电压非线性电阻体以及使用了其的层叠变阻器的制造方法

电压非线性电阻体以及使用了其的层叠变阻器的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种电压非线性电阻体以及使用了其的层叠变阻器。电压非线性电阻体包含N型的多个ZnO结晶粒子、晶界层和作为P型半导体的氧化物粒子。晶界层形成在多个ZnO结晶粒子之间，至少包含碱土金属的一种氧化物。氧化物粒子隔着晶界层而配置在多个ZnO结晶粒子之间。
【专利说明】电压非线性电阻体以及使用了其的层叠变阻器

【技术领域】
[0001] 本发明涉及适于使电子设备从静电之中得到保护的层叠变阻器。尤其涉及被用在 该层叠变阻器中的电压非线性电阻体。

【背景技术】
[0002] 用在电子设备中的1C等半导体器件有时会被静电（ESD)破坏，或者其特性会下 降。尤其是，在最近的半导体器件中被要求高速动作，伴随于此最近的半导体器件相对于 ESD而变得脆弱。如果因ESD而使得半导体器件破坏，则会导致电子设备发生误动作或者故 障等严重损害。为此，近年来，各种电子设备中的ESD应对策略的重要性增强，作为ESD应 对策略部件而广泛利用的是使用了表现电压非线性的电压非线性电阻体的变阻器。
[0003] 用在ESD应对策略中的变阻器需要在吸收ESD的特性方面优异、且在ESD耐性方 面优异以免变阻器自身被ESD破坏。此外，在没有ESD侵入的状态下，变阻器仅仅作为静电 电容而存在。为此，变阻器需要具有适当的静电电容值以达到不会给电路动作带来不良影 响的程度。
[0004] 这种ESD应对策略用途的电压非线性电阻体，一般根据显现变阻器特性的添加物 而大致分为Pr系（例如专利文献1)和Bi系（例如专利文献2)这两种。其中，Pr系的层 叠变阻器适于降低变阻器电压，Bi系的层叠变阻器适于减小静电电容。变阻器电压和静电 电容可以通过酌情分开使用两种材料系，进而酌情设定电极间的变阻器层的厚度以及电极 的重叠面积来进行调整。
[0005] 在先技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本特开2004-146675号公报
[0008] 专利文献2 :日本特开2007-5500号公报


【发明内容】

[0009] 本发明是使得静电电容的电压依赖性得到降低的电压非线性电阻体、和使用了该 电压非线性电阻体的层叠变阻器。本发明的电压非线性电阻体包含：N型的多个ZnO结晶 粒子、晶界层和作为P型半导体的氧化物粒子。晶界层形成在多个ZnO结晶粒子之间，至少 包含碱土金属的一种氧化物。氧化物粒子隔着晶界层而配置在多个ZnO结晶粒子之间。在 该电压非线性电阻体中，通过上述构成，静电电容的电压依赖性降低。此外，本发明的层叠 变阻器具有一对内部电极、形成在该内部电极之间的变阻器层、和与这些内部电极分别电 连接的一对外部电极，变阻器层由上述电压非线性电阻体来构成。

【专利附图】

【附图说明】
[0010] 图1A是本发明的实施方式中的电压非线性电阻体的微细组织的剖面示意图。
[0011] 图1B是表示图1A所示的电压非线性电阻体的剖面透过型电子显微镜（TEM)观察 像的图。
[0012] 图1C是图1B的示意图。
[0013] 图2A是表示本发明的实施方式中的电压非线性电阻体的晶界部的偏置电压施加 前的能量鱼构造的示意图。
[0014] 图2B是表示本发明的实施方式中的电压非线性电阻体的晶界部的偏置电压施加 后的能量垒构造的示意图。
[0015] 图2C是表示与本发明的实施方式不同的电压非线性电阻体的晶界部的偏置电压 施加前的能量鱼构造的示意图。
[0016] 图2D是表示与本发明的实施方式不同的电压非线性电阻体的晶界部的偏置电压 施加后的能量鱼构造的示意图。
[0017] 图3是表示齐纳二极管的构成和静电电容的电压依赖性的关系、以及使用本发明 的实施方式中的电压非线性电阻体而制作出的层叠变阻器的静电电容的电压依赖性的曲 线图。
[0018] 图4是本发明的实施方式中的层叠变阻器的剖面示意图。
[0019]图5是表示本发明的实施方式中的层叠变阻器、和现有的层叠变阻器的各自的一 例中的静电电容的电压依赖性的曲线图。
[0020] 图6是表示对本发明的实施方式中的电压非线性电阻的晶界层的Sr元素以及Co元素的浓度分布进行了线分析的结果的曲线图。

【具体实施方式】
[0021] 在说明本发明的实施方式之前，先说明现有的电压非线性电阻体中的课题。现有 的Pr系、Bi系的电压非线性电阻体的静电电容具有电压依赖性。即，施加电压值越高，则 静电电容越减少。因而，如果搭载在实际的电路中且被施加了电路电压，则静电电容值依赖 于该施加电压值而发生变动，存在会引起动作不良等问题的情况。在最近的可移动电子设 备所代表的信号线用途的电子部件中，强烈要求信号质量的稳定性。为此，在被搭载于信号 线上的变阻器中，期望施加电压值所引起的静电电容的变动小。
[0022] 现有的电压非线性电阻体的静电电容起因于变阻器特性的显现部位即ZnO结晶 粒子间的晶界构造。而且，由于形成在ZnO结晶粒子的界面部的双重肖特基势垒中的耗尽 层的宽度依赖于电压，因此认为静电电容具有电压依赖性。
[0023] 以下，参照附图来说明本发明的实施方式。图1A是本发明的实施方式中的电压非 线性电阻体4的微细组织的剖面示意图。图1B是表示电压非线性电阻体4的剖面透过型 电子显微镜（TEM)观察像的图。即，图1B是通过高分辨率TEM对利用Ar铣削使电压非线 性电阻体4薄片化而制作的试料的图1A所示的氧化物粒子3附近进行了观察的剖面放大 照片。图1C是图1B的不意图。
[0024] 电压非线性电阻体4包含多个ZnO结晶粒子1、晶界层2和氧化物粒子3。晶界层 2至少包含碱土金属的一种，配置在多个ZnO结晶粒子1之间。氧化物粒子3隔着晶界层2 而配置在多个ZnO结晶粒子1之间。即，晶界层2介于ZnO结晶粒子1的晶界，氧化物粒子 3存在于晶界层2的内部。多个ZnO结晶粒子1经由晶界层2和氧化物粒子3而被接合。
[0025] 进而，换言之，如图1B、图1C所示，氧化物粒子3隔着晶界层2而介于多个ZnO结 晶粒子1之间。
[0026] 关于电压非线性电阻体4的微细组织，例如能够通过高分辨率TEM来观察ZnO结 晶粒子1、晶界层2以及氧化物粒子3。此外，可以使用能量分散型X射线分析（EDS)来进 行ZnO结晶粒子1、晶界层2、氧化物粒子3的元素分析。
[0027] 晶界层2以及氧化物粒子3通过在使ZnO结晶粒子1和碱土金属的氧化物共存的 情况下进行烧结来形成。通过该方法，由碱土金属的氧化物所形成的晶界层2遍布多个ZnO 结晶粒子1的晶界。此外，氧化物粒子3作为剩余成分而最终构成了微细组织。这样，通过 基于固相反应法的工业上的制造工艺，能够稳定地制造使得静电电容的电压依赖性得到降 低的电压非线性电阻体4。即，如果氧化物粒子3由与晶界层2相同的材料来形成，则生产 率得以提升，因而优选。但晶界层2和氧化物粒子3也可以由不同的材料来形成。
[0028] 下面，说明现有的电压非线性电阻体和电压非线性电阻体4中的构成的差异、和 起因于该差异的对于静电电容的电压依赖性带来的影响。
[0029] 现有的电压非线性电阻体由多个ZnO结晶粒子和晶界层构成。在该构成中，在ZnO 结晶粒子的表面和晶界层的连接界面形成了受主能级，根据多晶体组织中的优异的势垒特 性而显现了变阻器特性。
[0030] 另一方面，在电压非线性电阻体4的ZnO结晶粒子1的晶界中的势垒之中，氧化物 粒子3存在于晶界层2的内部。在这一点上，构造与现有的电压非线性电阻体不同。
[0031] 电压非线性电阻体4中的晶界层2成为多晶体组织中的势垒特性（变阻器特性） 显现的起源。即，在电压非线性电阻体4中，也认为晶界层2起到与现有的电压非线性电阻 体相同的作用。例如，在碱土金属为Sr、且组合了Sr和Co的情况下，晶界层2由SrCo03构 成。
[0032] 图2A、图2B是表示电压非线性电阻体4的能量垒构造的示意图，图2C、图2D是表 示现有的电压非线性电阻体的能量垒构造的示意图。图2A、图2C表示未被施加偏置电压的 情况，图2B、图2D表不已被施加偏置电压的情况。
[0033] 如图2C所示，现有的电压非线性电阻体的能量垒构造成为ZnO结晶粒子21/Zn0 结晶粒子21。即，能够认为ZnO结晶粒子21和ZnO结晶粒子21夹着晶界层22而形成了N 型/N型的导电构造。
[0034] 在该构造中，形成在ZnO结晶粒子21的界面部的无偏置时的双重肖特基势垒的晶 界层22 (耗尽层）的宽度W5,若施加偏置电压，则如图2D所示那样变大，晶界层22 (耗尽 层）的宽度变为W6。因而，认为表观上的静电电容变化率变大。
[0035] 另一方面，电压非线性电阻体4的能量垒构造如图2A所示那样成为ZnO结晶粒子 1/氧化物粒子3/Zn0结晶粒子1。因而，能够认为形成了 2层的势垒夹着ZnO结晶粒子1 和ZnO结晶粒子1的一个晶界的N型/P型/N型的导电构造。
[0036] 这种能量垒模型如图2A所示那样是在与被ZnO结晶粒子1 (N型）夹持的氧化物 粒子3(P型）的两接合面上存在晶界层2(耗尽层）的构造。在该能量垒模型中，若如图2B 所示那样施加偏置电压，则NP侧（反向偏置）的晶界层2(耗尽层）的宽度W2与现有的电 压非线性电阻体的晶界层（耗尽层）的宽度W6同样地变大，成为W4。另一方面，PN侧（正 向偏置）的晶界层2 (耗尽层）的宽度W1减少而变化为W3。由此，电压非线性电阻体4的 电压施加状态下的晶界层2的总宽度成为W3+W4。此时，认为W1的减少和W2的增加被抵 消，表观上的静电电容变化率变小。
[0037] 通过以上这样的机理，认为在电压非线性电阻体4中与现有的电压非线性电阻体 相比而静电电容的电压依赖性大幅降低。
[0038] 另夕卜，以上这样的能量垒构造模型能够使用由NP界面构成的齐纳二极 管（N/P型构造）来验证。在电压非线性电阻体4的模型中，如上所述，在夹着P型 组成物（氧化物粒子3)的N型组成物（ZnO结晶粒子1)的界面形成有晶界层 2(耗尽层）。该模型的基本单位构造能够由将两个齐纳二极管（N/P型构造）进 行了连接的"NP+PN"来表现。因为PN结为正向，所以几乎没有做出贡献，因此 该"NP+PN"的变阻器特性由只是成为反向偏置的NP结的势垒来决定。这样，通过 以"NP+PN"为基本单位来重复连接齐纳二极管，从而能够表现作为多晶体模型的电 压非线性电阻体4的模型。具体而言，通过NPoNP+PNo "NP + PN"+"NP +PN" 4 "NP+PN" + "NP+PN" + "NP+N"这样重复连接，从而能够在显 现变阻器特性的同时确认静电电容的偏置电压依赖性的降低。
[0039] 图3表示了对连接这些齐纳二极管（N/P型构造）后的施加电压所引起的静电电 容的变化率进行了测量的结果。另外，表示为A的特性表征后述的实施例中的样本A的层 叠变阻器的特性。根据图3可知，越使N/P型的重复数增加则静电电容的变化率越下降，从 而可以确认向样本A的特性渐进的趋势。
[0040] 如以上，连接多个"NP+PN"构造而成的多晶体构造模型具有使得静电电容的电压 依赖性降低的效果。根据这些验证结果可以推测出：电压非线性电阻体4包含起到P型半 导体的作用的氧化物粒子3、作为N型半导体的多个ZnO结晶粒子1、和晶界层2 (耗尽层）， 为上述的"NP+PN"的重复构造。
[0041] 另外，氧化物粒子3只要成为P型半导体即可，并不特别限定。
[0042] 另外，氧化物粒子3的结晶构造能够根据X射线衍射图案来确认。氧化物粒子3作 为析出相而分散在ZnO结晶粒子1之间、或由3个以上的ZnO结晶粒子1构成的间隙部分 等，也可通过扫描型电子显微镜（SEM)来观察。氧化物粒子3的析出量能够根据剖面观察 中的与ZnO结晶粒子1的面积比来估计。氧化物粒子3的析出量更优选相对于ZnO的全部 重量而言在〇. 5atm%以上且10atm%以下的范围。如果氧化物粒子3的析出量为该范围， 则能够使得静电电容的电压依赖性进一步降低。
[0043] 构成晶界层2的氧化物中包含的碱土金属优选从由Sr、Ca、Ba组成的群之中选出。 由此，能够实现低的变阻器电压和优异的非线性。
[0044] 此外，虽然晶界层2以及氧化物粒子3并不特别限定，但是优选为由碱土金属的氧 化物构成的钙钛矿构造的固溶体。由此，能够实现低的变阻器电压和优异的非线性。
[0045] 此外，晶界层2的厚度（多个ZnO结晶粒子1之间的距离）优选为lnm以上且10nm 以下。由此能实现优异的电压非线性和强的ESD耐性。
[0046]ZnO结晶粒子1的平均结晶粒径优选为0. 5iim以上且2iim以下。由此，能够提升ESD耐性，能够实现适于ESD保护用的变阻器的电压非线性电阻体4。
[0047] 此外，相对于电压非线性电阻体4中的ZnO的lmol而言，在进行A1203换算的情 况下优选含有〇.〇〇〇lmol以上且0.003mol以下的A1。虽然A1的作用不明显，但是如果电 压非线性电阻体4包含上述范围的A1成分，则ZnO结晶粒子1、氧化物粒子3的粒径将均 等化。因而，在进行烧结之际，结晶粒子细密化，电压非线性电阻体4能够显现更低的变阻 器电压。变阻器电压的下降还涉及到作为电压非线性电阻体4的电压非线性a、ESD耐性 AVlniA的改善，能够实现可靠性更高的电压非线性电阻体4。
[0048] 另外，关于变阻器电压VllM、电压非线性a以及ESD耐性AVlmA，与实施例的说明一 并详细地进行说明。此外，一般而言，如果使陶瓷组织均匀化，则电压非线性电阻体4的机 械强度也得以提升，所以针对热冲击、设备的落下冲击的可靠性也提高。
[0049] 下面，参照图4来说明使用电压非线性电阻体4而制作出的层叠变阻器14。层叠 变阻器14至少具有一对内部电极12、形成在内部电极12之间的变阻器层11、和与内部电 极12分别电连接的一对外部电极13。变阻器层11由电压非线性电阻体4构成。外部电极 13被形成在由内部电极12和变阻器层11构成的层叠体的端部。
[0050] 为使变阻器特性显现，只要在一对内部电极12之间形成电压非线性电阻体4即 可，配置在一对内部电极12的上下表面上的材料并未限定。然而，当在一对内部电极12的 上下表面（外侧）配置了与电压非线性电阻体4不同的材料的情况下，有时变阻器特性因 在不同材料之间的原子扩散等而下降。为此，优选如图4所示那样在一对内部电极12的上 下表面配置与形成于一对内部电极12之间的电压非线性电阻体4相同的材料这样的构成 是可以的。
[0051] 下面，说明层叠变阻器14的制造方法的一例。首先，作为起始原料，准备作为主成 分的ZnO粉末、作为副成分而包含碱土金属的SrC03粉末以及C〇203粉末、进而在化学性上 为高纯度的A1203粉末，称重为所期望的组成。此外，也可使用将SrC03粉末的Sr元素置换 为Ba元素或Ca元素的粉末。
[0052]SrC03粉末和C〇203粉末是构成晶界层2以及氧化物粒子3的原料。它们利用预先 投入了直径1. 〇mm的稳定化氧化锆制的卵石以及纯水的聚乙烯制球磨机混合20小时，使平 均粒径变为〇. 3iim±0. 03iim。通过使SrC03粉末以及C〇203粉末的平均粒径小于ZnO粉末 的平均粒径，从而SrC03粉末以及C〇203粉末易于在ZnO粉末表面上均匀地湿润扩展，从而 形成电压非线性电阻体4的微细构造。
[0053] 然后，将这些起始原料粉末投入到聚乙烯制球磨机中，加入直径2mm的稳定化氧 化锆制的卵石以及纯水而混合20小时，以平均粒径成为0. 5ym±0. 05ym的方式进行粉 碎，然后进行脱水干燥。
[0054] 在将干燥后的粉末通过20筛目的筛网来制粒之后，放入高纯度氧化铝质的坩埚 中，在约750°C?950°C下于大气中预烧2小时。接下来，与上述混合时同样地，将该预烧后 的粉末放入到聚乙烯制球磨机中，加入稳定化氧化锆制的卵石以及纯水而粉碎约20小时， 使平均粒径变为〇. 5iim±0.liim。然后，脱水、干燥直至含水率变为0. 1%以下。
[0055] 将进行脱水、干燥而得到的粉末、有机粘合剂等和分散剂相混合来调制浆料。此 时，以分散物的平均粒径成为〇. 70iim±0. 10iim的方式抑制凝集，从而均匀地分散。对如 此调制出的浆料进行片状成形来制作陶瓷片。
[0056] 在此，平均粒径意味着利用激光衍射散射式粒度分布装置根据体积粒度分布评价 出的D50。具体而言，在利用稀释用分散剂使分散有试料的浆料进行稀释之后，利用均化器 使之均匀地分散。如此调制测量用试料，投入到装置中来测量粒度分布。
[0057] 另外，如果浆料中所含的分散剂为水，则能够使用六偏磷酸钠水溶液作为稀释用 分散剂。如果浆料中所含的分散剂为有机溶剂，则能够使用乙醇作为稀释用分散剂。
[0058] 然后，准备规定片上述的陶瓷片，利用丝网印刷法将混合了Ag-Pd合金粒子和有 机粘合剂所得的内部电极用导电性膏印刷到各陶瓷片上，从而形成导体层。然后，将形成了 导体层的陶瓷片、和未印刷导电性膏的陶瓷片层叠为规定的形状。通过对该层叠体进行加 压来制作层叠体块。
[0059] 然后，将层叠体块切断分离为所期望的尺寸，从而制作单片的层叠体芯片。将该层 叠体芯片在大气中加热到500°C程度来进行脱粘合剂处理，进而在大气中于1000°C以上且 1KKTC以下进行烧成来制作陶瓷烧结体。
[0060] 然后，对该陶瓷烧结体进行滚磨研磨，使内部电极12露出在陶瓷烧结体的两端 面。然后，在该陶瓷烧结体的侧面（使内部电极12露出的面以外的面）形成玻璃制的绝缘 层。
[0061] 然后，将混合有Ag-Pd合金粒子和有机粘合剂所得的外部电极用导电性膏涂敷在 使内部电极12露出的面上之后使之干燥，在大气中于1000°C以上且1KKTC下进行烧灼处 理，从而形成外部电极13,完成了层叠变阻器14。
[0062] 另外，利用电解镀覆法以Ni-Sn等的耐气候性良好的金属包覆外部电极13的表 面，从而能够抑制氧化等所引起的外部电极13的劣化。
[0063](实施例）
[0064] 以下，详细地说明利用上述的制造方法而制作出的层叠变阻器14、和使用现有的 电压非线性电阻体而制作出的层叠变阻器。
[0065](表1)所记载的样本A为使用了电压非线性电阻体4的层叠变阻器14。样本A的起始原料是在97. 5atm%的主成分的ZnO粉末、1. 25atm%的SrC03粉末、和1. 25atm%的 C〇203粉末中进一步添加了化学性方面为高纯度的A1203粉末所得的混合物。A1203粉末的添 加量是相对于每lmol的ZnO而添加0. 002mol。将预烧温度设为800°C，将层叠体芯片的脱 粘合剂处理温度设为400°C，将大气中的烧成温度设为1030°C，将外部电极13的烧灼温度 设为720°C。
[0066] 作为使用现有的电压非线性电阻体而制作出的+层叠变阻器，将Bi系的层叠变阻 器作为样本B，将Pr系的层叠变阻器作为样本C。
[0067] 样本B的起始原料是在94. 5atm%的主成分的ZnO粉末、0.latm%的Bi203粉末、 0? 5atm% 的C〇0 粉末、0? 6atm% 的MnO粉末、0? 3atm% 的Sb203 粉末、和 4.Oatm% 的Si02 粉 末中进一步添加化学性方面为高纯度的A1203粉末所得的混合物。A1203粉末的添加量是相 对于每lmol的ZnO而添加0. 00lmol。
[0068] 样本C的起始原料是在97. 5atm%的主成分的ZnO粉末、0. 6atm%的Pr203粉末、 1. 6atm%的C〇0粉末、0.latm%的Cr203粉末、和0. 2atm%的CaO粉末中进一步添加化学性 方面为高纯度的A1203粉末所得的混合物。A1203粉末的添加量是相对于每lmol的ZnO添 加 0?Olmol。
[0069] 除了起始原料不同之外，其他与样本A同样地调制了样本B、样本C的电压非线性 电阻体。样本B的变阻器电压VlmA为12V等级，样本C的变阻器电压VlmA为8V等级。
[0070]另外，样本A?样本C的外形尺寸均相同，长边方向为1. 0mm，宽度方向为0. 5mm, 厚度方向为〇. 5mm。此外，被配置在内部电极12之间的变阻器层11的厚度约20iim,内部 电极12的层数为10层，每一层的面积（内部电极12的重叠面积）约0. 06mm2。
[0071] 作为电气特性，针对10个样本的各样本测量了变阻器电压vllM、表示电压非线性 的a、表示ESD耐性的AVlmA、静电电容C的电压依赖性AC，并求出平均值。
[0072] 所谓变阻器电压VllM是流动1mA电流时的端子间电压值，电压非线性a是在将流 动1mA电流时的电压值设为VlmA、流动10iiA电流时的电压值设为V1(I1JA的情况下的比，即a -^1iiia/^10uA°
[0073] 设测量频率为1MHz、测量电压为lVrms、无DC偏置来测量静电电容C。然后，对施 加了DC电压时的静电电容C'进行测量，求出AC=C'-C。另一方面，此时施加的DC电压 用变阻器电压VlmA进行标准化来求出电压利用率（voltageapplyingrate)。如果存在静 电电容的电压依赖性，则静电电容C的变化率AC随着电压利用率而变化。因而，评价变化 率AC相对于电压利用率的变化。
[0074] 此外，ESD耐性依据IEC61000-4-2来进行评价。S卩，对从静电放电仿真器向层叠 变阻器施加8kV的ESD电压（充电电容150pF、放电电阻330Q)的前后的变阻器电压VlmA 进行测量。然后，从ESD电压施加后的变阻器电压VllM的值之中减去ESD电压施加前的变 阻器电SVlmA的值来求出变化率AVlmA。此外，从使用了电子显微镜的观察像之中通过截获 法来评价ZnO结晶粒子1的平均结晶粒径Dg。
[0075] 将以上的评价结果表示在（表1)以及图5中。另外，（表1)中的AC分别表示 电压利用率为50%的情况下的值。
[0076]表1

【权利要求】
1. 一种电压非线性电阻体，具备： N型的多个ZnO结晶粒子； 晶界层，形成在所述N型的多个ZnO结晶粒子之间，包含含有碱土金属的氧化物；和 氧化物粒子，是隔着所述晶界层而配置在所述N型的多个ZnO结晶粒子之间的P型半 导体。
2. 根据权利要求1所述的电压非线性电阻体，其中， 构成所述晶界层的所述氧化物中包含的所述碱土金属从由Sr、Ca、Ba组成的群之中选 出。
3. 根据权利要求1所述的电压非线性电阻体，其中， 所述氧化物粒子由与所述晶界层相同的材料形成。
4. 根据权利要求1所述的电压非线性电阻体，其中， 所述晶界层是钙钛矿构造的固溶体， 所述氧化物粒子是钙钛矿构造的固溶体。
5. 根据权利要求1所述的电压非线性电阻体，其中， 所述晶界层的厚度为Inm以上且IOnm以下。
6. 根据权利要求1所述的电压非线性电阻体，其中， 所述多个ZnO结晶粒子的平均结晶粒径为0. 5 μ m以上且2 μ m以下。
7. 根据权利要求1所述的电压非线性电阻体，其中， 相对于所述非线性电阻体中包含的ZnO的Imol而言，在换算为Al2O3的情况下含有 0. OOOlmol 以上且 0. 003mol 以下的 Al。
8. -种层叠变阻器，具备： 一对内部电极； 变阻器层，形成在所述一对内部电极之间；和 一对外部电极，与所述一对内部电极分别电连接， 所述变阻器层由电压非线性电阻体构成，该电压非线性电阻体包含： N型的多个ZnO结晶粒子； 晶界层，形成在所述N型的多个ZnO结晶粒子之间，包含含有碱土金属的氧化物；和 氧化物粒子，是隔着所述晶界层而配置在所述N型的多个ZnO结晶粒子之间的P型半 导体。
9. 根据权利要求8所述的层叠变阻器，其中， 构成所述晶界层的所述氧化物中包含的所述碱土金属从由Sr、Ca、Ba组成的群之中选 出。
10. 根据权利要求8所述的层叠变阻器，其中， 所述氧化物粒子由与所述晶界层相同的材料形成。
11. 根据权利要求8所述的层叠变阻器，其中， 所述晶界层是钙钛矿构造的固溶体， 所述氧化物粒子是钙钛矿构造的固溶体。
12. 根据权利要求8所述的层叠变阻器，其中， 所述晶界层的厚度为Inm以上且IOnm以下。
13. 根据权利要求8所述的层叠变阻器，其中， 所述多个ZnO结晶粒子的平均结晶粒径为0. 5 μ m以上且2 μ m以下。
14. 根据权利要求8所述的层叠变阻器，其中， 相对于所述非线性电阻体中包含的ZnO的Imol而言，在换算为Al2O3的情况下含有 0. OOOlmol 以上且 0. 003mol 以下的 Al。
【文档编号】H01C7/10GK104321837SQ201380026166
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2013年5月23日 优先权日:2012年5月25日
【发明者】古贺英一, 凤桐将之, 东佳子 申请人:松下知识产权经营株式会社