光电子半导体芯片和具有这样的半导体芯片的前照灯的制作方法

光电子半导体芯片和具有这样的半导体芯片的前照灯的制作方法
【专利摘要】在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括半导体层序列（2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的有源层（20)。半导体芯片（1)包含用于产生第一次级辐射的第一转换元件（31)和用于产生第二次级辐射的第二转换元件（32)。半导体层序列（2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设置的区段（21，22)。转换元件(31，32)安置在区段(21，22)的辐射主侧(25)上。第一次级辐射是彩色光并且第二次级辐射是白光。
【专利说明】光电子半导体芯片和具有这样的半导体芯片的前照灯

【技术领域】
[0001]提出一种光电子半导体芯片。除此之外提出一种具有这样的光电子半导体芯片的 前照灯。


【发明内容】

[0002]待实现的目的在于，提出一种光电子半导体芯片，其中在俯视图中观察能够实现 并排的多种色彩印象。
[0003] 此外，该目的通过具有独立权利要求的特征的光电子半导体芯片和前照灯实现。 优选的改进方案在从属权利要求中给出。
[0004] 根据至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括半导体层序列。半导体层序列包 含用于产生初级辐射的有源层。初级辐射优选是紫外光或者蓝光。特别地，初级辐射的主 波长为小于5〇〇nm的波长。主波长，英语是peak wavelength，是由有源层产生最大的光谱 能量密度的波长。
[0005] 根据至少一个实施方式，半导体芯片包括一个或多个第一转换元件。至少一个第 一转换元件设立为用于产生第一次级辐射。为此，第一转换元件将到达第一转换元件中的 初级辐射的一部分或者全部初级辐射转换为第一次级辐射。第一次级辐射与初级辐射相比 优选具有更大的波长。可仃的是，初级福射不能够穿过或者不能以显著的程度穿过第一.转 换元件。
[0006]根据至少一个实施方式，半导体芯片包含一个或多个第二转换元件。至少一个第 二转换元件设立为用于通过部分地或者完全地转换到达至第二转换元件的初级辐射的波 长来广生第一次级福射。特别地，初级辐射的一部分穿过第二转换元件，使得第二次级福射 具有初级辐射的一定份额并且它是混合辐射。第二次级辐射尤其优选是白光。术语白光能 够意味着：第二次级辐射在CIE标准色图中的色坐标偏离黑体曲线至多〇.丨单位或者至多 0.05单位。
[0007]根据至少一个实施方式，半导体层序列被分为至少两个或多于两个能够彼此不相 关地电操控的区段。在半导体芯片的辐射主侧的俯视图中观察，区段在横向上并排并且相 邻地设置。在相邻的区段之间能够完全地或仅部分地去除半导体层序列。因此可行的是， 各个区段岛状地从半导体层序列中制造出来或者区段通过半导体层序列的子区域相互间 均彼此连接。
[0008]因此，所有的区段从同一^t'外延生长的半导体层序列中产生。半导体层序列在制 造公差的范围中相同地延伸并且以未改变的层结构和未改变的组分延伸超出所有的区段。 已制成的区段的相对于彼此在半导体层序列的平面中的空间位置与尚未分段的且尚未结 构化的半导体层序列相比优选不改变。
[0009]根据半导体芯片的至少一个实施方式，转换元件分别施加到区段的辐射主侧上。 因此优选转换元件中的恰好一个-对应地与所述区段中的每一个相关联。此外转换元件 优选安置在区段上，使得转换元件在辐射主侧的俯视图中观察不重叠。
[0010]根据至少一个实施方式，转换元件间接地或者直接地接触区段的辐射主侧。也就 是说，转换元件_能够触碰半导体芯片层序列。特别地，在间接接触的情况下，在区段的半导 体材料和转换元件之间存在至多一种连接剂，以便将转换元件固定在区段上。连接剂例如 是具有硅树脂的粘结剂。
[0011]根据至少一个实施方式，第一次级辐射是彩色光、特别是黄光和/或橙光。第一次 级福射的色坐标以至多0· 07单位或者至多〇· 05单位的公差位于CIE标准色图的光谱色线 上。第一次级辐射的色调特别是在575nm和595nm之间，其中包括边界值。
[0012]在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片包括具有至少一个用于产生具有小于 500m^的主波长的初级辐射的有源层的半导体层序列。半导体芯片此外包含至少一个用于 产生第=次级辐射的第一转换元件和至少一个用于产生第二次级辐射的第二转换元件，其 中f级辐射通过初级辐射的部分的或者完全的波长转换来产生。半导体层序列能够被划分 为能够彼此不相关地被电操控的并且在横向上相邻地设置的区段。转换元件安置在区段的 辐射主侧上并且能够直接接触半导体层序列。第一次级辐射是彩色光、特别是黄光并且第 二次级辐射是白光。
[00^3]由于半导体层序列是分段的，发射第一或者第二次级辐射的区域之间的间距仅是 非常小的。此外通过分段能够实现：在发射次级辐射的区域之间的相对清晰的、彩色的界限 是可行的。
[0014]根据至少一个实施方式，在半导体层序列的俯视图中观察，第一和第二转换元件 的面积比为至少0· 25或者至少〇· 5或者至少〇· 75或者至少丨。替选地或者附加地，所述 面积比为至多4或者至多3或者至多2· 5。特别地，第一和第二转换元件的面积比为至少 1. 25和/或至多2· 25,使得至少-个第-转换元件与至少-个第二转换元件雛占据更大 的面积。 匕〇15]、根据至少-个实施方式，第一和第二转换元件的醜比设置为，使得第一次级辐 射的光通里和第一次级辐射的光通量的商为至少〇_ 2S或者至少〇· 5或者至少〇· 75。替选 地或者附她k，臟商为至多4或者至多2或者至多L 25。换句職，醜次娜射对于人 眼显得是近似相同亮的。光通量以流明来说明。 m ^据至少：个实施方式，第一和第二转换元件相互不触碰。也就是说，第一转换元 二转换兀件间'。如果存在多个第-转换元件，那么可行的是，第-转换元件 ^、碰。相应地會匕够适用于第二转换元件。换句话说，转换元件能够成对地彼此间 升。 =〇17]根据至少-个实施方式，相邻的转换元件之间的平均间距为至多丨5〇_或者至 $110匕m或者至多75μ m或者至多4。μ m。魏地或者附加地，所述平均间距为半导体芯 片和/或半导体层序列的平均職长的至多抓或者至多薦棘至多5%。 H 至少一个实施方式，区段之间的平均间距与相应所勵转换元件之间的平均 細地，隨之间辭均'与所勵转换潘之_平_距雛更小。区段 '相应所属的转换元件之间的平均间距例如彼此相差至少5%或者10% 或者25%或者50%。 夂η ιυ/。 少-个头施方式，在至少两个转S元件之间存财1学的賺部。光学的屏 蔽部优选对于初级福射以及对于第一和第二次级福射而言是福射不可穿透的。福射不可穿 透能够意味着：初级辐射的透射率以及次级辐射的透射率为至多20%或者至多1〇%或者 至多3%或者至多1%。至少一个屏蔽部优选将第一转换元件在光学上与第二转换元件分 开二如果例如存在多个第一转换元件，那么光学的屏蔽部也能够分别设置在相邻的第一转 换元件之间，相应的内容适用于多个第二转换元件的情况。
[0020^根据至少一个实施方式，从半导体层序列起观察，光学的屏蔽部至少伸展到直至 转换元件的背离半导体层序列的一侧。换句话说，因此可行的是，在相邻的转换元件之间不 存在直^的、不通过光学的屏蔽部中断的视线。特别地，可行的是，至少一个光学的屏蔽部 沿着远离半导体层序列的方向突出于转换元件。
[0021]根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，区段具有矩形的或者正方形的基本形 状。同样可行的是，区段具有三角形的、菱形的、梯形的或者六边形的基本形状。特别地，区 段能够构成为规则的六边形或者等边三角形或者直角三角形。所属的转换元件能够分别具 有与区段相同的基本形状。
[0022]-根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，区段具有不同的面积。这同样能够适用 于转换兀件。在该情况下，特别是对于恰好一个第一转换元件设有恰好一个区段并且对于 恰好一个第二转换元件设有恰好一个区段。
[0023]根据至少一个实施方式，半导体芯片包括多个第一转换元件。因此优选第一转换 元件中的每一个设置在多个所述区段的下游。可行的是，在俯视图中观察，下述区段以与第 了，换元件相同地成形，其中第一转换元件中的每一个设置在所述区段的下游。相应的内 容能够适用于第二转换元件。特别地，第一转换元件和第二转换元件以及所属的区段分别 相同地成形。
[0024]根据至少一个实施方式，在辐射主侧的俯视图中观察，多个第一转换元件围绕至 少一个第二转换元件设置。第一转换元件在此能够框状地或者圆状地包围第二转换元件。 不一定需要第一转换元件构成围绕一个或者多个第二转换元件闭合的线。多个第二转换元 件能够以类似的方式围绕一个或多个第一转换元件设置。
[0025]根据至少一个实施方式，转换元件中的一个与区段中的多个相关联。同样转换元 件中的多个能够与区段中的一个相关联。
[0026]除此之外提出一种前照灯。前照灯包括至少一个如结合上述实施方式中的一个或 多个所提出的光电子半导体芯片。前照灯的特征因此也对于半导体芯片公开并且反之亦 然。
[0027]在至少一个实施方式中，前照灯包括至少一个光学装置，所述光学装置设置在至 少一个光电子半导体芯片的下游。设置在下游能够意味着：由半导体芯片产生的辐射的至 少70 %或者至少85 %或者至少95 %到达光学装置和/或进入光学装置。换句话说，由半导 体芯片产生的辐射完全的或者基本上完全地达到或者进入光学装置。
[0028]根据前照灯的至少一个实施方式，光学装置包括一个或多个光导体或者光学装置 是光导体。经由至少一个这样的光导体，可行的是，将由半导体芯片产生的辐射导向前照灯 的光出射面。
[0029]根据至少一个实施方式，光导体设置在半导体芯片的所有的区段共同的下游。也 就是说，光导体不仅能够覆盖第一转换元件而且能够覆盖第二转换元件并且设立为，接收 并引导第一以及第二次级辐射。这特别是通过区段和转换元件之间的小的间距来实现。由 此能够实现：第一和第二次级辐射能够在前照灯的同一个光出射面上耦合输出。替选于此， 可行的是，多个光导体与半导体芯片中的一个相关联，其中光导体的至少一个能够在区段 中的多个之上延伸。
[0030]根据至少一个实施方式，前照灯包括多个半导体芯片和/或多个光导体。因此优 选光导体中的恰好一个与半导体芯片中的每一个相关联。
[0031]根据至少一个实施方式，前照灯设为用于机动车、如汽车。至少一个半导体芯片因 此设立为用于闪光器和用于日间行车灯的光源。第一和第二次级辐射因此具有为了该目的 而预先规定的色坐标和强度。替选地或者附加地，其是所谓的Po光，英语是 po light，例如 用于比方说警察的紧急任务车辆。可行的是，前照灯包括附加的发光二极管芯片，所述发光 二极管芯片位于光学装置外部或者光学装置不设置在所述发光二极管芯片的下游。经由这 些附加的发光二极管芯片能够补偿光学装置的影响。
[0032]术语前照灯在此不强制性地排除：前照灯仅包括日间行车灯和闪光器和/或刹车 灯并且通过单独的构件来实现设为用于夜间行车的光源。

【专利附图】

【附图说明】
[0033]接下来根据实施例参考附图详细阐述在此所描述的光电子半导体芯片以及在此 所￥述的前照灯。相同的附图标记在此在各个附图中指明相同的元件。然而在此是不按比 例示出，更确切地说为了更好的理解各个元件能够夸张大地示出。
[0034] 附图示出：
[0035]图1至9示出在此所描述的光电子半导体芯片的实施例的示意图，
[0036]图10示出在此所描述的前照灯的实施例的示意图，以及 [0037] 图11示出第一次级辐射的CIE标准色图中的部分。

【具体实施方式】
[0038] 在图1中在示意性的俯视图中示出光电子半导体芯片1的一个实施例。半导体芯 片1包括半导体层序列2,所述半导体层序列被划分为两个区段21、22。区段21、22在横向 上间隔开地设置并且能够彼此不相关地被电操控。半导体芯片1包括四个电接触部位7以 用于电操控。接触部位 7沿着半导体芯片1的边棱设置。接触部位7例如能够是焊接接触 部、焊盘或者插头接触部。
[0039]不同于所示出的，接触部位7也能够位于载体6的背离半导体层序列2的背侧上。 在接触部位7上能够安置有焊线。 ' °
[0040]在区段21、22上安置有第一转换元件31和第二转换元件％。第一转换元件 31通 过阴影线来表示，在所有其它的绘图中也是如此。转换元件31、32 一一对应地与区段21、22 相关联。转换元件31、32在横向上也彼此间隔开。 '
[0041]在半导体芯片1运行时，在半导体层序列2中优选产生蓝光。该蓝光是初级辐射。 通过第一转换元件31从该初级辐射中产生第一次级辐射，其中所述第一次级辐射是彩色 光，优选是黄光。经由第二转换元件32从初级辐射中的一部分中产生第二次级辐射。第二 次级辐射、特别是连同初级辐射的残余部分一起是白光。转换元件 31、32的面积比在俯视 图中观察例如为大约2:1。
[0042]半导体芯片1的边棱长L例如在400μηι和25〇Ομηι之间，其中包括边界值、特别 是大约1000 μ m。在图1中半导体芯片1具有恰好两个转换元件31、32。不同于视图，可行 的是，也存在多于两个转换元件31、32,相应的内容以类似的方式适用于图2至7和10。如 在所有其它的实施例中一样，优选转换元件31、32中的恰好一个也设置在区段21、22中的 每一个的下游。转换元件31、 32的材料组分沿着横向方向优选不改变。
[0043]可选地，在转换元件31、32之间存在光学的屏蔽部4。第一次级辐射不穿过光学的 屏蔽部4进入第二转换元件32并且在第二次级辐射方面相反。因此，光学的屏蔽部4对于 第一和第二次级辐射以及对于初级辐射是不可穿透的。
[0044]光学的屏蔽部4例如通过具有基体材料和嵌入在其中的颗粒的浇注件形成。基体 材料能够是硅树脂或者硅树脂-环氧树脂-混合材料。屏蔽部4中的颗粒例如是反射性的 颗粒、例如由二氧化钛构成的颗粒，或者是吸收性的颗粒、例如由碳黑构成的颗粒。此外可 选地，可行的是，如在所有其它的实施例中，在屏蔽部4的背离半导体层序列2的一侧上施 加有反射性的或者吸收性的、在此未不出的层。替选地或者附加地，这样的优选反射性的层 也能够施加在区段21、22和/或转换元件31、 32的侧面上。
[0045]在图2中示出半导体芯片1的示意性的剖视图。被划分为区段21、22的半导体层 序列2安置在载体6的载体上侧60上。载体6优选与半导体层序列2的生长衬底不同。然 而载体6也能够是生长衬底如蓝宝石或者 SiC。半导体层序列2包括作为虚线示出的至少 一个有源层20。为了划分为区段21、22,半导体层序列 2沿着垂直于载体上侧6〇的方向被 完全地分开。区段21、22彼此间的相对位置与用于半导体层序列 2的生长衬底上的相对位 置相比不改变。
[0046]转换元件31、32直接安置在半导体层序列2上，例如经由印制法。替选于此，可行 的是，转换兀件31、32单独地制造并且构成为陶瓷小板或者娃树脂小板，其中在这些小板 中然后能够引入一种或多种转换剂。在转换元件31、32和半导体层序列2之间因此存在连 接剂、特别是基于娃树脂的粘结剂。连接剂在附图中未示出。
[0047]转换元件31、32在制造公差的范围中与区段2丨、22 一致。相邻的转换元件31、32 之间的间距C沿着平行于载体上侧60的方向相应于区段21、22之间的间距D。
[0048]光学的屏蔽部4伸展直至转换元件31、32的背离载体6的一侧并且基本上完全地 填满区段21、22之间以及转换元件31、32之间的空隙。在背离载体 6的一侧上，屏蔽部4 例如凹形地成形。
[0049]在根据图3的半导体芯片！的剖视图中，半导体层序列2沿着垂直于载体6的方 向不完全分开。各个区段21、22单片地通过半导体层序列2的材料彼此连接。至少一个有 源层20不连续地在区段21、22之上延伸。为了简化视图，如在所有其它的实施例中那样， 未示出用于给各个区段21、22通电的电导线和电连接装置。
[0050]根据图3,区段21、22与所属的转换元件31、32相比具有更大的基面。区段21、 22 之间的间距D与转换元件Μ、"之间的间距C相比更小。光学的屏蔽部4沿着远离载体6 的方向突出于转换元件31、32。
[0051]不同于在图3中的视图，区段21、22之间的间距D与转换元件 31、32之间的间距 C相比也能够更大。转换元件31、32因此在横向上突出于区段21、22。
[0052]此外不同于图3,屏蔽部4也能够仅存在于或者基本上仅存在于转换元件31、 32之 间。区段21、22之间的区域因此或者被抽真空或者以气体填充或者设有另一未示出的填充 部，所述填充部能够由不同于屏蔽部4的材料成形。这样的填充部也能够仅部分地填充区 段21、22之间的区域，这在屏蔽部4在转换元件31、32之间和/或在区段21、22之间的情 况中同样如此。因此屏蔽部4和/或填充部例如是覆层，所述覆层施加在区段21、22和/ 或转换元件31、32的侧面上并且在相邻的填充部和/或屏蔽部4之间存在缝隙。
[0053] 如在所有其它的实施例中也可行的是，在转换元件31、32和/或光学的屏蔽部4 的背离载体6的侧上存在未示出的保护层或者未示出的浇注件。
[0054] 在图4至9中示出光电子半导体芯片1的另一实施例的示意图。根据图4和5,半 导体芯片1分别具有三个接触部位7。接触部位7中的一个成形为用于区段21、22的共同 的电极。相应地，在所有其它的实施例中也能够是这种情况。
[0055] 转换元件31、32的面积比根据图4为大约2:1并且根据图5为大约1:2。转换元 件31、32以及区段21、22在俯视图中观察分别成形为具有不同的面积的矩形。转换元件 31、32的纵向方向垂直于接触部位7的纵向方向取向。不同与此，在图6中转换元件31、32 以及接触部位7的纵向方向彼此平行地伸展。
[0056] 根据图7,在俯视图中观察，转换元件31、32成形为具有不同的面积的直角三角 形。与在光学的屏蔽部4平行于半导体芯片1的边棱取向的图4至6中不同，光学的屏蔽 部4对角线地在半导体芯片1之上伸展。
[0057] 在根据图8的实施例中，中央的第二转换元件32安置在区段22上。可选存在的 屏蔽部4框状地围绕第二转换元件32。四个沿着半导体芯片1的边棱安置的、纵向延伸的 第一转换元件31围绕第二转换元件32安置，所述第一转换元件基本上在四周围绕第二转 换元件32。接触部位7安置在半导体芯片1的四个角上。不同于所示出的而可行的是，接 触部位7仅存在于三个角上。
[0058] 根据图9,区段21、22分别相同地成形为规则的六边形。在区段21中的两个上安 置第一转换元件31。区段22中的一个设有第二转换元件32。
[0059]区段21连同第一转换元件31优选并联地电连接，但是也能够彼此不相关地单独 操控。可行的是，转换元件31、32触碰。不同于所示出的，这两个转换元件31也能够一件 式地构成。不同于所示出的，在根据图9的实施例中存在光学的屏蔽部4。
[0060]在图10中示出前照灯10的一个实施例的示意剖视图。前照灯1〇具有光电子半 导体芯片1，特别是如结合图1至9所图解说明的光电子半导体芯片。光导体形式的光学装 置5设置在半导体芯片1的下游。光学装置 5在所有的区段21、22之上延伸进而也在所有 的转换元件31、3 2之上延伸。光学装置5设立为，不仅吸收和引导第一次级辐射而且接收 和引导第二次级辐射。为了简化图10中的视图，可能存在的其它光学组件未被示出。
[0061]在图11B中示出CIE标准色图（参见图HA)的部分。第一次级辐射的色坐标 优选在包边的区域中、g卩在如下四边形中，所述四边形通过四个具有坐标（〇. 545 ;〇. 425)、 (〇· 5耵；0· 39〇)、（〇. 61〇 ;〇. 39〇)和（〇· 56〇 ;〇. 440)的色坐标来展开。
[0062]在此描述的本发明不通过根据实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包 括各个新的特征以及特征的各个组合，这尤其是包含权利要求中的特征的各个组合，即使 该特征或者该组合本身未明确地在权利要求或者实施例中给出时也是如此。
[0063]本申请要求德国专利申请102012102301· 8的优先权，其公开内容通过参引并入 本文。
【权利要求】
1. 一种光电子半导体芯片（1)，具有： _半导体层序列（2)，所述半导体层序列具有用于广生具有小于500nm的主波长的初级 辐射的至少一个有源层（20); -至少一个第一转换元件（31)，所述第一转换元件用于通过所述初级辐射的波长转换 产生第一次级辐射； -至少一个第二转换元件C32)，所述第二转换元件用于通过所述初级辐射的波长转换 产生第二次级辐射， 其中 -所述半导体层序列（2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设 置的区段（21，22)， -所述转换元件（31，32)安置在所述区段（21，22)的辐射主侧（25)上，以及 -所述第一次级辐射是彩色光并且所述第二次级辐射是白光。
2. 根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（D， 其中在所述半导体层序列（20)的俯视图中观察，所述第一转换元件和所述第二转换 元件（31，32)的面积比在0.25和4之间，其中包括边界值， 其中所述第一次级辐射是黄光和/或橙光，并且 其中所述区段（21，22)之间的所述平均间距（D)与所述转换元件（31，32)之间的所述 平均间距（C)不同。
3. 根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（1)， 其中所述区段（21，22)之间的平均间距（D)与所属的所述转换元件（31，32)之间的平 均间距（C)相比更小。
4. 根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片（1)， 其中所述转换元件（31,32)相互不触碰，并且相邻的转换元件（31，32)之间的平均间 距（C)为至多150 μ m。
5. 根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（1)， 其中所述区段（21，22)之间的所述平均间距（D)与所述转换元件（31，32)之间的所述 平均间距（C)相比更小。
6. 根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片（1)， 其中至少在所述转换元件（31，32)之间存在光学的屏蔽部（4)，所述屏蔽部对于所述 初级辐射以及对于所述第一次级辐射和所述第二次级辐射是辐射不可穿透的。
7. 根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（1)， 其中所述屏蔽部（4)沿着远离所述半导体层序列（20)的方向至少伸展直至所述转换 元件（31，32)的背离所述半导体层序列（20)的侧面。
8. 根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片（1)， 其中所述区段（21,22)在俯视图中观察是具有不同的面积的矩形或者三角形。
9. 根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片（1)， 包括多个第一转换元件（31)并且其中所述第一转换元件（31)中的每一个设置在多个 所述区段（21)的下游，其中所述区段（21)在俯视图中观察相同地成形。
10. 根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片（1)， 其中在俯视图中观察，多个所述第一转换元件（31)围绕至少一个所述第二转换元件 (32)设置。
11. 一种前照灯（10)，具有至少一个根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导 体芯片（1)和至少一个光学装置（ 5)， 其中至少一个所述光学装置（5)设置在所述半导体芯片（1)的下游。
12. 根据上一项权利要求所述的前照灯（10)， 其中所述光学装置（5)包括光导体或者是光导体， 其中所述光导体设置在所有区段（21，22)共同的下游。
13. 根据权利要求11或12所述的前照灯（10)， 所述前照灯设置用于机动车， 其中所述半导体芯片（1)是用于闪光器和用于日间行车灯的光源。
【文档编号】H01L33/50GK104221150SQ201380015229
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2013年3月8日 优先权日:2012年3月19日
【发明者】米夏埃尔·布兰德尔, 乌尔里希·弗雷 申请人:欧司朗光电半导体有限公司