技术总结
本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。
技术研发人员：徐软瑀;金定燮;崔荣进;丹尼斯·桑尼科夫;成汉珪;千大明;许在赫;
受保护的技术使用者：三星电子株式会社;
技术研发日：2014.10.30
技术公布日：2016.07.13