1.一种发光二极管，其特征在于，
包括：
第一发光结构体，由形成于基板上的第一n-GaN层、第一活性层、第一p-GaN层依次层叠而成；
导电层，配置有形成于所述第一发光结构体上的至少一个孔；
第二发光结构体，由第二p-GaN层、第二活性层及第二n-GaN层依次层叠而成，所述第二p-GaN层形成于配置有所述导电层的至少一个孔的区域，所述第二活性层形成于所述第二p-GaN层上，
所述第二p-GaN层是借助所述导电层的至少一个孔使所述第一p-GaN层再生长而形成的。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二p-GaN层与所述导电层的侧壁或上部面相接触，来使所述导电层被用作所述第二发光结构体的p型接触层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：
第一n型电极，形成于第一n-GaN层的上部的一侧；
第二n型电极，形成于所述第二n-GaN层的上部的一侧；以及
p型电极，形成于所述导电层的上部的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在所述发光二极管中，所述导电层被用作使通过所述p型电极传递的电流向所述第一发光结构体及所述第二发光结构体扩散的电流扩散层。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在所述发光二极管中，借助所述第一n型电极和所述p型电极的连接来驱动所述第一发光结构体，借助所述第二n型电极和所述p型电极的连接来驱动所述第二发光结构体，独立或相互关联地实现对所述第一发光结构体和所述第二发光结构体的工作控制。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导电层被用作使所述第二p-GaN层生长的掩模图案。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导电层由选自Co、Ni、Pt、Au、Se、Re、Ir、Pb、Ag、Cr、Zn及功函数为4.4eV以上的导电性金属或碳纳米管、石墨烯、氧化铟锡、ZnO及氧化铟锌中的至少一种形成。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括绝缘层，其形成于未配置有所述导电层的至少一个孔的区域，
所述绝缘层具有与所述导电层的至少一个孔的位置相对应的至少一个孔。
9.一种发光二极管，其特征在于，包括：
第一发光结构体，由形成于基板上的第一n-GaN层、第一活性层、第一p-GaN层依次层叠而成；
导电层，配置有形成于所述第一发光结构体上的至少一个孔；
发光结构组，由第二p-GaN层组、第二活性层组及第二n-GaN层组依次层叠而成，所述第二p-GaN层组形成于配置有所述导电层的至少一个孔的区域，所述第二活性层组形成于所述第二p-GaN层上；
所述第二p-GaN层组是借助上述导电层的至少一个孔使上述第一p-GaN层再生长而形成的。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述发光结构组由通过第二p-GaN层、第二活性层及第二n-GaN层依次层叠而成的至少一个发光体结构形成，
所述发光结构体分别独立形成于配置有所述导电层的至少一个孔的区域。
11.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上依次层叠第一n-GaN层、第一活性层及第一p-GaN层来形成第一发光结构体的步骤；
在所述第一发光结构体上形成具有至少一个孔的导电层的步骤；
借助所述导电层的至少一个孔，使第一p-GaN层再生长而在配置有上述导电层的至少一个孔的区域形成第二p-GaN层的步骤；以及
在上述第二p-GaN层上依次层叠第二活性层、第二n-GaN层来形成第二发光结构体的步骤。
12.根据权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述发光二极管的制备方法中，在形成所述第二发光结构体的步骤之后，还包括：
在所述第二n-GaN层的上部的一侧形成第二n型电极的步骤；以及
在所述导电层的上部的一侧形成p型电极的步骤。
13.根据权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述第一发光结构体上形成具有至少一个孔的导电层的步骤还包括：
在所述第一发光结构体上沉积导电层的步骤；以及
通过光刻工序，在被沉积的所述导电层形成配置有至少一个孔的图案的步骤。
14.根据权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，以10nm至1μm的厚度形成所述导电层。
15.根据权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，通过选择性区域生长方法执行形成所述第二p-GaN层的步骤。
16.根据权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二p-GaN层与所述导电层的侧壁或上部面相接触。
17.根据权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括在未配置有所述导电层的至少一个孔的区域形成绝缘层的步骤，
所述绝缘层具有与所述导电层的至少一个孔的位置相对应的至少一个孔。
18.根据权利要求17所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述绝缘层由选自SiO2、旋转涂布玻璃或在900℃以下的温度下具有耐热性的物质中的一种形成。
19.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上依次层叠第一n-GaN层、第一活性层及第一p-GaN层来形成第一发光结构体的步骤；
在所述第一发光结构体上形成具有至少一个孔的导电层的步骤；
借助所述导电层的至少一个孔，使第一p-GaN层再生长而在配置有上述导电层的至少一个孔的区域形成第二p-GaN层组的步骤；以及
在所述第二p-GaN层组上依次层叠第二活性层组、第二n-GaN层组来形成第二发光发光结构组的步骤。