1.一种纳米结构发光器件，包括：
基础层，其由第一导电类型的氮化物半导体材料形成；
绝缘层，其布置在基础层上并且具有多个开口，所述多个开口中的每一个暴露出基础层的一部分；
多个纳米核，其分别布置在所述多个开口中，并且由第一导电类型的氮化物半导体材料形成，所述多个纳米核中的每一个包括末梢部分，所述末梢部分的晶面与侧表面的晶面不同；
按次序布置在所述多个纳米核中的每一个的表面上的有源层和第二导电类型的氮化物半导体层；以及
电流阻挡中间层，其在所述多个纳米核中的每一个与有源层之间布置在所述多个纳米核中的每一个的末梢部分上。
2.根据权利要求1所述的纳米结构发光器件，其中，电流阻挡中间层包括未掺杂的氮化物或者掺杂有第二导电类型的杂质的氮化物。
3.根据权利要求2所述的纳米结构发光器件，其中，电流阻挡中间层的厚度为50nm或更大。
4.根据权利要求3所述的纳米结构发光器件，其中，电流阻挡中间层的杂质浓度为1.0×1016/cm3或更大。
5.根据权利要求1所述的纳米结构发光器件，其中，纳米核的侧表面上的晶面垂直于基础层的上表面。
6.根据权利要求1所述的纳米结构发光器件，其中，纳米核、有源层和第二导电类型的氮化物半导体层中的每一个包括氮化物单晶体，并且电流阻挡中间层包括氮化物单晶体。
7.根据权利要求1所述的纳米结构发光器件，还包括额外的电流阻挡中间层，其在有源层与第二导电类型的氮化物半导体层之间，并且位于与所述多个纳米核中的每一个的末梢部分对应的区上。
8.根据权利要求7所述的纳米结构发光器件，其中，所述额外的电流阻挡中间层包括未掺杂的氮化物或者掺杂有第一导电类型的杂质的氮化物。
9.根据权利要求7所述的纳米结构发光器件，其中，所述额外的电流阻挡中间层形成为从与末梢部分对应的区延伸至与纳米核中的每一个的侧表面对应的区。
10.根据权利要求9所述的纳米结构发光器件，其中，在所述额外的电流阻挡中间层中，与侧表面对应的区上的部分的厚度小于与末梢部分对应的区上的部分的厚度。
11.根据权利要求9所述的纳米结构发光器件，其中，与侧表面对应的区上的部分延伸至绝缘层的表面。
12.一种纳米结构发光器件，包括：
基础层，其由第一导电类型的氮化物半导体材料形成；
绝缘层，其布置在基础层上并且具有多个开口，所述多个开口中的每一个暴露出基础层的一部分；
多个纳米核，其分别布置在所述多个开口中，并且由第一导电类型的氮化物半导体材料形成，所述多个纳米核中的每一个包括末梢部分，所述末梢部分的晶面与侧表面的晶面不同；
按次序布置在所述多个纳米核中的每一个的表面上的有源层和第二导电类型的氮化物半导体层；以及
电流阻挡中间层，其在有源层与第二导电类型的氮化物半导体\t层之间，并且位于与所述多个纳米核中的每一个的末梢部分对应的区上。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，在电流阻挡中间层中，在与所述多个纳米核中的每一个的侧表面对应的区上的部分的厚度小于在与末梢部分对应的区上的部分的厚度。
14.根据权利要求13所述的纳米结构发光器件，其中，电流阻挡中间层包括未掺杂的氮化物或者掺杂有第一导电类型的杂质的氮化物，并且
其中，在电流阻挡中间层中，在与末梢部分对应的区上的部分的厚度为50nm或更大，并且在与侧表面对应的区上的部分的厚度为20nm或更小。
15.根据权利要求14所述的纳米结构发光器件，其中，在与侧表面对应的区上的部分的杂质浓度和在与末梢部分对应的区上的部分的杂质浓度相同。
16.根据权利要求13所述的纳米结构发光器件，其中，电流阻挡中间层延伸至绝缘层的表面。
17.根据权利要求16所述的纳米结构发光器件，其中，在电流阻挡中间层中，在与末梢部分对应的区上的部分的厚度为50nm或更大，并且在与侧表面对应的区上的部分的厚度为5nm至20nm。
18.一种纳米结构发光器件，包括：
基础层，其由第一导电类型的氮化物半导体材料形成；
绝缘层，其布置在基础层上并且具有多个开口，所述多个开口中的每一个暴露出基础层的一部分；
多个纳米核，其分别布置在所述多个开口中，并且由第一导电\t类型的氮化物半导体材料形成，所述多个纳米核中的每一个包括末梢部分，所述末梢部分的晶面与侧表面的晶面不同；
按次序布置在所述多个纳米核中的每一个的表面上的有源层和第二导电类型的氮化物半导体层；
第一电流阻挡中间层，其在有源层与第二导电类型的氮化物半导体层之间，并且位于与所述多个纳米核中的每一个的末梢部分对应的区上；以及
第二电流阻挡中间层，其在所述多个纳米核中的每一个与有源层之间布置在所述多个纳米核中的每一个的末梢部分上。
19.根据权利要求18所述的纳米结构发光器件，其中，第二电流阻挡中间层延伸至绝缘层的表面，并且
在第二电流阻挡中间层中，在与所述多个纳米核中的每一个的侧表面对应的区上的部分的厚度小于与末梢部分对应的区上的部分的厚度。
20.根据权利要求18所述的纳米结构发光器件，其中，第一电流阻挡中间层包括未掺杂的氮化物或者掺杂有第二导电类型的杂质的氮化物，并且第二电流阻挡中间层包括未掺杂的氮化物或者掺杂有第一导电类型的杂质的氮化物。