技术总结
本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
技术研发人员：林志伟;姜伟;陈凯轩;尧刚;张永;杨凯;白继锋;蔡建九;刘碧霞
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
文档号码：201410338035
技术研发日：2014.07.16
技术公布日：2017.09.26