技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有若干有源区，相邻有源区之间具有隔离结构，部分有源区的衬底表面具有栅极结构，栅极结构两侧分别具有源区和漏区；在有源区、隔离结构和栅极结构表面形成第一介质层；去除隔离结构上方的部分第一介质层，在第一介质层内形成初始通孔；在初始通孔的侧壁表面形成保护层；之后去除初始通孔底部的第一介质层，在第一介质层内形成第一通孔；在第一通孔内形成第二介质层；之后去除第一介质层，在栅极结构两侧分别形成第二通孔和源线沟槽；在第二通孔内形成漏极导电结构，在源线沟槽内形成源线导电结构。所形成的半导体结构的形貌良好、性能稳定。
技术研发人员：何其暘;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
文档号码：201410802122
技术研发日：2014.12.18
技术公布日：2016.07.13