改善外延层电阻率均匀性的方法
【专利摘要】本发明提供了一种改善外延层电阻率均匀性的方法，通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖，即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜，之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中，进行过预覆盖的腔体的内部的腔体的侧壁和基座上的所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来，从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度，掺杂气体进入外延层中，改变了所述外延层边缘的电阻率分布，降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品良率。
【专利说明】改善外延层电阻率均匀性的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，特别涉及一种改善外延层电阻率均匀性的方法。
【背景技术】
[0002]外延工艺是指在单晶衬底上生长一层单晶层，新生长的这一层称为外延层。衬底与外延层的组合结构被称作外延片，外延片又分为同质外延片和异质外延片。目前大量使用的同质外延片中，衬底与外延层的掺杂剂主要有N型元素及P型元素。现有的外延片，衬底与外延层两者掺杂剂的元素种类和浓度不相同。如常用的一种外延片，其衬底为N型，SP衬底中掺杂N型元素磷、砷或锑中的一种或几种；其外延层掺杂有P型元素硼。但是在外延片的生产过程中，存在着普遍的自掺杂现象。自掺杂是由于热蒸发或者化学反应的副产物对衬底的扩散，衬底中的硅及杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质实际分布偏离理想的情况。按产生的原因，自掺杂可分为气相自掺杂、固相外扩散及系统自掺杂。气相自掺杂的掺杂物主要来自晶圆的背面和边缘固相外扩散。固相外扩散的掺杂物主要来自衬底的扩散，掺杂物在衬底与外延层的接触面由衬底扩散至外延层。系统自掺杂的掺杂物来自气体晶片，石墨盘和反应炉腔体等外延片生产装置的内部。
[0003]目前还没有完全解决自掺杂现象的有效方法，只是对外延工艺过程中的参数进行精确而细微地调节来抑制自掺杂现象，例如反应时间、温度、气体流量等，从而尽量保证外延层的均匀性。但是上述参数的控制受较多因素的影响，控制精准度不是很高，难以完全避免自掺杂现象的发生，进而使所生生长出的外延层电阻率均匀性差。
[0004]为了解决自掺杂现象造成衬底上外延层电阻率的均匀性差的问题，本领域技术人员一直在寻找解决这一问题的有效方法。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种改善外延层电阻率均匀性的方法，以解决自掺杂现象造成衬底上外延层电阻率的均匀性差的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供改善外延层电阻率均匀性的方法，所述改善外延层电阻率均匀性的方法包括:
[0007]提供进行外延工艺的腔体、测试样品及衬底；
[0008]对所述测试样品进行外延工艺，在所述测试样品上生长一外延层；
[0009]对测试样品的所述外延层进行电阻率的测试；
[0010]对经过外延工艺的腔体的内部进行刻蚀；
[0011]根据所述外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖;
[0012]将所述衬底放入预覆盖处理过的腔体中，进行外延工艺。
[0013]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述外延层为P型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间低边缘高时，所述掺杂剂选用P型元素。
[0014]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述外延层为P型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间高边缘低时，所述掺杂剂选用N型元素。
[0015]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述外延层为N型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间低边缘高时，所述掺杂剂选用N型元素。
[0016]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述外延层为N型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间高边缘低时，所述掺杂剂选用P型元素。
[0017]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述P型元素为硼。
[0018]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述N型元素为磷、砷或锑中的一种或几种。
[0019]可选的，在改善外延层电阻率均匀性的方法中，所述腔体的内部包括一用于承载所述衬底的基座，在根据所述外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖的步骤中，对所述腔体的内部的腔体的侧壁和所述基座均进行预覆盖。
[0020]在本发明所提供的改善外延层电阻率均匀性的方法中，通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖，即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜，之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中，进行过预覆盖的腔体的内部的腔体的侧壁和基座的所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来，从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度，掺杂气体进入外延层中，改变了所述外延层边缘的电阻率分布，降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是本发明一实施例的改善外延层电阻率均匀性的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0022]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的改善外延层电阻率均匀性的方法及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0023]请参考图1，其为本发明一实施例的改善外延层电阻率均匀性的方法的流程图。如图1所示，所述的改善外延层电阻率均匀性的方法包括以下步骤:
[0024]首先，执行步骤S10，提供进行外延工艺的腔体、测试样品及衬底。
[0025]接着，执行步骤S20，对所述测试样品进行外延工艺，在所述测试样品上生长一外延层。
[0026]本实施例中，所述外延层为P型外延层或者N型外延层。其中，P型外延层是指在生长外延层时，掺杂气体中掺杂有P型元素硼；P型外延层是指在生长外延层时，掺杂气体中掺杂有N型元素磷、砷或锑中的一种或几种。
[0027]接着，执行步骤S30，对测试样品的所述外延层进行电阻率的测试。
[0028]具体的，测试样品用以表征待进行外延工艺的衬底的特性，通过对测试样品的外延层进行电阻率、厚度等参数的测试，从而选取工艺参数及相应的方法，解决或完善测试结果所体现的问题。而电阻率的高低可以体现出所述P型外延层掺杂的P型元素浓度的高低，或者N型外延层中掺杂的N元素的浓度高低。
[0029]接着，执行步骤S40，对经过外延工艺的腔体的内部进行刻蚀。
[0030]本实施例中选用盐酸对经过外延工艺的腔体的内部进行刻蚀这一操作，主要考虑测量样品进行过外延工艺后，腔体的内部的腔体的侧壁和基座均会残留一些杂质，为使后续外延工艺在洁净的环境中进行操作，采用盐酸将杂质去除，提高外延工艺的良率。
[0031]接着，执行步骤S50，根据所述外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖。
[0032]本实施例中，由于外延生长过程中难以避免会发生自掺杂现象，从而影响外延层电阻率的均匀性，对于测试样品为通常情况的圆形，因此外延层的电阻率的分布情况会包括两种情况，即中间低边缘高、及中间高边缘低。而掺杂剂的浓度高低与电阻率分布成反t匕，即掺杂剂浓度越高，此时电阻率越低，本发明正是基于这一特点，根据生长外延层的种类及其电阻率的分布情况选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖的。
[0033]具体的，当所述测试样品上生长的所述外延层为P型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间低边缘高时，所述掺杂剂选用P型元素。在进行外延工艺过程中，存在着普遍的自掺杂现象。自掺杂现象会降低所述P型外延层中P型元素的浓度，P型元素的浓度的高低与电阻率分布成反比，即P型元素的浓度的越高，此时电阻率就越低，因此，此时所述P型外延层中P型元素的浓度为中间低边缘高的情况，由于本发明中在对所述腔体的内部进行预覆盖处理时选择的掺杂剂类型为P型元素，在温度的影响下，腔体的内部的腔体的侧壁和基座上覆盖的掺杂剂会扩散出来，提高了自掺杂现象所扩散出的杂质气体浓度，使得所述第一外延层边缘的电阻率降低，从而降低自掺杂现象对于外延层电阻率均匀性的影响，提闻了广品的良率。
[0034]进一步地，所述外延层为P型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间高边缘低时，所述掺杂剂选用N型元素。此时所述P型外延层中P型元素的浓度分布情况为中间高边缘低，由于本发明中在对所述腔体的内部进行预覆盖处理时选择的掺杂剂类型为N型元素，在温度的影响下，腔体的内部的腔体的侧壁和基座上覆盖的掺杂剂会扩散出来，即N型元素会扩散出来，降低了自掺杂现象所扩散出的杂质气体浓度，使得所述第一外延层边缘的电阻率提高，从而降低自掺杂现象对于外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品的良率。
[0035]进一步地，所述外延层为N型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间低边缘高时，所述掺杂剂选用N型元素。此时所述N型外延层中N型元素的浓度分布情况为中间低边缘高，由于本发明中在对所述腔体的内部进行预覆盖处理时选择的掺杂剂类型为N型元素，在温度的影响下，腔体的内部的腔体的侧壁和基座上覆盖的掺杂剂会扩散出来，即N型元素会扩散出来，提高了自掺杂现象所扩散出的杂质气体浓度，使得所述第一外延层边缘的电阻率降低，从而降低自掺杂现象对于外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品的良率。
[0036]进一步地，所述外延层为N型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间高边缘低时，所述掺杂剂选用P型元素。此时所述N型外延层中N型元素的浓度分布情况为中间高边缘低，由于本发明中在对所述腔体的内部进行预覆盖处理时选择的掺杂剂类型为P型元素，在温度的影响下，腔体的内部的的腔体的侧壁和基座上覆盖的掺杂剂会扩散出来，即P型元素会扩散出来，降低了自掺杂现象所扩散出的杂质气体浓度，使得所述第一外延层边缘的电阻率提高，从而降低自掺杂现象对于外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品的良率。
[0037]本实施例中，选用的所述掺杂剂的所述P型元素为硼；所述N型元素为磷、砷或锑中的一种或几种。
[0038]接着，执行步骤S60，将所述衬底放入预覆盖处理过的腔体中，进行外延工艺。
[0039]本实施例中，所述腔体的内部包括一用于承载所述衬底的基座，在根据所述外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖的步骤中，对所述腔体的内部的腔体的侧壁和所述基座均进行预覆盖。
[0040]综上，在本发明所提供的改善外延层电阻率均匀性的方法中，通过根据测试样品生长的外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖，即在所述腔体内生长一层含有所述掺杂剂的薄膜，之后对衬底进行外延工艺。在进行外延工艺过程中，进行过预覆盖的腔体的内部所覆盖的掺杂剂会受高温影响扩散出来，从而改变衬底边缘的掺杂气体浓度，掺杂气体进入外延层中，改变了所述外延层边缘的电阻率分布，降低了自掺杂现象对外延层电阻率均匀性的影响，提高了产品良率。
[0041]上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【权利要求】
1.一种改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，包括: 提供进行外延工艺的腔体、测试样品及衬底； 对所述测试样品进行外延工艺，在所述测试样品上生长一外延层； 对测试样品的所述外延层进行电阻率的测试； 对经过外延工艺的腔体的内部进行刻蚀； 根据所述外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖； 将所述衬底放入预覆盖处理过的腔体中，进行外延工艺。
2.如权利要求1所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述外延层为P型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间低边缘高时，所述掺杂剂选用P型元素。
3.如权利要求1所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述外延层为P型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间高边缘低时，所述掺杂剂选用N型元素。
4.如权利要求1所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述外延层为N型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间低边缘高时，所述掺杂剂选用N型元素。
5.如权利要求1所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述外延层为N型外延层，所述外延层的电阻率的分布情况为中间高边缘低时，所述掺杂剂选用P型元素。
6.如权利要求2或5所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述P型元素为硼。
7.如权利要求3或4所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述N型元素为磷、砷或锑中的一种或几种。
8.如权利要求1所述的改善外延层电阻率均匀性的方法，其特征在于，所述腔体的内部包括一用于承载所述衬底的基座，在根据所述外延层的电阻率的分布情况，选择掺杂剂对所述腔体的内部进行预覆盖的步骤中，对所述腔体的内部的腔体的侧壁和所述基座均进行预覆盖。
【文档编号】H01L21/22GK103996608SQ201410250516
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年6月6日 优先权日:2014年6月6日
【发明者】史超, 王海红, 曹荣 申请人:上海先进半导体制造股份有限公司