1.一种半导体装置，包括：
衬底；以及
在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：
第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包括第一结晶区域；
在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层包括第二结晶区域；
在所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层，所述第三氧化物半导体层包括第三结晶区域；
在所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上的栅电极；
在所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层上且与它们直接接触的源电极；以及
在所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层上且与它们直接接触的漏电极，
其中所述第二结晶区域包括其中c-轴垂直于所述第二氧化物半导体层的表面的晶体结构。
2.一种半导体装置，包括：
衬底；
在所述衬底上的晶体管，以及
电连接到所述晶体管的布线，
其中所述晶体管包括：
第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包括第一结晶区域；
在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层包括第二结晶区域；
在所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层，所述第三氧化物半导体层包括第三结晶区域；
在所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上的栅电极；
与所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层直接接触的源电极；以及
与所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层直接接触的漏电极，
其中所述源电极电连接到所述布线中的一个，
其中所述漏电极电连接到所述布线中的另一个，以及
其中所述第二结晶区域包括其中c-轴垂直于所述第二氧化物半导体层的表面的晶体结构。
3.一种半导体装置，包括：
衬底；以及
在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：
第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层包括第一结晶区域；
在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层包括第二结晶区域；
在所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层，所述第三氧化物半导体层包括第三结晶区域；
在所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上的栅电极；
在所述第二氧化物半导体层上且与其直接接触的源电极；以及
在所述第二氧化物半导体层上且与其直接接触的漏电极，
其中所述晶体管的沟道形成区域设置在所述源电极与所述漏电极之间，
其中所述沟道形成区域包括所述第一氧化物半导体层的一部分、所述第二氧化物半导体层的一部分和所述第三氧化物半导体层的一部分，以及
其中所述第二结晶区域包括其中c-轴垂直于所述第二氧化物半导体层的表面的晶体结构。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中所述源电极和所述漏电极与所述第二氧化物半导体层的顶面直接接触。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，进一步包括在所述晶体管下的第一晶体管，其中所述第一晶体管的沟道包括硅。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，进一步包括在所述晶体管上且与其接触的氧化铝。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个包括锌，以及
其中所述第一氧化物半导体层中的锌的组成比与所述第二氧化物半导体层中的锌的组成比不同。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每个包括铟、镓、锡、铝、镁和锌中的至少一个。
9.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中所述源电极和所述漏电极中的每个包括铜。
10.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中所述第三氧化物半导体层与所述源电极的底面和所述漏电极的底面直接接触。