一种适应于超大电流的igbt用吸收电容器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其包括有电容芯子，以及分别设置在电容芯子两端的电极；所述电容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面与右端面之间延伸的侧端面，其中，电容芯子的左端面与右端面均在竖直方向上进行延伸，左端面与右端面的面积大于电容芯子侧端面在竖直方向上的投影面积；所述电极分别设置在电容芯子中的左端面与右端面之上；所述电极所在侧端面上设置有喷金层；采用上述技术方案的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其通过改进电容芯子的结构，以及其与电极的连接方式，使得电容的等效串联电阻得以减小，从而使得电容的交流有效值电流增大，进而使得电容的电流承载能力得以显著提高。
【专利说明】—种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电子器件，尤其是一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器。
【背景技术】
[0002]IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种由双极型三极管与绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式半功率半导体器件，其驱动电流较大，开关速度迅速，故而适用于直流电压为600V以上的变流系统，其广泛运用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，由于对于电动汽车、机车牵引、功率变频等新兴领域，IGBT是必不可少的器件之一。IGBT在关断时，会产生尖峰电压，尖峰电压会通过母线损坏IGBT ;故而，为确保IGBT的工作寿命，其往往在IGBT中设置吸收电容器，用以吸收尖峰电压。但由于IGBT的应用场合对功率要求较大，大功率IGBT产生的尖峰电压，其往往会产生高于普通电容器的电流耐值的超大电流，从而导致吸收电容器，以及IGBT损坏，出现发热、开裂生长燃烧等现象。
实用新型内容
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种IGBT用吸收电容器，其在用于IGBT中吸收电流时，可避免因电流过大导致的发热、开裂甚至燃烧等现象。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型涉及一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其包括有电容芯子，以及分别设置在电容芯子两端的电极；所述电容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面与右端面之间延伸的侧端面，其中，电容芯子的左端面与右端面均在竖直方向上进行延伸，左端面与右端面的面积大于电容芯子侧端面在竖直方向上的投影面积；所述电极分别设置在电容芯子中的左端面与右端面之上；所述电极所在侧端面上设置有喷金层。
[0005]作为本实用新型一种改进，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子采用圆柱结构，电容芯子的左端面与右端面为圆柱结构的底端面；所述电容芯子的底面半径至少与其长度相等；所述电极沿竖直方向进行延伸。采用上述设计，其通过圆柱结构的电容芯子，使得电容器适于生产与装配，同时，圆柱结构的电容芯子的底面半径与长度设置，其可确保电容芯子的底面面积大于其侧端面在竖直方向上的投影面积，从而通过提高电容芯子的横截面积，有效减小电容的等效串联电阻，进而提闻电容的电流承载能力。
[0006]作为本实用新型一种改进，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子采用长方体结构；所述电容芯子的宽度至少为其长度的1.5倍，电容芯子的宽度为其高度的0.8至1.2倍；所述电极沿电容芯子的高度方向进行延伸。采用上述设计，其可通过长方体的电容结构设计，使得电容芯子中，其左端面与右端面中的宽度与高度可根据实际需要进行调节，从而可使得电容的等效串联电阻可根据技术需求进行精确的调整；同时电容芯子的尺寸结构，可确保电容芯子的左端面、右端面的面积大于其余端面面积，进而通过提1?电容芯子的横截面积，有效减小电容的等效串联电阻，提闻电容的电流承载能力。
[0007]作为本实用新型的一种改进，所述电极在电容芯子的左端面，以及右端面上的投影长度至少为，电容芯子的左端面与右端面在电极延伸方向上的长度的4/5。采用上述设计，其可使得电极与电容之间的接触面积有所增强，从而提高电极与电容之间的端面电流过载能力。
[0008]作为本实用新型的一种改进，所述电容芯子的长度至多为25毫米，其可通过限定电容芯子的长度，进一步限定电容的等效串联电阻，进而确保电容的电流承载能力。
[0009]作为本实用新型的一种改进，所述电容芯子采用聚丙烯膜；所述电容芯子的左端面，以及右端面的喷金层的面积与其端面面积相等，喷金层的镀膜厚度至少为I毫米。采用上述设计，其可通过增加喷金层的材料镀膜厚度，使得其材料方阻有所降低，从而配合电容芯子的结构有效增强电容的电流承载能力。
[0010]作为本实用新型的一种改进，所述电极与电容芯子的连接端部采用叉指结构，其包含有至少3个平行于电极延伸方向的叉指，多个叉指的边部固定焊接于电容芯子之上。采用上述设计，其可通过多个叉指边部与电容芯子之间的焊接，使得电极与电容芯子之间的焊点有所增加，从而使得电极与电容芯子之间的桥接电阻，进行提高电极与电容之间的端面电流过载能力。
[0011]作为本实用新型的一种改进，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子内部采用串联方向进行连接。
[0012]采用上述技术方案的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其通过改进电容芯子的结构，以及其与电极的连接方式，使得电容的等效串联电阻得以减小，从而使得电容的交流有效值电流增大，进而使得电容的电流承载能力得以显著提高；上述吸收电容器用于IGBT时，由于其具有优良的电流承载能力，故而可避免电容器发热开裂等现象。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型中实施例1示意图；
[0014]图2为本实用新型中实施例2示意图；
[0015]图3为本实用新型中实施例3中电机与电容芯子连接示意图；
[0016]附图标记列表:
[0017]I 一电容芯子、2 —电极、3—电容芯子左端面、4 一电容芯子右端面、5—电容芯子侧端面、6—喷金层、7—叉指。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和【具体实施方式】，进一步阐明本实用新型，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0019]实施例1
[0020]一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其包括有电容芯子1，以及分别设置在电容芯子两端的电极2 ;所述电容芯子包含由左端面3、右端面4，以及在左端面3与右端面4之间延伸的侧端面5，其中，电容芯子的左端面3与右端面4均在竖直方向上进行延伸，左端面3与右端面4的面积大于电容芯子侧端面5在竖直方向上的投影面积；所述电极2分别设置在电容芯子中的左端面3与右端面4之上；所述电极2所在侧端面上设置有喷金层6。
[0021]作为本实用新型一种改进，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子I采用圆柱结构，电容芯子I的左端面3与右端面4为圆柱结构的底端面；所述电容芯子I的底面半径至少与其长度相等；所述电极2沿竖直方向进行延伸。采用上述设计，其通过圆柱结构的电容芯子，使得电容器适于生产与装配，同时，圆柱结构的电容芯子的底面半径与长度设置，其可确保电容芯子的底面面积大于其侧端面在竖直方向上的投影面积，从而通过提闻电容芯子的横截面积，有效减小电容的等效串联电阻，进而提闻电容的电流承载能力。
[0022]作为本实用新型的一种改进，所述电极2在电容芯子I的左端面3，以及右端面4上的投影长度为电容芯子I的左端面3与右端面4在电极延伸方向上的长度的4/5。采用上述设计，其可使得电极与电容之间的接触面积有所增强，从而提高电极与电容之间的端面电流过载能力。
[0023]作为本实用新型的一种改进，所述电容芯子I的长度为20毫米，其可通过限定电容芯子的长度，进一步限定电容的等效串联电阻，进而确保电容的电流承载能力。
[0024]作为本实用新型的一种改进，所述电容芯子I采用聚丙烯膜；所述电容芯子I的左端面，以及右端面的喷金层6的面积与其端面面积相等，喷金层6的镀膜厚度为I毫米。采用上述设计，其可通过增加喷金层的材料镀膜厚度，使得其材料方阻有所降低，从而配合电容芯子的结构有效增强电容的电流承载能力。
[0025]作为本实用新型的一种改进，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子I内部采用串联方向进行连接。
[0026]采用上述技术方案的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其通过改进电容芯子的结构，以及其与电极的连接方式，使得电容的等效串联电阻得以减小，从而使得电容的交流有效值电流增大，进而使得电容的电流承载能力得以显著提高；上述吸收电容器用于IGBT时，由于其具有优良的电流承载能力，故而可避免电容器发热开裂等现象。
[0027]实施例2
[0028]作为本实用新型一种改进，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子I采用长方体结构；所述电容芯子I的宽度为其长度的1.5倍，电容芯子I的宽度为其高度的0.9倍；所述电极2沿电容芯子I的高度方向进行延伸。采用上述设计，其可通过长方体的电容结构设计，使得电容芯子中，其左端面与右端面中的宽度与高度可根据实际需要进行调节，从而可使得电容的等效串联电阻可根据技术需求进行精确的调整；同时电容芯子的尺寸结构，可确保电容芯子的左端面、右端面的面积大于其余端面面积，进而通过提高电容芯子的横截面积，有效减小电容的等效串联电阻，提闻电容的电流承载能力。
[0029]本实施例其余特征与优点同实施例1相同。
[0030]实施例3
[0031]作为本实用新型的一种改进，所述电极2与电容芯子I的连接端部采用叉指结构，其包含有3个平行于电极2延伸方向的叉指7，多个叉指7的边部固定焊接于电容芯子之上。采用上述设计，其可通过多个叉指边部与电容芯子之间的焊接，使得电极与电容芯子之间的焊点有所增加，从而使得电极与电容芯子之间的桥接电阻，进行提高电极与电容之间的端面电流过载能力。
[0032]本实施例其余特征与优点同实施例2相同。
【权利要求】
1.一种适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其包括有电容芯子，以及分别设置在电容芯子两端的电极，其特征在于，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子包含由左端面、右端面，以及在左端面与右端面之间延伸的侧端面，其中，电容芯子的左端面与右端面均在竖直方向上进行延伸，左端面与右端面的面积大于电容芯子侧端面在竖直方向上的投影面积；所述电极分别设置在电容芯子中的左端面与右端面之上；所述电极所在侧端面上设置有喷金层。
2.按照权利要求1所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子采用圆柱结构，电容芯子的左端面与右端面为圆柱结构的底端面；所述电容芯子的底面半径至少与其长度相等；所述电极沿竖直方向进行延伸。
3.按照权利要求1所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子采用长方体结构；所述电容芯子的宽度至少为其长度的1.5倍，电容芯子的宽度为其高度的0.8至1.2倍；所述电极沿电容芯子的高度方向进行延伸。
4.按照权利要求1至3任意一项所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述电容芯子的长度至多为25毫米。
5.按照权利要求4所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述电极在电容芯子的左端面，以及右端面上的投影长度至少为电容芯子的左端面与右端面在电极延伸方向上的长度的4/5。
6.按照权利要求5所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述电容芯子采用聚丙烯膜；所述电容芯子的左端面，以及右端面的喷金层的面积与其端面面积相等，喷金层的镀膜厚度至少为I毫米。
7.按照权利要求6所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述电极与电容芯子的连接端部采用叉指结构，其包含有至少3个平行于电极延伸方向的叉指，多个叉指的边部固定焊接于电容芯子之上。
8.按照权利要求7所述的适应于超大电流的IGBT用吸收电容器，其特征在于，所述适应于超大电流的IGBT用吸收电容器中，电容芯子内部采用串联方向进行连接。
【文档编号】H01G4/005GK204189620SQ201420431870
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年8月1日 优先权日:2014年8月1日
【发明者】李仲良, 石宝宏, 朱承标 申请人:南京天正容光达电子（集团）有限公司