锪孔列构成， 所述基座的特征在于， 所述最密填充配置构成为，在圆形表面的中心部配置有一个锪孔，在位于该中心部的 锪孔的外周侧配置有N个同心正六边形形状的锪孔列，N为1以上的任意的整数，在各锪孔 列中，构成锪孔列的各锪孔与相邻的锪孔实质上进行点接触，且构成这N个锪孔列中的位 于最内周侧的第1个锪孔列的各锪孔与位于所述中心部的锪孔实质上进行点接触，而且， 在同心正六边形形状的锪孔列的个数N为2以上时，在这多个锪孔列中的比所述第1个锪 孔列靠外周侧的第E个锪孔列中，构成该第E个锪孔列的各锪孔与构成该第E个锪孔列的 内周侧的第（E-1)个锪孔列的各锪孔实质上进行点接触，其中，E为2 < E < N的任意的整 数， 所述最外周锪孔列构成为，构成所述最密填充配置的N个锪孔列中的第N个锪孔列的 各顶点位置处的锪孔与构成最外周锪孔列的两个锪孔分别实质上进行点接触，并且，在与 第N个锪孔列的相邻的顶点位置中的一方的顶点位置相关联的所述两个锪孔和与另一方 的顶点位置相关联的所述两个锪孔之间，夹设配置有与在所述第N个锪孔列的各顶点之间 配置的锪孔的个数同等数量的锪孔。
2. 根据权利要求1所述的基座，其中， 与所述第N个锪孔列的各顶点位置处的锪孔实质上进行点接触的最外周锪孔列的两 个锪孔成为相互实质上进行点接触且连结该两个锪孔的中心的线与延长线正交的配置形 态，其中，所述延长线是将与这两个锪孔实质上进行点接触的所述第N个锪孔列的顶点位 置处的锪孔的中心和基座表面的中心部连结的线的延长线。
3. 根据权利要求2所述的基座，其中， 所述最外周锪孔列成为与所述同心正六边形形状的锪孔列同心的圆形配置。
【文档编号】H01L21/683GK104160495SQ201380012992
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2013年3月4日 优先权日:2012年3月7日
【发明者】佐佐木清秀 申请人:东洋炭素株式会社