功率半导体装置和用于制造其的方法
【专利摘要】提供第一传导类型的晶片（1），该晶片具有第一主侧（11）和与该第一主侧（11）相对的第二主侧（15），在第二主侧（15）上施加以下中的至少一个：第一传导类型的掺杂剂，用于形成第一传导类型的层（2’），和第二传导类型的掺杂剂，用于形成第二传导类型的层（2），之后在第二主侧（15）上沉积钛层（3），使钛沉积层（3）激光退火使得同时在钛沉积层（3）与晶片（1）之间的界面处形成金属间复合层（35）并且掺杂剂扩散到晶片（1）内，在第二侧（15）上形成第一金属电极层（4）。
【专利说明】功率半导体装置和用于制造其的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及功率电子器件的领域并且更特定地涉及用于制造功率半导体装置的 方法和如此的功率半导体装置。
【背景技术】
[0002] 对于实行本发明的模式 具有四层结构的现有技术的穿通绝缘栅双极晶体管（IGBT)包括集电极侧上的集电极 和发射极侧上的发射电极，该发射极侧位于集电极侧对面。（n_)掺杂漂移层定位在发射电 极与集电极之间。在发射极侧上，布置Ρ掺杂基极层，其环绕η掺杂源区。这些源区和基极 层与发射电极电接触。栅电极也布置在发射极侧(平面栅或沟道栅）上，其通过绝缘层而与 所有其他层电绝缘。
[0003] η掺杂缓冲层位于基极层与集电极之间的集电极侧上。在缓冲层中，电场在装置操 作期间被终止。在缓冲层上，朝向集电极，布置Ρ掺杂集电极层。
[0004] 这样的装置以前已经通过缓冲层的外延生长而制造。
[0005] 这样的装置已经进一步发展成非穿通（ΝΡΤ)装置，其中不存在缓冲层并且ρ集电 极层位于与（η_)掺杂漂移层直接相邻。这样的装置在开关能力和这样的芯片(其实现到高 电流模块内采用IGBT)的电流共享方面提供若干优势。
[0006] 然而，这样的装置由于在ΝΡΤ概念中必须终止漂移层内的电场而需要厚的晶片设 计。因此，这样的ΝΡΤ装置经受更高的静态和动态损耗。
[0007] 为了提高IGBT的电性质，已经引入软穿通（SPT)装置，其具有更薄但更高掺杂的 缓冲层，从而产生比NPT装置更薄的装置，而没有从之前的PT装置已知的劣势。这样的装 置在损耗方面给予改进。然而，SPT概念在晶片是薄的时需要复杂的工艺，在用于形成背后 层(其包括集电极和缓冲层）的低压IGBT中尤其是这样的。
[0008] 这样的方法例如从DE 198 29 614 A1已知。它描述对于基于PT型的软穿通绝缘 栅双极晶体管（IGBT) 180元件的制作方法（图lc)，其使得在不必采用外延法的情况下制作 相对薄的半导体元件成为可能。由于该目的，具有比电气上必需的更大厚度的缓冲层13引 入轻掺杂晶片，然后实行用于使层包含在半导体元件的发射极侧的表面(第一主侧11)上的 工艺步骤(像基极层5、源区6和具有它的导电层75和绝缘层72、74的栅电极7'）。之后， 缓冲层的厚度通过研磨或抛光而在第二主侧15上减少到电气上所需的大小（图la中的虚 线)。从而，在相对厚的晶片上实行发射极侧工艺步骤，由此减少阻断的风险，这是可能的。 然而，凭借晶片的随后变薄，可以产生具有期望的小厚度的半导体元件。定型的半导体元件 的最小厚度不再受到可以对它的起始材料所实现的最小厚度的限制。之后，植入P掺杂剂 并且它扩散用于形成集电极层2 (图lb)并且然后在第二主侧15上形成第一电极层4 (图 lc)。
[0009] 在US 6,482,681 B1中，描述另一个穿通（PT)绝缘栅双极晶体管（IGBT)。装置通 过使用（n_)掺杂晶片而产生，在该（n_)掺杂晶片顶部完成用于在发射极侧(也叫作阴极侧） 上制造层的所有工艺，即在发射极侧上产生所有结和金属化。之后，晶片变薄并且在晶片的 集电极侧（也叫作阳极侧）上植入氢离子，用于形成n+掺杂缓冲层。然后植入p掺杂剂用 于形成集电极层。晶片然后在300至400°C退火以便激活氢离子而不损坏发射极侧上的结 构。从而，缓冲层在阻断情况下起作用，用于使电场在到达集电极层之前突然减速并且从而 使电场保持远离所述集电极层，因为如果电场到达集电极层则可以破坏半导体元件。
[0010] 在使装置变薄后，植入p掺杂剂用于形成p型集电极层并且其通过激光退火而激 活、后跟多金属沉积，并且最后在常规熔炉中进行400°C以下的烧结工艺来激活阳极并且形 成与集电极的良好接触。该工艺对于实现P型阳极集电极激活的良好控制产生限制。然 而，由于集电极侧工艺局限于400°C以下的温度，控制阳极(或阴极)激活水平和用于形成良 好Si/金属接触的能力也受到强烈限制。另外，多个限制工艺选项对于提高的静态和动态 性能需要装置优化。
[0011] 通过在植入后利用高能激光退火(例如，在1 J/cm2以上)，更高的激活水平是可能 的。然而，这仅对Si晶片表面具有影响并且因为金属化在稍后的步骤中进行而未提高金属 接触。金属化加工和烧结作为独立步骤仍然需要。
[0012] 在基于薄晶片加工来设计快恢复二极管时遇到相似的挑战。在所有这些情况下， 优化激光退火技术的使用对于形成P集电极层是不可避免的。
[0013] 在US 2008/0076238 A1中，描述用于形成IGBT的方法，其中在晶片上植入磷离子 并且其被激光退火用于形成缓冲层。之后，植入硼离子并且其被激光退火用于形成集电极 层。然后在集电极层上施加镍膜并且其之后被激光退火。独立执行所有激光退火步骤。
[0014] EP 0 330 122 A1描述具有植入的p集电极层的IGBT，其在600°C以下的温度退 火，之后在该植入P集电极层上溅射Platin层，其然后被加热到450至470°C来形成Pt-Si 复合层。之后，多层集电极由钛层、镍层和银层制成。
【发明内容】
[0015] 本发明的目标是提供用于制造功率半导体装置的方法，其比现有技术的方法以提 高的工艺能力和更好的装置性能提供晶片与电极的更好接触。
[0016] 该目标通过提供用于制造发明性功率半导体装置的方法来实现，该方法包括： -提供第一传导类型的晶片，该晶片具有第一主侧和与该第一主侧相对的第二主侧， -在第二主侧上施加第二传导类型或第一传导类型的掺杂剂，用于分别形成第一或第 二传导类型的层，该第二传导类型与第一传导类型不同， -之后在第二主侧上沉积钛沉积层，其中钛具有1660°C的熔点，即在硅的熔点 (1410°C)以上， -使钛沉积层退火使得同时在钛沉积层与晶片之间的界面处形成金属间复合层并且掺 杂剂扩散到晶片内， -在第二侧上形成第一金属电极层。
[0017] 本发明示范性地可以应用于具有至多200 μ m厚度的薄晶片，因为它们用于低压 IGBT (多至2000V的电压）或低压二极管（也多至2000V)。工艺能力可以通过发明性制造 方法而提高并且装置性能与现有技术的SPT IGBT和二极管相比也提高。
[0018] 通过使用发明性方法，集电极掺杂剂(像硼或铝作为p掺杂剂；或：磷或砷作为η 掺杂剂)的激活可以极大提高，这在加工薄晶片和具有示范性地像200mm直径或更大直径的 大直径晶片时尤其重要。
[0019] 因为根据激光脉冲的持续时间和能量可以在晶片表面上产生高温，由钛制成的金 属沉积层具有高温熔点。甚至短但高能激光脉冲产生比远高于l〇〇〇°C的温度。示范性地， 使用具有能量>1 J/cm2的激光脉冲。例如，非常短(例如200ns)且高能（2 J/cm2)的激光 脉冲可以产生超出1300°C的表面温度。因此，使用具有1660°C并且从而具有高于由激光产 生的温度(例如，高于1200°C或甚至高于1300°C)的熔点的钛。钛在施加第一或第二传导类 型的掺杂剂用于形成第一或第二传导类型的层之后作为薄层而施加并且其之后被退火。钛 在该步骤中担当光吸收剂。所得的效应是钛沉积层下方的晶片材料(例如，硅）中的温度增 力口，这导致更高的掺杂剂激活，因为对于相同能量密度的激光束更多的能量被钛沉积层吸 收。钛的热传导率是小的（21. 9 W · πΓ1 · Γ1)，使得没有大的散热并且更多的热用于底层晶 片材料(例如，硅)。形成硅化钛连同激活掺杂剂。因为它提高接触电阻，它可以有利地使钛 沉积层保持为金属电极层的一部分。
[0020] 主要优势是由于具有1600°C以上的熔点的钛沉积层比晶片表面吸收多得多的激 光束(热)这一事实。因此，实现更好的掺杂剂激活和/或更低的激光能可以如在图11中示 出的那样施加。
[0021] 钛能够提供与Si晶片良好接触的硅化物层。除背后结构外，这些层还可以根据需 要用于场电荷提取（FCE)概念二极管或逆导IGBT，其包括集电极侧上交替的p和η区域。
[0022] 在发明性方法包括植入掺杂剂用于形成第一或第二传导类型的层的步骤的情况 下，采用两个不同的工具执行植入步骤和金属沉积步骤。如果沉积用作用于施加掺杂剂的 方法，金属沉积层可以在相同的装置中形成。
[0023] 在金属沉积层沉积在晶片表面（ρ或η型层）上之后执行激活退火步骤。因此，用 较低的激光能(在激光退火之后，其从工艺能力和表面损坏方面是更好的）实现良好的激活 水平并且形成良好的接触(通过金属间复合层和/或通过烧结步骤)。图11示出由现有技 术的烧结实现的掺杂浓度和与现有技术的激光退火相比在激光退火步骤之前通过添加发 明性Ti沉积层的提高。掺杂浓度对于现有技术的激光退火从大约5*10 16 cnT3上升至1*1018 cnT3并且对于发明性激光退火和晶片（具有Ti沉积层）进一步上升至8*1019 cnT3。
[0024] 在激光退火步骤后，可以用小的退火步骤沉积最后的焊接金属，例如Ti、Ni或Ag。 相同的金属可用作金属沉积层和第一金属电极层。
[0025] 对于通过沉积(像蒸发或溅射）来施加掺杂剂用于形成第一或第二传导类型的层 的方法，单个工具可以用于沉积掺杂剂和沉积金属沉积层。
【专利附图】
【附图说明】
[0026] 本发明的主旨将参考附图在下面的正文中更详细地解释，其中： 图1示出用于制造现有技术的功率半导体装置的方法； 图2示出用于制造功能半导体装置的发明性方法； 图3示出对于图2的步骤a)的备选； 图4示出对于图2的步骤b)的备选； 图5示出对于图2的步骤d)的备选； 图6示出对于图2的步骤d)的另一个备选； 图7-9示出不同的发明性IGBT ; 图10示出发明性二极管；以及 图11是示出用现有技术的方法和发明性方法实现的晶片中的掺杂浓度对深度的曲线 图。
[0027] 在图中使用的标号和它们的含义在标号列表中总结。一般，相似或相似功能的部 件给予相同标号。描述的实施例意为示例并且将不限制本发明。
【具体实施方式】
[0028] 为了制造发明性绝缘栅双极晶体管，执行下列步骤。
[0029] 提供（n_)掺杂晶片1，其具有第一主侧11和与该第一主侧相对的第二主侧15。该 晶片1可在硅或宽带隙晶片基础上制成。在定型装置中具有未更改掺杂浓度的晶片的这样 的部分形成漂移层10。示范性地，晶片1具有恒定低的掺杂浓度。其中，晶片(其中在定型 装置中具有未更改掺杂浓度的晶片的部分形成漂移层10)的大致上恒定的掺杂浓度意指掺 杂浓度在整个晶片1 (漂移层10)中大致上是均匀的，然而不排除晶片1 (漂移层10)内掺 杂浓度中的波动(是大约一到五倍）可由于例如使用的晶片的制造工艺而可能存在。
[0030] 在第二主侧15上，施加 η掺杂剂并且其扩散到晶片1内用于形成缓冲层13。
[0031] 备选地，直接在（η_)掺杂晶片上执行下列步骤而未在它上形成缓冲层，即形成缓 冲层的步骤被省略并且制造非穿通装置。在该情况下，在第二侧15上，集电极层2、2'如在 下文描述的那样直接邻近（η_)掺杂漂移层10形成。
[0032] 之后，执行下列步骤用于在第一主侧11上形成层。为了形成基极层5,在第一主侧 11上施加 Ρ掺杂剂并且它扩散到晶片1内。
[0033] 然后用于形成源区6的η型掺杂剂在第一主侧11上植入并且被退火。
[0034] 之后，晶片示范性地在第二主侧15上变薄以留下缓冲层的尾段(如果装置包括缓 冲层)，或使漂移层厚度减少到电气上期望的厚度。
[0035] 这些步骤仅意在作为用于形成晶片的第一主侧11上的层和缓冲层13的示例。任 何其他顺序(例如，在比事先描述的更晚的阶段在第一主侧11上形成层的部分)应被本发明 所涵盖。例如，第一和第二金属电极层4、8可同时形成。
[0036] 下文公开的发明性方法通过提供晶片而开始，该晶片具有第一主侧11和与该第 一主侧11相对的第二主侧15,其中该晶片在第二主侧15上具有η掺杂层(其稍后形成缓冲 层）（图2a)。备选地，发明性方法可通过提供（η_)掺杂晶片而开始，该（η_)掺杂晶片在第 二主侧15上不具有任何不同掺杂层，如在图3中示出的。在图2至6中，仅示出第二主侧 层。由于清楚性的原因，第一主侧11上的层不是这些图的部分。
[0037] 为了在第二主侧15上形成层，执行下列步骤： -在第二主侧15上施加第二传导类型(其与第一传导类型不同）或第一传导类型的掺 杂剂，用于形成第二或第一传导类型的层2 (图2b)， -之后在第二主侧15上沉积金属沉积层3 (图2c)，其中该金属是钛， -使钛沉积层3退火使得在金属沉积层3与晶片1之间的界面处形成金属间复合层35 并且使得掺杂剂扩散到晶片1内， -在第二主侧15上形成第一金属电极层4。
[0038] 用于形成η或p掺杂层2、2'的掺杂剂可以通过掺杂剂的沉积或植入而施加在第 二主侧15上。根据半导体类型，掺杂剂具有η或ρ型。例如在半导体是二极管的情况下， 掺杂剂可以具有η型，在半导体是IGBT的情况下，施加 ρ型掺杂剂。预先掺杂的磷娃(与η 或Ρ型离子预先掺杂）也可以作为掺杂剂而施加。
[0039] 在半导体是逆导装置的情况下，施加 η型掺杂剂和另一个ρ型掺杂剂使得形成η 和Ρ层，其在与第二主侧平行的平面中交替（图4)。
[0040] 为了沉积金属沉积层，使用钛(它的熔点是1660°c )，该熔点在硅的熔点之上。钛沉 积层的厚度示范性地在5至200nm之间，特别地在20至200nm之间，特别地在10至100nm 之间，特别地10至50nm或特别地50至lOOnm。钛沉积层3的退火示范性地通过激光退火 来进行。
[0041] 钛沉积层3 (其起到光吸收层的作用）和掺杂剂之后通过激光退火而退火。这示 范性地使用1-1.5 J/cm2、特别地1 J/cm2的能量来进行。在晶片由硅制成的情况下通过使 用该激光退火，钛连同硅一起形成硅化物层（金属间复合层）。在钛沉积层3与晶片1之间 的界面处形成的金属间复合层35将意指钛从钛沉积层3扩散到晶片1内并且硅扩散到钛 层内，即金属间复合层35布置在钛沉积层3下方并且从晶片的第二主侧15布置到一定深 度。金属间复合层的厚度是这样的深度，层35在晶片中从晶片表面(第二主侧15)延伸直 到该深度。它示范性地对应于钛沉积层厚度多至4倍的钛沉积层厚度，示范性地多至三倍 的厚度。
[0042] 金属间复合层是这样的层，其中来自金属沉积层的金属（即，钛）扩散到晶片内（固 态扩散)并且金属形成具有晶片材料的复合物。在硅晶片的情况下形成硅化物。例如，硅与 钛一起形成TiSi2。术语"金属间"在本专利申请中用作指通过钛沉积层的金属（S卩，钛）扩 散到硅晶片内而形成的硅化物层。它还可叫作钛-晶片复合层或简单地钛-晶片层。
[0043] 在形成第一金属电极层4之前，可去除金属间复合层35连同钛沉积层3 (图6)。 备选地，可保持金属间复合层35,而在该情况下也可保持钛沉积层3 (图2d)(发明性IGBT 110具有这些层，例如在图8)中示出），或在形成第一金属电极层4之前被去除（图5 ;具有 金属间层35但没有钛沉积层的IGBT，例如示出IGBT 100的图7,示出IGBT 120的图9,或 不出发明性二极管150的图10)。
[0044] 示范性地，在相同金属用于钛沉积层3和金属电极层4的情况下，至少在面向钛沉 积层3的金属电极层侧上，可避免去除钛沉积层3的制造步骤。然而，在不同金属用于钛沉 积层3和第一金属电极层4的情况下，也可保持沉积层3使得钛沉积层3 (其是导电的）形 成第一金属电极层4的部分。从而，第一金属电极层4形成夹层。
[0045] 在形成第一金属电极层4后，层4可烧结用于进一步提高第一金属电极层4与晶 片1的可靠接触。
[0046] 在图7中，采用绝缘栅双极晶体管100的形式示出发明性功率半导体装置，其包括 采用第一主侧11上的发射电极形式的第二金属电极层8和采用第二主侧15上的集电极形 式的第一金属电极层4,该第二主侧15布置在第一主侧11对面。（n_)掺杂漂移层10布置 在第一主侧11与第二主侧15之间。ρ掺杂基极层5布置在漂移层10与第一主侧11之间。 基极层5与第二金属电极层8接触。至少一个η掺杂源区6布置在第一主侧11上。装置 包括采用沟道栅电极7 (图7、8)或平面栅电极7'（图9)形式的栅电极。
[0047] 这样的沟道栅电极7包括导电层75和第一电绝缘层72,其环绕导电层75并且从 而导电层75与漂移层10、基极层5和至少一个源区6分离。典型地，第二绝缘层74布置在 导电层75与第二金属电极层8之间。沟道栅电极7在与第一主侧11平行的平面中横对基 极层5布置。
[0048] 具有平面栅电极7'的IGBT 120在图9中示出。该平面栅电极7'还包括导电层 75,但在该情况下栅电极7'在第一主侧11上布置在晶片1的顶部。第一电绝缘层72布置 在导电层75与晶片1之间使得它使导电层75与漂移层10、基极层5和至少一个源区6分 离。典型地，第二绝缘层74布置在导电层75与第二金属电极层8之间。
[0049] 源区6嵌入基极层5内使得源区6与第二金属电极层8接触。
[0050] 在第二主侧15上布置采用集电极层形式的p掺杂层2。具有比漂移层10更高掺 杂浓度的η掺杂缓冲层13可布置在漂移层10与集电极层之间，一般在漂移层10与第二主 侧15之间，其中缓冲层邻接漂移层10。
[0051] 源区6的掺杂浓度高于基极层5的。对于源区6的示范性掺杂浓度高于1*1018 cnT3 并且小于1*1〇21 cnT3,示范性地在1*1〇19 cnT3与1*102° cnT3之间。
[0052] 由于应用需要和对于上文给出的掺杂浓度的规则，可以自由选择基极层5和漂移 层10的掺杂浓度。对于600V以上的装置，漂移层的掺杂浓度典型地在5*10 14 cnT3以下。基 极层5示范性地具有5*1018 cnT3以下的掺杂浓度。
[0053] 如上文描述的结构形成有源单元。IGBT装置可仅包括一个如上文公开的有源单 元，但装置包括至少两个或以上这样的有源单元（即，有源单元可以重复布置在一个晶片 中）,这也是可能的。
[0054] 在图10中，示出发明性二极管150,其在第一主侧上包括p掺杂阳极层55。在第 二主侧15上，在其上在制造金属沉积层3期间已经施加 η掺杂层2'。根据应用，还可省略 在图10中在漂移层10与第一层2'之间存在的缓冲层13。在图10中，装置包括金属间复 合层35,但如之前阐述的，该层也可被去除或也可保持钛沉积层3。
[0055] 在另一个实施例中，切换传导类型，即，第一传导类型的所有层是ρ类型(例如，晶 片1)并且第二传导类型的所有层是η型(例如，层2,如果层2具有与晶片1不同的传导类 型)。
[0056] 应注意术语"包括"不排除其他元件或步骤并且不定冠词"一（a)"或"一（an)"不 排除复数形式。并且与不同实施例关联描述的元件可组合。还应注意在权利要求中的标号 将不应解释为限制权利要求的范围。
[0057] 本领域内技术人员将意识到本发明可采用其他特定的形式实施而不偏离其精神 或本质特性。目前公开的实施例因此在所有方面考虑为说明性而非限制性的。本发明的范 围由附上的权利要求指示而不是由前面的说明指示，并且在其等同性的含义和范围内的所 有变化因此规定为包含在其中。
[0058] 标号列表 I |晶片 |ι〇 |漂移层 II 第一主侧 h ^缓冲层 15_第二主侧_ 100,110,120 发明性 IGBT_ ?50 |发明性二极管 丨2,2' |第一或第二传导类型的层
【权利要求】
1. 一种用于制造功率半导体装置的方法，包括下列步骤： -提供第一传导类型的晶片（1)，该晶片具有第一主侧（11)和与所述第一主侧（11)相 对的第二主侧（15)，具有未更改掺杂浓度的该晶片的部分形成漂移层（10)， -在所述第二主侧（15)上施加以下中的至少一个： 所述第一传导类型的掺杂剂，用于形成所述第一传导类型的层（2'），和 第二传导类型的掺杂剂，用于形成所述第二传导类型的层（2)，所述第二传导类型与所 述第一传导类型不同， -之后在所述第二主侧（15)上沉积钛沉积层（3)， -使所述钛沉积层（3)激光退火使得同时在所述钛沉积层（3)与所述晶片（1)之间的 界面处形成金属间复合层（35)并且所述至少一个掺杂剂扩散到所述晶片（1)内， -在所述第二侧（15)上形成第一金属电极层（4)。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积具有在5至200nm之间的厚度的钛沉 积层（3)，特别地在10至50nm之间。
3. 如权利要求1至2中任一项所述的方法，其特征在于，通过植入或沉积掺杂剂来施 加所述至少一个掺杂剂。
4. 如权利要求1至2所述的方法，其特征在于，通过将预先掺杂的磷硅作为掺杂剂沉 积来施加所述至少一个掺杂剂。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，烧结所述第一金属电极层 (4)。
6. 如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述第一金属电极层 (4 )之前去除所述金属间复合层（35 )和所述钛沉积层（3 )。
7. 如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述第一金属电极层 (4 )之前去除所述钛沉积层（3 )并且保持所述金属间复合层（35 )。
8. 如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，将硅或宽带隙晶片作为所述 晶片（1)而提供。
9. 如权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，在提供所述晶片（1)之前将 缓冲层（13)引入所述晶片（1)内，该缓冲层（13)在所述漂移层（10)与所述第二主侧（15) 之间引入并且该缓冲层（13)具有比所述漂移层（10)更高的掺杂浓度。
10. 如权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，制造 IGBT、特别地逆导IGBT 或二极管，作为所述功率半导体装置。
11. 一种功率半导体装置，其特征在于，所述装置包括晶片（1 )，所述晶片（1)具有第 一主侧（11)和与所述第一主侧（11)相对的第二主侧（15)，该晶片（1)在所述第二主侧（15) 上包括第二传导类型的层和第一传导类型的层（2,2'）中的至少一个，所述第二传导类型与 所述第一传导类型不同，该晶片（1)在所述第二主侧（15)上包括第一金属电极层（4)，其 中包括钛的金属间复合层（35)布置在所述第一金属电极层（4)与所述第一传导类型的层 (2'）和所述第二传导类型的层（2)中的至少一个之间。
12. 如权利要求11所述的功率半导体装置，其特征在于，所述装置包括所述金属间复 合层（35)与所述第一金属电极层（8)之间的钛沉积层（35)。
【文档编号】H01L29/66GK104145339SQ201380012983
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年3月1日 优先权日:2012年3月5日
【发明者】M.拉希莫, C.科瓦斯塞, J.沃贝克, Y.奧塔尼 申请人:Abb技术有限公司