Tft深接触孔制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种TFT深接触孔制造方法，采用非晶化ITO膜层生长在厚绝缘层膜之上，利用图形化工艺将接触孔图形转移至此非晶化ITO膜层之上，在深接触孔刻蚀过程中无需多次曝光、干刻接触孔而形成深接触孔，一方面节省了工艺成本及提升工艺时间，另一方面由于无需多次剥离光刻胶，可明显提高产品的良率。本发明使得深接触孔制造工艺仅通过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀即可实现，节省工艺制造成本；同时无需考虑光刻胶长时间在干刻气氛的作用下变性而无法剥防干净，制作工艺简单，提高生产良率与生产节拍，本发明制作工艺简单，能有效提高生产节拍，在更低的生产成本的条件下，实现TFT阵列基板中TFT深接触孔的快速和高质量制造。
【专利说明】 TFT深接触孔制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示领域TFT阵列基板的制造方法，特别是涉及到一种TFT接触孔的制造方法，应用于薄膜晶体管制备【技术领域】。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管的英文全称为Thin Film Transistor,缩写为TFT。
[0003]参见图1，传统的TFT阵列基板中TFT深接触孔的制造方法如下:
一、首先将PECVD沉积的绝缘层膜后的基板清洗洁净，并在此基板表面之上涂布正性光刻胶及前烘，利用图形化转移方式对涂布的正性光刻胶进行曝光、显影以及后烘，制作出预进行干法刻蚀的接触孔图形；二、对此基板上PECVD沉积的绝缘层膜进行干刻处理，为保证每次干刻工艺结束后的光刻胶可以被完全去除干净，控制干刻工艺时间，在后续N次重复干刻工艺之后，整个绝缘层膜可以被完全刻蚀干净；三、剥离基板表面光刻胶；四、重复骤一、二、三的工艺步骤N次，直至干刻工艺结束。至此，本方法的TFT阵列基板深接触孔制造工艺结束。
[0004]传统的TFT阵列基板中TFT深接触孔的制造方法通过多次光刻图形化转移、多次干法刻蚀进行，制作工艺较为繁复，生产受到影响，产品合格率不高，工艺制造成本较高，对于深接触孔图形干刻由于采用的光刻胶长时间在干刻气氛的作用下而发生性状改变，采用传统脱膜方式无法将其彻底去除干净导致光刻胶残留，因此传统选用分步刻蚀的方式对深接触孔图形进行干法刻蚀。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种TFT深接触孔制造方法，该工艺通过在PECVD沉积的绝缘层膜之后先进行一次常温非晶化ITO膜层工艺加工，从而使得深接触孔干刻只经过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀工艺即可实现深接触孔的干刻工艺。
[0006]为达到上述发明创造目的，本发明采用下述技术方案:
一种TFT深接触孔制造方法，包括如下步骤:
a.在清洗洁净的TFT基板上利用PECVD工艺沉积一层绝缘层膜，绝缘层膜的厚度可根据工艺需求沉积比传统干刻工艺所能接受厚度更厚的厚度；
b.在上述步骤a中制备的绝缘层膜之上用磁控溅射方法生长一层非晶化ITO膜层，使非晶化ITO膜层的厚度小于在上述步骤a中制备的绝缘层膜的厚度；
c.通过光刻图形化工艺，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上，然后按照非晶化ITO膜层上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，利用ITO刻蚀液对非晶化ITO膜层进行刻蚀，在非晶化ITO膜层上形成接触孔图形，使接触孔底部的绝缘层膜裸露出来，并利用剥离液剥离掉非晶化ITO膜层表面上的光刻胶，使具有接触孔的非晶化ITO膜层显露出来；作为优选的工艺手段，对非晶化ITO膜层表面上进行图形化工艺时，首先在非晶化ITO膜层之上涂布一层光刻胶涂层，再经过光刻、显影、烘烤形成具有接触孔的光刻胶图形，使接触孔底部的非晶化ITO膜层裸露出来，即完成将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上的工艺工程；
d.以在上述步骤C中制备的具有接触孔的非晶化ITO膜层作为绝缘层膜的干法刻蚀阻挡层，通过接触孔对绝缘层膜进行干法刻蚀，直至形成深接触孔，使深接触孔底部的TFT基板表面裸露出来；
e.再次利用ITO刻蚀液刻蚀掉非晶化ITO膜层，使具有深接触孔的绝缘层膜显露出来，从而完成TFT深接触孔制造过程。
[0007]作为本发明优选的技术方案，在上述步骤a中，绝缘层膜优选采用SiOx绝缘层膜；在上述步骤d中，优选对SiOx绝缘层膜进行干法刻蚀时，在CF4气氛下施行干刻工艺。
[0008]作为上述技术方案的优选技术方案，在上述步骤c和步骤e中，均采用草酸刻蚀液在常温下对非晶化ITO膜层进行刻蚀。
[0009]本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点: 本发明采用非晶化ITO膜层生长在厚绝缘层膜之上，利用图形化工艺将接触孔图形转
移至此非晶化ITO膜层之上，深接触孔干刻工艺过程中，长时间的干法刻蚀气氛下使光刻胶变性而无法剥离掉的现象可以避免，因此在深接触孔刻蚀过程中无需多次曝光、干刻接触孔而形成深接触孔，一方面节省了工艺成本及提升工艺时间，另一方面由于无需多次剥离光刻胶，可明显提高产品的良率。本发明通过在PECVD沉积的绝缘层膜之上先溅射常温非晶化ITO膜层并进行图形化工艺加工，使得深接触孔制造工艺仅通过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀即可实现，节省工艺制造成本；同时还无需考虑光刻胶长时间在干刻气氛的作用下变性而无法剥防干净，制作工艺简单，提高生产的良率与生产节拍，本发明制作工艺简单，能有效提高生产节拍，在更低的生产成本的条件下，实现TFT阵列基板中TFT深接触孔的快速和高质量制造。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为传统TFT深接触孔制造工艺流程框图。
[0011]图2为本发明优选实施例TFT深接触孔制造工艺流程框图。
[0012]图3为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中采用的TFT基板结构示意图。
[0013]图4为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中沉积绝缘层膜的TFT工艺结构示意图。
[0014]图5为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中生长非晶化ITO膜层的TFT工艺结构示意图。
[0015]图6为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中光刻图形化的TFT工艺结构示意图。
[0016]图7为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中呈现非晶化ITO膜层的TFT工艺结构示意图。
[0017]图8为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中制作深接触孔的TFT工艺结构示意图。[0018]图9为本发明优选实施例在TFT深接触孔制造工艺中呈现具有深接触孔的绝缘层膜的TFT工艺结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]本发明的优选实施例详述如下:
在本实施例中，参见图2?图9，TFT深接触孔制造方法，包括如下步骤:
a.在清洗洁净的TFT基板10上利用PECVD工艺沉积一层厚度为5000A的SiOx绝缘层膜20，参见图3和图4 ；
b.在上述步骤a中制备的SiOx绝缘层膜20之上用磁控溅射方法在低温下生长一层厚度为300 A的非晶化ITO膜层30，参见图5 ;
c.通过光刻图形化工艺，首先在非晶化ITO膜层30之上涂布一层光刻胶40，再经过光刻、显影、烘烤形成具有接触孔的光刻胶图形，使接触孔底部的非晶化ITO膜层30裸露出来，即完成将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层30上的工艺工程，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层30上，然后按照非晶化ITO膜层30上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，在常温下利用草酸刻蚀液对非晶化ITO膜层30进行刻蚀，刻蚀时间为20秒，在非晶化ITO膜层30上形成接触孔图形31，使接触孔底部的绝缘层膜20裸露出来，并在温度为60°C条件下，利用剥离液剥离去除非晶化ITO膜层30表面上的光刻胶40，使具有接触孔的非晶化ITO膜层30显露出来，参见图6和图7 ；
d.以在上述步骤c中制备的具有接触孔的非晶化ITO膜层30作为SiOx绝缘层膜20的干法刻蚀阻挡层，在CF4气氛下，通过接触孔对SiOx绝缘层膜20进行干法刻蚀，刻蚀时间为350秒，直至将接触孔处SiOx完全刻蚀形成TFT深接触孔50，使深接触孔50底部的TFT基板10表面裸露出来，参见图8 ;
e.在常温下，再次利用草酸刻蚀液刻蚀去除非晶化ITO膜层30，使具有深接触孔50的SiOx绝缘层膜20显露出来，从而完成TFT深接触孔50制造过程，参见图9。
[0020]参见图2，本实施例TFT深接触孔制造方法，通过在PECVD沉积的厚绝缘层膜之上，利用磁控溅射机常温溅射一层非晶化ITO膜层，通过光刻图形化工艺将接触孔图形转移至此非晶化ITO膜层上，并对ITO膜层时行刻蚀，剥离去除表面的光刻胶，并将此层非晶化ITO膜层作为干法刻蚀阻挡层，从而实现深接触孔干法刻蚀工艺的一次性刻蚀，节约工艺制造成本；同时，可以避免光刻胶在干法刻蚀气氛长时间的作用下变性而无法剥离。本实施例对传统的TFT深接触孔制造方法进行了优化，通过在PECVD沉积的绝缘层膜之上先溅射常温非晶化ITO膜层并进行图形化工艺加工，使得深接触孔制造工艺仅通过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀即可实现，节省工艺制造成本；同时还无需考虑光刻胶长时间在干刻气氛的作用下变性而无法剥防干净，制作工艺简单，提高生产的良率与生产节拍。
[0021]上面结合附图对本发明实施例进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明TFT深接触孔制造方法的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种TFT深接触孔制造方法，其特征在于，包括如下步骤: a.在清洗洁净的TFT基板上利用PECVD工艺沉积一层厚绝缘层膜，绝缘层膜的厚度根据工艺需求沉积比传统干刻工艺所能接受厚度更厚的厚度； b.在上述步骤a中制备的绝缘层膜之上用磁控溅射方法生长一层非晶化ITO膜层，使非晶化ITO膜层的厚度小于在上述步骤a中制备的绝缘层膜的厚度； c.通过光刻图形化工艺，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上，然后按照非晶化ITO膜层上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，利用ITO刻蚀液对非晶化ITO膜层进行刻蚀，在非晶化ITO膜层上形成接触孔图形，使接触孔底部的绝缘层膜裸露出来，并利用剥离液剥离掉非晶化ITO膜层表面上的光刻胶，使具有接触孔的非晶化ITO膜层显露出来； d.以在上述步骤C中制备的具有接触孔的非晶化ITO膜层作为绝缘层的干法刻蚀阻挡层，通过接触孔对绝缘层膜进行干法刻蚀，直至形成深接触孔，使深接触孔底部的TFT基板表面裸露出来； e.再次利用ITO刻蚀液刻蚀掉非晶化ITO膜层，使具有深接触孔的绝缘层膜显露出来，从而完成TFT深接触孔制造过程。
2.根据权利要求1所述TFT深接触孔制造方法，其特征在于:在上述步骤c中，对非晶化ITO膜层表面上进行图形化工艺时，首先在非晶化ITO膜层之上涂布一层光刻胶涂层，再经过光刻、显影、烘烤形成具有接触孔的光刻胶图形，使接触孔底部的非晶化ITO膜层裸露出来，即完成将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上的工艺工程。
3.根据权利要求1或2所述TFT深接触孔制造方法，其特征在于:在上述步骤a中，绝缘层膜为SiOx绝缘层膜。
4.根据权利要求3所述TFT深接触孔制造方法，其特征在于:在上述步骤d中，对SiOx绝缘层膜进行干法刻蚀时，在CF4气氛下施行干刻工艺。
5.根据权利要求1或2所述TFT深接触孔制造方法，其特征在于:在上述步骤c和步骤e中，均采用草酸刻蚀液在常温下对非晶化ITO膜层进行刻蚀。
【文档编号】H01L21/768GK103996653SQ201410193642
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】陈龙龙, 李喜峰, 张建华 申请人:上海大学