缺陷电连接的检测的制作方法

缺陷电连接的检测的制作方法
【专利摘要】本发明的实施例公开了一种有缺陷电连接的检测。该实施例涉及集成电路，所述集成电路包括至少两个电连接和与至少一个电连接相邻地布置的至少一个线圈，其中至少一个线圈中的每个线圈都包括至少一个绕组，并且其中至少一个线圈被布置在集成电路上或集成电路中。
【专利说明】缺陷电连接的检测

【技术领域】
[0001] 本发明的实施例涉及集成电路，具体地涉及到集成电路的电连接，即将芯片(裸 片）与外部管脚连接的铜夹或键合接线。

【背景技术】
[0002] 为了共享电流负载，若干电连接可以被布置为并联连接。然而，如果到集成电路的 电连接中的一个变得有缺陷，断裂或者脱落，那么到集成电路的电流穿过剩余电连接输送， 这可能最终使电路遭到破坏，并且因此导致其中嵌入有集成电路的模块或设备的故障。


【发明内容】

[0003] 本发明的第一实施例涉及一种集成电路，该集成电路包括至少两个电连接、以及 与至少一个电连接相邻地布置的至少一个线圈，其中至少一个线圈中的每个都包括至少一 个绕组，并且其中至少一个线圈被布置在集成电路上或在集成电路中。
[0004] 集成电路涉及半导体设备，该半导体设备可选地包括键合到衬底或电路板的无源 组件。集成电路也可以指连接到例如芯片外壳的管脚的芯片或硅片（即裸片）。
[0005] 线圈可以具体地包括一个绕组或多个绕组；线圈优选地为开放，从而可以确定在 线圈端部处的电压；这一电压可以基于电磁感应。流经电连接的电流改变它附近的磁场； 该改变可以由所述线圈检测到，这提供基于电流的改变的电压。如果连接中的一个突然故 障，引起电流的改变，这能够被检测到并且进一步经由所述至少一个线圈处理。
[0006] 注意，本文所指的"并联连接"针对彼此并联电连接的连接，即，从而电流被分为若 干(相等的）电流部分，每个这一部分通过(完好的）并联连接中的一个来输送。
[0007] 第二实施例涉及用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的设备；其中设备被布置 用于经由在电连接附近至少一个线圈中感应的电压，来确定在若干并联电连接中的电流改 变；并且设备被布置用于基于在至少一个线圈中感应的电压，来确定若干并联电连接中的 哪个有缺陷。
[0008] 第三实施例涉及一种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的方法，其中经由在 位于电连接附近的至少一个线圈中感应的电压，在若干并联电连接中的电流改变得以确 定；并且其中基于在至少一个线圈中感应的电压，若干并联电连接中的哪个有缺陷得以确 定。
[0009] 第四实施例针对一种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的设备，该设备包括 比较器件，该比较器件用于将来自连接到集成电路的与至少一个电连接相邻地布置的至少 一个线圈的信号与参考信号比较；并且包括处理逻辑，所述处理逻辑连接到比较器件的输 出，其中所述处理逻辑提供取决于在至少一个线圈中感应的电压的输出信号。
[0010] 第五实施例涉及一种用于确定有缺陷的电连接的系统，该系统包括若干电连接， 该电连接并联地连接到集成电路；该系统包括至少一个线圈，其被布置在集成电路上或在 集成电路中，与若干电连接中的至少一个相邻；并且包括设备，所述设备用于在若干电连接 中确定有缺陷的电连接；其中设备被布置用于经由在至少一个线圈中由至少一个相邻电连 接所感应的电压，来确定在并联电连接的至少一个中的电流改变；并且该设备被布置用于 基于在至少一个线圈中感应的电压，来确定若干并联电连接中的哪个有缺陷。
[0011] 第六实施例针对一种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的系统，该系统包括 用于经由在位于电连接附近的至少一个线圈中感应的电压，来确定在若干并联电连接中的 电流改变的器件；并且包括用于基于在至少一个线圈中感应的电压，来确定若干并联电连 接中的哪个有缺陷的器件。
[0012] 第七实施例涉及一种用于确定有缺陷的电连接的系统，该系统包括若干电连接， 其连接到若干集成电路；至少一个线圈，其被与电连接的至少一个相邻地布置；设备，用于 在若干电连接中确定有缺陷的电连接。该设备被布置用于经由在至少一个线圈中由至少一 个相邻电连接所感应的电压，来确定在电连接的至少一个中的电流改变；并且设备被布置 用于基于在至少一个线圈中感应的电压，来确定若干并联电连接中的哪个有缺陷。
[0013] 电连接可以被应用到一个集成电路（即，芯片或裸片）或若干集成电路，其中若干 集成电路相互并联电连接。这允许确定在若干集成电路之间的电流改变。还有一个选项 是，到这些集成电路中的每个集成电路的每个连接都包括至少一个(具体地为若干个）键合 接线。

【专利附图】

【附图说明】
[0014] 参照附图示出并描述本发明的实施例。附图用于说明基本原理，因此仅图示用于 理解基本原理的必要方面。附图未按比例绘制。在附图中，相同的标号表示相似的特征。
[0015] 图1示出位于芯片的接触区域内的键合接线以及用于基于在与所述键合接线相 邻地布置的线圈中感应的电压来产生输出信号的处理电路的示意图布置；
[0016] 图2示出用于测量并处理由线圈检测到的信号的示例性电路图；
[0017] 图3示出包括以平面方式被布置在键合的两侧的线圈的示例性实施方式；
[0018] 图4示出集成电路的示例性侧视图，该集成电路具有被布置在芯片一侧上或者平 行于芯片一侧的环路；
[0019] 图5示出包括在图1的比较元件的输出处的信号连同通过如图1所示的键合接线 的电流信号的时序图。

【具体实施方式】
[0020] 如果电流改变的绝对值大于零（即abs(di/dt)>0)并且引起的磁场的至少一部分 与线圈相互作用，那么将感应出电压。例如，在芯片上的键合连接在至少很短的距离上承载 平行于芯片表面的电流（电流可能因此在单个点上不进入或离开芯片)。在下文中，用语"承 载电流"隐含在连接中发生电流改变（di/dt)。
[0021] 功率半导体(例如，功率开关或断路器）经由铜夹或键合接线而电连接。为了允许 高电流流经这一连接，在芯片上并联地使用若干连接(具体地，键合接线)。电连接的质量对 于高载流容量很重要。连接可以受制于若干参数，例如，
[0022] -可以经由连接被输送的电流，
[0023] 一热导率，
[0024] -接触电阻。
[0025] 连接有缺点以及所导致的电路失灵的一个主要原因是基于物理退化的，例如至少 一个键合接线脱离了到芯片的连接而来的破坏，例如由于经过大量开关周期之后的热应 力、或者由于接线断裂。
[0026] 因此本发明提出一种解决方案，其允许通过确定流经若干并联布置的键合接线的 电流的改变，来检测键合接线的退化或者失效。如果键合接线中的一个变得有缺陷(例如断 裂或脱落)，那么电流在剩余键合接线中分布。这可能引起芯片失效，因为更高的电流将穿 过更少的剩余键合接线输送，该键合接线可能在设计上不能承载如此高的电流。
[0027] 检测到有缺陷的键合接线或连接总体上允许在实际失效发生之前及时地发起对 策。例如，可以通过关闭设备或它的一部分而进入安全状态。作为备选，可以减小穿过有缺 陷的接线输送的电流，以避免电路故障。此外，检测到失效允许提供反馈，例如"在芯片B模 块A中的有缺陷的接线"等，这充分地简化了电路或设备的故障诊断、替换和/或修复。
[0028] 所提出的解决方案具体地利用了检测在键合接线附近的磁场的改变。这一磁场改 变可以通过至少一个线圈或环路来检测。
[0029] 注意到，用语环路和线圈可以被可互换地使用。线圈以及环路可以具有至少一个 绕阻。在环路或线圈的末端处，电压能够基于电磁感应得以确定。还有一个选项为提供若 干线圈以用于检测磁场的改变，所述线圈中的每一个具有至少一个绕组。
[0030] 更进一步地，本文所指的键合接线为如何电连接芯片或硅片的一个示例；其它电 连接，例如导电材料(例如，铜）的夹可以相应地使用。
[0031] 例如，两个线圈（每个具有至少一个绕阻）可以被放在与键合接线相邻的芯片上。 由于磁感应原理，如果电流均匀地散布(在键合接线连接良好并且有序的情况下)，那么在 线圈中引起的电压(基本上）等于零。如果键合接线中的一个脱落，那么感应电压因此显著 地改变，允许检测到这一有缺陷的状态。
[0032] 图1示出位于芯片107的接触区域104内的键合接线101、102和103的示意性布 置。线圈105位于区域104中在键合接线101和102之间，并且线圈106位于区域104中 在键合接线102和103之间。线圈105、106中的每一个可以包括至少一个绕阻。线圈105、 106可以具体地被实现为测量环路。
[0033] 线圈105连接到包括整流器和放大器的组件118,该组件将从线圈105导出的信号 在适当的信号调节之后供应到节点113 (正极)和节点114 (负极)。相应地，线圈106连接 到可以包括放大器、滤波器或整流器的组件108,该组件将从线圈106获取的信号在适当的 信号调节之后供应到节点113和114。整流器可以被实施为桥式或Graetz整流器。
[0034] 节点113经由电阻器115连接到节点117。节点117连接到比较元件112 (例如， 比较器或运算放大器）的第一输入。比较元件112的第二输入连接到参考电压VMflll。节 点117还经由电容器109连接到节点114。而且，节点117经由电阻器110连接到节点114， 其中所述电阻器110优选地具有比电阻器115大得多的电阻。节点114还作为参考电位馈 送到比较元件112。比较元件112经由输出116供应比较结果，这允许检测键合连接没有正 确地工作。
[0035] 如果键合接线101至103的电连接是完好的，那么电流在这些键合接线101至103 上均匀地分布，即键合接线的每一个承载(基本上)相同量的电流I。在这种情形下，由线圈 105检测到的电压Vi (基本上）等于零。对于由线圈106检测到的电压V2也是如此。
[0036] 如果键合接线101至103中的一个变得无法操作或者不在承载相同量的电流I，那 么电流在键合接线101至103上的分布改变，这就在线圈105或106中的至少一个中感应 出电压(取决于遭遇失效的实际键合接线)。基于这一感应电压，键合接线中的电流分布的 改变可以被检测到，并且感应电压可以用作用于进一步处理的出错信号。
[0037] 这一方法还可以用于确定有缺陷的键合接线的数目。基于这一数目，可以做出决 定如何继续，具体地如何控制开关元件。例如，可能只要预确定数目的并联键合接线是完好 的，就不需要动作。在一些应用中，察觉到有缺陷的连接就足够了。根据信号调节和对线圈 信号的处理，有可能检测到哪个连接有缺陷，或者将所有的局部出错信号组合为公共出错 信号。
[0038] 温度测量单元119可以被提供为与组件118并联，以检测在线圈105中所感应的 电压并且基于这一电压确定温度信息。线圈105可以通过监视线圈电阻(其取决于温度)的 变化来用于测量温度的目的。这一温度测量优选地在流经键合接线的电流没有改变时施 行。相应地，测量单元120可以被提供为与组件108并联，以检测在线圈106中所感应的电 压并且基于这一电压确定温度信息。
[0039] 还有一种选项是，将测量单元119和120组合为单个单元，该单个单元连接到线圈 105和106中的每一个。另一种选项是，在温度达到或超过预定义阈值的情况下，测量单元 发出警告信号或者应用控制信号。
[0040] 图5示出包括信号504的时序图，该信号代表如图1所示的由线圈105和106所 感应的电压Vi和V 2的组合，其可以用于在比较元件112的输出处生成信号。如该时序图所 示为在时间t中通过键合接线101的电流信号501、通过键合接线102的电流信号502、以 及通过键合接线103的电流信号503。键合接线101至103并联地电耦合；因此如果所有 的键合接线101至103都是完好的，那么它们应当承载基本上相同量的电流。键合接线101 至103可以例如连接到集成电路的引脚，该引脚示例性地称作"该连接"。在图5的示例中， 假设电流以高值或低值输送到该连接。低值示例性地为零，即，没有电流输送。然而，电流 可以输送到该连接或者从该连接输送，并且其可以具有高或零之外的值。
[0041] 在时间tl处，通过该连接的电流从高改变到零。这一改变花费由在时间tl和时 间t2之间的时间间隔来指示的一些时间。在时间tl之前，信号501至503具有相同的值， 因此信号504等于零。由于在线圈到不同的键合接线101至103的耦合的不对称，在tl和 t2之间电流从高到零的改变并没有引起一样的电流信号501至503,这在该时间间隔期间 引起信号504的一些波动。然而，假设键合接线101至103仍是完好的并且在tl和t2之 间指示的信号504的波动507低于上阈值505并且高于下阈值506,即在由上阈值505和下 阈值506限定的带内。
[0042] 在时间t3处，键合接线103脱落（S卩，变得有缺陷）并且不再可以承载任何到该链 接的电流或来自该连接的电流。由于在时间t3处键合接线101至103的任一个都不承载 任何电流，所以键合接线103的该缺陷没有立即变得明显。
[0043] 然而在时间t4处，电流切换到高，并且电流开始流向该连接，但是仅经由键合接 线101和102 (因为在时间t3处键合接线103变得有缺陷，信号503为零)。由于图1所示 的电路，在线圈106中感应处高得多的电压，因为键合接线103不再能够贡献任何感应电压 (否则其已经减小或补偿在线圈106中感应的电压V2)。因此，在时间t4和时间t5之间的 时间间隔期间，信号504比阈值505更高。从时间t5开始，在该连接中的电流改变已经结 束并且达到电流的高值(仅经由键合接线101和102输送)。
[0044] 在时间t6处，键合接线102变得有缺陷，这是由于经由键合接线101和102所承载 的到该连接的电流高值，引起在键合接线102中的电流突然该变并且因此导致在线圈105 中感应峰值电压，该峰值电压表现为在信号504中的峰值508。峰值508在由上阈值和下阈 值505和506限定的带之外，并且因此能够被识别为缺陷。
[0045] 在时间t7处，到该连接的电流开始从高回到零。在该示例中，仅键合接线101还 正确地连接并且输送电流的任何改变。如下文所描述，电流花费从时间t7至时间t8以回 到零。在信号501中的电流的改变在线圈105中感应电压，没有补偿流经键合接线102(或 键合接线103)的电流。因此，这一感应电压引起信号504超过下阈值506。
[0046] 信号504超过（S卩，高于）上阈值505或者超过（S卩，低于）下阈值506指示在键合 接线101至103中的至少一个中出现缺陷。还可以确定出现多少缺陷以及/或者键合接线 中的哪个被损坏。
[0047] 图2示出用于测量目的的示例性电路图。线圈105U06的信号被馈送到比较器 202的第一输入。参考信号V Mf201被馈送到比较器202的第二输入。比较器202的输出 提供出错信号203,该信号经由RC元件(低通)被馈送到处理逻辑204并且进一步经由驱动 器205被馈送到开关元件206 (S卩，断路器)。开关元件206从而能够基于出错信号203而 断开。参考信号V,ef201经由局部接地参考电位（也被称作地）被供电，RC元件的电容器与 一个管脚连接以接地，处理逻辑204和驱动器205链接到作为参考电位的地，并且开关元件 206的发射极连接到地。
[0048] 在测量到线圈105和106两者处的电压的情况下，可以确定键合接线101至103 中的哪个脱落了。如果键合接线101至103是完好的，以下关系适用：
[0049] wm
[0050] 在键合接线101脱落的情况下，关系变为：
[0051] Vi ^ 0
[0052] 并且在键合接线103脱落的情况下，关系变为：
[0053] V2 关 0
[0054] 在中间的键合接线102脱落的情况下，以上关系变为：
[0055] V\ 尹 0 且 V2 尹 0
[0056] 然而，注意到"等于零"也包括其中各自的电压以较不严格的方式基本上等于零的 情况。然而，如果键合接线脱落，那么与完好情形比较，电压改变。利用根据图2的至少一 个测量电路，这一改变被可以清晰地检测到。尤其是，根据具体的使用情况，"等于零"可以 包括"等于预定义的值"的情形。例如，由于其它(更多或更少的）在键合接线101至103周 围的相邻键合接线的作用，侧边效应可以在线圈105和106中感应电压。而且，电路的环境 或周围可以感应不为零的电压。然而，此处描述的基于键合接线变得有缺陷这一事实的电 压改变可以基于感应电压(磁场的改变）的量来被检测到，并且提供相当独立于在其中使用 电路的环境的可靠的出错信号。
[0057] 所讨论的方法可以扩展到多于三个键合接线和/或键合接线的不同布置。
[0058] 作为一个选项，线圈可以用于温度测量。在这一情况下，监视线圈的电阻的变化 (其取决于温度)。优选地，在流经键合接线的电流中没有改变时进行温度测量。由于线圈 的接线随其温度改变其电阻，可以使用所述线圈来进行温度测量。
[0059] 可以在电流不改变时（S卩，当di/dt=0时)进行温度测量。因此，在线圈中没有感应 电压。
[0060] 如所指示的，测量在由线圈包围的区域内的磁场的改变。因此，线圈充当没有芯部 的电流互感器。可以基于下列示例性的值来估计测量的电压：
[0061] di/dt=100A/ μ s ； μ r=l ；L=lmm ；H=2mm ；r=1mm,
[0062] 其中di/dt是电流随时间的改变，μ,是相对磁导率，L是线圈的长度，H是线圈的 高度，以及r是离开键合接线的距离。上述引起测量区域S达到
[0063] S = 2 · l(T6m2
[0064] 因此线圈中的电压达到
[0065]

【权利要求】
1. 一种集成电路 一包括至少两个电连接， 一包括与所述电连接中的至少一个电连接相邻地布置的至少一个线圈， 一其中所述至少一个线圈中的每个线圈都包括至少一个绕组， 一其中所述至少一个线圈被布置在所述集成电路上或在所述集成电路中。
2. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个电连接包括并联连接以共享电 流负载的若干电连接。
3. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个电连接将所述集成电路的一部 分与管脚连接。
4. 根据权利要求1所述的集成电路，其中至少一个线圈被布置在至少两个电连接之 间。
5. 根据权利要求4所述的集成电路，其中至少一个线圈与一个电连接相邻地布置。
6. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电连接包括键合接线。
7. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电连接包括导电夹。
8. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个线圈包括供应在所述集成电路 上或者嵌入在所述集成电路中的金属结构和/或金属层。
9. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个线圈被布置为基本上平行于所 述集成电路的表面或者基本上垂直于所述集成电路的所述表面。
10. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个线圈包括供应在所述集成电 路的若干层上的金属结构和/或金属层。
11. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个线圈用于温度测量。
12. -种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的设备，其中所述设备被布置 一用于经由在位于所述电连接附近的至少一个线圈中感应的电压，来确定在若干并联 电连接中的电流改变， 一用于基于在所述至少一个线圈中感应的所述电压，来确定所述若干并联电连接中的 哪个有缺陷。
13. 根据权利要求12所述的设备，其中所述设备被布置用于基于所确定的所述有缺陷 的电连接来发出信号，所述信号指示或包括下列各项中的至少一项： 一所述并联电连接的哪个有缺陷； 一警告通知； 一必须限制或减少电流的指示，具体地用于减少或限制被输送到所述剩余电连接的所 述电流的信号； 一出错信号； 一用于断开组件的控制信号，所述组件具体地为电子开关、晶体管、IGBT或FET。
14. 根据权利要求12所述的设备，其中所述设备被布置用于基于所述线圈的电阻的改 变来进行温度测量。
15. 根据权利要求14所述的设备，其中所述设备被布置用于在当通过所述若干电连接 的所述电流的改变为零或基本上为零的阶段期间进行所述温度测量。
16. 根据权利要求12所述的设备，其中所述线圈被用作电流互感器，具体地为没有芯 部的电流互感器。
17. 根据权利要求12所述的设备，其中所述设备被布置用于基于感应的所述电压来确 定所述若干并联电连接中哪个有缺陷，其中在所述有缺陷的电连接附近的所述线圈中感应 的所述电压不为零或者提供大于预确定的值的变化。
18. 根据权利要求12所述的设备，其中所述若干并联电连接中有缺陷的电连接的数目 得以确定。
19. 一种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的方法， 一其中经由在位于所述电连接附近的至少一个线圈中感应的电压，在若干并联电连接 中的电流改变得以确定， 一其中基于在所述至少一个线圈中感应的所述电压，所述若干并联电连接中的哪个有 缺陷得以确定。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中基于确定的所述有缺陷的电连接来发出信号， 所述信号指示或包括下列各项中的至少一项： 一所述并联电连接的哪个有缺陷； 一警告通知； 一必须限制或减少电流的指示，具体地用于减少或限制输送到所述剩余电连接的所述 电流的信号； 一出错信号； 一用于断开组件的控制信号，所述组件具体地为电子开关、晶体管、IGBT或FET。
21. 根据权利要求19所述的方法，其中基于所述线圈的电阻的改变来进行温度测量。
22. 根据权利要求21所述的方法，其中在当通过所述若干电连接的所述电流的改变为 零或基本上为零的阶段期间进行所述温度测量。
23. 根据权利要求19所述的方法，其中所述线圈被用作电流互感器，具体地为没有芯 部的电流互感器。
24. 根据权利要求19所述的方法，其中基于感应的所述电压来确定所述若干并联电连 接中哪个有缺陷，其中在所述有缺陷的电连接附近的所述线圈中感应的所述电压不为零或 者提供大于预确定的值的变化。
25. -种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的设备， 一包括比较器件，以用于将来自连接到集成电路的与至少一个电连接相邻地布置的至 少一个线圈的信号与参考信号比较， 一包括处理逻辑，所述处理逻辑连接到所述比较器件的所述输出，其中所述处理逻辑 提供取决于在所述至少一个线圈中感应的电压的输出信号。
26. 根据权利要求25所述的设备，其中所述输出信号连接到功率开关或断路器。
27. 根据权利要求25所述的设备，其中所述输出信号经由驱动器连接到功率开关或断 路器。
28. 根据权利要求25所述的设备，其中所述比较器件的所述输出经由低通连接到所述 处理逻辑。
29. 根据权利要求25所述的设备，其中所述电连接将所述集成电路与管脚连接。
30. 根据权利要求25所述的设备，其中若干电连接并联地电连接，并且其中所述至少 一个线圈与所述电连接的至少一个电连接相邻地布置，具体地在至少两个电连接之间。
31. 根据权利要求25所述的设备，其中所述至少一个线圈被布置在所述集成电路上或 在所述集成电路中。
32. 根据权利要求25所述的设备，其中所述至少一个线圈是微线圈。
33. 根据权利要求25所述的设备，其中所述比较器件是比较器。
34. -种用于确定有缺陷的电连接的系统 一包括若干电连接，所述若干电连接并联地连接到集成电路， 一包括至少一个线圈，所述至少一个线圈被布置在所述集成电路上或在所述集成电路 中，与所述若干电连接中的至少一个电连接相邻， 一包括用于确定在所述若干电连接中的有缺陷的电连接的设备，其中所述设备被布置 一用于经由在所述至少一个线圈中由至少一个相邻的电连接所感应的电压，来确定在 所述并联电连接中的至少一个并联电连接中的电流改变， 一用于基于在所述至少一个线圈中感应的所述电压，来确定所述若干并联电连接中的 哪个有缺陷。
35. 根据权利要求34所述的系统，其中所述设备被布置用于基于感应的所述电压来确 定所述若干并联电连接中的哪个有缺陷，其中在所述有缺陷的电连接附近的所述线圈中感 应的所述电压不为零或者提供大于预确定的值的变化。
36. -种用于确定到集成电路的有缺陷的电连接的系统，包括： 一用于经由在位于所述电连接附近的至少一个线圈中感应的电压，来确定在若干并联 电连接中的电流改变的器件， 一用于基于在所述至少一个线圈中感应的所述电压，来确定所述若干并联电连接中的 哪个有缺陷的器件。
37. 根据权利要求36所述的系统，包括用于基于感应的所述电压来确定所述若干并联 电连接中的哪个有缺陷的器件，其中在所述线圈中感应的所述电压不为零或者提供大于预 确定的值的变化。
38. -种用于确定有缺陷的电连接的系统 一包括若干电连接，所述若干电连接被连接到若干集成电路， 一包括至少一个线圈，所述至少一个线圈与所述电连接的至少一个电连接相邻地布 置， 一包括用于在所述若干电连接中确定有缺陷的电连接的设备，其中所述设备被布置 一用于经由在所述至少一个线圈中由至少一个相邻电连接所感应的电压，来确定在所 述电连接中的至少一个电连接中的电流改变， 一用于基于在所述至少一个线圈中感应的所述电压，来确定所述若干并联电连接中的 哪个有缺陷。
39. 根据权利要求38所述的系统，其中所述设备被布置用于基于感应的所述电压来确 定所述电连接中的哪个有缺陷，其中在所述有缺陷的电连接附近的所述线圈中感应的所述 电压不为零或者提供大于预确定的值的变化。
【文档编号】H01L23/64GK104101811SQ201410145461
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2013年4月14日
【发明者】F·约斯特, J·巴伦舍恩, P·G·布勒克霍夫 申请人:英飞凌科技奥地利有限公司